JP2009091665A - 処理方法および処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空下で被処理基板Wに所定のガス処理を施す処理室31と、処理室31を真空引きする排気装置と、処理室31に開閉装置Gを介して連結され、真空下に保持される真空予備室5とを備えた処理システム100を用い、ハロゲン含有ガスを使用して処理室31内で被処理基板Wを処理後、開閉装置Gを開放して被処理基板Wを真空予備室5へ搬送するにあたり、開閉装置Gを開放する直前に、排気装置により処理室31内を真空引きし、処理室31の圧力を真空予備室5の圧力よりも小さくし、処理室31と真空予備室5との間の差圧が一定以上になった時点で、真空引きを継続しつつ、処理室31内に不活性ガスを供給する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の処理システムの一実施形態であるマルチチャンバータイプの成膜システムを示す概略構成図である。
まず、ウエハ搬入出室8内のウエハ搬送装置16により、いずれかのフープFからウエハWを一枚取り出してアライメントチャンバー15に搬入し、ウエハWの位置合わせを行う。次いで、ウエハWをロードロック室6,7のいずれかに搬入し、そのロードロック内を真空引きする。一方、Ti成膜装置1では、ウエハWの搬入に先立って、排気装置68によりチャンバー31内を所定の真空状態とする。
3,4 TiN成膜装置
5 ウエハ搬送室
31 Ti成膜チャンバー
32 サセプタ
35 ヒーター
40 シャワーヘッド
50 ガス供給機構
64 高周波電源
68 排気装置
G ゲートバルブ
W 半導体ウエハ
Claims (10)
- 真空下で被処理基板に所定のガス処理を施す処理室と、前記処理室を真空引きする排気装置と、前記処理室に開閉装置を介して連結され、真空下に保持される真空予備室とを備えた処理システムを用い、前記処理室内で被処理基板を処理し、その後、前記開閉装置を開放して被処理基板を前記真空予備室へ搬送する処理方法であって、
前記処理室において施される所定のガス処理に、ハロゲン含有ガスが使用され、
前記開閉装置を開放する直前に、前記排気装置により前記処理室内を真空引きし、前記処理室の圧力を前記真空予備室の圧力よりも小さくし、前記処理室と前記真空予備室との間の差圧が一定以上になった時点で、前記真空引きを継続しつつ、前記処理室内に不活性ガスを供給することを特徴とする処理方法。 - 真空下で被処理基板に所定のガス処理を施す処理室と、前記処理室を真空引きする排気装置と、前記処理室に開閉装置を介して連結され、真空下に保持される真空予備室とを備えた処理システムを用い、前記処理室内で被処理基板を処理し、その後、前記開閉装置を開放して被処理基板を前記真空予備室へ搬送する処理方法であって、
前記開閉装置を開放する直前に、前記排気装置により前記処理室内を真空引きし、前記処理室の圧力を前記真空予備室の圧力よりも小さくし、前記処理室と前記真空予備室との間の差圧が一定以上になった時点で、前記真空引きを継続しつつ、前記処理室内に不活性ガスを供給し、
前記不活性ガスが、前記処理室の天壁に設けられたシャワーヘッドを介して前記処理室内に供給され、前記開閉装置を開放する直前に、前記処理室内に、前記処理室の天壁に設けられたシャワーヘッドから前記処理室の底壁に設けられた排気室へ向かうガス流を形成することを特徴とする処理方法。 - 前記処理室内の圧力よりも前記真空予備室内の圧力が高い状態で、前記開閉装置を開放することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の処理方法。
- 前記処理室と前記真空予備室との間の差圧が、15Pa以下であることを特徴とする請求項3に記載の処理方法。
- 前記処理室内への前記不活性ガスの供給を継続したまま、前記開閉装置を開放し、前記被処理基板を前記真空予備室に搬送することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の処理方法。
- 真空下で被処理基板に所定のガス処理を施す処理室と、前記処理室を真空引きする排気装置と、前記処理室に開閉装置を介して連結され、真空下に保持される真空予備室と、前記処理室に処理ガスおよび不活性ガスを供給するガス供給系と、前記排気装置、前記開閉装置および前記ガス供給系を制御する制御手段とを具備し、前記処理室内で被処理基板を処理後、前記開閉装置を開放して被処理基板を前記真空予備室へ搬送する処理システムであって、
前記処理室において施される所定のガス処理に、ハロゲン含有ガスが使用され、
前記制御手段は、前記開閉装置を開放する直前に、前記排気装置により前記処理室を真空引きし、前記処理室の圧力を前記真空予備室の圧力よりも小さくし、前記処理室と前記真空予備室との間の差圧が一定以上になった時点で、前記真空引きを継続しつつ、前記処理室内に不活性ガスを供給するように、前記排気装置、前記開閉装置および前記ガス供給系を制御することを特徴とする処理システム。 - 真空下で被処理基板に所定のガス処理を施す処理室と、前記処理室を真空引きする排気装置と、前記処理室に開閉装置を介して連結され、真空下に保持される真空予備室と、前記処理室に処理ガスおよび不活性ガスを供給するガス供給系と、前記排気装置、前記開閉装置および前記ガス供給系を制御する制御手段とを具備し、前記処理室内で被処理基板を処理後、前記開閉装置を開放して被処理基板を前記真空予備室へ搬送する処理システムであって、
前記制御手段は、前記開閉装置を開放する直前に、前記排気装置により前記処理室を真空引きし、前記処理室の圧力を前記真空予備室の圧力よりも小さくし、前記処理室と前記真空予備室との間の差圧が一定以上になった時点で、前記真空引きを継続しつつ、前記処理室内に不活性ガスを供給するように、前記排気装置、前記開閉装置および前記ガス供給系を制御し、
前記不活性ガスが、前記処理室の天壁に設けられたシャワーヘッドを介して前記処理室内に供給され、前記開閉装置を開放する直前に、前記処理室内に、前記処理室の天壁に設けられたシャワーヘッドから前記処理室の底壁に設けられた排気室へ向かうガス流を形成することを特徴とする処理システム。 - 前記制御手段は、前記処理室内の圧力よりも前記真空予備室内の圧力が高い状態で、前記開閉装置を開放するように、前記排気装置および前記開閉装置を制御することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の処理システム。
- 前記処理室と前記真空予備室との間の差圧が、15Pa以下であることを特徴とする請求項8に記載の処理システム。
- 前記処理室内への前記不活性ガスの供給を継続したまま、前記開閉装置を開放し、前記被処理基板を前記真空予備室に搬送することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の処理システム。
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JPH10270527A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 複合型真空処理装置 |
JPH11145084A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Anelva Corp | コンタクト膜バリア膜連続作成装置及び異種薄膜連続作成装置 |
JP2001326192A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Applied Materials Inc | 成膜方法及び装置 |
WO2002052617A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-04 | Aixtron Ag | Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten |
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CN111029282A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 热处理装置 |
CN111029282B (zh) * | 2019-12-24 | 2023-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 热处理装置 |
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