JP2013136839A - 真空処理システム - Google Patents
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Abstract
【課題】被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室への汚染成分の流入を有効に抑制することができる真空処理システムを提供する。
【解決手段】被処理基板を搬入・搬出する搬入出口31を有し、搬入出口31を開閉可能なゲートバルブを介して被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室11と、内部が真空状態に保持可能な室11の搬入出口31近傍に設けられ、ゲートバルブを開いた状態で、搬入出口31へパージガスを吐出するパージガス吐出部材51とを具備し、パージガス吐出部材51は、搬入出口31の幅方向に沿って延在し、パージガスを帯状に吐出する。
【選択図】図4
【解決手段】被処理基板を搬入・搬出する搬入出口31を有し、搬入出口31を開閉可能なゲートバルブを介して被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室11と、内部が真空状態に保持可能な室11の搬入出口31近傍に設けられ、ゲートバルブを開いた状態で、搬入出口31へパージガスを吐出するパージガス吐出部材51とを具備し、パージガス吐出部材51は、搬入出口31の幅方向に沿って延在し、パージガスを帯状に吐出する。
【選択図】図4
Description
本発明は、真空に保持可能な室を配してなる真空処理システムに関する。
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)に、コンタクト構造や配線構造を形成するために、複数のメタル膜を成膜するプロセスが行われる。このような成膜処理は、真空に保持された処理チャンバ内で行われるが、最近では、処理の効率化の観点、および酸化やコンタミネーション等の汚染を抑制する観点から、複数の処理チャンバを真空に保持される搬送室にゲートバルブを介して連結し、この搬送室に設けられた搬送装置により各処理チャンバにウエハを搬送可能としたクラスターツール型のマルチチャンバシステムが注目されている(特許文献1)。このようなマルチチャンバシステムでは、ウエハを大気に曝すことなく連続して複数の膜を成膜することができるので、極めて効率的でかつ汚染の少ない処理を行うことができる。
しかしながら、このようなクラスターツール型のマルチチャンバシステムにCVD(Chemical Vappor Deposition)処理を行うCVD処理チャンバを接続した場合には、ゲートバルブを開放してウエハを搬送する際に、CVD処理により発生する未反応ガスや副生成ガス等の汚染成分が搬送室に拡散し、他の処理チャンバに拡散してクロスコンタミネーションを引き起こすおそれがある。
このようなことを防止する技術としては、搬送室にパージガスを導入できるように構成し、処理対象物であるウエハを処理チャンバに搬送する際に、搬送室の圧力をその処理チャンバの圧力よりも高くなるようにして、搬送室側から処理チャンバ側へパージガスの流れを形成する技術が提案されている(特許文献2)。
また、搬送室のゲートバルブ近傍に、排気ポートを設けてそこから局所的に排気することにより処理チャンバからの汚染成分を速やかに排出する技術も提案されている(特許文献3)。
しかしながら、上記圧力差により搬送室側から処理チャンバ側へパージガスの流れを形成する技術の場合には、通常、搬送室の一箇所からパージガスを導入しており、処理チャンバへのパージガスの流れの密度が低く、不均一になりやすく、処理チャンバからの汚染成分の流入防止効果が十分ではないという欠点がある。
また、ゲートバルブ近傍に排気ポートを設ける技術の場合には、搬送室自体が真空状態であるため、十分な排気流を形成することが困難であり、その効果が限定されてしまう。
本発明の目的は、被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室への汚染成分の流入を有効に抑制することができる真空処理システムを提供することにある。
本発明の第1の態様に係る真空処理システムによれば、被処理基板を搬入・搬出する搬入出口を有し、前記搬入出口を開閉可能なゲートバルブを介して前記被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室と、前記内部が真空状態に保持可能な室の前記搬入出口近傍に設けられ、前記ゲートバルブを開いた状態で、前記搬入出口へパージガスを吐出するパージガス吐出部材とを具備し、前記パージガス吐出部材は、前記搬入出口の幅方向に沿って延在し、パージガスを帯状に吐出する。
