JPH05335278A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH05335278A JPH05335278A JP13716192A JP13716192A JPH05335278A JP H05335278 A JPH05335278 A JP H05335278A JP 13716192 A JP13716192 A JP 13716192A JP 13716192 A JP13716192 A JP 13716192A JP H05335278 A JPH05335278 A JP H05335278A
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- lock chamber
- chamber
- vacuum
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に較べて被処理基板に対する塵埃の付着
可能性を低減し、歩留まりの向上を図ることのできる真
空処理装置を提供する。 【構成】 搬入用ロードロック室４および搬出用ロード
ロック室５には、一方の側壁には気体供給配管７が接続
されており、この側壁と対向する側の側壁には排気配管
８が接続されている。この気体供給配管７から供給され
た気体を整流板９で拡散させ、フィルタ１０で清浄化し
て壁面ほぼ全面から送出し、対向する側壁から整流板１
１を介して排気を行うことにより、搬入用ロードロック
室４および搬出用ロードロック室５内に、半導体ウエハ
２面とほぼ水平な清浄化気体の層流を形成することがで
きるよう構成されている。
可能性を低減し、歩留まりの向上を図ることのできる真
空処理装置を提供する。 【構成】 搬入用ロードロック室４および搬出用ロード
ロック室５には、一方の側壁には気体供給配管７が接続
されており、この側壁と対向する側の側壁には排気配管
８が接続されている。この気体供給配管７から供給され
た気体を整流板９で拡散させ、フィルタ１０で清浄化し
て壁面ほぼ全面から送出し、対向する側壁から整流板１
１を介して排気を行うことにより、搬入用ロードロック
室４および搬出用ロードロック室５内に、半導体ウエハ
２面とほぼ水平な清浄化気体の層流を形成することがで
きるよう構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、所定の真空雰囲気で被処理基
板、例えば、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板
（ＬＣＤ用ガラス基板）に所定の処理を施す真空処理装
置として、例えば、エッチング装置、アッシング装置、
イオン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知
られている。
板、例えば、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板
（ＬＣＤ用ガラス基板）に所定の処理を施す真空処理装
置として、例えば、エッチング装置、アッシング装置、
イオン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知
られている。
【０００３】このような真空処理装置では、被処理基板
を処理を行う真空チャンバ（真空処理室）に搬入および
搬出する度に、この真空処理室を常圧に戻して大気解放
すると、再び内部を所定の真空度に排気して次の処理が
できるようにするまで時間がかかる。このため、真空処
理室に隣接して搬入・搬出用の真空チャンバ、いわゆる
ロードロック室を設け、このロードロック室を介して被
処理基板を真空処理室内に搬入・搬出するようにして、
スループットの向上を図っている。
を処理を行う真空チャンバ（真空処理室）に搬入および
搬出する度に、この真空処理室を常圧に戻して大気解放
すると、再び内部を所定の真空度に排気して次の処理が
できるようにするまで時間がかかる。このため、真空処
理室に隣接して搬入・搬出用の真空チャンバ、いわゆる
ロードロック室を設け、このロードロック室を介して被
処理基板を真空処理室内に搬入・搬出するようにして、
スループットの向上を図っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の真空処理装置では、ロードロック室等の大気解
放される真空チャンバにおいて、搬送機構の駆動等に伴
って塵埃が発生し、この塵埃が真空排気や大気解放時の
気流によって舞い上がり、被処理基板に付着したり、搬
入・搬出動作に伴って被処理基板に付着することがあ
る。ところが、半導体デバイスの製造工程や液晶表示器
の製造工程においては、塵埃の付着が不良発生の原因と
なるため、上述したような塵埃の付着が歩留まりの低下
を招くという問題があった。
た従来の真空処理装置では、ロードロック室等の大気解
