JPH0513002Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0513002Y2 JPH0513002Y2 JP1983099205U JP9920583U JPH0513002Y2 JP H0513002 Y2 JPH0513002 Y2 JP H0513002Y2 JP 1983099205 U JP1983099205 U JP 1983099205U JP 9920583 U JP9920583 U JP 9920583U JP H0513002 Y2 JPH0513002 Y2 JP H0513002Y2
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- Japan
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- chamber
- leak
- vacuum
- gas
- vacuum processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は集積回路基板等の試料を真空中で処理
する真空処理装置に係り、特に信頼性向上を計つ
た加圧リーク構造に関する。
する真空処理装置に係り、特に信頼性向上を計つ
た加圧リーク構造に関する。
(b) 技術の背景
集積回路基板に施す各種の処理は厳しい管理条
件のもとで高度の物理的、化学的処理がなされ、
高い信頼度が要求される。例えばCVD法により
シリコン基板上に被着形成させる絶縁膜処理や、
スパツタ又は蒸着法により行なう金属膜形成処理
或いはドライエツチング処理等には一定圧に減圧
排気し、清浄な雰囲気に維持された真空処理室内
で行なう。真空処理室内の清浄度良否は試料に及
ぼす影響が大きく、真空排気系及び加圧リーク系
何れも安定性があり、しかも処理の再現性が容易
に得られることが望ましい。
件のもとで高度の物理的、化学的処理がなされ、
高い信頼度が要求される。例えばCVD法により
シリコン基板上に被着形成させる絶縁膜処理や、
スパツタ又は蒸着法により行なう金属膜形成処理
或いはドライエツチング処理等には一定圧に減圧
排気し、清浄な雰囲気に維持された真空処理室内
で行なう。真空処理室内の清浄度良否は試料に及
ぼす影響が大きく、真空排気系及び加圧リーク系
何れも安定性があり、しかも処理の再現性が容易
に得られることが望ましい。
(c) 従来技術と問題点
第１図は従来の真空処理装置を示す構成図であ
る。図においてスパツタ又はプラズマエツチング
装置等のチヤンバ１（真空処理室）内を真空排気
する排気系及びチヤンバ１内を大気下に戻す加圧
ガス、例えば窒素ガス（N2）を導入してリーク
するリーク系を備えた真空処理装置を示す。排気
系には低真空に荒引き排気する第１真空ポンプ２
（ロータリポンプ）と高真空に排気する第２真空
ポンプ３（クライオポンプ）とをエアオペレート
バルブV1，V2，V3を介してチヤンバ１に接続す
る。一方、加圧リーク系には図示するようにエア
オペレートバルブV4を配して排気導管４に接続
し、チヤンバ１内に加圧ガス（N2）を導入し、
清浄な雰囲気とした大気下に置換する。
る。図においてスパツタ又はプラズマエツチング
装置等のチヤンバ１（真空処理室）内を真空排気
する排気系及びチヤンバ１内を大気下に戻す加圧
ガス、例えば窒素ガス（N2）を導入してリーク
するリーク系を備えた真空処理装置を示す。排気
系には低真空に荒引き排気する第１真空ポンプ２
（ロータリポンプ）と高真空に排気する第２真空
ポンプ３（クライオポンプ）とをエアオペレート
バルブV1，V2，V3を介してチヤンバ１に接続す
る。一方、加圧リーク系には図示するようにエア
オペレートバルブV4を配して排気導管４に接続
し、チヤンバ１内に加圧ガス（N2）を導入し、
清浄な雰囲気とした大気下に置換する。
真空排気する処理操作は、例えばV1バルブを
開とし、V2〜V4バルブを閉じて第１真空ポンプ
２を作動させ荒引排気して大気下にあるチヤンバ
１内を減圧（＞10-2Torr）し、次いでV1バルブ
を閉じ、V2バルブを開き、第２真空ポンプ３を
動作状態に排気し、しかる後にV2バルブを閉じ
第１真空ポンプ２を停止する。次いでV3を開と
し、第２真空ポンプ３を作動させ、高真空（＞
