JP2918004B2 - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JP2918004B2 JP2918004B2 JP7139291A JP7139291A JP2918004B2 JP 2918004 B2 JP2918004 B2 JP 2918004B2 JP 7139291 A JP7139291 A JP 7139291A JP 7139291 A JP7139291 A JP 7139291A JP 2918004 B2 JP2918004 B2 JP 2918004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- lock chamber
- vacuum
- chamber
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体処理装置に関す
る。
る。
【０００３】
【従来の技術】一般に、減圧雰囲気下で被処理物例えば
半導体ウエハに所定の処理を施す半導体処理装置、例え
ばエッチング装置、減圧ＣＶＤ装置、スパッタ装置、イ
オン注入装置では、所定の処理を施す真空処理室と、こ
の真空処理室に開閉機構を介して接続されたロードロッ
ク室とを備えたものが多い。このロードロック室は、内
部の容積をできるだけ小さくするよう設計されており、
内部の真空排気を容易に行えるよう構成されている。
半導体ウエハに所定の処理を施す半導体処理装置、例え
ばエッチング装置、減圧ＣＶＤ装置、スパッタ装置、イ
オン注入装置では、所定の処理を施す真空処理室と、こ
の真空処理室に開閉機構を介して接続されたロードロッ
ク室とを備えたものが多い。このロードロック室は、内
部の容積をできるだけ小さくするよう設計されており、
内部の真空排気を容易に行えるよう構成されている。
【０００４】このような半導体処理装置では、真空処理
室に半導体ウエハ等を搬入する際、まず、真空処理室と
ロードロック室との間の開閉機構を閉とした状態で、ロ
ードロック室に半導体ウエハを搬入し、この後、ロード
ロック室内を真空排気し、しかる後、開閉機構を開とし
てロードロック室から真空処理室に半導体ウエハを搬入
する。このように、ロードロック室を設けることによ
り、半導体ウエハの搬入・搬出に際して、真空処理室内
を常圧に戻す必要がなく、スループットの大幅な向上を
図ることができる。
室に半導体ウエハ等を搬入する際、まず、真空処理室と
ロードロック室との間の開閉機構を閉とした状態で、ロ
ードロック室に半導体ウエハを搬入し、この後、ロード
ロック室内を真空排気し、しかる後、開閉機構を開とし
てロードロック室から真空処理室に半導体ウエハを搬入
する。このように、ロードロック室を設けることによ
り、半導体ウエハの搬入・搬出に際して、真空処理室内
を常圧に戻す必要がなく、スループットの大幅な向上を
図ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が調査したところ、上述した従来の半導体処理装置
では、ロードロック室内に半導体ウエハを配置し、この
ロードロック室内を真空排気する際に、常圧の状態から
急激に大流量で排気を実施するため、ロードロック室内
の半導体ウエハが動いたり、ロードロック室内の塵埃が
舞い上がって半導体ウエハに付着することがあることが
判明した。このようにロードロック室内の半導体ウエハ
が動いてしまうと、例えばロードロック室から真空処理
室への半導体ウエハの搬入が行えず、処理が中断してし
まう可能性がある。また、半導体ウエハに塵埃が付着す
ると、不良発生の原因となり、歩留りの低下を招くこと
になる。
者等が調査したところ、上述した従来の半導体処理装置
では、ロードロック室内に半導体ウエハを配置し、この
ロードロック室内を真空排気する際に、常圧の状態から
急激に大流量で排気を実施するため、ロードロック室内
の半導体ウエハが動いたり、ロードロック室内の塵埃が
舞い上がって半導体ウエハに付着することがあることが
判明した。このようにロードロック室内の半導体ウエハ
が動いてしまうと、例えばロードロック室から真空処理
室への半導体ウエハの搬入が行えず、処理が中断してし
まう可能性がある。また、半導体ウエハに塵埃が付着す
ると、不良発生の原因となり、歩留りの低下を招くこと
になる。
【０００６】一方、このような問題を避けるために排気
流量を減少させると、真空排気に時間がかかりスループ
ットが低下し、処理効率が悪化してしまう。また、真空
排気を短時間で行うためには、ロードロック室内の容積
をできるだけ小さくすることが好ましいが、このように
ロードロック室内の容積を小さくすると、排気口と半導
体ウエハとの距離が近くなり、より一層上述したような
問題が顕著になる。
流量を減少させると、真空排気に時間がかかりスループ
ットが低下し、処理効率が悪化してしまう。また、真空
排気を短時間で行うためには、ロードロック室内の容積
をできるだけ小さくすることが好ましいが、このように
ロードロック室内の容積を小さくすると、排気口と半導
体ウエハとの距離が近くなり、より一層上述したような
問題が顕著になる。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、真空排気によってロードロック室内の被
処理物が動いたり、ロードロック室内の塵埃が舞い上が