本発明の第2の態様に係る真空処理システムによれば、被処理基板を搬入・搬出する搬入出口を有し、前記搬入出口を開閉可能なゲートバルブを介して前記被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室と、前記内部が真空状態に保持可能な室の前記搬入出口近傍に設けられ、前記ゲートバルブを開いた状態で、前記搬入出口へパージガスを吐出するパージガス吐出部材と、前記ゲートバルブを開いて前記室とこの室とは異なる室が連通した際に、前記搬入出口を経由して前記連通した室へパージガスを吐出するように制御する制御部とを具備し、前記パージガス吐出部材は、前記搬入出口の幅方向に沿って延在し、パージガスを帯状に吐出する。
上記第1および第2の態様の真空処理システムにおいて、前記パージガスは、圧力が低い側又は室から圧力が高い側又は室へ向けて吐出されることが好ましい。また、前記パージガス吐出部材は、前記室内の被処理基板の搬送経路よりも下方に設けられていることが好ましい。さらに、前記パージガス吐出部材は、フィルター機能を有することが好ましい。前記パージガス吐出部材としては、多孔質セラミックスからなることが好ましい。
本発明によれば、被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室への汚染成分の流入を有効に抑制することができる真空処理システムを提供できる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係るマルチチャンバータイプの真空処理システムを示す平面図である。
図1は本発明の一実施形態に係るマルチチャンバータイプの真空処理システムを示す平面図である。
真空処理システム1は、CVD処理を行う複数の処理チャンバを備えた処理部2と、搬入出部3と、処理部2と搬入出部3との間のロードロック室6a,6bとを有しており、ウエハWに対して所定のメタル成膜を実施することができるようになっている。
処理部2は、平面形状が六角形をなす搬送室11と、この搬送室11の4つの辺に接続された4つのCVD処理チャンバ12,13,14,15とを有している。搬送室11の他の2辺には、それぞれロードロック室6a,6bが接続されている。CVD処理チャンバ12〜15およびロードロック室6a,6bは、搬送室11の各辺にゲートバルブGを介して接続され、これらは対応するゲートバルブを開放することにより搬送室11と連通され、対応するゲートバルブGを閉じることにより搬送室11から遮断される。搬送室11内には、CVD処理チャンバ12〜15、ロードロック室6a,6bに対してウエハWの搬入出を行う搬送機構16が設けられている。この搬送機構16は、搬送室11の略中央に配設されており、回転および伸縮可能な回転・伸縮部17の先端にウエハWを支持する2つの支持アーム18a,18bが設けられており、これら2つの支持アーム18a,18bは互いに反対方向を向くように回転・伸縮部17に取り付けられている。この搬送室11内は後述するように所定の真空度に保持されるようになっている。
搬入出部3は、上記ロードロック室6a,6bを挟んで処理部2と反対側に設けられており、ロードロック室6a,6bが接続される搬入出室21を有している。ロードロック室6a,6bと搬入出室21との間にはゲートバルブGが設けられている。搬入出室21のロードロック室6a,6bが接続された辺と対向する辺には被処理基板としてのウエハWを収容するキャリアCを接続する2つの接続ポート22,23が設けられている。これら接続ポート22,23にはそれぞれ図示しないシャッターが設けられており、これら接続ポート22,23にウエハWを収容した状態の、または空のキャリアCが直接取り付けられ、その際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ搬入出室21と連通するようになっている。また、搬入出室21の側面にはアライメントチャンバ24が設けられており、そこでウエハWのアライメントが行われる。搬入出室21内には、キャリアCに対するウエハWの搬入出およびロードロック室6a,6bに対するウエハWの搬入出を行う搬入出用搬送機構26が設けられている。この搬入出用搬送機構26は、2つの多関節アームを有しており、キャリアCの配列方向に沿ってレール28上を走行可能となっていて、それぞれの先端のハンド27上にウエハWを載せてその搬送を行うようになっている。
次に、搬送室11について詳細に説明する。
図2は搬送室11を模式的に示す断面図、図3はその平面図である。搬送室11の側壁には、CVD処理チャンバ12〜15との間でウエハWを搬入出するための搬入出口31が設けられており、この搬入出口31はゲートバルブGによって開閉可能となっている。各ゲートバルブGは、アクチュエータ32により開閉されるようになっている。
