JP4162764B2 - 仕込取出室、及びその仕込取出室を有する真空処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、仕込取出室内を急速排気する技術にかかり、特に、急速排気する際に水滴が生じないようにする技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造プロセスにおける薄膜形成工程やエッチング工程には、図3の符号101に示すようなマルチチャンバ型の真空処理装置が用いられている。
【0003】
この真空処理装置101は、搬送室110を中心とし、仕込取出室111と、処理室112〜116とが搬送室110周囲に配置されており、各処理室112〜116には、スパッタ装置やCVD装置等の薄膜形成装置や、加熱装置等の熱処理装置等が設けられており、搬送室110内には、各室111〜116間で基板の搬出入を行う基板搬送ロボット120が設けられている。
【0004】
このような真空処理装置101を用い、処理対象物である基板を各処理室112〜116内に搬入し、加熱、スパッタリング、CVD反応、エッチング等の処理を行う場合には、予め各処理室112〜116内を高真空状態にしておき、仕込取出室111と搬送室110との間の仕切バルブを閉じ、仕込取出室111を搬送室110から遮断させた状態で仕込取出室111内部を大気に開放し、その内部に基板を装着する。
【0005】
次いで、仕込取出室111内を真空排気し、高真空状態にした後、仕切バルブを開け、搬送ロボット120によって基板を取り出し、処理室112〜116内に搬入する。
【0006】
そして、処理が終了した基板は、仕込取出室111内に戻し、仕切バルブを閉じて仕込取出室111内部を搬送室110から遮断させた後、仕込取出室111内を大気に開放している。
【0007】
このように、基板の真空処理を行う際、仕込取出室111内は大気に開放されるが、搬送室110や各処理室112〜116の内部は大気に曝されることがなく、吸着ガスが少ない高品質の真空雰囲気が維持されるようになっている。
【0008】
しかしながら、仕込取出室111が大気に曝された場合、壁面の表面に水分が吸着してしまう。そして、仕込取出室111内部を真空排気しても、内部雰囲気は水分分圧が高いので、その状態で搬送室110内部と接続すると、水分が搬送室110内に進入してしまう。
【0009】
そこで従来技術でも対策が採られており、仕込取出室111内部の表面積をできるだけ小さくし、吸着水分量を減少させるために、仕込取出室111壁面を、電界研磨処理によって平滑化したSUS304、SUS306、又はアルミニウム合金によって構成したり、それらの金属表面に吸着ガスが少ないTiN膜を成膜した壁面が用いられていた。
【0010】
従来の真空処理装置101では、取り扱う基板が比較的小径であり、仕込取出室111内に1回に装着する基板枚数は、25枚乃至50枚程度と比較的多量であるため、仕込取出室111内を真空排気する時間は、基板1枚当たりの処理時間に与える影響は少ない。
従って、仕込取出室111内部を急速に真空排気することは求められておらず、上記のような、単にTiN膜を形成した仕込取出室等でも、実用上問題なかった。
【0011】
しかしながら近年では、基板が大口径化し、真空処理が複雑化したため、生産工程に柔軟性を持たせる必要性から、基板を1枚ずつ装着し、真空処理を行う真空処理装置が求められており、そのため、仕込取出室内に基板を1枚装着する度に真空排気し、処理室内へ搬入する必要が生じた。
【0012】
そのため、真空排気を行う回数が増え、仕込取出室内を急速に真空排気させる技術が求められている。ところが、上記のような仕込取出室111内部を急速に真空排気した場合には、内部が冷却され、大気中に浮遊していた異物が核となり、基板表面に水滴が付着すると言う問題が発生した。
【0013】
また、TiN膜等で水分吸着を防止した仕込取出室111であっても、大気に開放された際の吸着水分量は多く、そのため、仕込取出室111が高真空状態になっても、水分分圧が高い状態になり、搬送室110内へ基板を搬入する際に、仕込取出室111内の水分が搬送室110内に侵入し、更に、その水分が処理室112〜116に侵入すると、その結果、形成される薄膜の品質やエッチングプロセスに悪影響を与えるという問題が発生した。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、急速な真空排気ができ、また、処理室内に吸着ガスが侵入しない仕込取出室、及び、その仕込取出室を用いた真空処理装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、内部を大気から遮断する搬出入口を有し、真空排気可能に構成され、真空雰囲気が必要な真空室に接続され、大気に開放可能な仕込取出室であって、前記仕込取出室の壁面には、熱媒体の流路が設けられ、前記流路内に昇温された前記熱媒体が流されることにより、前記壁面を所定温度に昇温させられるように構成されたことを特徴とする。