って被処理物に付着することを防止することができ、処
理効率の向上と歩留りの向上を図ることのできる半導体
処理装置を提供しようとするものである。
されたもので、真空排気によってロードロック室内の被
処理物が動いたり、ロードロック室内の塵埃が舞い上が
って被処理物に付着することを防止することができ、処
理効率の向上と歩留りの向上を図ることのできる半導体
処理装置を提供しようとするものである。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体処理装置は、被処理物を収容して減圧雰囲気下で所定
の処理を施す真空処理室と、この真空処理室に開閉機構
を介して接続されたロードロック室とを備え、前記開閉
機構を閉とした状態で前記ロードロック室に前記被処理
物を搬入し、該ロードロック室内を真空排気した後前記
開閉機構を開として前記真空処理室に前記被処理物を搬
入する半導体処理装置において、前記ロードロック室内
の前記被処理物の載置部の載置面より下方に、前記載置
部を囲むように、かつ、前記載置部の回りにほぼ均等に
配置されるように複数の排気孔を設け、これらの排気孔
から真空排気を実施するよう構成したことを特徴とす
る。
体処理装置は、被処理物を収容して減圧雰囲気下で所定
の処理を施す真空処理室と、この真空処理室に開閉機構
を介して接続されたロードロック室とを備え、前記開閉
機構を閉とした状態で前記ロードロック室に前記被処理
物を搬入し、該ロードロック室内を真空排気した後前記
開閉機構を開として前記真空処理室に前記被処理物を搬
入する半導体処理装置において、前記ロードロック室内
の前記被処理物の載置部の載置面より下方に、前記載置
部を囲むように、かつ、前記載置部の回りにほぼ均等に
配置されるように複数の排気孔を設け、これらの排気孔
から真空排気を実施するよう構成したことを特徴とす
る。
【００１０】
【作 用】上記構成の本発明の半導体処理装置では、ロ
ードロック室内に複数の排気孔がほぼ均等に設けられて
おり、これらの排気孔から真空排気を実施するよう構成
されている。
ードロック室内に複数の排気孔がほぼ均等に設けられて
おり、これらの排気孔から真空排気を実施するよう構成
されている。
【００１１】したがって、排気にともなうロードロック
室内の空気の流れが分散かつ均一化され、例えば常圧の
状態から急激に大流量で排気を実施したとしても、ロー
ドロック室内の半導体ウエハ等が、排気にともなう空気
の流れによって一方に引き付けられたりすることがな
く、また、排気によってロードロック室内に乱流が生じ
ることも抑制することができる。
室内の空気の流れが分散かつ均一化され、例えば常圧の
状態から急激に大流量で排気を実施したとしても、ロー
ドロック室内の半導体ウエハ等が、排気にともなう空気
の流れによって一方に引き付けられたりすることがな
く、また、排気によってロードロック室内に乱流が生じ
ることも抑制することができる。
【００１２】このため、真空排気によってロードロック
室内の被処理物が動いたりロードロック室内の塵埃が舞
い上がって被処理物に付着することを防止することがで
き、処理効率の向上と歩留りの向上を図ることができ
る。
室内の被処理物が動いたりロードロック室内の塵埃が舞
い上がって被処理物に付着することを防止することがで
き、処理効率の向上と歩留りの向上を図ることができ
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の半導体処理装置の一実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１４】図１に示す真空処理室１は、図示しないプ
ラテン上等に半導体ウエハ２を配置し、この半導体ウエ
ハ２に高真空雰囲気下で所定の処理例えばイオン注入を
実施するよう構成されており、この真空処理室１の側方
には、開閉機構としてのゲートバルブ３を介してロード
ロック室４が設けられている。
ラテン上等に半導体ウエハ２を配置し、この半導体ウエ
ハ２に高真空雰囲気下で所定の処理例えばイオン注入を
実施するよう構成されており、この真空処理室１の側方
には、開閉機構としてのゲートバルブ３を介してロード
ロック室４が設けられている。
【００１５】このロードロック室４は、半導体ウエハ２
の径に合わせて内部を円柱状に形成されており、そのほ
ぼ中央部には、ウエハ載置部５が設けられている。この
ウエハ載置部５の下部には、上下動機構６が設けられて
おり、この上下動機構６によってウエハ載置部５は上下
動自在とされている。
の径に合わせて内部を円柱状に形成されており、そのほ
ぼ中央部には、ウエハ載置部５が設けられている。この
ウエハ載置部５の下部には、上下動機構６が設けられて
おり、この上下動機構６によってウエハ載置部５は上下
動自在とされている。
【００１６】また、このロードロック室４の側部、例え
ば真空処理室１側のゲートバルブ３と対向する側の側部
には、外部からロードロック室４内に半導体ウエハ２を
搬入するための開口部を解放、閉塞するための開閉機構
としてゲートバルブ７が設けられている。
ば真空処理室１側のゲートバルブ３と対向する側の側部
には、外部からロードロック室４内に半導体ウエハ２を
搬入するための開口部を解放、閉塞するための開閉機構
としてゲートバルブ７が設けられている。
【００１７】さらに、ロードロック室４の底部には、幅
