JP3066691B2

JP3066691B2 - マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法

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Publication number: JP3066691B2
Application number: JP5254681A
Authority: JP
Inventors: 秀樹李
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-09-17
Filing date: 1993-09-17
Publication date: 2000-07-17
Anticipated expiration: 2015-07-17
Also published as: JPH0786169A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マルチチャンバー処理
装置及びそのクリーニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近半導体集積回路素子は益々高集積化
されて来ており、その集積度が６４ＭＤＲＡＭから２５
６ＭＤＲＡＭの世代に入りつつある。そのため配線構造
の多層化及び微細化が一層顕著になって来ている。この
ように配線構造が多層化するに従って配線工程のステッ
プが増加し、配線工程の効率化及び防塵対策が従来以上
に問題になって来ている。また、配線構造の微細化が進
むに従って、従来のアルミニウム（Ａｌ）配線ではマイ
グレーション断線などが問題となり、Ａｌに代わる材料
としてタングステン（Ｗ）などのマイグレーション耐性
に優れた金属が配線材料として種々検討されている。ま
た、配線構造の多層化が進むに従ってコンタクトホー
ル、ビアホールなどの埋め込みについても材料面など種
々検討されている。更に、被処理体の大口径化及び多層
化に伴って各層のカバレッジ性も重要になって来る。

【０００３】例えばタングステンを配線膜として成膜す
る場合には、カバレッジ性に優れたＣＶＤ法によるブラ
ンケットＷ配線が検討されている。このブランケットＷ
による配線膜は剥がれ易い欠点があり、それ故パーティ
クルを発生し易い難点があるため、その防止策として窒
化チタン（ＴｉＮ）などの密着層を下地層として設ける
方法が採られている。このＴｉＮは従来はスパッタ法に
より成膜していたが、スパッタ法ではアスペクト比の高
いホール底部でのカバレッジ性に限界があるため、Ｔｉ
Ｎについてもカバレッジ性に優れたＣＶＤ法による成膜
が検討されている。

【０００４】また、コンタクトホール、ビアホールの埋
め込みにはブランケットＷあるいは、表面の金属被膜な
どの化学的性質を利用してタングステンを選択的に埋め
込む選択Ｗが検討されている。ブランケットＷによる埋
め込みは、ＴｉＮからなる密着層の形成、ブランケット
Ｗ、及びエッチバックをなど多くの工程が必要で、コス
ト的に高くなるため、電流密度の高い特定の半導体集積
回路素子の配線に対して適用する傾向にある。一方、選
択Ｗによる埋め込みは、ホール部を選択的に埋め込むこ
とができるため、密着層を必要とせず、多層配線が簡単
でコスト的に有利である。そのため、埋め込みを選択Ｗ
で行ない、配線をスパッタＡｌによる方法が検討されて
いる。

【０００５】また、配線構造の微細化に伴って水平方向
での配線層の間隔が狭くなり、このギャップを埋め込む
ための工程も各配線層について必要になり、配線構造の
微細化に伴って配線工程には益々多くの工程が必要にな
って来ている。

【０００６】いずれにしてもこのように半導体集積回路
素子が多層化、微細化するに連れて配線工程が複雑にな
り、より多くの工程が必要になって来ている。そして、
これらの工程ではカバレッジ性に優れたＣＶＤ法による
メタル成膜及び埋め込み、あるいは必要に応じてスパッ
タ法によるメタル成膜などを適宜組み合わせた処理装置
を開発する必要に迫られている。しかも、配線工程では
複数のメタル成膜、埋め込み工程を伴う関係上、配線工
程全体の高スループット化、及び各工程間でのパーティ
クルなどからの汚染を極力抑制する必要があり、これら
の課題を一つ一つ解決しながら今後の２５６ＭＤＲＡＭ
でも６４ＭＤＲＡＭ以下のものと同様の品質を保証する
と共に生産性の向上の図る必要がある。

【０００７】このような要求を満たす有力な処理装置と
して複数の処理を一貫して連続処理するマルチチャンバ
ー処理装置が注目されている。このマルチチャンバー処
理装置は、複数の成膜処理装置、埋め込み処理装置を組
み合わせてモジュール化した装置で、所定の真空下で成
膜等の処理を行なう複数の処理室と、これらの処理室へ
被処理体を搬送する搬送装置を有する搬送室と、この搬
送室との間で真空予備室を介して被処理体を搬入、搬出
するカセット室とを備え、各処理室で１枚ずつ連続的に
成膜処理、埋め込み処理などを行なうように構成され
た、いわゆる枚葉処理装置である。このマルチチャンバ
ー処理装置では、各処理室でＣＶＤあるいはスパッタな
どにより成膜処理を行なった後、これらの処理室と同様
の真空度に保たれた搬送室内の搬送装置を介して連続的
に次の処理室へ搬送し、連続的に成膜処理を行なうこと
ができ、複数の処理を効率良く行なうことができるた
め、スループットを高めることができる。また、各処理
工程を結ぶ搬送室が真空に保たれているため、被処理体
をクリーンな環境下で搬送することができ、被処理体を
各処理工程での処理状態をそのまま維持することがで
き、各処理の再現性を高めることができる。更にまた、
このマルチチャンバー処理装置は、多層配線の処理内容
に応じて処理室を適宜組み合わせることができ、処理設
計に高い自由度を有している。

【０００８】しかし、６４ＭＤＲＡＭから２５６ＤＲＡ
Ｍのような半導体集積回路素子を製造する場合には、ク
リーンルームはスーパークリーン化しているため、クリ
ーンルームからの汚染が激減する反面、処理装置内部の
クリーン度が低下し、パーティクル等の９０％は処理装
置内部で発生するとの報告がある。つまり、各処理室．
ではそれぞれの成膜処理に伴って被処理体のみならず、
処理室内部で被処理体を支持するサセプタや電極なども
同時に成膜され、更に処理室内周面にも成膜が行なわ
れ、これらがいずれは剥離してパーティクルとして浮遊
したり、処理室の底面に堆積することになる。そして、
処理時の給排気時の気流により処理室でパーティクルが
舞い上がって浮遊し、処理室と連通する搬送室などの他
のチャンバーへ拡散し、これらのパーティクルが被処理
体表面を汚染して歩留りを低下させることになる。