図2は搬送室11を模式的に示す断面図、図3はその平面図である。搬送室11の側壁には、CVD処理チャンバ12〜15との間でウエハWを搬入出するための搬入出口31が設けられており、この搬入出口31はゲートバルブGによって開閉可能となっている。各ゲートバルブGは、アクチュエータ32により開閉されるようになっている。
搬送室11には、上述したようにCVD処理チャンバ12〜15のいずれかにウエハWを搬送する際に、そのCVD処理チャンバと連通されるため、各CVD処理チャンバの圧力に適合させる目的で、排気機構40とガス導入機構50とが設けられている。具体的には、排気機構40による排気とガス導入機構50によるガス導入とを制御することにより搬送室11の圧力が連通するCVDチャンバの圧力に適合するように制御される。
排気機構40は、搬送室11の底部に設けられた排気口41に接続された排気配管42と、排気配管42に介在された排気速度調整バルブ43と、排気配管42に接続された真空ポンプ44とを有している。そして、排気速度調整バルブ43を制御しつつ、真空ポンプ44により排気配管42を介して搬送室11を真空引きすることにより、所定の圧力まで真空引き可能となっている。
ガス導入機構50は、搬送室11の各処理チャンバの搬入出口31の下側近傍にそれぞれ設けられ、パージガスを吐出するパージガス吐出部材51と、各パージガス吐出部材51に接続されたパージガス配管52と、パージガス配管52に介装された開閉バルブ53と、これらパージガス配管52が集合してなる集合配管54と、集合配管54に介装された圧力調整バルブ55と、集合配管54に接続されたパージガス供給源56とを有している。
パージガス吐出部材51は、図2、3に示すように、ウエハWの搬送パスの高さよりも低い位置に搬入出口31の長さ方向に沿って延在し、ウエハWの口径長またはそれ以上の長さを有しており、パージガスを帯状に吐出可能となっている。ウエハWの搬送パスの高さよりも低い位置に設けたのは、ウエハWにパーティクルが付着するおそれを低減するためであり、パーティクルの付着を考慮する必要がない場合には、ウエハWの搬送パスの高さよりも高い位置に設けてもよい。
このパージガス吐出部材51は、CVD処理チャンバ12〜15へパージガスを吐出する機能と、圧力調整のためにパージガスを吐出する機能とを有する。図4に示すように、パージガス吐出部材51からは、搬入出口31に向けてパージガス、例えばArガスが吐出され、CVD処理チャンバ12〜15へパージガスを吐出する機能を発揮させる場合には、ゲートバルブGを開いて搬送室11をCVD処理チャンバと連通した状態とし、その搬入出口31に接続されているCVD処理チャンバに向かうパージガス流を形成する。この場合に、パージガス吐出部材51は、均一なガス流を形成するとともに、パーティクルの導入を防止する観点から、フィルター機能を有する材料で構成されることが好ましい。フィルター機能を有する材料としては多孔質セラミックスを好適な例として挙げることができる。
排気機構40およびガス導入機構50を用いて搬送室11の圧力を制御する際には、ゲートバルブGを開いて搬送室11を所定のCVD処理チャンバと連通した状態とし、後述するコントローラ101によって、排気速度調整バルブ43および圧力調整バルブ55を制御することにより、排気機構40による排気およびガス導入機構によるガス導入を制御して、そのCVD処理チャンバに適合した圧力とする。この際に、パージガス吐出部材51は、パージガス吐出により搬送室11内の圧力を調整する機能を有する。
次に、処理部2のCVD処理チャンバ12について図5の断面図を参照して説明する。このCVD処理チャンバ12は、CVD処理装置60の一部をなしており、その中でCVD処理が行われるようになっている。すなわち、CVD処理装置60を構成するCVD処理チャンバ12の内部には、ウエハWを載置する載置台61が配置されており、この載置台61内にはヒーター62が設けられている。このヒーター62はヒーター電源63から給電されることにより発熱する。
CVD処理チャンバ12の天壁には、CVD処理のための処理ガスをCVD処理チャンバ12内にシャワー状に導入するためのシャワーヘッド64が載置台61と対向するように設けられている。シャワーヘッド64はその上部にガス導入口65を有し、その内部にガス拡散空間66が形成されており、その底面には多数のガス吐出孔67が形成されている。ガス導入口65にはガス供給配管68が接続されており、また、ガス供給配管68にはCVD処理のための処理ガス、すなわち反応して所定の薄膜を形成するための原料ガスを供給するための処理ガス供給系69が接続されている。したがって、処理ガス供給系69からガス供給配管68およびシャワーヘッド64を介してCVD処理チャンバ12内に処理ガスが供給可能となっている。CVD処理チャンバ12の底部には、排気口70が設けられており、この排気口70には排気配管71が接続されており、排気配管71には真空ポンプ72が設けられている。そして、処理ガスを供給しつつこの真空ポンプ72を作動させることにより、CVD処理チャンバ12内を1×101〜1×103Pa(約1×10−1〜1×101Torr)程度に保持する。
