JPS6037871B2 - スパッタリング装置の作動方法 - Google Patents
スパッタリング装置の作動方法Info
- Publication number
- JPS6037871B2 JPS6037871B2 JP5435280A JP5435280A JPS6037871B2 JP S6037871 B2 JPS6037871 B2 JP S6037871B2 JP 5435280 A JP5435280 A JP 5435280A JP 5435280 A JP5435280 A JP 5435280A JP S6037871 B2 JPS6037871 B2 JP S6037871B2
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- JP
- Japan
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- chamber
- gas
- sputtering
- preparation
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウェハその他のサブストレートを仕込
室内からスパッタ処理室内と、次で取出室内とに順次に
導かせる式のスパッタリング装置の作動方法に関する。
室内からスパッタ処理室内と、次で取出室内とに順次に
導かせる式のスパッタリング装置の作動方法に関する。
従来この種作動方法として、スパッタ処理室内をスパッ
タガスを導入しつつ真空ポンプで排気する一方、これに
各仕切弁を介して蓮る仕込室と取出室とを夫々真空ポン
プで排気した状態から、次で各仕切弁を開いて該仕込室
内のサブストレートを該処理室内と該取出室内とに順次
に移行させるようにした式のものは知られるが、この場
合該仕込室と該取出室とは１回の作業の終了毎に、サプ
ストレート又はそのカセットの出入れに備えて一旦大気
に開放されるもので、かくて各室内は次で排気されるも
これに大気成分或は水蒸気成分が多少とも残存し勝ちで
あり、これは各仕切弁の開放によれば処理室側に導かれ
て該室内を汚染し勝ちである不都合を伴う。従来か）る
不都合を無くすべく、該仕込室と該取出室とを該処理室
に比し更に高真空に排気するようにした式のものは提案
されたが、これは排気系を大容量とするを要して高価と
なるを免れない。本発明はか）る不都合のない装置の作
動方法を提供することをその目的としたもので、スパッ
タ処理室内をスパッタガスを導入しつつ真空ポンプで排
気する一方、これに各仕切弁を介して薫る仕込室と取出
室とを夫々真空ポンプで排気した状態から、次で各仕切
弁を開いて該仕込室内のサブストレートを該処理室内と
該取出室内とに順次移行させる式のものにおいて、該仕
切弁の開弁に際し、該スパッタガスの導入を継続させる
と共に該仕込室と該取出室との排気を継続させて該処理
室内から該仕込室内と該取出室内とに向う該ガスの流れ
を生じさせるようにして成る。
タガスを導入しつつ真空ポンプで排気する一方、これに
各仕切弁を介して蓮る仕込室と取出室とを夫々真空ポン
プで排気した状態から、次で各仕切弁を開いて該仕込室
内のサブストレートを該処理室内と該取出室内とに順次
に移行させるようにした式のものは知られるが、この場
合該仕込室と該取出室とは１回の作業の終了毎に、サプ
ストレート又はそのカセットの出入れに備えて一旦大気
に開放されるもので、かくて各室内は次で排気されるも
これに大気成分或は水蒸気成分が多少とも残存し勝ちで
あり、これは各仕切弁の開放によれば処理室側に導かれ
て該室内を汚染し勝ちである不都合を伴う。従来か）る
不都合を無くすべく、該仕込室と該取出室とを該処理室
に比し更に高真空に排気するようにした式のものは提案
されたが、これは排気系を大容量とするを要して高価と
なるを免れない。本発明はか）る不都合のない装置の作
動方法を提供することをその目的としたもので、スパッ
タ処理室内をスパッタガスを導入しつつ真空ポンプで排
気する一方、これに各仕切弁を介して薫る仕込室と取出
室とを夫々真空ポンプで排気した状態から、次で各仕切
弁を開いて該仕込室内のサブストレートを該処理室内と
該取出室内とに順次移行させる式のものにおいて、該仕
切弁の開弁に際し、該スパッタガスの導入を継続させる
と共に該仕込室と該取出室との排気を継続させて該処理
室内から該仕込室内と該取出室内とに向う該ガスの流れ
を生じさせるようにして成る。
本発明実施の１例を別紙図面に付説明する。
図面で１は仕込室、２はスパッタ処理室、３は取出室を
示し、該仕込室１内は仕切弁４と、中間加熱室５と仕切
弁６とを順次に介して該処理室２内に蓮通されると共に
該処理室２内にスリット７と、中間冷却室８と仕切弁９
とを順次に介して該取出室３内に蓮通させるようにした
