JPH01125933A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH01125933A JPH01125933A JP28329487A JP28329487A JPH01125933A JP H01125933 A JPH01125933 A JP H01125933A JP 28329487 A JP28329487 A JP 28329487A JP 28329487 A JP28329487 A JP 28329487A JP H01125933 A JPH01125933 A JP H01125933A
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- Japan
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- pressure
- discharge
- vacuum
- pipe
- conduit
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空処理方法及び！ｉ！ｔｌｉに係り、特に磁
場を用いたエツチングや成膜等の処理をより低圧で行う
真空処理方法及び装置に関するものである。
場を用いたエツチングや成膜等の処理をより低圧で行う
真空処理方法及び装置に関するものである。
従来のスパッタａｌ１等ではより低圧で放電させるため
にイグナイタ（点火！ｉｔ）を設けることがなされてい
る。
にイグナイタ（点火！ｉｔ）を設けることがなされてい
る。
なお、この種のＩｉＭＥ！ｔとして関連するものには。
例えば、東京エレクトロン（株）ｘＡ行、カセット・ツ
ウ・カセットスパッタリングシステムカタログ等が挙げ
られる。
ウ・カセットスパッタリングシステムカタログ等が挙げ
られる。
しかしながら、このような従来の技術ではイグナイタを
放電室内に設ける必要があるため、イグナイタに用いて
いる材料からの汚染が問題になり。
放電室内に設ける必要があるため、イグナイタに用いて
いる材料からの汚染が問題になり。
素子のダメージが問題となるＤＲＡＭ等のＶＬＳｌ用の
エツチング装置やＣＶＤには使用しすらいという問題点
があった。
エツチング装置やＣＶＤには使用しすらいという問題点
があった。
本発明の目的は、汚染の少ない低圧プロセスを可能とす
る真空処理方法及び！１Ｎｉｔを提供することである。
る真空処理方法及び！１Ｎｉｔを提供することである。
上記目的は真空処理の圧力を２段階に制御することによ
り達成される。
り達成される。
比較的高い圧力で放電を開始し、放電を持続しつつすみ
やかに低圧に移行させることにより、より低圧でプラズ
マ処理することができる。
やかに低圧に移行させることにより、より低圧でプラズ
マ処理することができる。
特に、放電開始時の放電電力を比較的小さくし圧力の低
下に伴って放電電力を大きくすれば、より望ましい低圧
放電に近づけることができる。
下に伴って放電電力を大きくすれば、より望ましい低圧
放電に近づけることができる。
本発明の一実施例を第１図〜第３図を用いて説明する。
第１図において、１は真空容器、２はカソード、３は１
ノードでありかつエツチングガス１１の導入機構を有す
るアノードノズル、４は被処理物であるウェハ、５はカ
バー、６は真空容器に設けられた窓であり、この窓を通
してプラズマの発光が発光検出器７に取り込りれる。８
はＲＦ発振器であり、カソード２にＲＦを印加する。カ
ソード２と真空容器１とは適切な絶縁材で絶縁されてい
る。９は真空排気系であり、詳細は第２図を用いて後述
する。１０はアノード上方に設置された磁石であり、タ
ーンテーブル１６に取り付けられており、モータｎによ
り回転できる。
ノードでありかつエツチングガス１１の導入機構を有す
るアノードノズル、４は被処理物であるウェハ、５はカ
バー、６は真空容器に設けられた窓であり、この窓を通
してプラズマの発光が発光検出器７に取り込りれる。８
はＲＦ発振器であり、カソード２にＲＦを印加する。カ
ソード２と真空容器１とは適切な絶縁材で絶縁されてい
る。９は真空排気系であり、詳細は第２図を用いて後述
する。１０はアノード上方に設置された磁石であり、タ
ーンテーブル１６に取り付けられており、モータｎによ
り回転できる。
第２図は真空排気系を詳述したら−ので、エツチング室
ｌ、バッファ室乙にはターボポンプる。メカニカルブー
スタポンプγおよびロータリポンプ公が接続されている
。Ｉはトラップである。ターボポンプへの配管はコンダ
クタンスが大きい管路３１とコンダクタンスが小さい管
路諺とで構成され、それぞれの管路にメインパルプ２４
および微調整パルプ２が設けられている。これらのパル
プはともにモータにより自動制御可能となっている。第
２図−こはカセット室２２ａ、 ２２ｂとその排気系も
記されているが本発明と直接関連する部分ではない。
ｌ、バッファ室乙にはターボポンプる。メカニカルブー
スタポンプγおよびロータリポンプ公が接続されている
。Ｉはトラップである。ターボポンプへの配管はコンダ
クタンスが大きい管路３１とコンダクタンスが小さい管
路諺とで構成され、それぞれの管路にメインパルプ２４
および微調整パルプ２が設けられている。これらのパル
プはともにモータにより自動制御可能となっている。第
２図−こはカセット室２２ａ、 ２２ｂとその排気系も
記されているが本発明と直接関連する部分ではない。
二のように構成されたエツチング装置において、メイン
パルプを制御し磁場の効果で放電開始が可能な約５０
ｍＴｏｒｒ程度に設定して放電を開始し。
パルプを制御し磁場の効果で放電開始が可能な約５０
ｍＴｏｒｒ程度に設定して放電を開始し。
その後放電を持続させつつ微調整パルプを開とすること
により、エツチング室を数ｍＴｏｒｒの低圧に保つてエ
ツチングすることができる。
により、エツチング室を数ｍＴｏｒｒの低圧に保つてエ
ツチングすることができる。
！３図は磁場を用いたＲＩＢにおいてエツチング速度と
素子のダメージに関係するイオンの衝突エネルギを決定
する自己バイアス電圧との関係を示したものである。図
かられかるように、より低圧曝こすることにより高いエ
ツチング速度を保持したママ自己バイアス電圧を低下さ
せることができる。従って、低圧プロセスが可能となる