放される真空チャンバにおいて、搬送機構の駆動等に伴
って塵埃が発生し、この塵埃が真空排気や大気解放時の
気流によって舞い上がり、被処理基板に付着したり、搬
入・搬出動作に伴って被処理基板に付着することがあ
る。ところが、半導体デバイスの製造工程や液晶表示器
の製造工程においては、塵埃の付着が不良発生の原因と
なるため、上述したような塵埃の付着が歩留まりの低下
を招くという問題があった。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて被処理基板に対する塵埃の
付着可能性を低減し、歩留まりの向上を図ることのでき
る真空処理装置を提供しようとするものである。
されたもので、従来に較べて被処理基板に対する塵埃の
付着可能性を低減し、歩留まりの向上を図ることのでき
る真空処理装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明の真空処理装置は、所定の真空雰囲気で被処理
基板に所定の処理を施す真空処理装置であって、前記被
処理基板の搬入、搬出のために常圧に解放される真空チ
ャンバを有する真空処理装置において、前記真空チャン
バの一方の壁面からフィルタを介して清浄化された気体
を送出し、対向する側面から排気することによって、前
記真空チャンバ内に、前記被処理基板の面にほぼ水平な
清浄化気体の層流を形成する機構を設けたことを特徴と
する。
の本発明の真空処理装置は、所定の真空雰囲気で被処理
基板に所定の処理を施す真空処理装置であって、前記被
処理基板の搬入、搬出のために常圧に解放される真空チ
ャンバを有する真空処理装置において、前記真空チャン
バの一方の壁面からフィルタを介して清浄化された気体
を送出し、対向する側面から排気することによって、前
記真空チャンバ内に、前記被処理基板の面にほぼ水平な
清浄化気体の層流を形成する機構を設けたことを特徴と
する。
【０００７】また、請求項２記載の本発明の真空処理装
置は、所定の真空雰囲気で被処理基板に所定の処理を施
す真空処理装置であって、前記被処理基板の搬入、搬出
のために常圧に解放されるロードロック室を有する真空
処理装置において、前記ロードロック室の一方の壁面か
らフィルタを介して清浄化された気体を送出し、対向す
る側面から排気することによって、前記ロードロック室
内に、前記被処理基板の面にほぼ水平な清浄化気体の層
流を形成する機構を設けたことを特徴とする。
置は、所定の真空雰囲気で被処理基板に所定の処理を施
す真空処理装置であって、前記被処理基板の搬入、搬出
のために常圧に解放されるロードロック室を有する真空
処理装置において、前記ロードロック室の一方の壁面か
らフィルタを介して清浄化された気体を送出し、対向す
る側面から排気することによって、前記ロードロック室
内に、前記被処理基板の面にほぼ水平な清浄化気体の層
流を形成する機構を設けたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成の本発明の真空処理装置では、ロード
ロック室等の常圧解放される真空チャンバに、一方の壁
面からフィルタを介して清浄化された気体を送出し、対
向する側面から排気することによって、被処理基板面に
ほぼ水平な清浄化気体の層流を形成する機構が設けられ
ている。
ロック室等の常圧解放される真空チャンバに、一方の壁
面からフィルタを介して清浄化された気体を送出し、対
向する側面から排気することによって、被処理基板面に
ほぼ水平な清浄化気体の層流を形成する機構が設けられ
ている。
【０００９】したがって、ロードロック室等の常圧解放
される真空チャンバ内を清浄雰囲気に保つことができ、
被処理基板に対する塵埃の付着可能性を低減することが
できる。
される真空チャンバ内を清浄雰囲気に保つことができ、
被処理基板に対する塵埃の付着可能性を低減することが
できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を、半導体ウエハにエッチング
処理を施すエッチング装置に適用した一実施例を図面を
参照して説明する。
処理を施すエッチング装置に適用した一実施例を図面を
参照して説明する。
【００１１】図１に示すように、本実施例のエッチング
装置１には、その中央に内部で半導体ウエハ２にエッチ
ング処理を施す真空チャンバである真空処理室３が設け
られており、この真空処理室３の両側に、搬入用の真空
チャンバである搬入用ロードロック室４と、搬出用の真
空チャンバである搬出用ロードロック室５が設けられて
いる。
装置１には、その中央に内部で半導体ウエハ２にエッチ
ング処理を施す真空チャンバである真空処理室３が設け
られており、この真空処理室３の両側に、搬入用の真空
チャンバである搬入用ロードロック室４と、搬出用の真
空チャンバである搬出用ロードロック室５が設けられて
いる。
【００１２】また、搬入用ロードロック室４および搬出
用ロードロック室５と外部とを連通する開口部、搬入用