。該仕込室１内は適宜大気に開放されてこれにシリコン
ウェハその他のサブストレートを収容するカセットが出
入自在に収容されると共に排気導管１０を介して真空ポ
ンプ１１に蓮通されてこれにより適宜排気されるものと
し、更に該処理室２内に排気導管１２を介して真空ポン
プ１３に連通されてこれにより排気されると共に給気導
管１４を介してアルゴンガスその他のスパッタガスのガ
ス源１５に蓬通されてこれにより適宜該ガスを導入され
るようにし、更に該室２内には前記した仕込室１内から
導かれるサブストレートを背面から支承するプラテン１
６とこれに対向するターゲット１７とを備えて該サブス
トレートにスパッタリング処理が与えられるようにし、
更に該取出室３内は適宜大気に開放されてこれにサブス
トレートを収容するカセットが出入自在に収容されると
共に排気導管１８を介して前記した真空ポンプ１３に蓮
通されてこれにより適宜排気されるようにした。更に前
記した中間加熱室５と中間冷却室８とについても各排気
導管１９，２０を備えてこれを介して排気自在とする。
その作動方法を説明するに、仕込室１内を一旦大気に開
放してこれにサブストレートを収容した状態から次で閉
じて真空ポンプ１１により排気させると共にその前方の
中間加熱室５内も同じく排気させる。
示し、該仕込室１内は仕切弁４と、中間加熱室５と仕切
弁６とを順次に介して該処理室２内に蓮通されると共に
該処理室２内にスリット７と、中間冷却室８と仕切弁９
とを順次に介して該取出室３内に蓮通させるようにした
。該仕込室１内は適宜大気に開放されてこれにシリコン
ウェハその他のサブストレートを収容するカセットが出
入自在に収容されると共に排気導管１０を介して真空ポ
ンプ１１に蓮通されてこれにより適宜排気されるものと
し、更に該処理室２内に排気導管１２を介して真空ポン
プ１３に連通されてこれにより排気されると共に給気導
管１４を介してアルゴンガスその他のスパッタガスのガ
ス源１５に蓬通されてこれにより適宜該ガスを導入され
るようにし、更に該室２内には前記した仕込室１内から
導かれるサブストレートを背面から支承するプラテン１
６とこれに対向するターゲット１７とを備えて該サブス
トレートにスパッタリング処理が与えられるようにし、
更に該取出室３内は適宜大気に開放されてこれにサブス
トレートを収容するカセットが出入自在に収容されると
共に排気導管１８を介して前記した真空ポンプ１３に蓮
通されてこれにより適宜排気されるようにした。更に前
記した中間加熱室５と中間冷却室８とについても各排気
導管１９，２０を備えてこれを介して排気自在とする。
その作動方法を説明するに、仕込室１内を一旦大気に開
放してこれにサブストレートを収容した状態から次で閉
じて真空ポンプ１１により排気させると共にその前方の
中間加熱室５内も同じく排気させる。
これは取出室３及びその前方の中間冷却室８についても
略同様であり、該室３内は−旦大気に開くが次で閉じて
各室３，８内は真空ポンプ１３で排気される。更にスパ
ッタ処理室２内はガス源１５からスパッタガスを導入さ
れると共に真空ポンプ１３で排気されて該ガスの比較的
高真空の雰囲気となりスパッタリング作動に備えられる
。次でこの状態から各仕切弁４，６，９を開けば該仕込
室１内のサブストレートは該中間加熱室５と該処理室２
と萩中間冷却室８と該取出室３とに順次に移行され得る
が、本発明によればかかる作動に際し、該処理室２内に
前記したガスの導入を継続させると共に、該仕込室１と
該取出室３とに前記した排気を継続させ、かくて該ガス
に該処理室２内から該仕込室１内と該取出室３内とに向
う各流れを生じさせるようにした。この場合、処理室２
内は、前記した排気についてもこれを継続させるもので
、かくて該ガスを多少とも増量して導入させ、該室２内
を該ガスの例えば０．４Ｐａ（パスカル）程度の圧力に
保つべく設定する。図面で１５ａは該ガスの導入量を加
減する調整弁を示す。尚、各仕切弁４，６，９はその各
弁孔をスリット状とし、その前後に比較的大きな差圧を
生ずる型式とするが好ましい。このように本発明による
ときは、各仕切弁の関弁に際し、スパッタガスが処理室
内から仕込室内と、取出室内とに流れるもので、大気成
分その他がこれを逆流して処理室内に導かれるようなこ
とがなく、該室内を汚染から保護することが出釆、更に
この際排気系は特に大型とするを要せず経済的である等
の効果を有する。
略同様であり、該室３内は−旦大気に開くが次で閉じて
各室３，８内は真空ポンプ１３で排気される。更にスパ
ッタ処理室２内はガス源１５からスパッタガスを導入さ
れると共に真空ポンプ１３で排気されて該ガスの比較的
高真空の雰囲気となりスパッタリング作動に備えられる
。次でこの状態から各仕切弁４，６，９を開けば該仕込
室１内のサブストレートは該中間加熱室５と該処理室２
と萩中間冷却室８と該取出室３とに順次に移行され得る