10-7Torr）に真空排気する。これによりチヤン
バ内１に配置した半導ウエハ等の試料をスパツタ
もしくはプラズマエツチング処理する。再び真空
排気したチヤンバ１内を大気下にするリーク操作
はV3バルブを閉じ第２ポンプを停止し、V4バル
ブを開き、リーク用ガスを導入する。この際送り
込まれるリーク用ガス例えば窒素ガス（N2）は
減圧したチヤンバ１内に急激な送風圧をなし、乱
気流が発生する。このためチヤンバ１内に浮遊す
るコンタミ物質或いは側壁の付着物をまき散ら
し、更に水ジヤケツトにより冷却される被処理試
料にN2ガスが集中的にトラツプされ、上記微粒
子とともに付着し、試料上の膜質を低下させるこ
とがある。
開とし、V2〜V4バルブを閉じて第１真空ポンプ
２を作動させ荒引排気して大気下にあるチヤンバ
１内を減圧（＞10-2Torr）し、次いでV1バルブ
を閉じ、V2バルブを開き、第２真空ポンプ３を
動作状態に排気し、しかる後にV2バルブを閉じ
第１真空ポンプ２を停止する。次いでV3を開と
し、第２真空ポンプ３を作動させ、高真空（＞
10-7Torr）に真空排気する。これによりチヤン
バ内１に配置した半導ウエハ等の試料をスパツタ
もしくはプラズマエツチング処理する。再び真空
排気したチヤンバ１内を大気下にするリーク操作
はV3バルブを閉じ第２ポンプを停止し、V4バル
ブを開き、リーク用ガスを導入する。この際送り
込まれるリーク用ガス例えば窒素ガス（N2）は
減圧したチヤンバ１内に急激な送風圧をなし、乱
気流が発生する。このためチヤンバ１内に浮遊す
るコンタミ物質或いは側壁の付着物をまき散ら
し、更に水ジヤケツトにより冷却される被処理試
料にN2ガスが集中的にトラツプされ、上記微粒
子とともに付着し、試料上の膜質を低下させるこ
とがある。
(d) 考案の目的
本考案は上記の欠点に鑑み、真空排気したチヤ
ンバ内を大気下に戻す有効なリーク用ガス導入機
構を提供し、真空処理装置の信頼性向上を計るこ
とを目的とする。
ンバ内を大気下に戻す有効なリーク用ガス導入機
構を提供し、真空処理装置の信頼性向上を計るこ
とを目的とする。
(e) 考案の構成
上記目的は本考案による、排気系とリーク系と
チヤンバとを有し、該排気系は該チヤンバを真空
排気するものであり、該リーク系は該チヤンバを
大気圧下に戻すものであり、該チヤンバは、該排
気系と該リーク系とが、それぞれ別個に設けら
れ、且つ、該チヤンバの該リーク系の導入口に対
向して、リーク用ガスの気流を拡散させるように
した遮蔽板を設けた真空処理装置によつて達せら
れる。
チヤンバとを有し、該排気系は該チヤンバを真空
排気するものであり、該リーク系は該チヤンバを
大気圧下に戻すものであり、該チヤンバは、該排
気系と該リーク系とが、それぞれ別個に設けら
れ、且つ、該チヤンバの該リーク系の導入口に対
向して、リーク用ガスの気流を拡散させるように
した遮蔽板を設けた真空処理装置によつて達せら
れる。
(f) 考案の実施例
以下、本考案の実施例を図面により詳述する。
第２図は本考案の一実施例である真空処理装置を
示す構成図である。図において、第１、第２ポン
プ１２，１３及びエアオペレートバルブVA，VB，
VCで構成する真空排気系１４から切離して、チ
ヤンバ１１内を大気下にするリーク系１５を直接
チヤンバに接続する。エアオプレートバルブVD
を介しリーク用加圧ガスをチヤンバ１１内に導入
する。この導入口１６に図のような遮蔽板１７を
配置し、被処理試料に対して略直交する位置に固
定する。例えば支柱１８によりチヤンバ１１の底
面に取付け固定することにより直接加圧ガスが試
料面に放出されないようにするものである。これ
により加圧ガスは矢印で示す横方向に拡散し、加
速したリーク流が水平方向に生ずる。これにより
従来に比して試料上のガス及び微粒子のトラツプ
量を減少させることが可能となる。遮蔽板１７の
形状を本実施例ではドーム状としたが、これに限
られるものでなく、被処理試料上に直接リーク流
が当らない構造であればよい。また加圧ガス例え
ば窒素（N2）又はアルゴン（Ar）等の他に大気
中のクリーンエアを導入する場合も同様に効果が
期待できる。
第２図は本考案の一実施例である真空処理装置を
示す構成図である。図において、第１、第２ポン
プ１２，１３及びエアオペレートバルブVA，VB，
VCで構成する真空排気系１４から切離して、チ