ロードロック室４および搬出用ロードロック室５と真空
処理室３とを連通する開口部には、これらの開口部を気
密に閉塞可能に構成されたゲートバルブ６がそれぞれ設
けられている。
用ロードロック室５と外部とを連通する開口部、搬入用
ロードロック室４および搬出用ロードロック室５と真空
処理室３とを連通する開口部には、これらの開口部を気
密に閉塞可能に構成されたゲートバルブ６がそれぞれ設
けられている。
【００１３】上記搬入用ロードロック室４および搬出用
ロードロック室５には、一方の側壁（図中上側）に気体
供給配管７が接続されており、この側壁と対向する側壁
（図中下側）には排気配管８が接続されている。また、
気体供給配管７が接続された側の側壁部分には、整流板
９とフィルタ１０が設けられている。この整流板９は、
例えば金属板に多数の透孔を設けたパンチングメタル等
から構成されており、気体供給配管７から供給された気
体をほぼ壁面全面に均等に拡散させるよう構成されてい
る。また、フィルタ１０は、例えば板状に形成された金
属（例えば、ＳＵＳ３１６Ｌ、ハステロイ、インコネル
等）製の焼結フィルタから構成されており、例えば０．
１μｍ以上の塵埃を除去することができるよう構成され
ている。一方、排気配管８が接続された側の側壁部分に
は、上記整流板９と同様に構成された整流板１１が設け
られている。
ロードロック室５には、一方の側壁（図中上側）に気体
供給配管７が接続されており、この側壁と対向する側壁
（図中下側）には排気配管８が接続されている。また、
気体供給配管７が接続された側の側壁部分には、整流板
９とフィルタ１０が設けられている。この整流板９は、
例えば金属板に多数の透孔を設けたパンチングメタル等
から構成されており、気体供給配管７から供給された気
体をほぼ壁面全面に均等に拡散させるよう構成されてい
る。また、フィルタ１０は、例えば板状に形成された金
属（例えば、ＳＵＳ３１６Ｌ、ハステロイ、インコネル
等）製の焼結フィルタから構成されており、例えば０．
１μｍ以上の塵埃を除去することができるよう構成され
ている。一方、排気配管８が接続された側の側壁部分に
は、上記整流板９と同様に構成された整流板１１が設け
られている。
【００１４】そして、図２にも示すように、気体供給配
管７から供給された気体（例えば窒素）を整流板９で拡
散させ、フィルタ１０で清浄化して、壁面ほぼ全面から
送出し、対向する壁面から整流板１１を介して排気を行
うことにより、搬入用ロードロック室４および搬出用ロ
ードロック室５内に、内部に設けられた半導体ウエハ２
の面とほぼ水平な清浄化気体の層流を形成することがで
きるよう構成されている。
管７から供給された気体（例えば窒素）を整流板９で拡
散させ、フィルタ１０で清浄化して、壁面ほぼ全面から
送出し、対向する壁面から整流板１１を介して排気を行
うことにより、搬入用ロードロック室４および搬出用ロ
ードロック室５内に、内部に設けられた半導体ウエハ２
の面とほぼ水平な清浄化気体の層流を形成することがで
きるよう構成されている。
【００１５】また、上記搬入用ロードロック室４および
搬出用ロードロック室５内には、それぞれ半導体ウエハ
２を搬入、搬出するための多関節の搬送アーム１２が設
けられている。
搬出用ロードロック室５内には、それぞれ半導体ウエハ
２を搬入、搬出するための多関節の搬送アーム１２が設
けられている。
【００１６】また、図３に示すように、真空処理室３内
には、その上面に半導体ウエハ２が載置される円板状の
下部電極１３が設けられており、この下部電極１３に対
向する如くその上部に上部電極１４が設けられている。
この上部電極１４には多数の透孔１５が設けられてお
り、処理ガス供給配管１６から供給された所定の処理ガ
ス（エッチングガスおよびキャリアガス）を、これらの
透孔１５から下部電極１３上に載置された半導体ウエハ
２に向けて均一に供給するよう構成されている。一方、
下部電極１３の周囲には、排気配管１７が接続されてお
り、透孔１５から噴出した処理ガスが、下部電極１３の
周囲から外部に排気されるように構成されている。
には、その上面に半導体ウエハ２が載置される円板状の
下部電極１３が設けられており、この下部電極１３に対
向する如くその上部に上部電極１４が設けられている。
この上部電極１４には多数の透孔１５が設けられてお
り、処理ガス供給配管１６から供給された所定の処理ガ
ス（エッチングガスおよびキャリアガス）を、これらの
透孔１５から下部電極１３上に載置された半導体ウエハ
２に向けて均一に供給するよう構成されている。一方、
下部電極１３の周囲には、排気配管１７が接続されてお
り、透孔１５から噴出した処理ガスが、下部電極１３の
周囲から外部に排気されるように構成されている。
【００１７】さらに、これらの下部電極１３および上部
電極１４は、図示しない駆動機構により相対的に上下動
自在に構成されており、例えば、半導体ウエハ２の搬
