JP5208948B2 - 真空処理システム - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態に係るマルチチャンバータイプの真空処理システムを示す平面図である。
図2は搬送室11を模式的に示す断面図、図3はその平面図である。搬送室11の側壁には、CVD処理チャンバ12〜15との間でウエハWを搬入出するための搬入出口31が設けられており、この搬入出口31はゲートバルブGによって開閉可能となっている。各ゲートバルブGは、アクチュエータ32により開閉されるようになっている。
この真空処理システム1は、CVD処理チャンバ12〜15がいずれも同じ膜を形成する単膜形成用のものであっても、複数種の膜を成膜するためのもの(例えばTi膜とTiN膜の積層膜を成膜するもの)であってもよい。後者の場合には、例えばCVD処理チャンバ12、13がTi膜成膜用であり、CVD処理チャンバ14、15がTiN膜成膜用とすることができる。
Claims (18)
- 被処理基板に対して真空下で所定の処理を行う処理チャンバと、
被処理基板を搬入・搬出する搬入出口を有し、前記搬入出口を開閉可能なゲートバルブを介して前記処理チャンバが接続され、その内部が真空状態に保持される搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、被処理基板を前記搬入出口を介して前記処理チャンバに対し、搬入出する搬送機構と、
前記搬入出口近傍に設けられ、前記ゲートバルブを開いて前記搬送室と前記処理チャンバが連通した状態で、前記搬入出口を経由して前記処理チャンバへパージガスを吐出するパージガス吐出部材と
を具備し、
前記パージガス吐出部材を、前記搬入出口の幅方向に沿って前記被処理基板の口径長またはそれ以上の長さに延在させて、前記パージガスを帯状に吐出させる、真空処理システム。 - 前記搬送室の圧力を制御する圧力制御機構をさらに具備し、前記圧力制御機構は、前記搬送室の圧力を前記処理チャンバに適合した圧力に制御する、請求項1に記載の真空処理システム。
- 前記圧力制御機構は、前記搬送室の圧力を前記処理チャンバよりも高い圧力に制御する、請求項2に記載の真空処理システム。
- 前記圧力制御機構は、前記搬送室を真空排気する排気機構と、前記搬送室にガスを導入するガス導入機構と、これらを制御するコントローラとを有し、前記コントローラによって、前記排気機構による排気と前記ガス導入機構によるガス導入を制御することにより、前記搬送室内の圧力を制御する、請求項2に記載の真空処理システム。
- 前記ガス導入機構は、前記パージガス吐出部材を有し、前記パージガス吐出部材から吐出されたパージガスを圧力制御用の導入ガスとして用いる、請求項4に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、前記搬送室内の被処理基板の搬送経路よりも下方に設けられている、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、フィルター機能を有する、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、多孔質セラミックスからなる、請求項7に記載の真空処理システム。
- 前記処理チャンバは、金属ハロゲン化合物を原料とするCVDを行うためのCVD処理チャンバである、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 被処理基板に対して真空下で所定の処理を行う複数の処理チャンバと、
被処理基板を搬入・搬出する搬入出口を複数有し、前記搬入出口を開閉可能なゲートバルブを介して各搬入出口へ前記処理チャンバがそれぞれ接続され、その内部が真空状態に保持される搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、被処理基板を前記いずれかの搬入出口を介して前記いずれかの処理チャンバに対し、選択的に搬入出する搬送機構と、
前記複数の搬入出口近傍にそれぞれ設けられ、対応する搬入出口に向けてパージガスを吐出可能な複数のパージガス吐出部材と、
前記いずれかのゲートバルブを開いて前記搬送室と前記いずれかの処理チャンバが連通した際に、その連通した処理チャンバに対応するパージガス吐出部材から対応する搬入出口を経由してその連通した処理チャンバへパージガスを吐出するように制御する制御部と
を具備し、
前記パージガス吐出部材を、前記搬入出口の幅方向に沿って前記被処理基板の口径長またはそれ以上の長さに延在させて、前記パージガスを帯状に吐出させる、真空処理システム。 - 前記搬送室の圧力を制御する圧力制御機構をさらに具備し、前記圧力制御機構は、前記搬送室の圧力を、前記複数の処理チャンバのうち、前記搬送室と連通されるものに適合した圧力に制御する、請求項10に記載の真空処理システム。
- 前記圧力制御機構は、前記搬送室の圧力を、前記複数の処理チャンバのうち、前記搬送室と連通されるものの圧力より高い圧力に制御する、請求項11に記載の真空処理システム。
- 前記圧力制御機構は、前記搬送室を真空排気する排気機構と、前記搬送室にガスを導入するガス導入機構と、これらを制御するコントローラとを有し、前記コントローラによって、前記排気機構による排気と前記ガス導入機構によるガス導入を制御することにより、前記搬送室内の圧力を制御する、請求項11に記載の真空処理システム。
- 前記ガス導入機構は、前記パージガス吐出部材を有し、前記パージガス吐出部材から吐出されたパージガスを圧力制御用の導入ガスとして用いる、請求項13に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、前記搬送室内の被処理基板の搬送経路よりも下方に設けられている、請求項10から請求項14のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、フィルター機能を有する、請求項10から請求項15のいずれか一項に記載の真空処理システム。
- 前記パージガス吐出部材は、多孔質セラミックスからなる、請求項16に記載の真空処理システム。
- 前記処理チャンバは、金属ハロゲン化合物を原料とするCVDを行うためのCVD処理チャンバである、請求項10から請求項17のいずれか一項に記載の真空処理システム。
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