例えば数センチ程度、深さ例えば数ミリ程度の環状の溝
からなる排気流路８が形成されており、この排気流路８
の上部を覆う如く緩衝板９が設けられている。この緩衝
板９は、図２に示すように、厚さ例えば1mm の環状板形
状とされており、直径1 〜10mm程度、例えば直径4 mmの
排気孔１０が、ほぼ均等に（偏り無く）多数設けられて
いる。本実施例の場合この排気孔１０は、半径方向の直
線上にそれぞれ3 つずつ配列されるよう、30度おきに合
計36個設けられている。なお、排気孔１０列端部の内側
および外側に交互に設けられたサラ穴１１は、緩衝板９
をロードロック室４の底部にねじ止めするためのもので
ある。上記排気流路８には、常圧からの真空引きを行う
ための粗引き用排気配管１２と、例えば0.4 Torr程度の
真空度に到達してから真空引きを行うための高真空用排
気配管１３が接続されている。
例えば数センチ程度、深さ例えば数ミリ程度の環状の溝
からなる排気流路８が形成されており、この排気流路８
の上部を覆う如く緩衝板９が設けられている。この緩衝
板９は、図２に示すように、厚さ例えば1mm の環状板形
状とされており、直径1 〜10mm程度、例えば直径4 mmの
排気孔１０が、ほぼ均等に（偏り無く）多数設けられて
いる。本実施例の場合この排気孔１０は、半径方向の直
線上にそれぞれ3 つずつ配列されるよう、30度おきに合
計36個設けられている。なお、排気孔１０列端部の内側
および外側に交互に設けられたサラ穴１１は、緩衝板９
をロードロック室４の底部にねじ止めするためのもので
ある。上記排気流路８には、常圧からの真空引きを行う
ための粗引き用排気配管１２と、例えば0.4 Torr程度の
真空度に到達してから真空引きを行うための高真空用排
気配管１３が接続されている。
【００１８】なお、上述した緩衝板９に設けられた排気
孔１０の直径、数、配列は、適宜変更可能であるが、ほ
ぼ均等に偏り無く設けること、および、例えば粗引き用
排気配管１２、高真空用排気配管１３の径等を考慮して
全体の開口面積を設定すること等が必要である。
孔１０の直径、数、配列は、適宜変更可能であるが、ほ
ぼ均等に偏り無く設けること、および、例えば粗引き用
排気配管１２、高真空用排気配管１３の径等を考慮して
全体の開口面積を設定すること等が必要である。
【００１９】上記構成の本実施例の半導体処理装置で
は、真空処理室１内を高真空、例えば10-5Torrとした状
態で半導体ウエハ２に所定の処理、例えばイオン注入を
施す。そして、真空処理室１内に半導体ウエハ２を搬入
する際は、まず、真空処理室１側のゲートバルブ３を閉
とした状態で、大気側のゲートバルブ７を開とし、図示
しないハンドリングアーム等によりロードロック室４内
のウエハ載置部５上に半導体ウエハ２を搬入する。
は、真空処理室１内を高真空、例えば10-5Torrとした状
態で半導体ウエハ２に所定の処理、例えばイオン注入を
施す。そして、真空処理室１内に半導体ウエハ２を搬入
する際は、まず、真空処理室１側のゲートバルブ３を閉
とした状態で、大気側のゲートバルブ７を開とし、図示
しないハンドリングアーム等によりロードロック室４内
のウエハ載置部５上に半導体ウエハ２を搬入する。
【００２０】次に、上下動機構６によってウエハ載置部
５を上昇させることにより、ハンドリングアーム等に支
持された半導体ウエハ２を突き上げ、ハンドリングアー
ム等からウエハ載置部５上に半導体ウエハ２を受け渡
し、ハンドリングアーム等を引き抜く。
５を上昇させることにより、ハンドリングアーム等に支
持された半導体ウエハ２を突き上げ、ハンドリングアー
ム等からウエハ載置部５上に半導体ウエハ２を受け渡
し、ハンドリングアーム等を引き抜く。
【００２１】この後、大気側のゲートバルブ７を閉と
し、まず、粗引き用排気配管１２によるロードロック室
４内の排気、すなわち、例えばロータリーポンプによる
真空排気を例えば3 秒程度実施し、所定の真空度例えば
0.4 Torr程度の真空度に到達してから、高真空用排気配
管１３による排気、すなわち、例えばターボ分子ポンプ
による真空排気を例えば5 秒程度実施して、ロードロッ
ク室４内を、例えば10-5Torr近傍の真空度にまで真空排
気する。
し、まず、粗引き用排気配管１２によるロードロック室
４内の排気、すなわち、例えばロータリーポンプによる
真空排気を例えば3 秒程度実施し、所定の真空度例えば
0.4 Torr程度の真空度に到達してから、高真空用排気配
管１３による排気、すなわち、例えばターボ分子ポンプ
による真空排気を例えば5 秒程度実施して、ロードロッ
ク室４内を、例えば10-5Torr近傍の真空度にまで真空排
気する。
【００２２】しかる後、真空処理室１側のゲートバルブ
３を開とし、真空処理室１側に設けられた図示しないハ
ンドリングアーム等をロードロック室４内の半導体ウエ
ハ２の下部に挿入し、ウエハ載置部５を下降させること
によってウエハ載置部５上の半導体ウエハ２をハンドリ
ングアーム上に載置する。そして、このハンドリングア
ームによって真空処理室１内に半導体ウエハ２を搬入
し、図示しないプラテン上に載置する。
３を開とし、真空処理室１側に設けられた図示しないハ
ンドリングアーム等をロードロック室４内の半導体ウエ
ハ２の下部に挿入し、ウエハ載置部５を下降させること
によってウエハ載置部５上の半導体ウエハ２をハンドリ
