JPH10270527A

JPH10270527A - 複合型真空処理装置

Info

Publication number: JPH10270527A
Application number: JP8746197A
Authority: JP
Inventors: Toshio Kusumoto; 淑郎楠本; Soichi Komiya; 宗一小宮
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1997-03-21
Filing date: 1997-03-21
Publication date: 1998-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】小型、低コストで真空槽間の相互汚染が生じな
い複合型真空処理装置を提供する。【解決手段】この複合処理装置１では、搬送室２を通過
させて処理対象物を移動させる際、搬送室２内にパージ
ガスを導入し、仕切を開ける真空槽９₁〜９₈を真空排気
して、搬送室２から真空槽９₁〜９₈に向かうパージガス
流を形成するように構成されている。真空槽９₁〜９₈内
の残留気体が真空槽９₁〜９₈内に押し戻され、パージガ
スと一緒に真空排気されるので、残留気体によって真空
槽９₁〜９₈間の相互汚染が生じることはない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理対象物を真空
雰囲気内で処理する複合型真空処理装置に係り、特に、
マルチチャンバー方式の複合型真空処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属薄膜や絶縁物薄膜は、半導体装置や
液晶装置等に広く用いられている。その薄膜を形成する
ために、半導体基板やガラス基板等の成膜処理対象物を
真空雰囲気に置いて処理する方法として、スパッタリン
グ方法やＣＶＤ方法等の様々な方法が開発されており、
形成したい薄膜の種類に応じ、適切な薄膜形成方法を選
択できるようになっている。そのような薄膜形成工程以
外にも、例えばドライエッチング工程等を含め、多様な
処理が真空雰囲気を利用して行われている。

【０００３】ところで、一つの処理対象物を処理する場
合でも、真空雰囲気を用いた複数種類の工程を経るた
め、従来より、１台で連続的に複数種類の真空処理が行
える複合型の真空処理装置が用いられている。その複合
型真空処理装置は、真空槽の配置方式により、インライ
ン方式のものとマルチチャンバー方式のものに大別され
るが、近年では、設置面積の小ささや、真空槽の追加・
変更が容易なことから、マルチチャンバー方式の複合型
真空処理装置が多用されている。

【０００４】図６の符号１０１は、マルチチャンバー方
式の従来技術の複合型真空処理装置を示しており、搬送
室１０２を中心とし、８個の真空槽(ａ〜ｈ)が設けられ
ている。各真空槽のうち、符号ａと符号ｈで示すものは
カセット室であり、符号ｂ〜ｄで示すものはＣＶＤ室、
符号ｅ〜ｇで示すものは、スパッタ室である。

【０００５】真空雰囲気を用いる処理のうち、ＣＶＤ工
程では真空槽内に薄膜材料である反応性ガスが導入さ
れ、エッチング工程では腐食性のエッチングガスが、ス
パッタリング工程では不活性なスパッタリングガスが導
入される。このように真空雰囲気を用いた処理工程で
も、真空槽内に導入されるガスの性質は異なっており、
真空槽内に他の真空槽から放出されたガスが侵入し、汚
染される場合がある。例えば、スパッタリングを行う真
空槽内に反応性ガスやエッチングガスが侵入すると、ス
パッタリング薄膜が成長する際に混入し、形成される薄
膜が低品質なものになってしまう。

【０００６】この図６に示した複合型真空処理装置１０
１では、各真空槽(ａ〜ｈ)から放出されたガスが、他の
真空槽を汚染しないように、搬送室１０２内を仕切板１
０３によって仕切り、第１室Ａと第２室Ｂの２室に分け
ており、カセット室ａと、反応性ガスを用いるＣＶＤ室
ｂ〜ｄを第１室Ａ側に接続し、スパッタリングガスを用
いるスパッタ室ｅ〜ｇと、カセット室ｈを第２室Ｂ側に
接続している。

【０００７】第１室Ａと第２室Ｂ内には、搬送ロボット
１０５₁、１０５₂と、ステージ１０６₁、１０６₂がそれ
ぞれ設けられており、また、仕切板１０３には２個の仕
切バルブ１０８₁、１０８₂が設けられている。通常の状
態では各仕切バルブ１０８₁、１０８₂は閉じておき、第
１室Ａと第２室Ｂとの間を仕切り、相互に汚染されない
ように構成している。