ヤンバ１１内を大気下にするリーク系１５を直接
チヤンバに接続する。エアオプレートバルブVD
を介しリーク用加圧ガスをチヤンバ１１内に導入
する。この導入口１６に図のような遮蔽板１７を
配置し、被処理試料に対して略直交する位置に固
定する。例えば支柱１８によりチヤンバ１１の底
面に取付け固定することにより直接加圧ガスが試
料面に放出されないようにするものである。これ
により加圧ガスは矢印で示す横方向に拡散し、加
速したリーク流が水平方向に生ずる。これにより
従来に比して試料上のガス及び微粒子のトラツプ
量を減少させることが可能となる。遮蔽板１７の
形状を本実施例ではドーム状としたが、これに限
られるものでなく、被処理試料上に直接リーク流
が当らない構造であればよい。また加圧ガス例え
ば窒素（N2）又はアルゴン（Ar）等の他に大気
中のクリーンエアを導入する場合も同様に効果が
期待できる。
(g) 考案の効果
以上詳細に説明したように、本考案のリーク構
造とした真空処理装置とすることにより、従来に
比してガス及び微粒子のトラツプ量を減少させる
効果がある。
造とした真空処理装置とすることにより、従来に
比してガス及び微粒子のトラツプ量を減少させる
効果がある。
第１図は従来の真空処理装置を示す構成図、第
２図は本考案の一実施例である真空処理装置を示
す構成図である。 図中、１，１１……チヤンバ、２，１２……第
１ポンプ、３，１３……第２ポンプ、４……排気
導管、１４……排気系、１５……リーク系、１６
……導入口、１７……遮蔽板、１８……支柱。
２図は本考案の一実施例である真空処理装置を示
す構成図である。 図中、１，１１……チヤンバ、２，１２……第
１ポンプ、３，１３……第２ポンプ、４……排気
導管、１４……排気系、１５……リーク系、１６
……導入口、１７……遮蔽板、１８……支柱。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 排気系１４とリーク系１５とチヤンバ１１とを
有し、 該排気系は該チヤンバを真空排気するものであ
り、 該リーク系は該チヤンバを大気圧下に戻すもの
であり、 該チヤンバは、該排気系と該リーク系とが、そ
れぞれ別個に設けられ、かつ、該チヤンバの該リ
ーク系の導入口に対向して、リーク用ガスの気流
を拡散させるようにした遮蔽板１７を設けてなる
ことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9920583U JPS606222U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9920583U JPS606222U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606222U JPS606222U (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0513002Y2 true JPH0513002Y2 (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=30235203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9920583U Granted JPS606222U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606222U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2566308B2 (ja) * | 1989-01-12 | 1996-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置を備えた処理装置 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP9920583U patent/JPS606222U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606222U (ja) | 1985-01-17 |
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