上記載置台61には、ウエハ搬送用の3本(2本のみ図示)のウエハ支持ピン73が載置台61の表面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ支持ピン73は支持板74に固定されている。そして、ウエハ支持ピン73は、エアシリンダ等の駆動機構76によりロッド75を昇降することにより、支持板74を介して昇降される。なお、符号77はベローズである。一方、CVD処理チャンバ12の側壁には、ウエハ搬入出ポート78が形成されており、ゲートバルブGを開けた状態で搬送室11との間でウエハWの搬入出が行われる。
そして、CVD処理チャンバ12内を真空ポンプ72により排気しつつ、ヒーター62より載置台61を介してウエハWを所定温度に加熱した状態で、処理ガス供給系69からガス供給配管68およびシャワーヘッド64を介してCVD処理チャンバ12内へ処理ガスを導入する。これにより、ウエハW上で処理ガスの反応が進行し、ウエハWの表面に所定の薄膜が形成される。反応を促進するために適宜の手段でプラズマを生成してもよい。
CVD処理チャンバ12内で行われるCVD処理としては、Ti膜、TiN膜、W膜、WSi膜等の金属ハロゲン化合物を原料ガスとした成膜が例示される。CVD処理は、ウエハ上で原料ガスに化学反応を生じさせて所定の膜をウエハ上に成膜するものであり、例えばTi膜の場合には、TiCl4ガスをH2ガスで還元することによりTi膜を成膜するが、反応に寄与するガスの割合は少なく、反応しないままの未反応ガスや副生成ガス等の汚染成分が多量に発生して処理チャンバ内に残存する。
なお、CVD処理チャンバ13〜15も、基本的に上記CVD処理チャンバ12と同じ構造を有している。
ロードロック室6a,6bは、大気雰囲気の搬入出室21と真空雰囲気の搬送室11との間のウエハWの搬送を行うためのものであり、排気機構とガス供給機構とを有しており(いずれも図示せず)、その中を大気雰囲気と搬送室11に適合した真空雰囲気との間で短時間で切り替え可能となっており、搬入出室21との間のウエハWの受け渡しの際には密閉状態で大気雰囲気にされた後に搬入出室21と連通され、搬送室11との間のウエハの受け渡しの際には密閉状態で真空雰囲気にされた後に搬送室11と連通される。
この真空処理システム1は、各構成部を制御するための制御部100を有している。この制御部100は、各構成部の制御を実行するマイクロプロセッサ(コンピュータ)からなるコントローラ101と、オペレータが真空処理システム1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、真空処理システムの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース102と、真空処理システム1で実行される各種処理をコントローラ101の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、および処理条件に応じて処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわち処理レシピが格納された記憶部103とを備えている。なお、ユーザーインターフェース102および記憶部103はコントローラ101に接続されている。
上記処理レシピは記憶部103の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース102からの指示等にて任意のレシピを記憶部103から呼び出してコントローラ101に実行させることで、コントローラ101の制御下で、真空処理システム1での所望の処理が行われる。
特に、本実施形態では、上記図2、3に示したように、コントローラ101は、ゲートバルブGのアクチュエータ32、ガス導入機構50の開閉バルブ53や圧力調整バルブ55、排気機構40の排気速度調整バルブ43を制御することにより、いずれかのCVD処理チャンバに対するウエハWの搬入出の際のゲートバルブの開閉制御および搬送室11の圧力制御および気流制御を行う。
次に、このような真空処理システム1における処理動作について説明する。