【０００８】処理対象物を第１室Ａと第２室Ｂとの間で
移動させるときは、仕切バルブ１０８₁、１０８₂を開
け、搬送ロボット１０５₁、１０５₂を動作させ、第１室
Ａ内のステージ１０６₁上に載置された処理対象物は、
第２室Ｂ内の搬送ロボット１０５₂によって第２室Ｂ内
に搬入し、第２室Ｂ内のステージ１０６₂上に載置され
た処理対象物は、第１室Ａ内の搬送ロボット１０５₁に
よって第１室Ａ内に搬入する。処理対象物の移動が終了
すると、直ちに仕切バルブ１０８₁、１０８₂を閉じ、第
１室Ａと第２室Ｂとの間を仕切る。

【０００９】このように、異なる性質のガスを用いる真
空槽間を、搬送室１０２内に設けた仕切板１０３によっ
て分離させる場合には、例えばＣＶＤ工程とスパッタリ
ング工程にエッチング工程を追加するためには、第１室
Ａと第２室Ｂに加え、第３室Ｃを設け(第３室Ｃは図示
しない)、エッチング用の真空槽を接続する必要があ
る。従って、第３室Ｃ内にも専用の搬送ロボットを配置
することが必要になり、異なる種類の工程毎に搬送ロボ
ットを追加すると、コスト高になってしまう。

【００１０】また、複数台の搬送ロボットを設置できる
面積が必要になるため、装置が大型化するという問題が
ある。

【００１１】更に、処理対象物表面を清浄な状態に保つ
ため、搬送室１０２内を高真空雰囲気(例えば１０^-4Ｐ
ａ〜１０^-6Ｐａ)にした場合、気体分子の平均自由行程
は数１０ｍ〜１０００ｍにも及ぶため、仕切バルブを開
けたときに、真空槽内の残留ガスが搬送室を介して他の
真空槽内に侵入し、真空槽の汚染が発生してしまうとい
う問題がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、小型、低コストの複合型真空処理装置を提供す
ることにある。また、他の目的は、真空槽が汚染されな
い複合型真空処理装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、各々真空排気可能に構成さ
れた搬送室と複数の真空槽とを有し、前記搬送室と前記
各真空槽との間に設けられた仕切を開閉できるように構
成され、搬入された処理対象物を真空槽間で移動させる
際、前記仕切を開け、前記搬送室内を通過させるように
構成された複合型真空処理装置であって、前記搬送室
は、パージガスを流量制御しながら導入できるように構
成され、仕切が開けられる真空槽の圧力よりも、前記搬
送室内の圧力を高くできるように構成されたことを特徴
とする。

【００１４】この請求項１記載の複合型真空処理装置に
ついては、請求項２記載の発明のように、前記真空槽の
真空排気と、前記搬送室内へのパージガスの導入を継続
しながらその間の仕切を開け、前記処理対象物の移動を
行えるように構成するとよい。

【００１５】また、請求項１又は請求項２のいずれか１
項記載の複合型真空処理装置については、請求項３記載
の発明のように、前記処理対象物の移動を行う際、前記
搬送室内は１Ｐａ以上の圧力になるように構成すること
ができる。

【００１６】それら請求項１又は請求項３のいずれか１
項記載の複合型真空処理装置については、請求項４記載
の発明のように、前記搬送室の真空排気量は制御できる
ように構成することもできる。

【００１７】以上説明した請求項１乃至請求項４のいず
れか１項記載の複合型真空処理装置が使用するパージガ
スには、請求項５記載の発明のように、不活性ガスを用
いるとよい。ここで言う不活性ガスは、ヘリウムガス、
アルゴンガス、キセノンガス等の希ガスである。要する
に、本発明のパージガスは、汚染の原因とならず、真空
槽や搬送室への付着性が低いガスであれば、例えば窒素
ガスや水素ガスでもよい。スパッタリング装置が設けら
れている場合には、そのスパッタリング装置に使用され
るガスと同じガスを用いることができる(例えばアルゴ
ンガス)。

【００１８】以上説明した本発明の構成によれば、各々
真空排気可能に構成された搬送室と複数の真空槽とを有
しており、搬送室と各真空槽との間に設けられた仕切を
開閉できるように構成されている。

【００１９】搬送室内の残留気体濃度を０、真空槽内の
残留気体の濃度をＣ₀とし、仕切板の位置を原点、その
原点を基準とする位置ｘを横軸、濃度Ｃ(ｘ，ｔ)を縦軸
にとった場合の、搬送室と真空室の一次元モデルを図５
(ａ)に示す。