本実施例によれば低ダメージエツチングが可能となる。
素子のダメージに関係するイオンの衝突エネルギを決定
する自己バイアス電圧との関係を示したものである。図
かられかるように、より低圧曝こすることにより高いエ
ツチング速度を保持したママ自己バイアス電圧を低下さ
せることができる。従って、低圧プロセスが可能となる
本実施例によれば低ダメージエツチングが可能となる。
上記効果をより一層高めるためには放電開始時のＲＦ電
力をできるだけ小さ鴫し、低圧側の圧力調整が完了後、
ＲＦ電力を大きくすることが’！ましい。また、本実施
例では微調整パルプを全開で用いており、圧力Ｗ４！１
の応答性、と再現性を高めることも可能とした。
力をできるだけ小さ鴫し、低圧側の圧力調整が完了後、
ＲＦ電力を大きくすることが’！ましい。また、本実施
例では微調整パルプを全開で用いており、圧力Ｗ４！１
の応答性、と再現性を高めることも可能とした。
本発明によれば汚染の少ない低圧プロセスを可能とする
真空処理方法及び装置を提供することができる効果があ
る。
真空処理方法及び装置を提供することができる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例のドライエツチングｇｔＷＬ
の全体構成図、亀２図は第１図における真空排気系の詳
細構成図、第３図に第１図のｉｔで８ｉ０２をエツチン
グした場合のエツチング特性を示す図である。 第２閲 ２４．２５−一斥力１印緊パルプ ３１Ｊ２−ｊ４ｆ気曹玲 ４３図 〃°ス浮力（Ｐａ）
の全体構成図、亀２図は第１図における真空排気系の詳
細構成図、第３図に第１図のｉｔで８ｉ０２をエツチン
グした場合のエツチング特性を示す図である。 第２閲 ２４．２５−一斥力１印緊パルプ ３１Ｊ２−ｊ４ｆ気曹玲 ４３図 〃°ス浮力（Ｐａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器内に電極および被処理物を設置し該被処理
物をプラズマ処理する真空処理方法において、比較的高
い圧力が放電を開始し、すみやかに低圧として放電を持
続させ、より低い圧力でプラズマ処理を可能としたこと
を特徴とする真空処理方法。 ２、前記放電開始持の放電電力を比較的小さくし、圧力
の低下に伴って該電力を大きくする特許請求の範囲第１
項記載の真空処理方法。 ３、前記真空容器にコンダクタンスの異なる２系統の排
気管路を設けてそれぞれの管路に圧力調整パルプを設け
、コンダクタンスの大きい管路で放電開始圧力を設定し
、コンダクタンスの小さい管路でより低圧側の圧力を設
定するようにした特許請求の範囲第１項記載の真空処理
方法。 ４、前記低圧側の圧力設定時に該コンダクタンスの小さ
い管路の圧力調整パルプを全開となるよう該コンダクタ
ンスの大きい管路の圧力調整パルプを放電開始時に調整
するようにした特許請求の範囲第３項記載の真空処理方
法。 ５、真空容器内に電極および被処理物を設置し、該被処
理物をプラズマ処理する真空処理装置において、該真空
容器にコンダクタンスの異なる２系統の排気管路を設け
、それぞれの管路に圧力調整パルプを設けたことを特徴
とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28329487A JPH01125933A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 真空処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28329487A JPH01125933A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 真空処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125933A true JPH01125933A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17663585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28329487A Pending JPH01125933A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 真空処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252428A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2006523934A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
| JP2009260376A (ja) * | 2009-07-29 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | プラズマドーピング方法 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28329487A patent/JPH01125933A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252428A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2006523934A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
| JP2009260376A (ja) * | 2009-07-29 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | プラズマドーピング方法 |
| JP4640521B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2011-03-02 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング方法 |
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