【０００９】そこで、従来からこのような汚染をなくす
ために、所定回数の成膜処理などが終了する度に処理装
置内をクリーニングしてパーティクル等の汚染物を除去
するようにしている。そのクリーニング方法としては、
マルチチャンバー処理装置自体を解体し、解体後に各構
成部品を洗浄液内に浸漬してこれらの部品に付着した汚
染物を洗浄したり、あるいは各構成部品に付着した汚染
物を拭き取ったりする方法が採られていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法は、マル
チチャンバー処理装置を解体した後、各構成部品を洗浄
液に浸漬してそれぞれの汚染物を洗浄し、あるいは拭き
取るようにしていたため、クリーニングに多大な時間を
要し、マルチチャンバー処理装置の稼動効率が著しく低
下するという課題があった。

【００１１】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プラズマレスで複数の処理室の内部のみな
らず、搬送室などの他のチャンバーの内部を構成部材を
損ねるこなく完全にクリーニングすることができ、半導
体集積回路素子の製造時に問題となる、各チャンバー内
部の被膜やこの被膜に起因したパーティクルなどの汚染
源を除去できるマルチチャンバー処理装置のクリーニン
グ方法を提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のマルチチャンバー処理装置は、被処理体を処理する
複数の処理室と、これら各処理室へ被処理体を搬送する
搬送室と、この搬送室に接続された予備室とを備えたマ
ルチチャンバー処理装置において、上記各処理室、搬送
室及び予備室にガス供給部及びガス排気部をそれぞれ設
け、これらの各ガス供給部にクリーニングガス供給系を
接続し、このクリーニングガス供給系から上記各ガス供
給部を介して所定回数処理後の上記各室内にＣｌＦ_３ガ
スを個別に供給し、このＣｌＦ_３ガスにより各室の内部
に所定回数の処理により付着した付着物をそれぞれ個別
にクリーニングするように構成されたものである。

【００１３】また、本発明の請求項２に記載のマルチチ
ャンバー処理装置のクリーニング方法は、被処理体を処
理する複数の処理室と、これら各処理室へ被処理体を搬
送する搬送室と、この搬送室に接続された予備室とを備
えたマルチチャンバー処理装置の内部をクリーニングす
る方法において、上記各処理室、搬送室及び予備室をそ
れぞれ他から個別に遮断した後、所定回数処理後の各室
に対してＣｌＦ_３ガスを個別に供給し、このＣｌＦ_３ガ
スにより各室の内部に所定回数の処理により付着した付
着物をそれぞれ個別にクリーニングするようにしたもの
である。

【００１４】また、本発明の請求項３に記載のマルチチ
ャンバー処理装置のクリーニング方法は、請求項２に記
載の発明において、上記各室に設けられたそれぞれの排
気系配管を介してＣｌＦ_３ガスを上記各室から個別に排
気するようにしたものである。

【００１５】また、本発明の請求項４に記載のマルチチ
ャンバー処理装置のクリーニング方法は、被処理体に成
膜処理を施す少なくとも一つの成膜室と、この成膜室へ
被処理体を搬送する搬送装置を設けた搬送室と、この搬
送室に接続された予備室とを備えたマルチチャンバー処
理装置の内部をクリーニングする方法において、少なく
とも一つの上記成膜室内で上記被処理体に所定回数の成
膜処理を施し、成膜後の上記被処理体を上記搬送室及び
上記予備室を介して外部へ搬送した後、少なくとも一つ
の上記成膜室、搬送室及び予備室をそれぞれ他から個別
に遮断した後、これらの各室に対してＣｌＦ_３ガスを個
別に供給し、このＣｌＦ_３ガスにより各室の内部に所定
回数の処理により付着した付着物をそれぞれ個別にクリ
ーニングするようにしたものである。

【００１６】また、本発明の請求項５に記載のマルチチ
ャンバー処理装置のクリーニング方法は、請求項４に記
載の発明において、上記各室に設けられたそれぞれの排
気系配管を介してＣｌＦ _３ガスを上記各室から個別に排
気するようにしたものである。

【００１７】

【作用】本発明の請求項１及び請求項２に記載の発明に
よれば、処理室、搬送室などの複数のチャンバーをそれ
ぞれ他のチャンバーから個別に遮断した後、各チャンバ
ーに対してそれぞれのガス供給部を介してＣｌＦ_３ガス
をクリーニングガス供給系から個別に供給すると、この
ＣｌＦ_３ガスがそれぞれのチャンバーに付着した付着物
と反応し、この時の反応熱で更にＣｌＦ_３ガスが活性化
され、この活性化したＣｌＦ_３ガスと付着物との反応
が促進されて各チャンバーに付着した付着物を除去す
ることができる。

【００１８】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項２に記載の発明において、上記各チャンバ
ーに設けられたそれぞれの排気系配管からＣｌＦ_３ガス
を個別に排気すると、このＣｌＦ_３ガスが上記各チャン
バーからそれぞれの排気系配管を通過する間にそれぞれ
の内面の付着物と反応し、それぞれの排気系配管の付着
物を個別に除去することができる。

【００１９】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、少なくとも一つの成膜室内で被処理体に成膜処理
を施し、成膜後の被処理体を搬送室及び予備室を介して
外部へ搬送した後、少なくとも一つの成膜室、搬送室及
び予備室からなる複数のチャンバーをそれぞれ他のチャ
ンバーから個別に遮断した後、これらの各チャンバーに
対してＣｌＦ_３ガスを個別に供給すると、各チャンバー
内においてＣｌＦ_３ガスがそれぞれのチャンバーに付着
した付着物と反応し、この時の反応熱で更にＣｌＦ_３ガ
スが活性化され、この活性化したＣｌＦ_３ガスと付着物
との反応が促進されて各チャンバーに付着した付着物を
個別に除去することができる。

【００２０】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項４に記載の発明において、上記各チャンバ
ーに設けられたそれぞれの排気系配管からＣｌＦ _３ガス
を個別に排気すると、このＣｌＦ_３ガスが上記各チャン
バーからそれぞれの排気系配管を通過する間にそれぞれ
の内面の付着物と反応し、それぞれの排気系配管の付着
物を個別に除去することができる。