【0016】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の仕込取出室であって、前記壁面は、表面に窒化チタン膜(TiN膜)を有することを特徴とする。
【0017】
請求項3記載の発明は、真空処理装置であって、真空室と、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の仕込取出室とを有し、前記真空室と前記仕込取出室とが開閉可能なゲートバルブを介して接続されたことを特徴とする。
【0018】
他方、請求項4記載の発明は、請求項1記載の仕込取出室内に処理対象物を搬入した後、前記仕込取出室内を真空排気する真空排気方法であって、前記仕込取出室の壁面を50℃以上70℃以下の温度範囲に昇温させた後、前記搬出入口を開け、大気中にある前記処理対象物を搬入することを特徴とする。
【0019】
請求項5記載の発明は、請求項4記載の真空排気方法であって、前記温度範囲での前記仕込取出室内部の平均自由行程の値が、前記仕込取出室の壁面間の短辺距離を超えるまで真空排気された後、前記壁面の温度を低下させることを特徴とする。
【0020】
本発明は上記のように構成されており、内部を大気から遮断する搬出入口を有し、真空排気可能に構成された仕込取出室であり、その壁面には、熱媒体の流路が設けられており、壁面を所定温度に昇温させられるようになっている。
【0021】
そして、仕込取出室壁面を昇温させた状態で搬出入口を開けた場合、内部に大気が侵入しても壁面には水分が吸着しにくくなっている。従って、その状態から仕込取出室を閉じ、急速に真空排気しても、内部の残留気体は壁面からの熱を受け、過冷却状態にはならず、水分が可飽和にならないので、壁面や基板表面に水滴が生じることはない。
【0022】
壁面の昇温温度は低いと大気中の水分が壁面に吸着してしまい、高すぎると、壁面からの放出ガスによって圧力が低下しにくくなるので、仕込取出室内を大気に開放する際には60℃前後、即ち50℃以上70℃以下の温度に昇温させるのが適当であり、ある程度の圧力まで低下した後は昇温を終了させ、壁面の温度を低下させることが適当である。
【0023】
昇温を終了させる圧力としては、仕込取出室内の残留気体同士の衝突が無視でき、壁面との衝突が主となる圧力、即ち、仕込取出室内の平均自由行程が、仕込取出室を直方体等で近似した場合、平均自由行程が壁面間の短辺距離よりも大きくなる圧力で、昇温を停止させるとよい。
【0024】
平均自由行程λは、分子直径δ(m)、温度T(°K)、圧力P(Pa)とし、次式で表される。
λ = 3.11×10-24・T/(P・δ2)
室温の空気の場合、10-3Paの圧力で、平均自由行程λは約6.8mである。
【0025】
なお、急速排気を行う場合には、仕込取出室壁面の材質も重要であり、ステンレスが露出するよりも、ステンレスがTiNコーティングされている方がよい。図4(a)、(b)に、ステンレスの放出ガス成分と、TiNコーティングした場合の放出ガス成分のグラフを示す。横軸は真空排気時間、縦軸は放出ガスの分圧比である。図中の数字は、検出された残留気体の電荷質量比(M/e)である。
【0026】
同図(a)、(b)のグラフを比較した場合、同一条件、同一排気時間では、水分(数字18)の放出ガス量は、TiNコーティングをした方が、ステンレスに比べて1/10になっている。従って、TiNコーティングをした場合、同じ水分量になるまで真空排気するための時間は、ステンレスに比べて1/10で済む。
【0027】
【発明の実施の形態】
図1の符号1は、本発明の真空処理装置の一実施形態を示しており、搬送室として用いる真空室10を有している。真空室10には、本発明の一実施形態の仕込取出室3と、図3に示したのと同様の複数の処理室を有している(処理室は図示しない)。
【0028】
仕込取出室3は、略直方体形状にされており、長手方向一端には搬出入口5が設けられ、他端は仕切バルブ4を介して真空室10に接続されている。仕切バルブ4を開けると、仕込取出室3内部と真空室10内部とは接続され、仕切バルブ4を閉じると仕込取出室3内部と真空室10内部とは互いに遮断されるようになっている。
【0029】
仕込取出室3の壁面6の表面にはTiN薄膜が成膜されており、水分等のガスが吸着しにくく、しかも、表面積が小さくなるようにされている。また、仕込取出室3の壁面6内には、図示しない配管が引き回されており、その配管は、符号9で示すように、仕込取出室3外部に取り出され、温水器8に接続されている。
【0030】