この真空処理システム1は、CVD処理チャンバ12〜15がいずれも同じ膜を形成する単膜形成用のものであっても、複数種の膜を成膜するためのもの(例えばTi膜とTiN膜の積層膜を成膜するもの)であってもよい。後者の場合には、例えばCVD処理チャンバ12、13がTi膜成膜用であり、CVD処理チャンバ14、15がTiN膜成膜用とすることができる。
この真空処理システム1は、CVD処理チャンバ12〜15がいずれも同じ膜を形成する単膜形成用のものであっても、複数種の膜を成膜するためのもの(例えばTi膜とTiN膜の積層膜を成膜するもの)であってもよい。後者の場合には、例えばCVD処理チャンバ12、13がTi膜成膜用であり、CVD処理チャンバ14、15がTiN膜成膜用とすることができる。
成膜に際しては、まず、いずれかのキャリアCから搬入出用搬送機構26によりウエハWを取り出してロードロック室6aに搬入する。次いでロードロック室6aを密閉状態として真空排気し、搬送室11と同程度の圧力にした後、搬送室11側のゲートバルブGを開け、搬送機構16によりロードロック室6aのウエハWを搬送室11内に取り出す。その後、排気機構40およびガス導入機構50により搬送室11の圧力をCVD処理チャンバ12〜15のうちウエハWを搬入すべきチャンバに適合する圧力に制御し、そのCVD処理チャンバに対応するゲートバルブGを開放し、搬入出口31を介してそのCVD処理チャンバにウエハWを搬入する。そして、その中で所定のCVD成膜処理、例えばTi膜の成膜を行う。
所定のCVD成膜処理が終了後、単膜成膜の場合には、処理を行っていたCVD処理チャンバに対応するゲートバルブGを開いて搬送機構16によりそのCVD処理チャンバからウエハWを第1の搬送室11へ取り出し、引き続きウエハWをロードロック室6bに搬入し、ロードロック室6b内を大気圧にした後、搬入出用搬送機構26によりウエハWをいずれかのキャリアCに収納する。
2層の積層膜を成膜する場合には、上記一つのCVD処理チャンバでのCVD成膜処理が終了後、CVD処理チャンバに対応するゲートバルブGを開いて搬送機構16によりそのCVD処理チャンバからウエハWを第1の搬送室11へ取り出し、引き続き、次に成膜処理を行うためのCVD処理チャンバに対応するゲートバルブGを開いてそのCVD処理チャンバ内で最初の膜と異なる膜、例えばTiN膜の成膜を行う。3層以上の場合にも、同様に他のCVD処理チャンバでの成膜処理を繰り返す。そして、最後のCVD処理チャンバに対応するゲートバルブGを開いて搬送機構16によりそのCVD処理チャンバからウエハWを第1の搬送室11へ取り出し、引き続きウエハWをロードロック室6bに搬入し、ロードロック室6b内を大気圧にした後、搬入出用搬送機構26によりウエハWをいずれかのキャリアCに収納する。
ところで、CVD処理は、上述したように、ウエハ上で原料ガスに化学反応を生じさせて所定の膜をウエハ上に成膜するものであり、Ti膜、TiN膜等の成膜では、未反応ガスや副生成ガス等の汚染成分が多量にチャンバ内に存在し、1×101〜1×103Pa(約1×10−1〜1×101Torr)程度と比較的高圧に保持され、ゲートバルブGを開けた際に、搬送室11内に汚染成分(コンタミネーション)が逆拡散すると、他のCVD処理チャンバとの間でクロスコンタミを生じるおそれがある。
このような汚染成分の逆拡散を防止する観点から、従来技術では、搬送室11の一箇所からガスを導入してCVD処理チャンバ12〜15のうち連通しようとするものよりも若干高い圧力に保持し、CVD処理チャンバへのウエハの搬入出のためにゲートバルブを開いた際に搬送室11からCVD処理チャンバに向かうガス流が形成されるようにして、CVD処理チャンバから搬送室11への逆拡散を抑制しようとしている。
しかしながら、このような技術では、搬送室11へのガス供給ポートが一箇所であるため、対象となるCVD処理チャンバと搬送室11との間のゲートバルブGを開いてこれらの間を連通させた際に、搬送室からそのCVD処理チャンバへのパージガスの流れの密度が低く、かつ不均一になりやすく、連通したCVD処理チャンバから搬送室11への汚染成分の逆拡散を必ずしも十分に抑制することができない場合が生ずる。
そこで、本実施形態では、パージガス吐出部材51を、各CVD処理チャンバの直近位置、具体的には、各CVD処理チャンバと連通する搬入出口31の近傍に設け、搬送室11と連通したCVD処理チャンバに対応するパージガス吐出部材51から搬入出口31に向けてパージガスを吐出する。このように、パージガスを吐出するパージガス吐出部材51が搬入出口31の近傍に設けられているので、パージガス吐出部材51から吐出されたパージガスにより、図6に示すように、搬送室11からそれに連通したCVD処理ユニット(図6の例ではCVD処理ユニット12)へ向かう高密度のガス流を形成することができ、CVD処理チャンバからの汚染成分の逆拡散を有効に抑制することができる。また、パージガス吐出部材51は、搬入出口31の長さ方向に沿って延在し、ウエハWの口径長またはそれ以上の長さを有しているので、搬送室11からCVD処理チャンバへ向かう均一なパージガス流が形成され、汚染成分の逆拡散を一層確実に抑制することができる。