入、搬出時およびエッチング処理時等によって、下部電
極１３と上部電極１４との間隔を変更することができる
よう構成されている。これらの下部電極１３および上部
電極１４には、図示しない電源装置が接続されており、
これらの間に所定周波数の所定電圧を印加することがで
きるよう構成されている。
電極１４は、図示しない駆動機構により相対的に上下動
自在に構成されており、例えば、半導体ウエハ２の搬
入、搬出時およびエッチング処理時等によって、下部電
極１３と上部電極１４との間隔を変更することができる
よう構成されている。これらの下部電極１３および上部
電極１４には、図示しない電源装置が接続されており、
これらの間に所定周波数の所定電圧を印加することがで
きるよう構成されている。
【００１８】上記構成の本実施例のエッチング装置で半
導体ウエハ２にエッチング処理を施す場合、まず、搬入
用ロードロック室４の大気側のゲートバルブ６を開け、
搬送アーム１２によって図示しないウエハカセット等か
ら半導体ウエハ２を取り出し、搬入用ロードロック室４
内に搬入する。
導体ウエハ２にエッチング処理を施す場合、まず、搬入
用ロードロック室４の大気側のゲートバルブ６を開け、
搬送アーム１２によって図示しないウエハカセット等か
ら半導体ウエハ２を取り出し、搬入用ロードロック室４
内に搬入する。
【００１９】この時、真空処理室３側のゲートバルブ６
は閉じられており、搬入用ロードロック室４内には、気
体供給配管７からの空気供給と排気配管８による排気に
よって、半導体ウエハ２面とほぼ水平な清浄化空気の層
流が形成されている。
は閉じられており、搬入用ロードロック室４内には、気
体供給配管７からの空気供給と排気配管８による排気に
よって、半導体ウエハ２面とほぼ水平な清浄化空気の層
流が形成されている。
【００２０】この後、搬入用ロードロック室４の大気側
のゲートバルブ６を閉じ、気体供給配管７からの空気供
給を停止して、排気配管８による排気を行い、搬入用ロ
ードロック室４内を所定の真空度とする。
のゲートバルブ６を閉じ、気体供給配管７からの空気供
給を停止して、排気配管８による排気を行い、搬入用ロ
ードロック室４内を所定の真空度とする。
【００２１】次に、搬入用ロードロック室４の真空処理
室３側のゲートバルブ６を開け、搬送アーム１２によっ
て、予め所定の真空度に設定されている真空処理室３内
に、半導体ウエハ２を搬入し、下部電極１３上に載置す
る。この時、半導体ウエハ２の搬入に備えて、予め下部
電極１３と上部電極１４との間隔は広く設定されてい
る。
室３側のゲートバルブ６を開け、搬送アーム１２によっ
て、予め所定の真空度に設定されている真空処理室３内
に、半導体ウエハ２を搬入し、下部電極１３上に載置す
る。この時、半導体ウエハ２の搬入に備えて、予め下部
電極１３と上部電極１４との間隔は広く設定されてい
る。
【００２２】しかる後、搬送アーム１２を搬入用ロード
ロック室４内に戻し、搬入用ロードロック室４と真空処
理室３との間のゲートバルブ６を閉じ、下部電極１３と
上部電極１４との間隔を処理時の間隔（例えば０．５ｃ
ｍ程度）に設定して、下部電極１３と上部電極１４との
間に所定の電圧を印加する。これとともに、処理ガス供
給配管１６から所定の処理ガスを供給し、上部電極１４
の多数の透孔１５から下部電極１３上に載置された半導
体ウエハ２に向けて噴出させることによって、半導体ウ
エハ２にエッチング処理を施す。
ロック室４内に戻し、搬入用ロードロック室４と真空処
理室３との間のゲートバルブ６を閉じ、下部電極１３と
上部電極１４との間隔を処理時の間隔（例えば０．５ｃ
ｍ程度）に設定して、下部電極１３と上部電極１４との
間に所定の電圧を印加する。これとともに、処理ガス供
給配管１６から所定の処理ガスを供給し、上部電極１４
の多数の透孔１５から下部電極１３上に載置された半導
体ウエハ２に向けて噴出させることによって、半導体ウ
エハ２にエッチング処理を施す。
【００２３】このようにして、所定時間半導体ウエハ２
にエッチング処理を施し、エッチング処理が終了する
と、次に真空処理室３と搬出用ロードロック室５との間
のゲートバルブ６を開け、搬送アーム１２によって、エ
ッチング処理の終了した半導体ウエハ２を、予め所定の
真空度に排気されている搬出用ロードロック室５内に取
り出す。
にエッチング処理を施し、エッチング処理が終了する
と、次に真空処理室３と搬出用ロードロック室５との間
のゲートバルブ６を開け、搬送アーム１２によって、エ
ッチング処理の終了した半導体ウエハ２を、予め所定の
真空度に排気されている搬出用ロードロック室５内に取
り出す。
【００２４】この後、真空処理室３と搬出用ロードロッ
ク室５との間のゲートバルブ６を閉じ、気体供給配管７
から空気を供給することによって、真空処理室３内を常
圧に戻すとともに、排気配管８による排気を開始し、搬
出用ロードロック室５内に、半導体ウエハ２面とほぼ水
平な清浄化空気の層流を形成する。そして、この状態で