【００２０】このときの濃度Ｃ(ｘ，ｔ)の一次元空間分
布を図５(ｂ)のグラフに示す。初期状態(搬送室と真空
槽との間の仕切が閉じられた状態：ｔ＜０)では、濃度
Ｃ(ｘ，ｔ)はステップ状の勾配になっている。

【００２１】その状態から仕切板を開け、搬送室と真空
槽とを導通させた場合、真空槽の体積をＶ、真空排気系
の排気速度をＳ、残留気体の拡散係数をκ₁とすると、
従来技術のように、処理対象物を移動させるため、搬送
室内を高真空状態にして、残留気体が存在する真空槽と
の間の仕切を開けた場合は、残留気体濃度Ｃと位置ｘ、
時刻ｔとの間には、下記(１)式で表される移流拡散方程
式が成立する。

【００２２】

【数１】

【００２３】上記ステップ状の濃度勾配を初期条件とし
て(１)式を解くと、下記(２)式が得られる。ｅｒｆは誤
差関数である。

【００２４】

【数２】

【００２５】但しここでの誤差関数は、下記、

【００２６】

【数３】

【００２７】で定義される。

【００２８】上記(２)式から、時刻ｔ(ｔ＞０)における
残留気体濃度Ｃ(ｘ，ｔ)をグラフに表すと、図５(ｃ)に
示すようになる。搬送室内に残留気体が侵入することが
分かる。

【００２９】それに対し本発明では、搬送室内に流量制
御しながらパージガスを導入できるように構成されてお
り、仕切が開けられる真空槽の圧力よりも、搬送室内の
圧力を高くしておけるように構成されている。この場
合、図２(ａ)に示すように、

【００３０】搬送室内から真空槽内に向けて流速ｖのパ
ージガス流が形成されるものとすると、下記(３)式で表
される移流拡散方程式が成立する。κ₂は残留ガスの拡
散係数である。

【００３１】

【数４】

【００３２】ステップ状の濃度勾配を初期条件として、
上式を解くと、下記(４)式が得られる。

【００３３】

【数５】

【００３４】これをグラフに表すと、図２(ｂ)のように
なり、搬送室内には残留気体は侵入しないことが分か
る。

【００３５】なお、ある距離ｄを拡散するのに要する拡
散時間τは、下記(５)式、 τ 〜ｄ²／κ ……(５) で表される。また、一般に、圧力Ｐでの拡散係数ｎと、
圧力Ｐ'での拡散係数ｎ'の間には、下記(６)式、ｎＰ＝ｎ'Ｐ' ……(６) の関係がある。

【００３６】真空槽内の残留気体をＢＣｌ₃とした場
合、２０℃、１気圧では、その拡散係数は０．０７cm²
／secであることが知られている。その値と、上記(６)
式とから、ＢＣｌ₃の１０Ｐａと１０^-5Ｐａでの拡散係
数は、それぞれ７×１０²cm²／sec、７×１０⁸cm²／sec
と算出される。

【００３７】搬送室の容積と真空槽の容積を共に５０リ
ットル(Ｖ＝５０リットル)、搬送室と真空槽の真空排気
速度を共に５００リットル／sec(Ｓ＝５００リットル／
sec)、パージガス(アルゴンガス)流量を３００SCCM、真
空槽の流路断面積を２５０cm²とし、初期状態では搬送
室の残留気体濃度はゼロとし、(２)、(４)式を用い、従
来技術の場合と本発明の場合について、搬送室内の残留
気体濃度の経時変化を算出した。なお、本発明の場合、
搬送室内の圧力を１０Ｐａ、搬送室から真空槽へ向かう
パージガスの流速を２００cm／sec(ｖ＝２００cm/sec)
とした。

【００３８】真空槽の仕切を開けたときを時刻ゼロと
し、時刻ｔを横軸に、残留気体の規格化濃度Ｃ_Nを縦軸
にとり、搬送室と真空槽の境界(仕切バルブの位置)から
搬送室内へ１０cm入ったところ(ｘ＝−１０cm)の状態変
化を、図３のグラフに示す。従来装置では、搬送室内に
直ちに残留気体が侵入するが、本発明では残留気体の侵
入はなく、規格化濃度Ｃ_Nは、ほぼゼロのままであるこ
とが分かる。