【００２１】

【実施例】以下、図１〜図５に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本実施例のマルチチャンバー処理装置
は例えば図１に示すように処理室からクリーニングガス
を供給するように構成されている。即ち、クリーニング
ガスを供給する複数、本実施例では３つの処理室１、
２、３は、後述するように熱ＣＶＤなどにより所定の真
空下でタングステンなどのメタル成膜処理などを行なう
ように構成されている。そして、これらの処理室１、
２、３は、同図に示すように、略矩形状に形成された第
１搬送室４の３箇所の側面にゲートバルブ５、６、７を
介して接続され、これらのゲートバルブ５、６、７を開
放することにより第１搬送室４と連通し、これらを閉じ
ることにより第１搬送室４から遮断できるように構成さ
れている。また、この第１搬送室４内には各処理室１、
２、３へ被処理体、例えば半導体ウエハ８を搬送する搬
送装置９を備え、処理室１、２、３と同程度の真空度を
保持できるように構成されている。この搬送装置９は、
第１搬送室４の略中央に配設されており、屈伸可能に構
成されたアーム９Ａを有し、このアーム９Ａに半導体ウ
エハ８を載せて半導体ウエハ８を搬送するように構成さ
れている。更に、この第１搬送室４の底面には図１に示
すようにガス供給部としてガス供給口４Ａが形成され、
このガス供給口４Ａはクリーニングガスを供給する後述
のクリーニングガス供給系３５へ接続されている。ま
た、このガス供給口４Ａから供給されたクリーニングガ
スは第１搬送室４の底面にガス排気部として形成された
ガス排気口４Ｂから排気するように構成されている。ま
た、この第１搬送室９の残りの一側面にはゲートバルブ
１０、１１を介して２つの後述する真空予備室１２、１
３がそれぞれ連通可能に並設され、これらの真空予備室
１２、１３はゲートバルブ１０、１１を開放することに
より第１搬送室４に連通し、これらのゲートバルブ１
０、１１を閉じることにより第１搬送室４から遮断でき
るように構成されている。従って、所定の真空雰囲気下
で搬送装置９により半導体ウエハ８を例えば真空予備室
１２から所定の処理室へ移載し、この処理室内で所定の
成膜処理などを行なった後、その処理室から搬送装置９
を介して順次他の処理室へ移載してそれぞれの処理室で
所定の処理を終了した後、再び他の真空予備室１３へ移
載するように構成されている。

【００２２】これらの各真空予備室１２、１３は、ゲー
トバルブ１０、１１に対向する側で、ゲートバルブ１
４、１５を介して第２搬送室１６に連通可能に接続さ
れ、これらのゲートバルブ１４、１５を開放することに
より第２搬送室１６と連通し、これらを閉じることによ
り第２搬送室１６から遮断できるように構成されてい
る。また、この第２搬送室１６の左右両側面にはゲート
バルブ１７、１８を介してカセット１９を収納するカセ
ット室２０、２１が連通可能に接続され、これらのカセ
ット室２０、２１は、ゲートバルブ１４、１５を開放す
ることにより第２搬送室１６と連通し、これらを閉じる
ことにより第２搬送室１６から遮断できるように構成さ
れている。また、第２搬送室１６内には左右のカセット
室２０、２１間の中央に位置させた第２搬送装置２３が
配設され、この第２搬送装置２３により真空予備室１
２、１３とカセット室２０、２１間で半導体ウエハ８を
移載するように構成されている。更に、この第２搬送装
置２３と真空予備室１２、１３の間には半導体ウエハ８
のオリエンテーションフラットにより半導体ウエハ８の
位置決めをする位置決め装置２４が配設され、この位置
決め装置２４により一旦位置決めした後、第２搬送装置
２３により真空予備室１２へ半導体ウエハ８を移載する
ように構成されている。

【００２３】また、第２搬送室１６は室内に窒素ガス等
の不活性ガスを供給し、そのガス圧を大気圧に調整して
保持する気圧調整装置（図示せず）とを備え、この気圧
調整装置によって大気圧に調整された窒素ガス中で、第
２搬送装置２３を用いてカセット室２０、２１内のカセ
ット１９と真空予備室１２、１３の間での半導体ウエハ
８を搬送するように構成されている。また、この第２搬
送室１６はクリーニング時に所定の真空度を保持できる
ように構成されている。

【００２４】また、この第２搬送室１６の底面にはガス
供給部としてガス供給口２５Ａが形成され、このガス供
給口２５Ａは例えば配管３３を介してクリーニングガス
を供給するクリーニングガス供給系３５へ接続されてい
る。そして、このガス供給口４Ａから供給されたクリー
ニングガスは第２搬送室１６の底面にガス排気部として
形成されたガス排気口２５Ｂから排気するように構成さ
れている。このガス排気口２５Ｂは例えば真空予備室１
２、１３の排気系にバルブ（図示せず）を介して接続さ
れ、この排気系を利用してクリーニング時の真空排気す
るように構成され、その他の時はバルブを閉じて真空予
備室１２、１３のみを真空排気するように構成されてい
る。そして、上記各処理室１、２、３、第１搬送室４、
真空予備室１２、１３などの各チャンバーに排気系を備
え、それぞれのチャンバーから排気できるように構成さ
れている。尚、２６、２７はカセット室２０、２１の正
面に取り付けられたゲートバルブである。

【００２５】次に、本発明のクリーニング方法の一実施
例について説明する。このクリーニング方法では、マル
チチャンバー処理装置の全チャンバーのゲートバルブを
閉じて各チャンバーを互いに遮断した後、例えば後述す
る１箇所のクリーニングガス供給系から各チャンバーに
対してＣｌＦ_３ガスをクリーニングガスとして個別に供
給し、各チャンバーから個別に外部へ排気し、この間に
クリーニングガスにより各チャンバーの内部に付着した
金属系の付着物をそれぞれ個別にクリーニングするが、
このクリーニング方法によるクリーニングガスの流れを
概念的に示したものが図２である。即ち、一つのクリー
ニングガス供給系３５の配管は、マルチチャンバー処理
装置の全チャンバーに対応して分岐し、分岐した配管が
それぞれ全チャンバーに対して個別に接続され、クリー
ニングガス供給系３５から全チャンバーに対して個別に
クリーニングガスを供給するように構成されている。そ
して、各チャンバーにはそれぞれガス排気口がそれぞれ
形成され、それぞれのガス排気口からクリーニングガス
を外部へ排気するように構成されている。このクリーニ
ングガスは予め定められた濃度で各チャンバー内に分布
した時点で所定時間排気を停止して良く、また、排気停
止後予め定められた時間を経過した後クリーニングガス
の供給を停止するようにしても良い。また排気とクリー
ニングガスの供給をパルス的に繰り返して実施しても良
い。クリーニングガスはＣｌＦ_３ガスあるいは窒素ガス
などの希釈用ガスを含むガスとして構成されている。こ
のＣｌＦ_３は化学的に活性で、特にタングステン系の被
膜と良く反応し、タングステン系の付着物を効果的に
除去することができる。しかし、このＣｌＦ_３はタング
ステンに限らず、他の金属例えばチタン系、モリブデ
ン系などの金属化合物とも良く反応し、これらの金属化
合物を効果的に除去することができる。このクリーニン
グに際し、クリーニング雰囲気を加熱しても良く、更に
クリーニングガスは全チャンバーから供給するようにし
ても良い。