さらに、CVD処理チャンバ12〜15の各々にパージガス吐出部材51を設け、バルブの切り替えにより選択的にパージガスを吐出することができるので、搬送室と連通した汚染成分の逆拡散を防止すべきCVD処理チャンバのみにパージガスを形成することができる。
この際に、排気機構40およびガス導入機構50により、搬送室11の圧力がCVD処理チャンバ12〜15のうち連通するものよりも高い圧力になるように圧力制御することが好ましい。これにより、一層効果的に汚染成分の逆拡散を防止することができる。
さらにまた、パージガス吐出部材51として、多孔質セラミックス等のフィルター機能を有するものを用いることにより、より均一なガス流を形成することができるとともに、パーティクルの導入を防止することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では搬送室に4つのCVD処理チャンバを設けた場合について説明したが、この個数は4つに限らず、1つ以上であればよい。また、パージガス吐出部材として搬入出口に沿って延在するものを用いたが、これに限らず、例えば搬入出口に向けて均一なガス流が得られるようにリング状にしてもよい。
さらに、上記実施形態では、各CVD処理チャンバ毎にパージガス吐出部材を設けたが、特定のCVD処理のみにガス吐出部材を設けてもよい。
さらにまた、上記実施形態では、真空処理としてCVD成膜処理を行う場合を例にとって説明したが、CVD成膜処理に限らず、他の真空処理にも同様に適用することができる。
W…ウエハ、G…ゲートバルブ、11…搬送室、31…搬入出口、51…パージガス吐出部材
Claims (10)
- 被処理基板を搬入・搬出する搬入出口を有し、前記搬入出口を開閉可能なゲートバルブを介して前記被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室と、
前記内部が真空状態に保持可能な室の前記搬入出口近傍に設けられ、前記ゲートバルブを開いた状態で、前記搬入出口へパージガスを吐出するパージガス吐出部材とを具備し、
前記パージガス吐出部材は、前記搬入出口の幅方向に沿って延在し、パージガスを帯状に吐出することを特徴とする真空処理システム。 - 前記パージガスは、圧力が低い側から圧力が高い側へ向けて吐出されることを特徴とする請求項1に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、前記室内の被処理基板の搬送経路よりも下方に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、フィルター機能を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、多孔質セラミックスからなることを特徴とする請求項4に記載の真空処理システム。
- 被処理基板を搬入・搬出する搬入出口を有し、前記搬入出口を開閉可能なゲートバルブを介して前記被処理基板の搬入・搬出が行われ、内部が真空状態に保持可能な室と、
前記内部が真空状態に保持可能な室の前記搬入出口近傍に設けられ、前記ゲートバルブを開いた状態で、前記搬入出口へパージガスを吐出するパージガス吐出部材と、
前記ゲートバルブを開いて前記室とこの室とは異なる室が連通した際に、前記搬入出口を経由して前記連通した室へパージガスを吐出するように制御する制御部と
を具備し、
前記パージガス吐出部材は、前記搬入出口の幅方向に沿って延在し、パージガスを帯状に吐出することを特徴とする真空処理システム。 - 前記パージガスは、圧力が低い室から圧力が高い室へ向けて吐出されることを特徴とする請求項6に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、前記室内の被処理基板の搬送経路よりも下方に設けられていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、フィルター機能を有することを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、多孔質セラミックスからなることを特徴とする請求項9に記載の真空処理システム。
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