【００３９】次に、搬送室及び真空槽内の位置ｘを横
軸、規格化濃度Ｃ_Nの値を縦軸にとり、従来技術の場合
と本発明の場合について、規格化濃度Ｃ_Nの一次元空間
分布の状態を図４のグラフに示す。ｘ＜０が搬送室内、
ｘ＝０が境界となる仕切バルブの位置、０＜ｘが真空槽
内である。仕切バルブを開けた時刻ｔをゼロとし、時刻
ｔ＝０．０１sec、０．０５sec、０．１secの場合につ
いて示した。

【００４０】因みに、ＢＣｌ₃の清浄面への付着確率を
０．９、残留ガス圧力を１０^-2Ｐａとすると、従来装置
では、バルブ開後０．１秒で清浄面の４０％が反応性ガ
スで被覆されるのに対し、本発明ではｘ＝−１０ｃｍ
の位置で０．７５％の被覆に留まる。

【００４１】従来装置では、搬送室内に直ちに残留気体
が侵入し、その後、残留気体は次第に真空排気されて減
少するが、搬送室の奥深くまで侵入することが分かる。
本発明では、搬送室内に残留気体は侵入せず、むしろ、
時間の経過と共に、真空槽内の残留気体はパージガス流
によって真空槽の奥に向けて押しやられることが分か
る。

【００４２】なお、本発明の複合型真空処理装置の場
合、パージガス流は強いほど効果的であるが、導入する
パージガスは、搬送室内や真空槽内での残留気体の平均
自由行程が７ｍｍ程度以下になる流量でよく、それに対
応する搬送室内の圧力としては、１Ｐａ以上が適当であ
り、より好ましくは数１０Ｐａ程度がよい。

【００４３】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の一例の複合型真
空処理装置１の模式的な平面図を示す。この複合型真空
処理装置１は、搬送室２と、該搬送室２の周囲に配置さ
れた８個の真空槽(ａ〜ｈ)を有している。搬送室２と各
真空槽(ａ〜ｈ)の間には、仕切バルブ９₁〜９₈がそれぞ
れ設けられており、それら仕切バルブ９₁〜９₈を閉じる
と、搬送室２と各真空槽(ａ〜ｈ)の間が仕切られ、開け
ると導通するように構成されている。

【００４４】搬送室２には、排気バルブ２１、圧力調整
バルブ２２、真空ポンプ２３を有する真空排気系２０が
接続されており、また、各真空槽(ａ〜ｈ)には、排気バ
ルブ３１、真空ポンプ３３を有する真空排気系３０が接
続されている(真空槽ｃに接続されたもの以外は図示を
省略する)。従って、各仕切バルブ９₁〜９₈を閉じ、搬
送室２と各真空槽(ａ〜ｈ)を気密状態にして真空排気系
２０、３０を動作させると、搬送室２と各真空槽(ａ〜
ｈ)とを個別に高真空状態にできるように構成されてい
る。

【００４５】搬送室２には、ガスバルブ４１、マスフロ
ーコントローラ４２、フィルタ４３、ガスボンベ４４を
有するパージガス供給系４０が接続されている。ガスボ
ンベ４４内にはアルゴンガスから成るパージガスが充填
されており、ガスバルブ４１を操作すると、マスフロー
コントローラ４２によって流量制御した状態で、搬送室
２内にパージガスを導入できるように構成されている。

【００４６】各真空槽(ａ〜ｈ)のうち、符号ａと符号ｈ
で示すものは、処理対象物の搬出入に用いられ、大気に
開放されるカセット室であり、符号ｂ〜ｄで示すもの
は、反応性ガスが導入され、ＣＶＤ反応が行われるＣＶ
Ｄ室であり、また、符号ｅ〜ｇで示すものは、スパッタ
リングガスが導入され、ターゲットのスパッタリングが
行われるスパッタ室である。

【００４７】この複合型真空処理装置１を使用する場
合、予め、搬送室２内と、少なくともＣＶＤ室ｂ〜ｄ、
スパッタ室ｅ〜ｇの内部を真空排気しておく。搬送室２
は、その内部が所定圧力に到達した後、真空排気を継続
しながら流量制御した状態でパージガスを導入し、１Ｐ
ａ〜１０Ｐａ程度の圧力にしておく。