【００２６】このクリーニングガスがＣｌＦ_３ガスのみ
である場合には、ＣｌＦ_３ガスの流量が５リットル／分
以下で、その温度がＣｌＦ_３の沸点〜７００℃、内部の
圧力が０.１〜１００Torrの条件でクリーニングするこ
とが好ましい。ＣｌＦ_３ガスの流量が５リットル／分を
超えると、各チャンバーの構成材料を損ねる虞がある。
ＣｌＦ_３ガスの温度が沸点未満ではＣｌＦ_３が構成部材
に結露してその材料を損ねる虞があり、７００℃を超え
てもＣｌＦ_３ガスが活性化されてやはり材料を損ねる
虞がある。ＣｌＦ_３ガスの圧力が０.１Torr未満ではク
リーニング効果が期待できなくなる虞があり、１００To
rrを超えると構成材料を損ねる虞がある。また、ＣｌＦ
_３ガスを主成分とするクリーニングガスは、不活性ガス
例えば窒素ガスでＣｌＦ_３を希釈したものである。

【００２７】次に、クリーニングガスを供給するガス供
給系及び処理室１、２、３について図３を参照しながら
説明する。ここでは例えば処理室１がスパッタリング装
置として構成され、処理室２が熱ＣＶＤ装置として構成
され、処理室３がエッチング装置として構成されてい
る。そこで、これらの処理室を代表して処理室２につい
て説明する。この処理室２は、図３に示すように、所定
の真空度を保持できるアルミニウムなどから円筒状とし
て形成されている。この処理室２内の底面２Ａの略中央
に配設された、半導体ウエハ８を載置するサセプタ２８
と、このサセプタ２８の上方でこれに対向して配置さ
れ、プロセスガスまたはクリーニングガスを供給するガ
ス分散供給部２９とを備えて構成されている。また、こ
の処理室２の底面にはサセプタ２８に対向させた石英窓
３０が形成され、この石英窓３０のやや下方に配設され
た加熱用のハロゲンランプ３１から石英窓３０を介して
サセプタ２８上の半導体ウエハ８を光エネルギーにより
加熱するように構成されている。

【００２８】また、ガス分散供給部２９には図３に示す
ようにプロセスガスを供給するプロセスガス供給系３２
が配管３３を介して接続され、この配管３３に取り付け
られたバルブ３４を開放することにより所定のプロセス
ガスをガス分散供給部２９を介して処理室２内に供給す
るように構成されている。そして、この処理室２内で例
えばブランケットＷ処理を行なう場合にはプロセスガス
供給系３２からガス分散供給部２９へ例えば六フッ化タ
ングステン（ＷＦ６）及び水素をプロセスガスとして供
給し、ガス分散供給部２９の下面に多数分散させて形成
され分散孔２９Ａから処理室２内全体へプロセスガスを
均等に供給するように構成されている。尚、金属配線用
のプロセスガスとしては、ハロゲン化物、カルボニル化
合物、有機金属化合物があり、これらは還元性ガスと共
に供給される。そして、プロセスガスは比較的蒸気圧の
低い化合物が配線材料としては好ましい。

【００２９】また、配管３３には図３に示すようにクリ
ーニングガスを供給するクリーニングガス供給系３５が
配管３６を介して接続され、クリーニング時にはこのク
リーニングガス供給系３５から配管３６、配管３３、ガ
ス分散供給部２９を介して処理室２内へクリーニングガ
スを供給するように構成されている。即ち、このガス分
散供給部２９は処理室２のクリーニングガスの供給部と
しての役割も果たしている。また、この配管３３は、同
図に示すように、処理室２の上流側で他の処理室１、
３、第１搬送室４、真空予備室１２、１３及び第２搬送
室１６へクリーニングガスを供給できるように分岐し、
分岐した配管３３の下流端がこれらのチャンバーのガス
供給口にそれぞれ接続され、全チャンバーへ個別にクリ
ーニングガスを供給できるように構成されている。この
クリーニングガス供給系３５は、クリーニングガスであ
るＣｌＦ_３ガスを貯留するＣｌＦ_３ガスボンベ３７と、
このＣｌＦ_３ガスを希釈する窒素ガスを貯留する窒素ガ
スボンベ３８を備え、これら両者３７、３８はそれぞれ
配管３６から分岐する配管３６Ａ、３６Ｂの端部にそれ
ぞれ接続されている。ＣｌＦ_３ガスボンベ３７が接続さ
れた配管３６Ａには上流側から下流側へバルブ３９、
マスフローコントローラ４０、バルブ４１が順次配設さ
れ、また、窒素ガスボンベ３７が接続された配管３６Ｂ
には上流側から下流側へバルブ４２、マスフローコント
ローラ４３、バルブ４４が順次配設され、これら両者３
７、３８からのガスが配管３６で合流し、バルブ４５を
開放することにより配管３３を介して各処理室１、２、
３、第１搬送室４、真空予備室１２、１３及び第２搬送
室１６内へクリーニングガスを供給できるように構成さ
れている。

【００３０】処理室２の底面２Ａにはサセプタ２８の近
傍に位置する排気口４６が形成されている。そして、こ
の排気口４６には排気管４８を介して真空排気ポンプ４
９が接続され、この真空排気ポンプ４９により処理室２
内を排気して所定の真空度を維持するように構成されて
いる。この真空排気ポンプ４９は本発明のクリーニング
方法を実施する場合にもクリーニングガスの排気用とし
て兼用することができる。従って、この排気口４６は処
理室２のクリーニングガスの排気部としての役割も果た
している。この真空ポンプ４９としては排気されるガス
の影響を受けないようにオイルフリーのドライポンプを
用いることが好ましい。更に、この真空排気ポンプ４９
の下流側には、この真空排気ポンプ４９から排気された
プロセスガス、クリーニングガスなどの有害なガスを捕
捉して排気ガスからこれらの有害ガスを除去する除害装
置５０が配設されている。この除害装置５０にはＣｌＦ
_３を良く溶解する溶剤、例えばアルカリ溶液などを満た
したものが用いられる。