搬出用ロードロック室５の大気側のゲートバルブ６を開
け、搬送アーム１２によって、エッチング処理の終了し
た半導体ウエハ２を大気中に搬出し、図示しないウエハ
カセット等に収容する。
ク室５との間のゲートバルブ６を閉じ、気体供給配管７
から空気を供給することによって、真空処理室３内を常
圧に戻すとともに、排気配管８による排気を開始し、搬
出用ロードロック室５内に、半導体ウエハ２面とほぼ水
平な清浄化空気の層流を形成する。そして、この状態で
搬出用ロードロック室５の大気側のゲートバルブ６を開
け、搬送アーム１２によって、エッチング処理の終了し
た半導体ウエハ２を大気中に搬出し、図示しないウエハ
カセット等に収容する。
【００２５】以上のように、本実施例のエッチング装置
では、搬入用ロードロック室４および搬出用ロードロッ
ク室５内に、一方の壁面ほぼ全面から対向する壁面に向
けて、内部に設けられる半導体ウエハ２面とほぼ水平な
清浄化空気の層流が形成されるので、搬入用ロードロッ
ク室４および搬出用ロードロック室５の内部を清浄な状
態に保つことができる。なお、本実施例では、フィルタ
１０を搬入用ロードロック室４および搬出用ロードロッ
ク室５の側壁部分に設けてあるので、例えば気体供給配
管７内や整流板９等で発生した塵埃が、ロードロック室
４および搬出用ロードロック室５内に流入することも防
止することができる。
では、搬入用ロードロック室４および搬出用ロードロッ
ク室５内に、一方の壁面ほぼ全面から対向する壁面に向
けて、内部に設けられる半導体ウエハ２面とほぼ水平な
清浄化空気の層流が形成されるので、搬入用ロードロッ
ク室４および搬出用ロードロック室５の内部を清浄な状
態に保つことができる。なお、本実施例では、フィルタ
１０を搬入用ロードロック室４および搬出用ロードロッ
ク室５の側壁部分に設けてあるので、例えば気体供給配
管７内や整流板９等で発生した塵埃が、ロードロック室
４および搬出用ロードロック室５内に流入することも防
止することができる。
【００２６】したがって、例えば搬送アーム１２等から
発生した塵埃が、排気時あるいは常圧復帰時の気体流等
によって半導体ウエハ２に付着する可能性を従来に較べ
て大幅に低減することができ、塵埃付着による歩留まり
の低下を抑制することができる。
発生した塵埃が、排気時あるいは常圧復帰時の気体流等
によって半導体ウエハ２に付着する可能性を従来に較べ
て大幅に低減することができ、塵埃付着による歩留まり
の低下を抑制することができる。
【００２７】また、上記実施例においては、フィルタ１
０と整流板１１を組み合わせて使用したが、フィルタ１
０のみであってもよいことは、いうまでもない。
０と整流板１１を組み合わせて使用したが、フィルタ１
０のみであってもよいことは、いうまでもない。
【００２８】なお、上記実施例では、本発明をエッチン
グ装置に適用した場合について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、減圧雰囲気下で
被処基板に所定の処理を施す真空処理装置、例えば、ア
ッシング装置、イオン注入装置、スパッタ装置、減圧Ｃ
ＶＤ装置等に利用することができる。
グ装置に適用した場合について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、減圧雰囲気下で
被処基板に所定の処理を施す真空処理装置、例えば、ア
ッシング装置、イオン注入装置、スパッタ装置、減圧Ｃ
ＶＤ装置等に利用することができる。
【００２９】また、フィルタ１０は、真空処理装置に限
らず、半導体製造用のクリーンルームのダウンフローシ
ステムや半導体製造装置のクリーンエア供給システムに
使用することができることは、いうまでもない。
らず、半導体製造用のクリーンルームのダウンフローシ
ステムや半導体製造装置のクリーンエア供給システムに
使用することができることは、いうまでもない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空処理
装置によれば、従来に較べて被処理基板に対する塵埃の
付着可能性を低減し、歩留まりの向上を図ることができ
る。
装置によれば、従来に較べて被処理基板に対する塵埃の
付着可能性を低減し、歩留まりの向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例のエッチング装置の構成を示
す図。
す図。
【図２】図１のエッチング装置のロードロック室の構成
を示す図。
を示す図。
【図３】図１のエッチング装置の真空処理室の構成を示
す図。
す図。
１ エッチング装置 ２ 半導体ウエハ ３ 真空処理室 ４ 搬入用ロードロック室 ５ 搬出用ロードロック室 ６ ゲートバルブ ７ 気体供給配管 ８ 排気配管 ９ 整流板 １０ フィルタ １１ 整流板 １２ 搬送アーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の真空雰囲気で被処理基板に所定の