【００４８】次に、カセット室ａの仕切バルブ９₁を閉
じた状態で内部を大気に開放し、処理対象物である半導
体基板が収納されたカセットを、そのカセット室ａ内に
装着する。

【００４９】カセット室ａを気密状態にして真空排気を
行い、カセット室ａ内が１×１０^-4Ｐａ以下の圧力の高
真空状態になったところで、仕切バルブ９₁を開ける。
このとき、カセット室ａ内の真空排気は継続して行い、
搬送室２内にはパージガスを導入し続ける(１００SCCM
程度の流量)。その状態で仕切バルブ９₁が開けられる
と、搬送室２からカセット室ａに向けて流れるパージガ
ス流が形成され、カセット室ａ内に残留していた大気成
分はパージガス流によって押し戻され、パージガスと共
にカセット室ａに設けられた真空排気系３０によって除
去され、搬送室２内には侵入しない。

【００５０】搬送室２内に配置された搬送ロボット５に
よって、カセット室ａ内のカセットから処理対象物を抜
き取り、その仕切バルブ９₁を閉じる。続いて、ＣＶＤ
室ｃの仕切バルブ９₃を開け、搬送室２を通過させてＣ
ＶＤ室ｃ内に搬入する。

【００５１】処理対象物がＣＶＤ室ｃ内に搬入された
後、仕切バルブ９₃を閉じ、ＣＶＤ室ｃを搬送室２から
仕切って気密状態にする。

【００５２】このように、仕切バルブ９₁、９₃を開けて
から再度閉じるまでの間、搬送室２内へのパージガス導
入と、真空排気系３０によるカセット室ａ及びＣＶＤ室
ｃの真空排気は継続して行うようにする。

【００５３】真空排気系３０により、ＣＶＤ室ｃ内が所
定圧力まで真空排気された後、ＣＶＤ室ｃ内に反応性ガ
スを導入し、ＣＶＤ反応を行う。

【００５４】ＣＶＤ反応により、処理対象物表面に所定
膜厚の薄膜が形成されると、次の処理工程を行うため
に、処理対象物を他のＣＤＶ室ｂ、ｄ、又はスパッタ室
ｅ〜ｇへ移動させる。ここでは、スパッタ室ｇへ移動さ
せるものとする。

【００５５】その場合、ＣＶＤ室ｃの仕切バルブ９₃を
閉じた状態で内部を真空排気し、残留気体となる反応性
ガスを十分除去した後、搬送室２内にパージガスを導入
しながら、ＣＶＤ室ｃの仕切バルブ９₃を開ける。この
とき、ＣＶＤ室ｃの真空排気を継続して行い、搬送室２
内からＣＶＤ室ｃへ向かうパージガス流を形成させる
と、ＣＶＤ室ｃ内の残留気体(反応性ガス)は、ＣＶＤ室
ｃ内に流入するパージガスによって押し戻され、真空排
気系３０によって一緒に除去されるので、搬送室２内に
は侵入できない。

【００５６】その状態で搬送ロボット５を動作させ、処
理対象物をＣＶＤ室ｃからスパッタ室ｇに移動させて
も、スパッタリング室ｇ内がＣＶＤ室ｃ内の残留ガスで
汚染されることはない。

【００５７】このように、本発明の複合型真空処理装置
１によれば、仕切バルブ９₁〜９₈を開けたときに、搬送
室２から各真空室(カセット室ａ、ｈ、ＣＶＤ室ｃ〜
ｄ、スパッタ室ｅ〜ｇ)へ向かうパージガス流を形成で
きるので、反応性ガスやその他の真空槽内の残留気体は
真空槽内に押し戻され、搬送室２内へは侵入できない。
従って、一方の真空槽が他方の真空槽内の残留ガスで汚
染されたり、真空槽間が相互に汚染されることはない。

【００５８】なお、真空槽内を真空排気し、それと共に
搬送室２内にパージガスを導入しながら仕切バルブ９₁
〜９₉を開ける際、又は、仕切バルブ９₁〜９₈を開けて
真空槽間で処理対象物を移動させる際、搬送室２はバル
ブ９₁〜９₈を開ける前と同じ排気速度で真空排気しても
よいし、圧力調整バルブ２２を絞り、排気速度を低下さ
せた状態で真空排気してもよい。また、圧力調整バルブ
２２を閉じ、真空排気を停止させてもよい。更に、マス
フローコントローラ４２の設定値を予め上げておいても
よい。