ングアーム上に載置する。そして、このハンドリングア
ームによって真空処理室１内に半導体ウエハ２を搬入
し、図示しないプラテン上に載置する。
【００２３】なお、処理の終了した半導体ウエハ２は、
例えば真空処理室１を挟んでロードロック室４の反対側
に設けられた図示しないアンロード用のロードロック室
を介して、搬出される。
例えば真空処理室１を挟んでロードロック室４の反対側
に設けられた図示しないアンロード用のロードロック室
を介して、搬出される。
【００２４】すなわち、本実施例の半導体処理装置で
は、ロードロック室４の底部に排気流路８および緩衝板
９が設けられており、この緩衝板９にほぼ均等に設けら
れた多数の排気孔１０からロードロック室４内の真空排
気を行うので、排気にともなうロードロック室４内の空
気の流れが分散かつ均一化される。したがって、例えば
常圧の状態から急激に大流量で排気を実施したとして
も、ロードロック室４内の半導体ウエハ２が、排気にと
もなう空気の流れによって一方に引き付けられたりする
ことがなく、また、排気によってロードロック室４内に
乱流が生じることも抑制することができる。
は、ロードロック室４の底部に排気流路８および緩衝板
９が設けられており、この緩衝板９にほぼ均等に設けら
れた多数の排気孔１０からロードロック室４内の真空排
気を行うので、排気にともなうロードロック室４内の空
気の流れが分散かつ均一化される。したがって、例えば
常圧の状態から急激に大流量で排気を実施したとして
も、ロードロック室４内の半導体ウエハ２が、排気にと
もなう空気の流れによって一方に引き付けられたりする
ことがなく、また、排気によってロードロック室４内に
乱流が生じることも抑制することができる。
【００２５】このため、真空排気によってロードロック
室４内のウエハ載置部５上に載置された半導体ウエハ２
が動いたり、ロードロック室４内の塵埃が舞い上がって
半導体ウエハ２に付着することを防止することができ、
処理効率の向上と歩留りの向上を図ることができる。
室４内のウエハ載置部５上に載置された半導体ウエハ２
が動いたり、ロードロック室４内の塵埃が舞い上がって
半導体ウエハ２に付着することを防止することができ、
処理効率の向上と歩留りの向上を図ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体処
理装置によれば、真空排気によってロードロック室内の
被処理物が動いたり、ロードロック室内の塵埃が舞い上
がって被処理物に付着することを防止することができ、
処理効率の向上と歩留りの向上を図ることができる。
理装置によれば、真空排気によってロードロック室内の
被処理物が動いたり、ロードロック室内の塵埃が舞い上
がって被処理物に付着することを防止することができ、
処理効率の向上と歩留りの向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体処理装置の要部構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１に示す半導体処理装置の緩衝板の構成を示
す図である。
す図である。
１ 真空処理室 ２ 半導体ウエハ ３ ゲートバルブ（真空処理室側） ４ ロードロック室 ５ ウエハ載置部 ６ 上下動機構 ７ ゲートバルブ（大気側） ８ 排気流路 ９ 緩衝板 １０排気孔 １１サラ穴 １２粗引き用排気配管 １３高真空用排気配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−107809（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−237528（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−291480（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−235736（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−209825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−114814（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−14025（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23C 14/56
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理物を収容して減圧雰囲気下で所定
の処理を施す真空処理室と、この真空処理室に開閉機構
を介して接続されたロードロック室とを備え、 前記開閉機構を閉とした状態で前記ロードロック室に前
記被処理物を搬入し、該ロードロック室内を真空排気し
た後前記開閉機構を開として前記真空処理室に前記被処
理物を搬入する半導体処理装置において、 前記ロードロック室内の前記被処理物の載置部の載置面
より下方に、前記載置部を囲むように、かつ、前記載置
部の回りにほぼ均等に配置されるように複数の排気孔を
設け、これらの排気孔から真空排気を実施するよう構成