【００３１】また、処理装置１、２、３に対して第１搬
送室４を介してその前方、即ち図１では紙面下方に接続
されている真空予備室１２、１３は図４（ａ）に示すよ
うに構成されている。この真空予備室１２は、同図に示
すように、処理室と同材料によって形成された予備室本
体５１と、この予備室本体５１内に配設された、半導体
ウエハを冷却する冷却ステージ５２と、この冷却ステー
ジ５２に対向させて予備室本体５１天面の上方に配設さ
れた、半導体ウエハを予備加熱する加熱装置５３と、こ
の加熱装置５３と冷却ステージ５２間で半導体ウエハを
支持する上下２段の支持具５４、５５と、これらの支持
具５４、５５を一体化して連結し、予備室本体５１の底
面を貫通する連結軸５６と、この連結軸５６の下端に連
結され、支持具５４、５５を昇降させる昇降機構５７と
を備えて構成されている。また、予備室本体５１の底面
には排気口５１Ａが形成され、この排気口５１Ａに排気
配管５８を介して真空排気ポンプ５９が接続され、この
真空排気ポンプ５９により予備室本体５１内を真空排気
するように構成されている。この真空排気ポンプ５９
は、本発明のクリーニング方法を実施する際にも利用す
ることができる。また、この排気口５１Ａの近傍にガス
供給口５１Ｂが形成され、このガス供給口５１Ｂに供給
配管６０を介してガス供給源（図示せず）が接続され、
真空状態の予備本体５１内に不活性ガスなどを供給して
内部を大気圧に戻すように構成されている。また、この
供給配管６０にはクリーニングガス供給系３５の配管３
３が接続され、この配管３３、供給配管６０を介して真
空予備室１２内へクリーニングガスを供給できるように
構成されている。

【００３２】上記加熱装置５３は、ハロゲンランプなど
からなる加熱ランプ５３Ａと、この加熱ランプ５３Ａの
光を予備室本体５１側へ反射する反射板５３Ｂを有し、
この反射板５３Ｂで反射された加熱ランプ５３Ａからの
光エネルギーを予備室本体５１の天面に配設された石英
窓５３Ｃを介してその内部の半導体ウエハを照射して加
熱するように構成されている。即ち、半導体ウエハを処
理室へ搬入する前に予め予備加熱するが、この際には、
昇降機構５７によって支持具５４を上昇させて加熱装置
５３に接近させて処理前の半導体ウエハを予備加熱す
る。また、処理後の半導体ウエハを搬出する場合は外部
の温度に合わせて半導体ウエハを冷却するが、この際に
は、昇降機構５７によって支持具５５を下降させて冷却
ステージ５２に接触させて処理後の半導体ウエハを冷却
する。また、上記支持具５４、５５は、図４（ｂ）に示
すように、冷却ステージ５２の外径よりやや大径に形成
されたリング５４Ａ、５５Ａと、各リング５４Ａ、５５
Ａに周方向等間隔に３個取り付けられた保持爪５４Ｂ、
５５Ｂとからなり、これらの保持爪保持爪５４Ｂ、５５
Ｂで半導体ウエハを支持するように構成されている。ま
た、他の真空予備室１３も真空予備室１２と同様に予備
室本体６１、冷却ステージ６２、加熱装置６３、支持具
６４、６５、連結軸６６、昇降機構６７、排気配管６８
及び供給配管７０を備えている。そして、真空予備室１
２との場合と同様にこの供給配管７０にはクリーニング
ガス供給系３５の配管３３が接続され、この配管３３、
供給配管７０を介して真空予備室１３内へクリーニング
ガスを供給できるように構成されている。そして、真空
予備室１２、１３の排気口及びガス供給口はいずれもク
リーニングガスの排気部及び供給部としての役割をも果
たしている。

【００３３】上記真空予備室１２、１３の前方に接続さ
れている第２搬送室１６内に配設された第２搬送装置２
３は、リンク機構によって屈伸自在に構成されたアーム
７１と、このアーム７１の先端に連結されたハンド７２
と、このハンド７２の上面に形成された孔７３で半導体
ウエハ８を真空吸着するように真空排気管７４を介して
排気する真空排気ポンプ（図示せず）とを備えて構成さ
れている。そして、この第１搬送装置２３は、大気圧以
上に圧力が保持された室内で半導体ウエハ８を移載する
際には、そのアーム７１を伸ばしてカセット１９内の半
導体ウエハ８間へ挿入し、ハンド７２に半導体ウエハ８
を載せると共に真空排気ポンプにより真空排気管７４を
介して排気して半導体ウエハ８をハンド７２の孔７３を
介して正確に吸着固定して半導体ウエハ８を脱落させる
ことなく搬送し、搬送後には真空吸着を解除して所定の
位置へ半導体ウエハ８を正確に載置するように構成され
ている。

【００３４】また、第１搬送室４のガス排気口４Ｂ及び
第２搬送室１６内のガス排気口２５Ｂは図２に示すよう
に例えば真空予備室１２、１３の真空排気ポンプ５９に
配管７５を介して接続され、この真空排気ポンプ５９に
より配管７５を介して各搬送室４、１６内のクリーニン
グガスを排気するように構成されている。そして、図示
しないがこの配管７５は上述した除害装置５０に接続さ
れ、この除害装置５０によって排気ガス中の有害成分を
除去した後外部へ排気するように構成されている。

【００３５】次に、上記マルチチャンバー処理装置を用
いた配線用成膜処理の一例について説明する。例えば、
処理室１内ではスパッタリングによりＴｉＮを半導体ウ
エハのコンタクトホールの表面に密着層を形成し、処理
室２内では処理室１内で処理後の半導体ウエハのコンタ
クトホールにブランケットＷによりタングステンを埋め
込み、処理室３内では処理室２内でタングステン埋め込
み後の半導体ウエハの表面からタングステンをエッチバ
ックしてコンタクトホールにのみタングステンを残す処
理を行なう。これらの一連の配線処理同時に行ない、各
処理室での処理後は連続して次の工程へ半導体ウエハを
第１搬送装置９を介して搬送する。勿論、各処理室内は
いずれもそれぞれの処理に必要な真空度に保持されてい
る。

【００３６】例えば処理室２でのブランケットＷについ
て説明すると、プロセスガス供給系３２からガス分散供
給部２９へ六フッ化タングステン（ＷＦ６）及び水素を
プロセスガスとして供給すると、ガス分散供給部２９下
面の分散孔２９Ａからプロセスガスが室内全体へ均等に
供給される。この時、ハロゲンランプ３１の光エネルギ
ーが石英窓３０を介してサセプタ２８に照射されてこれ
で支持された半導体ウエハ８が所定温度まで加熱されて
おり、加熱された半導体ウエハ８にプロセスガスが接触
すると、その熱エネルギーによりＷＦ６が水素還元され
てタングステンの被膜が半導体ウエハ８の前表面に形成
される。この処理によってタングステンの被膜は半導体
ウエハ８の表面のみならずサセプタ２８などその他の部
分にも形成される。

【００３７】そして、ブランケットＷの成膜工程が終了
すれば、他の処理室１、３でもそれぞれの処理を終了
し、それぞれの処理室から次工程へ半導体ウエハ８を第
１搬送室４内の第１搬送装置９により搬送する。即ち、
各半導体ウエハ８の搬送時には、各処理室のゲートバル
ブ５、６、７を開くと共に真空予備室１２、１３のゲー
トバルブ１０、１１を順次開いてこれらの各チャンバー
を互いに連通させる。この状態で第１搬送装置９を駆動
させて処理室３内の半導体ウエハ８を真空予備室１３内
へ搬送し、その内部の支持具５５へ半導体ウエハ８を移
載する。そして、第１搬送装置９のアーム９Ａを真空予
備室１３から後退させ、引き続き処理室２内へアーム９
Ａを伸ばし、サセプタ２８上のブランケットＷ後の半導
体ウエハ８を取り出して処理室３へ移載する。更に、ア
ーム９Ａを処理室１内へ伸ばし、その内部からＴｉＮ成
膜後の半導体ウエハ８を取り出して処理室２内のサセプ
タ２８へその半導体ウエハ８を移載する。その後、アー
ム９Ａを真空予備室２内へ伸ばし、加熱装置５３による
予備加熱後の半導体ウエハ８を支持具５４から取り出
し、処理室１内へ半導体ウエハ８を移載する。これらの
一連の連続操作が順次終了すれば順次それそれのゲート
バルブを閉じて次の操作に備える。

【００３８】真空予備室１２ではゲートバルブ１０が閉
じると、その後ゲートバルブ１４を開いて次の半導体ウ
エハ８を第２搬送装置２３により位置決め後の半導体ウ
エハ８を支持具５５で受け取る。次いで昇降機構５７が
駆動して連結軸５６を介して支持具５５を予備室本体５
１の天面に接近させる。この時予備室本体５１内では真
空排気ポンプ５９が駆動して室内の圧力を第１搬送室４
の真空度と同レベルまで真空引きすると共に、加熱装置
５３により半導体ウエハ８を予備加熱し、次の処理に備
える。一方、ゲートバルブ１１が閉じた真空予備室１３
ではガス供給配管７０から窒素ガスを予備室本体６１内
に供給し、室内の圧力を大気圧レベルに戻すと共に、昇
降機構６７が駆動して連結軸６６を介して支持具６４を
冷却ステージ６２に接触させて半導体ウエハ８を常温ま
で冷却する。冷却後ゲートバルブ開放して窒素ガスによ
り大気圧に調整された第２搬送室１６に連通し、第２搬
送装置２３により支持具６５上の半導体ウエハ８をカセ
ット室２１内のカセット１９へ移載する。この際、第２
搬送装置２３はハンド７２の孔７３を介して半導体ウエ
ハ８を真空吸着するため、半導体ウエハ８を取りこぼす
ことなく移載できる。これによりマルチチャンバー処理
装置内での一連の処理が終了する。これらの一連の処理
工程をカセット１９に収納された半導体ウエハ８の全て
について行ない、その後未処理の半導体ウエハ８と交換
する。

【００３９】このような成膜処理により処理装置１、
２、３内ではそれぞれの壁面、サセプタ２８及びその他
の部分にも多少の被膜が形成され、成膜処理を所定回数
繰り返すと、その都度被膜が積層されていずれはこれら
が剥離してパーティクルとして室内を浮遊し清浄な半導
体ウエハ８を汚染するようになることは前述の通りであ
る。また、処理室１、２、３内では完全に反応しきれな
い反応生成物や分解生成物が半導体ウエハ８に付着す。
そのためこれらの反応生成物や分解生成物が半導体ウエ
ハ８の搬送過程で半導体ウエハ８から飛散して処理室
１、２、３は勿論のこと、他の第１搬送室４、真空予備
室１２、１３及び第２搬送室１６などのチャンバーにも
飛散してそれぞれのチャンバーの底部に徐々に蓄積され
る。そして、これらもパーティクルになって半導体ウエ
ハ８を汚染する虞がある。更には、第１、第２搬送室
４、１６内ではそれぞれの搬送装置９、２３の駆動部か
らパーティクルが発生し、これらが徐々にそれぞれの底
面に蓄積し、これらが半導体ウエハ８の搬送時に舞い上
がり半導体ウエハ８を汚染する虞がある。

【００４０】そこで、所定回数の成膜処理後、その処理
を一旦中断しこれらのパーティクル等の塵埃を本発明の
クリーニング方法により除去する。それにはまず、処理
室２のハロゲンランプ３１などの電源を切った後、半導
体ウエハ８が各処理室１、２、３にない状態にする。次
いで、マルチチャンバー処理装置の全チャンバーのゲー
トバルブを閉じて各チャンバーを互いに遮断した後、ク
リーニングガス供給系３５から各チャンバーに対して希
釈用ガスを含むことがあるＣｌＦ_３ガスをクリーニング
ガスとして図２で示すように各チャンバーへ個別に供給
することにより本実施例のクリーニングを実施する。こ
のクリーニングに際して各チャンバー内を窒素ガスなど
で予め置換しておくことが好ましい。

【００４１】次いで、ＣｌＦ_３の沸点より高い常温下で
各処理室１、２、３の真空排気ポンプ４９等及び真空予
備室１２、１３の真空排気ポンプ５９を駆動し、各処理
室１、２、３、第１搬送室４、真空予備室１２、１３及
び第２搬送室１６から窒素ガスを排気して各チャンバー
内の真空度を所定値に維持する。そして、この排気状態
下でクリーニングガス供給系３５のバルブ３９、４１、
４５を所定の開度で開放すると共にマスフローコントロ
ーラ４０により各チャンバーにおけるＣｌＦ_３ガスを
所定の流量、例えば５リットル／分以下の流量で配管３
３を介して供給する。この配管３３に接続された処理室
２のガス分散供給部２９、その他の処理室１、３のガス
供給口、第１搬送室４のガス供給口４Ａ、各真空予備室
１２、１３のガス供給口５１Ｂ、６１Ｂ及び第２搬送室
１６のガス供給口２５Ａからそれぞれのチャンバー内へ
クリーニングガスを個別に導入し、各チャンバーでのＣ
ｌＦ_３ガスの圧力を０.１〜１００Torrに維持する。こ
の時、クリーニングガスは、処理室２の排気口４６、
その他の処理室の排気口（図示せず）、第１搬送室４の
ガス排気口４Ｂ、真空予備室１２、１３の排気口５１
Ａ、６１Ａ及び第２搬送室１６のガス排気口２５Ｂから
クリーニングにより消費されたクリーニングガスを真空
排気ポンプ４９、５９などに常時排気して更新している
ため、各チャンバー内のクリーニングガスの圧力を０.
１〜１００Torrに維持すると共に更新された新鮮なク
リーニングガスで効率良く各チャンバーを個別にクリー
ニングすることができる。

【００４２】各チャンバーに供給されたＣｌＦ_３ガスは
化学的に活性なガスであるため、処理室１、２、３に形
成されたタングステン系の被膜やこれらの処理室１、
２、３及びその他の全てのチャンバーの底面などに処理
過程で付着した付着物と反応してこれらの被膜及び付着
物を各チャンバー内で個別に除去して各チャンバー内を
清浄にクリーニングすることができる。また、ＣｌＦ_３
ガスの被膜等との反応が発熱反応であるため、この発熱
によりＣｌＦ_３ガスの反応は益々促進されてより被膜
等の付着物を除去することができる。特に、ＣｌＦ_３ガ
スはタングステンと良く反応するため、本実施例で各
チャンバー内に付着したタングステン系の付着物を良く
クリーニングすることができる。

【００４３】しかも、本実施例ではクリーニングガスを
排気系配管を介して外部へ排出するようにしているた
め、それぞれの排気配管、特に各処理室１、２、３の排
気管４８のように反応生成物の被膜を形成し易い部分に
ついても、その被膜をクリーニングガスにより除去する
ことができる。また、排気系から排出される有毒ガスを
除害装置５０により除去できるため、クリーンな排気を
行なうことができる。

【００４４】以上説明したように本実施例によれば、Ｎ
Ｆ_３ガスなどのプラズマを利用して内部をクリーニング
する方法では除去できなかった各チャンバーの底面など
プラスマが及ばない部分でも、ＣｌＦ_３ガスが各チャン
バー内で個別に完全に行き渡って各チャンバーの隅々ま
で完全にクリーニングすることができ、このことから６
４ＭＤＲＡＭ以上の多層配線からなる半導体集積回路素
子の製造装置の主流となりえるマルチチャンバー処理装
置を構成する全チャンバーを完全にクリーニングするこ
とができ、６４ＭＤＲＡＭ以上の集積度を有する半導体
集積回路素子の製造で問題になるパーティクルなどの汚
染源を除去できる。しかも、本実施例によれば、ＣｌＦ
_３ガスが活性なガスであるとはいえ、材料に対する腐食
性がなく、しかもプラズマレスであるため、プラズマに
よる装置内部を損傷などさせることなく極めて穏やかな
クリーニングを行なうことができる。また、本実施例に
よれば、既存のマルチチャンバー処理装置にクリーニン
グシステムとしてクリーニングガス供給系３５を設ける
他、多少の排気系の改良を加えるだけ良いため、極めて
低コストで効果的なクリーニングを行なうことができ
る。また、当然のことながら作業員が装置を解体してク
リーニングする方式と比較すれば、クリーニング時間を
格段に短縮できる。

【００４５】また、他のクリーニング方法としては、Ｃ
ｌＦ_３ガスのプラズマを利用して処理装置内をクリーニ
ングする方法もある。このクリーニング方法では、Ｃｌ
Ｆ_３ガスを例えば成膜室である処理室１、２及びエッチ
ング室である処理室３内に個別に供給し、これらの処理
室１、２、３内でＣｌＦ_３ガスのプラズマを立て、そ
れぞれのプラズマにより各処理室１、２、３内の図示し
ないサセプタ、電極及びその近傍をそれぞれ個別にクリ
ーニングすると共に、このＣｌＦ_３ガスを他の第１搬
送室４、予備真空室１２、１３及び第２搬送室１６へも
同時且つ個別に供給することにより、マルチチャンバー
処理装置の全チャンバーを個別にクリーニングすること
ができる。この方法によれば、処理室１、２における成
膜処理によりそれぞれの内面、サセプタ、電極が成膜さ
れ、あるいは処理室３におけるエッチバック処理により
その内面、サセプタ、電極が成膜されても、サセプタ、
電極をＣｌＦ_３のプラズマ中の活性種により堆積膜を効
果的に除去することができると共に、他の全てのチャ
ンバーについてはＣｌＦ_３ガスによって上述した場合と
同様にクリーニングすることができる。この場合にも
装置を解体することなく、ＣｌＦ_３ガスなどのクリーニ
ングガスを処理室２内でプラズマ化してサセプタ、電
極などに形成された被膜あるいは付着したパーティクル
などをエッチングにより除去することができるため、ク
リーニング時間を短縮することができ、しかも稼動時の
状態のまま簡便に行なうことができる。

【００４６】尚、上記実施例ではクリーニングガスとし
てＣｌＦ_３ガスを用いたものについて説明したが、本発
明では、このＣｌＦ_３ガスを除去すべき被膜等の付着物
の成分に応じて窒素ガスによって適宜希釈し、その活性
を適宜調整することもできる。また、本実施例ではクリ
ーニングガスを１箇所のクリーニングガス供給系３５か
ら各チャンバーへ個別にクリーニングガスを供給するよ
うにしたものについて説明したが、クリーニングガス供
給系は各チャンバーに対して個別に取り付けても良い。
また、上記実施例では処理室以外のチャンバーではクリ
ーニングガスのガス供給口及びガス排気口をそれぞれの
底面に設けたものについて説明したが、これらを設ける
場所及び数は必要に応じて適宜設定することができる。
また、上記実施例ではカセット室２０、２１のクリーニ
ングについては説明しなかったが、これらのチャンバー
の場合には、ゲートバルブ２６、２７を開放した状態で
作業員が簡単に内部を清掃できるため、本発明のクリー
ニング方法を用いるまでもない。仮に本発明のクリーニ
ング方法をカセット室２０、２１のクリーニングにも適
用するとすれば、上述したように各カセット室２０、２
１にクリーニングガスの供給口と排気口を設けるように
すれば良い。

【００４７】以上説明したように本発明の請求項１に記
載の発明によれば、複数の処理室、搬送室及び予備室に
ガス供給部及びガス排気部をそれぞれ設け、これらの各
ガス供給部にクリーニングガス供給系を接続したため、
複数の処理室、搬送室及び予備室からなる複数のチャン
バーをそれぞれ個別に他のチャンバーから遮断した後、
各チャンバーに対してＣｌＦ_３ガスをクリーニングガス
供給系から個別に供給し、このＣｌＦ_３ガスにより各チ
ャンバーの内部に付着した付着物をそれぞれ個別にクリ
ーニングすることができ、プラズマレスで複数の処理室
の内部のみならず、搬送室などの他のチャンバーの内部
も個別にそれぞれの構成部材を損ねるこなく完全にクリ
ーニングすることができ、半導体集積回路素子の製造時
に問題となる、各チャンバー内部の被膜やこの被膜に起
因したパーティクルなどの汚染源を個別に除去できるマ
ルチチャンバー処理装置を提供することができる。

【００４８】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、マルチチャンバー処理装置の複数の処理室、搬送
室及び予備室からなる複数のチャンバーをそれぞれ個別
に他のチャンバーから遮断した後、各チャンバーに対し
てＣｌＦ_３ガスを個別に供給し、このＣｌＦ_３ガスによ
り各チャンバーの内部に付着した付着物をそれぞれ個別
にクリーニングするようにしたため、プラズマレスで複
数の処理室の内部のみならず、搬送室などの他のチャン
バーの内部も個別にそれぞれの構成部材を損ねるこなく
完全にクリーニングすることができ、半導体集積回路素
子の製造時に問題となる、各チャンバー内部の被膜やこ
の被膜に起因したパーティクルなどの汚染源を個別に除
去できるマルチチャンバー処理装置のクリーニング方法
を提供することができる。

【００４９】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項２に記載の発明において、各チャンバーに
設けられたそれぞれの排気系配管を介してＣｌＦ_３ガス
を上記各チャンバーから個別に排気するようにしたた
め、各処理室などのチャンバーの排気系配管の内面に付
着した付着物をＣｌＦ_３ガスにより個別に除去できるマ
ルチチャンバー処理装置のクリーニング方法を提供する
ことができる。

【００５０】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、少なくとも一つの成膜室内で被処理体に成膜処理
を施し、成膜後の被処理体を搬送室及び予備室を介して
装置外部へ搬送した後、少なくとも一つの成膜室、搬送
室及び予備室からなる各チャンバーをそれぞれ他のチャ
ンバーから個別に遮断した後、これらの各チャンバーに
対してＣｌＦ_３ガスを個別に供給し、このＣｌＦ_３ガス
により各チャンバーの内部に付着した付着物をそれぞれ
個別にクリーニングするようにしたため、プラズマレス
で少なくとも一つの成膜室の内部のみならず、搬送室な
どの他のチャンバーの内部も個別にそれぞれの構成部材
を損ねるこなく完全にクリーニングすることができ、半
導体集積回路素子の製造時に問題となる、各チャンバー
内部の被膜やこの被膜に起因したパーティクルなどの汚
染源を個別に除去できるマルチチャンバー処理装置のク
リーニング方法を提供することができる。

【００５１】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項４に記載の発明において、各チャンバー
に設けられたそれぞれの排気系配管を介してＣｌＦ _３ガ
スを上記各チャンバーから個別に排気するようにしたた
め、少なくとも一つに成膜室、その他のチャンバーに設
けられた排気系配管の内面に付着した付着物をＣｌＦ_３
ガスにより個別に除去できるマルチチャンバー処理装置
のクリーニング方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマルチチャンバー処理装置の一実施例
の全体を示す平面図である。

【図２】本発明のクリーニング方法の一実施例における
クリーニングガスの流れを概念的に説明する説明図であ
る。

【図３】図１に示すマルチチャンバー処理装置の処理室
及びクリーニングガスの供給系を示す構成図である。

【図４】図１に示すマルチチャンバー処理装置の真空予
備室を示す図で、同図（ａ）はその断面図、同図（ｂ）
は真空予備室の半導体ウエハを支持する支持具を取り出
して示す斜視図である。

【図５】図１に示す第２搬送装置の要部を示す図で、同
図（ａ）はその平面図、同図（ｂ）はその側面図であ
る。

【符号の説明】

１、２、３処理室（チャンバー）４第１搬送室（チャンバー）４Ａクリーニングガスのガス供給口（ガス供給部）４Ｂクリーニングガスのガス排気口（ガス排気部）８半導体ウエハ（被処理体）９搬送装置１２、１３真空予備室（チャンバー）１６第２搬送室（チャンバー）２３第２搬送装置２５Ａクリーニングガスのガス供給口（ガス供給部）２５Ｂクリーニングガスのガス排気口（ガス排気部）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を処理する複数の処理室と、こ
れら各処理室へ被処理体を搬送する搬送室と、この搬送
室に接続された予備室とを備えたマルチチャンバー処理
装置において、上記各処理室、搬送室及び予備室にガス
供給部及びガス排気部をそれぞれ設け、これらの各ガス
供給部にクリーニングガス供給系を接続し、このクリー
ニングガス供給系から上記各ガス供給部を介して所定回
数処理後の上記各室内にＣｌＦ_３ガスを個別に供給し、
このＣｌＦ_３ガスにより各室の内部に所定回数の処理に
より付着した付着物をそれぞれ個別にクリーニングする
ことを特徴とするマルチチャンバー処理装置。
【請求項２】被処理体を処理する複数の処理室と、こ
れら各処理室へ被処理体を搬送する搬送室と、この搬送
室に接続された予備室とを備えたマルチチャンバー処理
装置の内部をクリーニングする方法において、上記各処
理室、搬送室及び予備室をそれぞれ他から個別に遮断し
た後、所定回数処理後の各室に対してＣｌＦ_３ガスを個
別に供給し、このＣｌＦ_３ガスにより各室の内部に所定
回数の処理により付着した付着物をそれぞれ個別にクリ
ーニングすることを特徴とするマルチチャンバー処理装
置のクリーニング方法。
【請求項３】上記各室に設けられたそれぞれの排気系
配管を介してＣｌＦ_３ガスを上記各室から個別に排気す
ることを特徴とする請求項２に記載のマルチチャンバー
処理装置のクリーニング方法。
【請求項４】被処理体に成膜処理を施す少なくとも一
つの成膜室と、この成膜室へ被処理体を搬送する搬送装
置を設けた搬送室と、この搬送室に接続された予備室と
を備えたマルチチャンバー処理装置の内部をクリーニン
グする方法において、少なくとも一つの上記成膜室内で
上記被処理体に所定回数の成膜処理を施し、成膜後の上
記被処理体を上記搬送室及び上記予備室を介して外部へ
搬送した後、少なくとも一つの上記成膜室、搬送室及び
予備室をそれぞれ他から個別に遮断した後、これらの各
室に対してＣｌＦ_３ガスを個別に供給し、このＣｌＦ_３
ガスにより各室の内部に所定回数の処理により付着した
付着物をそれぞれ個別にクリーニングすることを特徴と
するマルチチャンバー処理装置のクリーニング方法。
【請求項５】上記各室に設けられたそれぞれの排気系
配管を介してＣｌＦ _３ガスを上記各室から個別に排気す
ることを特徴とする請求項４に記載のマルチチャンバー
処理装置のクリーニング方法。