【００５９】このように、排気速度を低下させたり、真
空排気を停止させた場合は、搬送室２から流れ出るパー
ジガス流量が増加するので、反応性ガス等の残留気体の
搬送室２への侵入は、一層生じづらくなる。

【００６０】パージガスにアルゴンガスを用いた場合に
は、仕切板９₅〜９₇が開けられるスパッタ室ｅ〜ｇへ
は、スパッタリングガスを導入するようにしてもよい。
また、スパッタ室ｅ〜ｇの真空排気速度を絞り、スパッ
タ室ｅ〜ｇから搬送室２へ向かうスパッタリングガス流
を形成してもよい。

【００６１】つまり、本発明は、移動元の真空槽と、移
動先の真空槽の両方へ向かうパージガス流を形成する必
要はなく、搬送室２内に侵入すると汚染の原因となる真
空槽内の残留ガスを、搬送室内に導入したパージガスの
流れによって真空槽内に押し戻し、他の真空槽を汚染さ
せないものであれば含まれる。

【００６２】以上説明した複合型真空処理装置１は、３
個のＣＶＤ室ｂ〜ｄと３個のスパッタ室ｅ〜ｇを設けた
が、例えばＣＶＤ室ｃを、反応性ガスとは性質の異なる
ドライエッチングガスを用いるドライエッチング室にし
たものも本発明の複合型真空処理装置に含まれる。要す
るに、真空槽内の残留気体が搬送室に侵入すると、真空
槽の汚染が生じるような複合型真空処理装置について広
く適用することができる。

【００６３】なお、搬送室２や、真空槽(ａ〜ｈ)の真空
排気系２０、３０には、ターボ分子ポンプやドライポン
プ等の種々の真空ポンプを用いることができる。

【００６４】

【発明の効果】一つの搬送室に多種類の真空槽を接続し
た場合でも、搬送ロボットが１台で済み、低コスト、省
スペースの複合型真空処理装置を得ることができる。真
空槽内の残留ガスが搬送室内に侵入しないので、真空槽
の汚染が生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合型真空処理装置の一例を示す図

【図２】(ａ)：本発明の複合型真空処理装置の仕切バル
ブを開ける前の残留気体の濃度分布を説明するための図
(ｂ)：仕切バルブを開けた後の残留気体濃度の一次
元空間分布を示すグラフ

【図３】本発明の装置と従来装置の残留気体濃度の経時
変化を比較するためのグラフ

【図４】本発明の装置と従来装置の残留気体濃度の一次
元空間分布を比較するためのグラフ

【図５】(ａ)：従来装置の仕切バルブを開ける前の残留
気体の濃度分布を説明するための図 (ｂ)：その状態
の一次元空間分布を表したグラフ (ｃ)：仕切バルブ
を開けた後の残留気体濃度の一次元空間分布を示すグラ
フ

【図６】従来技術の複合型真空処理装置を示す図

【符号の説明】

１……複合型真空処理装置２……搬送室９₁〜
９₈……仕切(仕切バルブ) ａ〜ｈ……真空槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ２３Ｆ 4/00 Ｃ２３Ｆ 4/00 ＡＨ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】各々真空排気可能に構成された搬送室と
複数の真空槽とを有し、前記搬送室と前記各真空槽との
間に設けられた仕切を開閉できるように構成され、搬入
された処理対象物を真空槽間で移動させる際、前記仕切
を開け、前記搬送室内を通過させるように構成された複
合型真空処理装置であって、前記搬送室は、パージガスを流量制御しながら導入でき
るように構成され、仕切が開けられる真空槽の圧力よりも、前記搬送室内の
圧力を高くできるように構成されたことを特徴とする複
合型真空処理装置。
【請求項２】前記真空槽の真空排気と、前記搬送室内
へのパージガスの導入を継続しながらその間の仕切を開
け、前記処理対象物の移動を行うように構成されたこと
を特徴とする請求項１記載の複合型真空処理装置。
【請求項３】前記処理対象物の移動を行う際、前記搬
送室内は１Ｐａ以上の圧力になるように構成されたこと
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載
の複合型真空処理装置。
【請求項４】前記搬送室の真空排気量を制御できるよ
うに構成されたことを特徴とする請求項２又は請求項３
のいずれか１項記載の複合型真空処理装置。
【請求項５】前記パージガスには不活性ガスが用いら
れていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいず
れか１項記載の複合型真空処理装置。