温水器8内には、図示しないヒータが設けられており、ヒータによって、内部に封入された熱媒体(例えば、水)を加熱できるように構成されている。また、温水器8内には、図示しないポンプが設けられており、配管9及び壁面6内の配管を流路とし、ヒータで加熱された熱媒体を流して仕込取出室3の壁面を昇温させられるように構成されている。
【0031】
また、仕込取出室3の内壁面6は、幅Wは40cm、高さHは5mm乃至15mmに形成されており、真空室10内に配置された基板搬送ロボットが、仕込取出室3内の基板を搬出入できる範囲内で、できるだけ壁面6の表面積が小さくなるように構成されている。
【0032】
このような真空処理装置1を使用する場合には、予め仕切バルブ4と搬出入口5とを閉じて真空室10及び仕込取出室3内部を真空排気すると共に、温水器8を動作させ、温度制御した温水を仕込取出室3の壁面6内に流し、仕込取出室3を60℃を昇温させておく。
【0033】
仕込取出室3が60℃に温度上昇した後、図示しないベント系により、仕込取出室3内に窒素ガスを導入する。仕込取出室3内が大気圧に復圧した後、仕込取出室3を60℃に維持したまま、搬出入口5を開け、基板を内部に装着する。
【0034】
次に、搬出入口5を閉じ、仕込取出室3の温度を60℃に維持しながら内部を急速に真空排気すると、壁面6からの熱により、仕込取出室3内部は過冷却に成らず、従って、水滴は発生せず、また、水分が壁面6に吸着しないので、水分は、窒素ガスと一緒に真空排気される。
【0035】
この場合、仕込取出室3の壁面6は小面積に形成されているので、壁面6からの放出ガスも少なく、仕込取出室3内部は、極めて短時間で高真空状態に達する。
【0036】
仕込取出室3を直方体と見た場合、仕込取出室3の内部雰囲気の平均自由行程が、壁面間の短辺距離を超えた圧力まで真空排気されたところで、仕込取出室3への温水供給を終了させる。
【0037】
仕込取出室3の短辺距離が5mmの場合、平均自由行程がその値になる圧力は約1×10-3Torr(1.33×10-1Pa)である。
温水供給の終了により、壁面6の温度は急速に低下し、それと伴って、仕込取出室3の壁面6からの放出ガス量も少なくなるので、圧力は急速に低くなる。
【0038】
仕込取出室3内が所定圧力まで真空排気された後、仕切バルブ4を開け、真空室10内に配置された搬送ロボットを動作させ、真空室10を介して、仕込取出室3内の基板を図示しない処理室に搬送し、薄膜形成作業等の真空処理を行う。
【0039】
その真空処理中は、仕切バルブ4を閉じ、仕込取出室3内を真空状態にしておき、真空処理が終了した後、仕切バルブ4を開け、真空室10を介して、基板を仕込取出室3内に搬入する。
【0040】
次いで、仕切バルブ4を閉じ、仕込取出室3の温度を60℃に昇温させて真空排気を行った後、窒素ガスを導入し、搬出入口5を開けて仕込取出室3内を大気に開放し、真空処理が終了した基板を大気中に取り出す。
【0041】
このように、仕込取出室3内が大気に開放される際には、仕込取出室3の壁面6は60℃に維持されているので、大気中の水分が吸着せず、従って、真空室10や各処理室内に水分が侵入しないようになっている。
【0042】
以上説明したように、本発明の真空処理装置1や仕込取出室3を用いると、仕込取出室3の内壁面6に付着する水分が少なく、また、過冷却による水滴の発生がないので、高品質の真空処理を行えるようになっている。
【0043】
上記の仕込取出室3の排気時間と到達圧力の関係を図2のグラフに示す。
図2の曲線L1〜L3は、大気に開放する際、及び真空排気の初期には壁面を60℃に昇温させ、真空排気時間が2.5時間に達したときに60℃への昇温を終了させ、その後、温度が低下した状態で真空排気を継続した場合(符号L1)と、昇温させず、室温(23℃)のまま大気開放と真空排気を行った場合(符号L2)と、室温(23℃)で大気に開放した後、真空排気の初期に壁面を100℃に加熱し、真空排気時間が2時間に達した後、加熱を終了し、真空排気を継続した場合(符号L3)である。
【0044】
本発明の場合は、真空排気の初期は圧力が高いものの、昇温を終了すると圧力が急速に低下し、短時間で非常に低い圧力に到達している。
それに比べ、室温の場合(符号L2の曲線)は初期の圧力は低いものの、壁面からの水分放出により、圧力の低下速度は遅くなっている。
【0045】
100℃加熱のベーキングを行った場合は、加熱終了後の圧力が急速に低下しているが、大気開放されている際に壁面に水分が吸着しているため、低圧力になると水分放出によって圧力低下速度が遅くなり、到達圧力は低くならない。
このように、仕込取出室内の到達圧力には、大気開放の際の壁面温度が重大な影響を与えていることが分かる。
【0046】
なお、上記実施例では、仕込取出室3を取り付ける真空室として、搬送室として用いた真空室10を示したが、図示しない処理室についても、仕込取出室3はゲートバルブを介して取り付けられていることになっている。従って、本発明の仕込取出室は、搬送室を有さず、直接処理室に取り付けられるものも含まれる。
【0047】
このように、本発明の仕込取出室は、高品質の真空雰囲気を必要とする真空室に直接取り付けても、他の真空室を介して取り付けてもよい。要するに、本発明の仕込取出室は、高品質の真空状態を必要とする真空処理装置に広く用いることが可能である。
【0048】
また、上記実施例では、「仕込取出室」について説明したが、実際には、基板を搬出入する際に、基板搬入を行う仕込室と、基板搬出を行う取出室とを別々に設ける場合があるが、本発明は、その名称にとらわれず、仕込室についても、取出室についても適用できる。要するに、水分分圧が低い高品質な真空雰囲気が必要な真空室に接続され、大気に開放される真空室を広く含むものである。
【0049】
【発明の効果】
仕込取出室の壁面に水分が付着しないので、急速に真空排気しても基板や仕込取出室壁面に水滴が生じることはない。
また、真空排気する雰囲気中に水分が少ないので、短い真空排気時間で非常に低い圧力まで到達することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空処理装置の一例
【図2】本発明の仕込取出室の真空排気時間と到達圧力の関係を示すグラフ
【図3】従来技術のマルチチャンバ型真空処理装置の一例
【図4】室温におけるステンレスとTiNコーティングの放出ガス成分
(a):ステンレス(SUS-304L) (b):TiNコーティング
【符号の説明】
1……真空処理装置 3……仕込取出室 4……ゲートバルブ 6……壁面 10……真空室(搬送室)
Claims (5)
- 内部を大気から遮断する搬出入口を有し、真空排気可能に構成され、真空雰囲気が必要な真空室に接続され、大気に開放可能な仕込取出室であって、
前記仕込取出室の壁面には、熱媒体の流路が設けられ、前記流路内に昇温された前記熱媒体が流されることにより、前記壁面を所定温度に昇温させられるように構成されたことを特徴とする仕込取出室。 - 前記壁面は、表面に窒化チタン膜(TiN膜)を有することを特徴とする請求項1記載の仕込取出室。
- 真空室と、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の仕込取出室とを有し、
前記真空室と前記仕込取出室とが開閉可能なゲートバルブを介して接続された真空処理装置。 - 請求項1記載の仕込取出室内に処理対象物を搬入した後、前記仕込取出室内を真空排気する真空排気方法であって、
前記仕込取出室の壁面を50℃以上70℃以下の温度範囲に昇温させた後、前記搬出入口を開け、大気中にある前記処理対象物を搬入することを特徴とする真空排気方法。 - 前記温度範囲での前記仕込取出室内部の平均自由行程の値が、前記仕込取出室の壁面間の短辺距離を超えるまで真空排気された後、前記壁面の温度を低下させることを特徴とする請求項4記載の真空排気方法。
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JP17844898A JP4162764B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 仕込取出室、及びその仕込取出室を有する真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP17844898A JP4162764B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 仕込取出室、及びその仕込取出室を有する真空処理装置 |
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JP2000005587A JP2000005587A (ja) | 2000-01-11 |
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ID=16048704
Family Applications (1)
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JP17844898A Expired - Lifetime JP4162764B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 仕込取出室、及びその仕込取出室を有する真空処理装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4162764B2 (ja) |
-
1998
- 1998-06-25 JP JP17844898A patent/JP4162764B2/ja not_active Expired - Lifetime
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