処理を施す真空処理装置であって、前記被処理基板の搬
入、搬出のために常圧に解放される真空チャンバを有す
る真空処理装置において、 前記真空チャンバの一方の壁面からフィルタを介して清
浄化された気体を送出し、対向する側面から排気するこ
とによって、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板の
面にほぼ水平な清浄化気体の層流を形成する機構を設け
たことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 所定の真空雰囲気で被処理基板に所定の
処理を施す真空処理装置であって、前記被処理基板の搬
入、搬出のために常圧に解放されるロードロック室を有
する真空処理装置において、 前記ロードロック室の一方の壁面からフィルタを介して
清浄化された気体を送出し、対向する側面から排気する
ことによって、前記ロードロック室内に、前記被処理基
板の面にほぼ水平な清浄化気体の層流を形成する機構を
設けたことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13716192A JPH05335278A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13716192A JPH05335278A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335278A true JPH05335278A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15192249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13716192A Pending JPH05335278A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335278A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109890538A (zh) * | 2016-11-11 | 2019-06-14 | Slm方案集团股份公司 | 用于生产三维工件的具有改进的气体流的设备 |
| WO2024126096A1 (de) * | 2022-12-13 | 2024-06-20 | Dmg Mori Additive Gmbh | Filtervorrichtung zur einstellung einer atmosphäre innerhalb einer fertigungsanlage und fertigungsanlage für ein additives fertigungsverfahren |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13716192A patent/JPH05335278A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109890538A (zh) * | 2016-11-11 | 2019-06-14 | Slm方案集团股份公司 | 用于生产三维工件的具有改进的气体流的设备 |
| JP2019536907A (ja) * | 2016-11-11 | 2019-12-19 | エスエルエム ソルーションズ グループ アーゲー | 改良されたガス流で三次元工作物を製造するための装置 |
| US11278965B2 (en) | 2016-11-11 | 2022-03-22 | SLM Solutions Group AG | Apparatus for producing a three-dimensional work piece with improved gas flow |
| CN109890538B (zh) * | 2016-11-11 | 2022-05-17 | Slm方案集团股份公司 | 用于生产三维工件的具有改进的气体流的设备 |
| WO2024126096A1 (de) * | 2022-12-13 | 2024-06-20 | Dmg Mori Additive Gmbh | Filtervorrichtung zur einstellung einer atmosphäre innerhalb einer fertigungsanlage und fertigungsanlage für ein additives fertigungsverfahren |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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