したことを特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7139291A JP2918004B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7139291A JP2918004B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 半導体処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307733A JPH04307733A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2918004B2 true JP2918004B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=13459203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7139291A Expired - Fee Related JP2918004B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2918004B2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP7139291A patent/JP2918004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04307733A (ja) | 1992-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7001491B2 (en) | Vacuum-processing chamber-shield and multi-chamber pumping method | |
| KR100960773B1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 | |
| US5137063A (en) | Vented vacuum semiconductor wafer cassette | |
| JP3367421B2 (ja) | 被処理体の収納装置及び搬出入ステージ | |
| JPH0864578A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| US20060065194A1 (en) | Diffuser and semiconductor device manufacturing equipment having the same | |
| US6568896B2 (en) | Transfer chamber with side wall port | |
| US6595370B2 (en) | Apparatus and method for reducing contamination in a wafer transfer chamber | |
| JP2688555B2 (ja) | マルチチャンバシステム | |
| JP2918004B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| US5237756A (en) | Method and apparatus for reducing particulate contamination | |
| JP2003017478A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
| JP3153323B2 (ja) | 気密室の常圧復帰装置及びその常圧復帰方法 | |
| JP3173681B2 (ja) | 真空排気装置及びその方法 | |
| JP2002231783A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3483591B2 (ja) | 排気装置 | |
| JP2000271469A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH05140743A (ja) | 真空処理装置 | |
| KR970003595Y1 (ko) | 역류방지장치가 구비된 플라즈마 화학기상증착장비 | |
| JP2002198411A (ja) | 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール | |
| JPH02305964A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH0513002Y2 (ja) | ||
| JPS59119846A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH0598434A (ja) | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 | |
| JPH05335278A (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990330 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |