JPH0786188A

JPH0786188A - 搬送室及びそのクリーニング方法

Info

Publication number: JPH0786188A
Application number: JP25468293A
Authority: JP
Inventors: Hideki Ri; 秀樹李
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-09-17
Filing date: 1993-09-17
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【目的】搬送室を解体することなく、そのままの状態
で内部を構成部材を損ねるこなく完全にクリーニングす
ることができる搬送室を提供する。【構成】本搬送室は、半導体ウエハ８を搬送する第
１、第２搬送装置９、２３を収納する第１、第２搬送室
４、１６において、これらの搬送室４、１６にガス供給
口４Ａ、２５Ａ及びガス排気口４Ｂ、２５Ｂを設け、各
ガス供給口４Ａ、２５Ａにクリーニングガス供給系３５
を接続し、このクリーニングガス供給系３５から第１、
第２搬送室４、１６内にＣｌＦ₃ガスを供給し、このＣ
ｌＦ₃ガスにより第１、第２搬送室４、１６の内部に付
着した付着物をクリーニングするように構成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、搬送室及びそのクリー
ニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近半導体集積回路素子は益々高集積化
されて来ており、その集積度が６４ＭＤＲＡＭから２５
６ＭＤＲＡＭの世代に入りつつある。そのため配線構造
の多層化及び微細化が一層顕著になって来ている。この
ように配線構造が多層化するに従って配線工程のステッ
プが増加し、配線工程の効率化及び防塵対策が従来以上
に問題になって来ている。また、配線構造の微細化が進
むに従って、従来のアルミニウム（Ａｌ）配線ではマイ
グレーション断線などが問題となり、Ａｌに代わる材料
としてタングステン（Ｗ）などのマイグレーション耐性
に優れた金属が配線材料として種々検討されている。ま
た、配線構造の多層化が進むに従ってコンタクトホー
ル、ビアホールなどの埋め込みについても材料面など種
々検討されている。更に、被処理体の大口径化及び多層
化に伴って各層でのカバレッジ性も重要になって来る。

【０００３】例えばタングステンを配線膜として成膜す
る場合には、カバレッジ性に優れたＣＶＤ法によるブラ
ンケットＷ配線が検討されている。このブランケットＷ
による配線膜は剥がれ易い欠点があり、それ故パーティ
クルを発生し易い難点があるため、その防止策として窒
化チタン（ＴｉＮ）などの密着層を下地層として設ける
方法が採られている。このＴｉＮは従来はスパッタ法に
より成膜していたが、スパッタ法ではアスペクト比の高
いホール底部でのカバレッジ性に限界があるため、Ｔｉ
Ｎについてもカバレッジ性に優れたＣＶＤ法による成膜
が検討されている。

【０００４】また、コンタクトホール、ビアホールの埋
め込みにはブランケットＷあるいは、表面の金属被膜な
どの化学的性質を利用してタングステンを選択的に埋め
込む選択Ｗが検討されている。ブランケットＷによる埋
め込みは、ＴｉＮからなる密着層の形成、ブランケット
Ｗ、及びエッチバックをなど多くの工程が必要で、コス
ト的に高くなるため、電流密度の高い特定の半導体集積
回路素子の配線に対して適用する傾向にある。一方、選
択Ｗによる埋め込みは、ホール部を選択的に埋め込むこ
とができるため、密着層を必要とせず、多層配線が簡単
でコスト的に有利である。そのため、埋め込みを選択Ｗ
で行ない、配線をスパッタＡｌによる方法が検討されて
いる。

【０００５】また、配線構造の微細化に伴って水平方向
での配線層の間隔が狭くなり、このギャップを埋め込む
ための工程も各配線層について必要になり、配線構造の
微細化に伴って配線工程には益々多くの工程が必要にな
って来ている。

【０００６】いずれにしてもこのように半導体集積回路
素子が多層化、微細化するに連れて配線工程が複雑にな
り、より多くの工程が必要になって来ている。そして、
これらの工程ではカバレッジ性に優れたＣＶＤ法による
メタル成膜及び埋め込み、あるいは必要に応じてスパッ
タ法によるメタル成膜などを適宜組み合わせた処理装置
を開発する必要に迫られている。しかも、配線工程では
複数のメタル成膜、埋め込み工程を伴う関係上、配線工
程全体の高スループット化、及び各工程間でのパーティ
クルなどからの汚染を極力抑制する必要があり、これら
の課題を一つ一つ解決しながら今後の２５６ＭＤＲＡＭ
でも６４ＭＤＲＡＭ以下のものと同様の品質を保証する
と共に生産性の向上の図る必要がある。

【０００７】さて、このように配線構造が多層化、微細
化して来ると配線構造がクォータミクロンレベルに達
し、パーティクル等からの汚染防止が極めて重要で難し
くなって来る。被処理体のパーティクル等による汚染に
は、クリーンルームでの汚染と、クリーンルーム内に設
置された搬送室及び処理室での汚染が考えられる。前者
の汚染はクリーンルームの無人化の促進などにより激減
し、今後の６４ＭＤＲＡＭ以上の高集積化に対応するク
リーン度が達成できるようになって来ている。従って、
これからは前者のクリーンルームでの汚染よりも寧ろ後
者の搬送室及び処理室での汚染が重要課題になってい
る。つまり、６４ＭＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭレベ
ルの半導体集積回路素子の製造では、それ以下のレベル
のものと比較して搬送室及び処理室でのクリーン度が相
対的に益々低下し、金属系等のパーティクルの９０％は
処理装置内部で発生するとの報告がある。

【０００８】例えば配線処理を行なう処理室ではそれぞ
れの成膜処理に伴って被処理体のみならず、処理室内部
で被処理体を支持するサセプタや電極なども同時に成膜
され、更に処理室内周面にも成膜が行なわれ、これらが
いずれは剥離してパーティクルとして浮遊したり、処理
室の底面に堆積することになる。また、搬送室では搬送
装置の駆動部からパーティクルが発生すると共に搬送時
の被処理体のスリップなどによりパーティクルが発生し
て浮遊し、底部に堆積することになる。あるいは成膜時
のプロセスガスが十分に反応せず、反応途上の生成物が
被処理体に付着し、生成物が搬送過程で搬送室や他の処
理室へ搬入され、クロスコンタミネーションを起こす。
これらの生成物は徐々に搬送室の底部などに堆積するこ
とになる。そして、搬送室内の搬送装置の駆動時に発生
する気流などによりパーティクルが浮遊し、これらのパ
ーティクルが被処理体表面を汚染して歩留りを低下させ
ることになる。況して、配線構造の多層化により搬送工
程が益々多くなり、搬送室内で浮遊するパーティクルが
被処理体の処理に甚大な影響を与え兼ねない。そのた
め、従来から搬送室については極力発塵性のない材料に
より搬送室内の搬送装置の駆動部等を構成することによ
り、パーティクルの発生を防止している。

【０００９】一方、配線工程をより効率良く行なう処理
装置として複数の処理を一貫して連続処理するマルチチ
ャンバー処理装置が注目されている。このマルチチャン
バー処理装置は、複数の成膜処理装置、埋め込み処理装
置を組み合わせてモジュール化した装置で、所定の真空
下で成膜等の処理を行なう複数の処理室と、これらの処
理室へ被処理体を搬送する搬送装置を有する搬送室と、
この搬送室との間で真空予備室を介して被処理体を搬
入、搬出するカセット室とを備え、各処理室で１枚ずつ
連続的に成膜処理、埋め込み処理などを行なうように構
成された、いわゆる枚葉処理装置である。このマルチチ
ャンバー処理装置では、各処理室でＣＶＤあるいはスパ
ッタなどにより成膜処理を行なった後、これらの処理室
と同様の真空度に保たれた搬送室内の搬送装置を介して
連続的に次の処理室へ搬送し、連続的に成膜処理を行な
うことができ、複数の処理を効率良く行なうことができ
るため、スループットを高めることができる。また、各
処理工程を結ぶ搬送室が真空に保たれているため、被処
理体をクリーンな環境下で搬送することができ、被処理
体を各処理工程での処理状態をそのまま維持することが
でき、各処理の再現性を高めることができる。更にま
た、このマルチチャンバー処理装置は、多層配線の処理
内容に応じて処理室を適宜組み合わせることができ、処
理設計に高い自由度を有している。

【００１０】このようなマルチチャンバー処理装置であ
っても、この搬送室及び処理室からの発塵は本質的に避
け難いものがあり、従来から搬送室及び処理室で発生す
るパーティクルに起因する汚染に対しては、所定回数の
成膜処理などが終了する度に処理室内をクリーニングし
てパーティクル等の汚染物を除去することによって被処
理体の汚染をなくすようにして来た。そのクリーニング
方法としては、装置自体を解体し、汚染物を洗浄したり
拭き取ったりする方法がある。しかし、この方法は、搬
送室及び処理室をそれぞれ解体するためクリーニングに
多大な時間を要し、稼動効率が著しく低下するため、得
策ではない。そこで、装置を解体することなく、処理室
内でＮＦ₃ガスなどのクリーニングガスをプラズマ化し
てサセプタ、電極などに形成された被膜あるいは付着し
たパーティクルなどをエッチングにより除去する方法も
ある。この方法は、装置自体を解体せずにクリーニング
できるため、クリーニング時間を短縮することができ、
しかも稼動時の状態のまま簡便に行なうことができるた
め、クリーニング方法としては有効な方法である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＮＦ₃
ガスなどのプラズマを利用して処理装置内をクリーニン
グする従来の方法では、プラズマがサセプタ、電極及び
その近傍までしか発生しないため、プラズマ化した活性
ガスによってクリーニングできる範囲はサセプタ、電極
及びこれらの近傍に限られ、プラズマの及ばない、処理
室の底部などはクリーニングできないことは勿論のこ
と、搬送室に至っては全くクリーニングすることができ
ず、搬送室をそのまま放置すれば、いずれは上述のよう
に搬送室内にパーティクル等が堆積するため、搬送室を
解体してその内部をクリーニングせざるを得ないという
課題があった。

【００１２】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、搬送室を解体することなく、そのままの状
態で内部を構成部材を損ねるこなく完全にクリーニング
することができ、６４ＭＤＲＡＭ以上の半導体集積回路
素子の製造時に問題となるパーティクルなどの汚染源を
除去できる搬送室及び搬送室のクリーニング方法を提供
することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の搬送室は、被搬送体を搬送する搬送装置が設られた搬
送室において、上記搬送室の内部をクリーニングするＣ
ｌＦ₃ガスを供給するクリーニングガス供給手段を上記
搬送室に設けたものである。

【００１４】また、本発明の請求項２に記載の搬送室
は、少なくとも一つの真空処理可能な処理室に連通可能
に接続され、この処理室との間で被搬送体を搬送する搬
送装置が設けられた搬送室において、上記搬送室の内部
をクリーニングするＣｌＦ₃ガスを供給するクリーニン
グガス供給手段を上記搬送室に設けたものである。

【００１５】また、本発明の請求項３に記載の搬送室
は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上
記搬送室に真空排気可能な排気手段を設けたものであ
る。

【００１６】また、本発明の請求項４に記載の搬送室
は、少なくとも一つの成膜処理可能な成膜室に連通可能
に接続され、この成膜室との間で成膜処理前後の被搬送
体を搬送する搬送装置が設けられた搬送室において、上
記搬送室の内部をクリーニングするＣｌＦ₃ガスを供給
するクリーニングガス供給手段及びこのクリーニングガ
ス供給手段からのガスを排気する排気手段を上記搬送室
にそれぞれ設けたものである。

【００１７】また、本発明の請求項５に記載の搬送室
は、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の発明に
おいて、上記ＣｌＦ₃ガスを不活性ガスにより希釈した
ものである。

【００１８】また、本発明の請求項６に記載の搬送室の
クリーニング方法は、少なくとも一つの真空処理可能な
処理室に連通可能に接続され、この処理室との間で被搬
送体を搬送する搬送装置が設けられた搬送室の内部をク
リーニングする方法において、少なくとも一つの処理室
内で上記被搬送体に真空処理を施し、処理後の上記被搬
送体を上記搬送装置を介して上記処理室から外部へ搬送
した後、上記搬送室内にＣｌＦ₃ガスを供給し、このＣ
ｌＦ₃ガスにより搬送室の内部に付着した付着物をクリ
ーニングするようにしたものである。

【００１９】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、Ｃｌ
Ｆ₃ガスをクリーニングガス供給手段によって搬送室に
供給すると、このＣｌＦ₃ガスが搬送室の内部、即ち搬
送室の内面及び搬送装置などの付着物と反応し、この時
の反応熱で更にＣｌＦ₃ガスが活性化され、この活性化
したＣｌＦ₃ガスと付着物との反応が促進されて搬送室
の内部に付着した付着物を除去することができる。

【００２０】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、少なくとも一つの処理室から成膜後の被搬送体を
搬送室内の搬送装置を介して外部へ搬出した後、ＣｌＦ
₃ガスをクリーニングガス供給手段によって搬送室に供
給すると、このＣｌＦ₃ガスは搬送室及びこの搬送室に
接続された少なくとも一つの処理室内に行き渡り、この
ＣｌＦ₃ガスが搬送室及び処理室の内部の付着物と反応
し、この時の反応熱で更にＣｌＦ₃ガスが活性化され、
この活性化したＣｌＦ₃ガスと付着物との反応が促進さ
れて搬送室及び処理室の内部に付着した付着物を除去す
ることができる。

【００２１】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記搬送室に真空排気可能な排気手段を設けたため、搬
送室内を真空引きしながら排気手段をもＣｌＦ₃ガスに
よりクリーニングすることができる。

【００２２】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、少なくとも一つの成膜室から成膜後の被搬送体を
搬送室内の搬送装置を介して外部へ搬出した後、ＣｌＦ
₃ガスをクリーニングガス供給手段によって搬送室に供
給すると、このＣｌＦ₃ガスは搬送室及びこの搬送室に
接続された少なくとも一つの成膜室内に行き渡り、この
ＣｌＦ₃ガスが搬送室及び成膜室の内部の付着物と反応
し、この時の反応熱で更にＣｌＦ₃ガスが活性化され、
この活性化したＣｌＦ₃ガスと付着物との反応が促進さ
れて搬送室及び成膜室の内部に付着した付着物を除去す
ることができる。

【００２３】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の発明
において、上記ＣｌＦ₃ガスを不活性ガスにより希釈し
たため、上記搬送室などの内部をクリーニングする際
に、不活性ガスによりＣｌＦ₃ガスによる搬送装置など
の損傷を軽減することができる。

【００２４】また、本発明の請求項６に記載の発明によ
れば、少なくとも一つの処理室から真空処理後の被搬送
体を搬送室内の搬送装置を介して外部へ搬出した後、Ｃ
ｌＦ₃ガスをクリーニングガス供給手段によって搬送室
に供給すると、このＣｌＦ₃ガスは搬送室及びこの搬送
室に接続された少なくとも一つの処理室内に行き渡り、
このＣｌＦ₃ガスが搬送室及び処理室の内部の付着物と
反応し、この時の反応熱で更にＣｌＦ₃ガスが活性化さ
れ、この活性化したＣｌＦ₃ガスと付着物との反応が促
進されて搬送室及び処理室の内部に付着した付着物を除
去することができる。

【００２５】

【実施例】以下、図１〜図５に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本実施例では図１に示すように、搬送
室がマルチチャンバー処理装置の一部を構成する場合に
ついて説明する。即ち、本実施例の搬送室が組み込まれ
たマルチチャンバー処理装置は後述するように所定の真
空下で熱ＣＶＤなどによりタングステンなどのメタル成
膜処理などを行なう３つの処理室１、２、３を備えてい
る。これらの処理室１、２、３は、図１に示すように、
略矩形状に形成された本発明の実施例である第１搬送室
４の３箇所の側面にゲートバルブ５、６、７を介して接
続され、これらのゲートバルブ５、６、７を開放するこ
とにより第１搬送室４と連通し、これらを閉じることに
より第１搬送室４から遮断できるように構成されてい
る。また、この第１搬送室４は、後述の第２搬送室と同
様に真空排気可能な気密室として構成されている。ま
た、この第１搬送室４内には各処理室１、２、３へ被搬
送体、例えば半導体ウエハ８を搬送する搬送装置９を備
えている。この搬送装置９は、第１搬送室４の略中央に
配設されており、屈伸可能に構成されたアーム９Ａを有
し、このアーム９Ａに半導体ウエハ８を載せて半導体ウ
エハ８を搬送するように構成されている。更に、この第
１搬送室４の底面には図１に示すようにガス供給部とし
てガス供給口４Ａが形成され、このガス供給口４Ａはク
リーニングガスを供給する後述のクリーニングガス供給
系３５へ接続されている。また、このガス供給口４Ａか
ら供給されたクリーニングガスは第１搬送室４の底面に
ガス排気手段として形成されたガス排気口４Ｂから排気
するように構成されている。また、この第１搬送室４の
残りの一側面にはゲートバルブ１０、１１を介して２つ
の後述する真空予備室１２、１３がそれぞれ連通可能に
並設され、これらの真空予備室１２、１３はゲートバル
ブ１０、１１を開放することにより第１搬送室４に連通
し、これらのゲートバルブ１０、１１を閉じることによ
り第１搬送室４から遮断できるように構成されている。
従って、所定の真空雰囲気下で第１搬送装置９により半
導体ウエハ８を例えば真空予備室１２から所定の処理室
へ移載し、この処理室内で所定の成膜処理などを行なっ
た後、その処理室から第１搬送装置９を介して順次他の
処理室へ移載してそれぞれの処理室で所定の処理を終了
した後、再び他の真空予備室１３へ移載するように構成
されている。

【００２６】これらの各真空予備室１２、１３は、ゲー
トバルブ１０、１１に対向する側で、ゲートバルブ１
４、１５を介して本発明の他の実施例である第２搬送室
１６に連通可能に接続され、これらのゲートバルブ１
４、１５を開放することにより第２搬送室１６と連通
し、これらを閉じることにより第２搬送室１６から遮断
できるように構成されている。また、この第２搬送室１
６の左右両側面にはゲートバルブ１７、１８を介してカ
セット１９を収納するカセット室２０、２１が連通可能
に接続され、これらのカセット室２０、２１は、ゲート
バルブ１４、１５を開放することにより第２搬送室１６
と連通し、これらを閉じることにより第２搬送室１６か
ら遮断できるように構成されている。また、第２搬送室
１６内には左右のカセット室２０、２１間の中央に位置
させた第２搬送装置２３が配設され、この第２搬送装置
２３により真空予備室１２、１３とカセット室２０、２
１間で半導体ウエハ８を移載するように構成されてい
る。更に、この第２搬送装置２３と真空予備室１２、１
３の間には半導体ウエハ８のオリエンテーションフラッ
トにより半導体ウエハ８の位置決めをする位置決め装置
２４が配設され、この位置決め装置２４により一旦位置
決めした後、第２搬送装置２３により真空予備室１２へ
半導体ウエハ８を移載するように構成されている。

【００２７】また、第２搬送室１６は室内に窒素ガス等
の不活性ガスを供給し、そのガス圧を大気圧に調整して
保持する気圧調整装置（図示せず）とを備え、この気圧
調整装置によって大気圧に調整された窒素ガス中で、第
２搬送装置２３を用いてカセット室２０、２１内のカセ
ット１９と真空予備室１２、１３の間での半導体ウエハ
８を搬送するように構成されている。また、この第２搬
送室１６はクリーニング時に所定の真空度を保持できる
ように構成されている。

【００２８】また、この第２搬送室１６の底面にはガス
供給部としてガス供給口２５Ａが形成され、このガス供
給口２５Ａは例えば配管３３を介してクリーニングガス
を供給するクリーニングガス供給手段として設けられた
クリーニングガス供給系３５へ接続されている。そし
て、このガス供給口４Ａから供給されたクリーニングガ
スは第２搬送室１６の底面にガス排気手段として形成さ
れたガス排気口２５Ｂから排気するように構成されてい
る。このガス排気口２５Ｂは例えば真空予備室１２、１
３の排気系にバルブ（図示せず）を介して接続され、こ
の排気系を利用してクリーニング時の真空排気するよう
に構成され、その他の時はバルブを閉じて真空予備室１
２、１３のみを真空排気するように構成されている。そ
して、上記各処理室１、２、３、第１搬送室４、真空予
備室１２、１３などの各チャンバーに排気系を備え、そ
れぞれのチャンバーから排気できるように構成されてい
る。尚、２６、２７はカセット室２０、２１の正面に取
り付けられたゲートバルブである。

【００２９】次に、本発明のクリーニング方法の一実施
例について説明する。このクリーニング方法では、マル
チチャンバー処理装置の第１、第２搬送室４、１６を含
む全チャンバーのゲートバルブを閉じて各チャンバーを
互いに遮断した後、例えば後述する１箇所のクリーニン
グガス供給系から第１、第２搬送室４、１６は勿論のこ
と、その他のチャンバーに対しても希釈用ガスを含むこ
とがあるＣｌＦ₃ガスをクリーニングガスとして個別に
供給し、各チャンバーから個別に外部へ排気し、この間
にクリーニングガスにより各チャンバーの内部に付着し
た金属系の付着物をそれぞれ個別にクリーニングする
が、本実施例のクリーニング方法によるクリーニングガ
スの流れを概念的に示したものが図２で、同図において
第１、第２搬送室４、１６へのクリーニングガスの流れ
は実線で示し、その他のチャンバーへのクリーニングガ
スの流れは一点鎖線で示した。この場合、一つのクリー
ニングガス供給系３５の配管３３は、マルチチャンバー
処理装置の全チャンバーに対応して分岐し、分岐した配
管３３がそれぞれ全チャンバーに対して個別に接続さ
れ、クリーニングガス供給系３５から全チャンバーに対
して個別にクリーニングガスを供給するように構成され
ている。そして、各チャンバーにはそれぞれガス排気口
がそれぞれ形成され、それぞれのガス排気口からクリー
ニングガスを外部へ排気するように構成されている。こ
のクリーニングガスは予め定められた濃度で各チャンバ
ー内に分布した時点で所定時間排気を停止して良く、ま
た、排気停止後予め定められた時間を経過した後クリー
ニングガスの供給を停止するようにしても良い。また排
気とクリーニングガスの供給をパルス的に繰り返して実
施しても良い。クリーニングガスはＣｌＦ₃ガスあるい
は窒素ガスなどの希釈用ガスを含むガスとして構成され
ている。このＣｌＦ₃は化学的に活性で、特にタングス
テン系の被膜と良く反応し、タングステン系の付着物を
効果的に除去することができる。しかし、このＣｌＦ₃
はタングステンに限らず、他の金属例えばチタン系、モ
リブデン系などの金属化合物とも良く反応し、これらの
金属化合物を効果的に除去することができる。このクリ
ーニングに際し、クリーニング雰囲気を加熱しても良
く、更にクリーニングガスは全チャンバーから供給する
ようにしても良い。

【００３０】このクリーニングガスがＣｌＦ₃ガスのみ
である場合には、ＣｌＦ₃ガスの流量が５リットル／分
以下で、その温度がＣｌＦ₃の沸点〜７００℃、内部の
圧力が０.１〜１００Torrの条件でクリーニングするこ
とが好ましい。ＣｌＦ₃ガスの流量が５リットル／分を
超えると、各チャンバーの構成材料を損ねる虞がある。
ＣｌＦ₃ガスの温度が沸点未満ではＣｌＦ₃が構成部材に
結露してその材料を損ねる虞があり、７００℃を超えて
もＣｌＦ₃ガスの活性化されてやはり材料を損ねる虞が
ある。ＣｌＦ₃ガスの圧力が０.１Torr未満ではクリーニ
ング効果が期待できなくなる虞があり、１００Torrを超
えると構成材料を損ねる虞がある。また、ＣｌＦ₃ガス
を主成分とするクリーニングガスは、不活性ガス例えば
窒素ガスでＣｌＦ₃を希釈したものである。そして、こ
のように窒素ガスなどによりＣｌＦ₃ガスを希釈するこ
とによりＣｌＦ₃ガスの反応性を抑制してクリーニング
対象物を穏やかにクリーニングしてその損傷を緩和する
ことができる。

【００３１】次に、クリーニングガスを供給するガス供
給系及び処理室１、２、３について図３を参照しながら
説明する。ここでは例えば処理室１がスパッタリング装
置として構成され、処理室２が熱ＣＶＤ装置として構成
され、処理室３がエッチング装置として構成されてい
る。そこで、これらの処理室を代表して処理室２につい
て説明する。この処理室２は、図３に示すように、所定
の真空度を保持できるアルミニウムなどから円筒状とし
て形成されている。この処理室２内の底面２Ａの略中央
には半導体ウエハ８を載置するサセプタ２８が配設され
ている。また、このサセプタ２８の上方にはこれと対向
するようにガス分散供給部２９が配設され、このガス分
散供給部２９からプロセスガスまたはクリーニングガス
を処理室２内へ供給するように構成されている。また、
この処理室２の底面にはサセプタ２８に対向させた石英
窓３０が形成され、この石英窓３０のやや下方に配設さ
れた加熱用のハロゲンランプ３１から石英窓３０を介し
てサセプタ２８上の半導体ウエハ８を光エネルギーによ
り加熱するように構成されている。

【００３２】また、ガス分散供給部２９には図３に示す
ようにプロセスガスを供給するプロセスガス供給系３２
が配管３３を介して接続され、この配管３３に取り付け
られたバルブ３４を開放することにより所定のプロセス
ガスをガス分散供給部２９を介して処理室２内に供給す
るように構成されている。そして、この処理室２内で例
えばブランケットＷ処理を行なう場合にはプロセスガス
供給系３２からガス分散供給部２９へ例えば六フッ化タ
ングステン（ＷＦ₆）及び水素をプロセスガスとして供
給し、ガス分散供給部２９の下面に多数分散させて形成
され分散孔２９Ａから処理室２内全体へプロセスガスを
均等に供給するように構成されている。尚、金属配線用
のプロセスガスとしては、ハロゲン化物、カルボニル化
合物、有機金属化合物があり、これらは還元性ガスと共
に供給される。そして、プロセスガスは比較的蒸気圧の
低い化合物が配線材料としては好ましい。

【００３３】また、配管３３には図３に示すようにクリ
ーニングガスを供給するクリーニングガス供給系３５が
配管３６を介して接続され、クリーニング時にはこのク
リーニングガス供給系３５から配管３６、配管３３、ガ
ス分散供給部２９を介して処理室２内へクリーニングガ
スを供給するように構成されている。また、この配管３
３は、同図に示すように、処理室２の上流側で他の処理
室１、３、第１搬送室４、真空予備室１２、１３及び第
２搬送室１６へクリーニングガスを供給できるように分
岐し、分岐した配管３３の下流端がこれらのチャンバー
のガス供給口にそれぞれ接続され、全チャンバーへ個別
にクリーニングガスを供給できるように構成されてい
る。このクリーニングガス供給系３５は、クリーニング
ガスであるＣｌＦ₃ガスを貯留するＣｌＦ₃ガスボンベ３
７と、このＣｌＦ₃ガスを希釈する窒素ガスを貯留する
窒素ガスボンベ３８を備え、これら両者３７、３８はそ
れぞれ配管３６から分岐する配管３６Ａ、３６Ｂの端部
にそれぞれ接続されている。ＣｌＦ₃ガスボンベ３７が
接続された配管３６Ａには上流側から下流側へバルブ３
９、マスフローコントローラ４０、バルブ４１が順次配
設され、また、窒素ガスボンベ３７が接続された配管３
６Ｂには上流側から下流側へバルブ４２、マスフローコ
ントローラ４３、バルブ４４が順次配設され、これら両
者３７、３８からのガスが配管３６で合流し、バルブ４
５開放することにより配管３３を介して各処理室１、
２、３、第１搬送室４、真空予備室１２、１３及び第２
搬送室１６内へクリーニングガスを供給できるように構
成されている。

【００３４】処理室２の底面２Ａにはサセプタ２８の近
傍に位置する排気口４６が形成されている。そして、こ
の排気口４６には排気管４８を介して真空排気ポンプ４
９が接続され、この真空排気ポンプ４９により処理室２
内を排気して所定の真空度を維持するように構成されて
いる。この真空ポンプ４９はクリーニングガスの排気用
として兼用することができる。この真空ポンプ４９とし
ては排気されるガスの影響を受けないようにオイルフリ
ーのドライポンプを用いることが好ましい。更に、この
真空排気ポンプ４９の下流側には、この真空ポンプ４９
から排気されたプロセスガス、クリーニングガスなどの
有害なガスを捕捉して排気ガスからこれらの有害ガスを
除去する除害装置５０が配設されている。この除害装置
５０にはＣｌＦ₃を良く溶解する溶剤、例えばアルカリ
溶液などを満たしたものが用いられる。

【００３５】また、処理室１、２、３に対して第１搬送
室４を介してその前方、即ち図１では紙面下方に接続さ
れている真空予備室１２、１３は図４（ａ）に示すよう
に構成されている。この真空予備室１２は、同図に示す
ように、処理室と同材料によって形成された予備室本体
５１と、この予備室本体５１内に配設された、半導体ウ
エハを冷却する冷却ステージ５２と、この冷却ステージ
５２に対向させて予備室本体５１天面の上方に配設され
た、半導体ウエハを予備加熱する加熱装置５３と、この
加熱装置５３と冷却ステージ５２間で半導体ウエハを支
持する上下２段の支持具５４、５５と、これらの支持具
５４、５５を一体化して連結し、予備室本体５１の底面
を貫通する連結軸５６と、この連結軸５６の下端に連結
され、支持具５４、５５を昇降させる昇降機構５７とを
備えて構成されている。また、予備室本体５１の底面に
は排気口５１Ａが形成され、この排気口５１Ａに排気配
管５８を介して真空ポンプ５９が接続され、この真空ポ
ンプ５９により予備室本体５１内を真空排気するように
構成されている。この真空ポンプ５９はクリーニングを
実施する際にも利用することができる。また、この排気
口５１Ａの近傍にガス供給口５１Ｂが形成され、このガ
ス供給口５１Ｂに供給配管６０を介してガス供給源（図
示せず）が接続され、真空状態の予備本体５１内に不活
性ガスなどを供給して内部を大気圧に戻すように構成さ
れている。また、この供給配管６０にはクリーニングガ
ス供給系３５の配管３３が接続され、この配管３３、供
給配管６０を介して真空予備室１２内へクリーニングガ
スを供給できるように構成されている。

【００３６】上記加熱装置５３は、ハロゲンランプなど
からなる加熱ランプ５３Ａと、この加熱ランプ５３Ａの
光を予備室本体５１側へ反射する反射板５３Ｂを有し、
この反射板５３Ｂで反射された加熱ランプ５３Ａからの
光エネルギーを予備室本体５１の天面に配設された石英
窓５３Ｃを介してその内部の半導体ウエハを照射して加
熱するように構成されている。即ち、半導体ウエハを処
理室へ搬入する前に予め予備加熱するが、この際には、
昇降機構５７によって支持具５４を上昇させて加熱装置
５３に接近させて処理前の半導体ウエハを予備加熱す
る。また、処理後の半導体ウエハを搬出する場合は外部
の温度に合わせて半導体ウエハを冷却するが、この際に
は、昇降機構５７によって支持具５５を下降させて冷却
ステージ５２に接触させて処理後の半導体ウエハを冷却
する。また、上記支持具５４、５５は、図４（ｂ）に示
すように、冷却ステージ５２の外径よりやや大径に形成
されたリング５４Ａ、５５Ａと、各リング５４Ａ、５５
Ａに周方向等間隔に３個取り付けられた保持爪５４Ｂ、
５５Ｂとからなり、これらの保持爪保持爪５４Ｂ、５５
Ｂで半導体ウエハを支持するように構成されている。ま
た、他の真空予備室１３も真空予備室１２と同様に予備
室本体６１、冷却ステージ６２、加熱装置６３、支持具
６４、６５、連結軸６６、昇降機構６７、排気配管６８
及び供給配管７０を備えている。そして、真空予備室１
２との場合と同様にこの供給配管７０にはクリーニング
ガス供給系３５の配管３３が接続され、この配管３３、
供給配管７０を介して真空予備室１３内へクリーニング
ガスを供給できるように構成されている。

【００３７】上記真空予備室１２、１３の前方に接続さ
れている第２搬送室１６内に配設された第２搬送装置２
３は、リンク機構によって屈伸自在に構成されたアーム
７１と、このアーム７１の先端に連結されたハンド７２
と、このハンド７２の上面に形成された孔７３で半導体
ウエハ８を真空吸着するように真空排気管７４を介して
排気する真空ポンプ（図示せず）とを備えて構成されて
いる。そして、この第１搬送装置２３は、大気圧以上に
圧力が保持された室内で半導体ウエハ８を移載する際に
は、そのアーム７１を伸ばしてカセット１９内の半導体
ウエハ８間へ挿入し、ハンド７２に半導体ウエハ８を載
せると共に真空ポンプにより真空排気管７４を介して排
気して半導体ウエハ８をハンド７２の孔７３を介して正
確に吸着固定して半導体ウエハ８を脱落させることなく
搬送し、搬送後には真空吸着を解除して所定の位置へ半
導体ウエハ８を正確に載置するように構成されている。

【００３８】また、第１搬送室４のガス排気口４Ｂ及び
第２搬送室１６内のガス排気口２５Ｂは図２に示すよう
に例えば真空予備室１２、１３の真空ポンプ５９に配管
７５を介して接続され、この真空ポンプ５９により配管
７５を介して各搬送室４、１６内のクリーニングガスを
排気するように構成されている。そして、図示しないが
この配管７５は上述した除害装置５０に接続され、この
除害装置５０によって排気ガス中の有害成分を除去した
後外部へ排気するように構成されている。

【００３９】次に、上記マルチチャンバー処理装置を用
いた配線用成膜処理の一例について説明する。例えば、
処理室１内ではスパッタリングによりＴｉＮを半導体ウ
エハのコンタクトホールの表面に密着層を形成し、処理
室２内では処理室１内で処理後の半導体ウエハのコンタ
クトホールにブランケットＷによりタングステンを埋め
込み、処理室３内では処理室２内でタングステン埋め込
み後の半導体ウエハの表面からタングステンをエッチバ
ックしてコンタクトホールにのみタングステンを残す処
理を行なう。これらの一連の配線処理同時に行ない、各
処理室での処理後は連続して次の工程へ半導体ウエハを
第１搬送装置９を介して搬送する。勿論、各処理室内は
いずれもそれぞれの処理に必要な真空度に保持されてい
る。

【００４０】例えば処理室２でのブランケットＷについ
て説明すると、プロセスガス供給系３２からガス分散供
給部２９へ六フッ化タングステン（ＷＦ₆）及び水素を
プロセスガスとして供給すると、ガス分散供給部２９下
面の分散孔２９Ａからプロセスガスが室内全体へ均等に
供給される。この時、ハロゲンランプ３１の光エネルギ
ーが石英窓３０を介してサセプタ２８に照射されてこれ
で支持された半導体ウエハ８が所定温度まで加熱されて
おり、加熱された半導体ウエハ８にプロセスガスが接触
すると、その熱エネルギーによりＷＦ₆が水素還元され
てタングステンの被膜が半導体ウエハ８の前表面に形成
される。この処理によってタングステンの被膜は半導体
ウエハ８の表面のみならずサセプタ２８などその他の部
分にも形成される。

【００４１】そして、ブランケットＷの成膜工程が終了
すれば、他の処理室１、３でもそれぞれの処理を終了
し、それぞれの処理室から次工程へ半導体ウエハ８を第
１搬送室４内の第１搬送装置９により搬送する。即ち、
各半導体ウエハ８の搬送時には、各処理室のゲートバル
ブ５、６、７を開くと共に真空予備室１２、１３のゲー
トバルブ１０、１１を順次開いてこれらの各チャンバー
を互いに連通させる。この状態で第１搬送装置９を駆動
されて処理室３内の半導体ウエハ８を真空予備室１３内
へ搬送し、その内部の支持具５５へ半導体ウエハ８を移
載する。そして、第１搬送装置９のアーム９Ａを真空予
備室１３から後退させ、引き続き処理室２内へアーム９
Ａを伸ばし、サセプタ２８上のブランケットＷ後の半導
体ウエハ８を取り出して処理室３へ移載する。更に、ア
ーム９Ａを処理室１内へ伸ばし、その内部からＴｉＮ成
膜後の半導体ウエハ８を取り出して処理室２内のサセプ
タ２８へその半導体ウエハ８を移載する。その後、アー
ム９Ａを真空予備室２内へ伸ばし、加熱装置５３による
予備加熱後の半導体ウエハ８を支持具５４から取り出
し、処理室１内へ半導体ウエハ８を移載する。これらの
一連の連続操作が順次終了すれば順次それそれのゲート
バルブを閉じて次の操作に備える。

【００４２】真空予備室１２ではゲートバルブ１０が閉
じると、その後ゲートバルブ１４を開いて次の半導体ウ
エハ８を第２搬送装置２３により位置決め後の半導体ウ
エハ８を支持具５５で受け取る。次いで昇降機構５７が
駆動して連結軸５６を介して支持具５５を予備室本体５
１の天面に接近させる。この時予備室本体５１内では真
空ポンプ５９が駆動して室内の圧力を第１搬送室４の真
空度と同レベルまで真空引きすると共に、加熱装置５３
により半導体ウエハ８を予備加熱し、次の処理に備え
る。一方、ゲートバルブ１１が閉じた真空予備室１３で
はガス供給配管７０から窒素ガスを予備室本体６１内に
供給し、室内の圧力を大気圧レベルに戻すと共に、昇降
機構６７が駆動して連結軸６６を介して支持具６４を冷
却ステージ６２に接触させて半導体ウエハ８を常温まで
冷却する。冷却後ゲートバルブ開放して窒素ガスにより
大気圧に調整された第２搬送室１６に連通し、第２搬送
装置２３により支持具６５上の半導体ウエハ８をカセッ
ト室２１内のカセット１９へ移載する。この際、第２搬
送装置２３はハンド７２の孔７３を介して半導体ウエハ
８を真空吸着するため、半導体ウエハ８を取りこぼすこ
となく移載できる。これによりマルチチャンバー処理装
置内での一連の処理が終了する。これらの一連の処理工
程をカセット１９に収納された半導体ウエハ８の全てに
ついて行ない、その後未処理の半導体ウエハ８と交換す
る。

【００４３】このような成膜処理により処理室１、２、
３内ではそれぞれの壁面、サセプタ２８及びその他の部
分にも多少の被膜が形成され、成膜処理を所定回繰り返
すと、その都度被膜が積層されていずれはこれらが剥離
してパーティクルとして室内を浮遊し清浄な半導体ウエ
ハ８を汚染するようになることは前述の通りである。ま
た、処理室１、２、３内では完全に反応しきれない反応
生成物や分解生成物が半導体ウエハ８に付着する。その
ためこれらの反応生成物や分解生成物が半導体ウエハ８
の搬送過程で半導体ウエハ８から飛散して処理室１、
２、３は勿論のこと、第１搬送室４、真空予備室１２、
１３及び第２搬送室１６などのチャンバーにも飛散して
それぞれのチャンバーの底部に徐々に蓄積される。そし
て、これらもパーティクルになって半導体ウエハ８を汚
染する虞がある。更には、第１、第２搬送室４、１６内
ではそれぞれの搬送装置９、２３の駆動部からパーティ
クルが発生し、これらが徐々にそれぞれの底面に蓄積
し、これらが半導体ウエハ８の搬送時に舞い上がり半導
体ウエハ８を汚染する虞がある。

【００４４】そこで、所定回数の成膜処理後、その処理
を一旦中断しこれらのパーティクル等の塵埃を本発明の
クリーニング方法により除去する。それにはまず、処理
室２のハロゲンランプ３１などの電源を切った後、半導
体ウエハ８が各処理室１、２、３にない状態にする。次
いで、マルチチャンバー処理装置の全チャンバーのゲー
トバルブを閉じて各チャンバーを互いに遮断した後、ク
リーニングガス供給系３５から各チャンバーに対して希
釈用ガスを含むことがあるＣｌＦ₃ガスをクリーニング
ガスとして図２で示すように各チャンバーへ個別に供給
することにより本実施例の第１、第２搬送室４、１６を
含む全チャンバーの本実施例のクリーニングを実施す
る。このクリーニングに際して各チャンバー内を窒素ガ
スなどで予め置換しておくことが好ましい。

【００４５】次いで、ＣｌＦ₃の沸点より高い常温下で
各処理室１、２、３の真空ポンプ４９等及び真空予備室
１２、１３の真空ポンプ５９を駆動し、各処理室１、
２、３、第１搬送室４、真空予備室１２、１３及び第２
搬送室１６から窒素ガスを排気して各チャンバー内の真
空度を所定値に維持する。そして、この排気状態下でク
リーニングガス供給系３５のバルブ３９、４１、４５を
所定の開度で開放すると共にマスフローコントローラ４
０により各チャンバーにおけるＣｌＦ₃ガスを所定の流
量、例えば５リットル／分以下の流量で配管３３を介し
て供給する。この配管３３に接続された処理室２のガス
分散供給部２９、その他の処理室１、３のガス供給口、
第１搬送室４のガス供給口４Ａ、各真空予備室１２、１
３のガス供給口５１Ｂ、６１Ｂ及び第２搬送室１６のガ
ス供給口２５Ａからそれぞれのチャンバー内へクリーニ
ングガスを個別に導入し、各チャンバーでのＣｌＦ₃ガ
スの圧力を０.１〜１００Torrに維持する。この時、消
費されたクリーニングガスは、処理室２の排気口４６、
その他の処理室の排気口（図示せず）、第１搬送室４の
ガス排気口４Ｂ、真空予備室１２、１３の排気口５１
Ａ、６１Ａ及び第２搬送室１６のガス排気口２５Ｂから
真空ポンプ４９、５９などを介して排気系により常時排
気して更新されているため、各チャンバー内のクリーニ
ングガスの圧力を０.１〜１００Torrに維持すると共に
更新された新鮮なクリーニングガスで効率良く各チャン
バーを個別にクリーニングすることができる。

【００４６】全チャンバーに供給されたＣｌＦ₃ガスは
化学的に活性なガスであるため、処理室１、２、３に形
成されたタングステン系の被膜やこれらの処理室１、
２、３及びその他の全てのチャンバーの底面などに処理
過程で付着した付着物と反応してこれらの被膜及び付着
物を各チャンバー内で個別に除去して各チャンバー内を
清浄にクリーニングすることができる。従って、第１搬
送室４及び第２搬送室１６内に金属系のパーティクルが
堆積しても、これらの室内でＣｌＦ₃ガスが隅々まで行
き渡り、搬送室内の底面及び周壁面は勿論のこと、各室
内に収納された第１搬送装置９及び第２搬送装置２３に
付着したパーティクル等もＣｌＦ₃ガスにより完全に除
去することができる。また、ＣｌＦ₃ガスの被膜等との
反応が発熱反応であるため、この発熱によりＣｌＦ₃ガ
スの反応は益々促進されてより被膜等の付着物を除去す
ることができる。特に、ＣｌＦ₃ガスはタングステンと
良く反応するため、本実施例で各チャンバー内に付着し
たタングステン系の付着物を良くクリーニングすること
ができる。

【００４７】しかも、本実施例ではクリーニングガスを
排気系配管を介して外部へ排出するようにしているた
め、それぞれの排気配管、特に各処理室１、２、３の排
気管４８のように反応生成物の被膜を形成し易い部分に
ついても、その被膜をクリーニングガスにより除去する
ことができる。また、排気系から排出される有毒ガスを
除害装置５０により除去できるため、クリーンな排気を
行なうことができる。

【００４８】以上説明したように本実施例によれば、従
来は解体によるクリーニングを行なわなくてはならなか
った第１搬送室４及び第２搬送室１６でも、これらの搬
送室４、１６内にクリーニングガスとしてＣｌＦ₃ガス
を供給することによりそれぞれの底面、周壁面及び第１
搬送装置９、第２搬送装置２３に付着した金属系の付着
物を隅々まで完全にクリーニングすることができ、この
ことから６４ＭＤＲＡＭ以上の多層配線からなる半導体
集積回路素子の製造の際に搬送工程が増加した場合で
も、各搬送室内を完全にクリーニングすることができ、
６４ＭＤＲＡＭ以上の集積度を有する半導体集積回路素
子の製造で問題になるパーティクルなどの汚染源を除去
できる。しかも、本実施例によれば、ＣｌＦ₃ガスが活
性なガスであるとはいえ、材料に対する腐食性がなく、
しかもプラズマレスであるため、プラズマによる装置内
部、特に第１搬送室４の第１搬送装置９及び第２搬送室
１６の第２搬送装置２３などを損傷などさせることなく
極めて穏やかなクリーニングを行なうことができる。ま
た、本実施例によれば、既存の搬送室にクリーニングシ
ステムとしてクリーニングガス供給系３５を設けるだけ
で良いため、第１、第２搬送室４、１６内を極めて低コ
ストで効果的なクリーニングを行なうことができる。ま
た、当然のことながら作業員が装置を解体してクリーニ
ングする方式と比較すれば、クリーニング時間を格段に
短縮できる。また、例えば第１搬送室４は処理室１、
２、３に直接接続してあるため、これらの処理室１、
２、３間で半導体ウエハ８を外気に曝すことなく搬送し
て各処理室１、２、３での成膜処理などを連続的に行な
うことができる。

【００４９】尚、上記実施例では第１、第２搬送室４、
１６をマルチチャンバー処理装置の一部として組み込ん
だものについて説明したが、本発明の搬送室はマルチチ
ャンバー処理装置の一部として組み込まれたものに制限
されるものではなく、被処理体を処理室へ搬送する搬送
装置を有する搬送室について広く適用することができ
る。また、上記実施例ではクリーニングガスとしてＣｌ
Ｆ₃ガスを用いたものについて説明したが、本発明で
は、このＣｌＦ₃ガスを除去すべき被膜等の付着物の成
分に応じて窒素ガスによって適宜希釈し、その活性を適
宜調整することもできる。また、本実施例ではクリーニ
ングガスを１箇所のクリーニングガス供給系３５から第
１、第２搬送室４、１６を含む全チャンバーへ個別にク
リーニングガスを供給するようにしたものについて説明
したが、クリーニングガス供給系は各搬送室４、１６に
対して個別に取り付けても良い。また、上記実施例では
第１、第２搬送室４、１６の底面にクリーニングガスの
ガス供給口及びガス排気口をそれぞれ設けたものについ
て説明したが、これらを設ける場所及び数は必要に応じ
て適宜設定することができる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、搬送室の内部をクリーニングする
ＣｌＦ₃ガスを供給するクリーニングガス供給手段を搬
送室に設けたため、搬送室を解体することなく、そのま
まの状態で内部を構成部材を損ねるこなく完全にクリー
ニングすることができ、半導体集積回路素子の製造時に
問題となるパーティクルなどの汚染源を除去できる搬送
室を提供することができる。

【００５１】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、搬送室を少なくとも一つの真空処理可能な処理室
に連通可能に接続し、更に、この搬送室にその内部をク
リーニングするＣｌＦ₃ガスを供給するクリーニングガ
ス供給手段を設けたため、搬送装置及び処理室を解体す
ることなく、そのままの状態で内部を構成部材を損ねる
こなく完全にクリーニングすることができ、半導体集積
回路素子の製造時に問題となるパーティクルなどの汚染
源を除去できる搬送室を提供することができる。

【００５２】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記搬送室に真空排気可能な排気手段を設けたため、排
気手段により搬送室内を真空引きすることができ、クリ
ーニング時にはＣｌＦ₃ガスにより排気手段をもクリー
ニングできる搬送室を提供することができる。

【００５３】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、搬送室を少なくとも一つの成膜処理可能な成膜室
に連通可能に接続し、更に、この搬送室にその内部をク
リーニングするＣｌＦ₃ガスを供給するクリーニングガ
ス供給手段及びこのクリーニングガス供給手段からのガ
スを排気する排気手段をそれぞれ設けたため、搬送装置
及び処理室を解体することなく、そのままの状態で内部
を構成部材を損ねるこなく完全にクリーニングすること
ができ、クリーニング後のガスを排気手段を介してこれ
をクリーニングしながら排気し、もって半導体集積回路
素子の製造時に問題となるパーティクルなどの汚染源を
除去できる搬送室を提供することができる。

【００５４】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の発明
において、上記ＣｌＦ₃ガスを不活性ガスにより希釈し
たため、上記搬送室などの内部をクリーニングする際
に、不活性ガスによりＣｌＦ₃ガスによる搬送装置など
の損傷を軽減できる搬送室を提供することができる。

【００５５】また、本発明の請求項６に記載の発明によ
れば、少なくとも一つの処理室内で被搬送体に真空処理
を施し、処理後の被搬送体を搬送室の搬送装置を介して
外部へ搬出した後、搬送室内にＣｌＦ₃ガスを供給し、
このＣｌＦ₃ガスにより搬送室の内部に付着した付着物
をクリーニングするようにしたため、搬送装置及び処理
室を解体することなく、そのままの状態で内部を構成部
材を損ねるこなく完全にクリーニングすることができ、
半導体集積回路素子の製造時に問題となるパーティクル
などの汚染源を除去できる搬送室のクリーニング方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の搬送室の一実施例を適用したマルチチ
ャンバー処理装置の一例の全体を示す平面図である。

【図２】本発明の搬送室のクリーニング方法の一実施例
におけるクリーニングガスの流れを概念的に説明する説
明図である。

【図３】図１に示すマルチチャンバー処理装置の処理室
及びクリーニングガスの供給系を示す構成図である。

【図４】図１に示すマルチチャンバー処理装置の真空予
備室を示す図で、同図（ａ）はその断面図、同図（ｂ）
は真空予備室の半導体ウエハを支持する支持具を取り出
して示す斜視図である。

【図５】図１に示す第２搬送装置の要部を示す図で、同
図（ａ）はその平面図、同図（ｂ）はその側面図であ
る。

【符号の説明】

１、２、３処理室（チャンバー）４第１搬送室（チャンバー）４Ａクリーニングガスのガス供給口４Ｂクリーニングガスのガス排気口８半導体ウエハ（被搬送体）１２、１３真空予備室（チャンバー）１６第２搬送室（チャンバー）２５Ａクリーニングガスのガス供給口２５Ｂクリーニングガスのガス排気口３５クリーニングガス供給系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被搬送体を搬送する搬送装置が設られた
搬送室において、上記搬送室の内部をクリーニングする
ＣｌＦ₃ガスを供給するクリーニングガス供給手段を上
記搬送室に設けたことを特徴とする搬送室。
【請求項２】少なくとも一つの真空処理可能な処理室
に連通可能に接続され、この処理室との間で被搬送体を
搬送する搬送装置が設けられた搬送室において、上記搬
送室の内部をクリーニングするＣｌＦ₃ガスを供給する
クリーニングガス供給手段を上記搬送室に設けたことを
特徴とする搬送室。
【請求項３】上記搬送室に真空排気可能な排気手段を
設けたことを特徴とする請求項１または請求項２項に記
載の搬送室。
【請求項４】少なくとも一つの成膜処理可能な成膜室
に連通可能に接続され、この成膜室との間で成膜処理前
後の被搬送体を搬送する搬送装置が設けられた搬送室に
おいて、上記搬送室の内部をクリーニングするＣｌＦ₃
ガスを供給するクリーニングガス供給手段及びこのクリ
ーニングガス供給手段からのガスを排気する排気手段を
上記搬送室にそれぞれ設けたことを特徴とする搬送室。
【請求項５】上記ＣｌＦ₃ガスを不活性ガスにより希
釈したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか
一つに記載の搬送室。
【請求項６】少なくとも一つの真空処理可能な処理室
に連通可能に接続され、この処理室との間で被搬送体を
搬送する搬送装置が設けられた搬送室の内部をクリーニ
ングする方法において、少なくとも一つの処理室内で上
記被搬送体に真空処理を施し、処理後の上記被搬送体を
上記搬送装置を介して上記処理室から外部へ搬送した
後、上記搬送室内にＣｌＦ₃ガスを供給し、このＣｌＦ₃
ガスにより搬送室の内部に付着した付着物をクリーニン
グすることを特徴とする搬送室のクリーニング方法。