が、本発明によればかかる作動に際し、該処理室２内に
前記したガスの導入を継続させると共に、該仕込室１と
該取出室３とに前記した排気を継続させ、かくて該ガス
に該処理室２内から該仕込室１内と該取出室３内とに向
う各流れを生じさせるようにした。この場合、処理室２
内は、前記した排気についてもこれを継続させるもので
、かくて該ガスを多少とも増量して導入させ、該室２内
を該ガスの例えば０．４Ｐａ（パスカル）程度の圧力に
保つべく設定する。図面で１５ａは該ガスの導入量を加
減する調整弁を示す。尚、各仕切弁４，６，９はその各
弁孔をスリット状とし、その前後に比較的大きな差圧を
生ずる型式とするが好ましい。このように本発明による
ときは、各仕切弁の関弁に際し、スパッタガスが処理室
内から仕込室内と、取出室内とに流れるもので、大気成
分その他がこれを逆流して処理室内に導かれるようなこ
とがなく、該室内を汚染から保護することが出釆、更に
この際排気系は特に大型とするを要せず経済的である等
の効果を有する。
図面は本発明を実施するための装置の１例の系統線図で
ある。 １・・・・・・位込室、２・・・・・・スパッタ処理室
、３・・・・・・取出室、４，６，９……仕切弁、１５
…・・・ガス源。
ある。 １・・・・・・位込室、２・・・・・・スパッタ処理室
、３・・・・・・取出室、４，６，９……仕切弁、１５
…・・・ガス源。
Claims (1)
- １ スパツタ処理室内をスパツタガスを導入しつつ真空
ポンプで排気する一方、これに各仕切弁を介して連る仕
込室と取出室とを夫々真空ポンプで排気した状態から、
次で各仕切弁を開いて該仕込室内のサブストレートを該
処理室内と該取出室内とに順次移行させる式のものにお
いて、該仕切弁の開弁に際し、該スパツタガスの導入を
継続させると共に該仕込室と該取出室との排気を継続さ
せて該処理室内から該仕込室内と該取出室内とに向う該
ガスの流れを生じさせるようにして成るスパツタリング
装置の作動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5435280A JPS6037871B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | スパッタリング装置の作動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5435280A JPS6037871B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | スパッタリング装置の作動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152971A JPS56152971A (en) | 1981-11-26 |
| JPS6037871B2 true JPS6037871B2 (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12968232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5435280A Expired JPS6037871B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | スパッタリング装置の作動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037871B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966121A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 反応室の大気開放方法 |
| JPS60174242U (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-19 | 株式会社日立国際電気 | リアクテイブイオンエツチング装置 |
| JPH02250962A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
| JP2756502B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アッシング処理装置および方法 |
-
1980
- 1980-04-25 JP JP5435280A patent/JPS6037871B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152971A (en) | 1981-11-26 |
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