JPS5966121A - 反応室の大気開放方法 - Google Patents
反応室の大気開放方法Info
- Publication number
- JPS5966121A JPS5966121A JP17612682A JP17612682A JPS5966121A JP S5966121 A JPS5966121 A JP S5966121A JP 17612682 A JP17612682 A JP 17612682A JP 17612682 A JP17612682 A JP 17612682A JP S5966121 A JPS5966121 A JP S5966121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- atmosphere
- inactive gas
- wall
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、反応室の大気開放方法に係り、特にドライプ
ロセスにてウェハにエツチング、デボジノンヨシ等所定
の処理を施こす半導体製造装置に好適な反応室の大気開
放方法に関するものである。
ロセスにてウェハにエツチング、デボジノンヨシ等所定
の処理を施こす半導体製造装置に好適な反応室の大気開
放方法に関するものである。
ドライプロセスにてウェハにエツチング、デボジノンヨ
シ等所定の処理を施こす半導体製造装置を構成する反応
室の従来の大気開放方法を第１図により説明する。
シ等所定の処理を施こす半導体製造装置を構成する反応
室の従来の大気開放方法を第１図により説明する。
第１図で、反応室１０には、ウェノ・載置用の試料台１
１炉内設され、反応室１０の蓋１２には、試料台１１と
対向する位「で電極１３が設けられている。電極１３ｉ
こは、反応ガス供給路１４と放出孔１５とが設けられ、
反応ガス供給路１４には、反応ガス供給装置（図示省略
）と不活性ガス供給装置１６とに連結された導管１７が
連結されている。蓋１２は、ブラケット１８を介して昇
降装置１９に設けられ、また、反応室１０と排気装置（
図示省略）とは、升加が設けられた導管２１で連結され
ている。
１炉内設され、反応室１０の蓋１２には、試料台１１と
対向する位「で電極１３が設けられている。電極１３ｉ
こは、反応ガス供給路１４と放出孔１５とが設けられ、
反応ガス供給路１４には、反応ガス供給装置（図示省略
）と不活性ガス供給装置１６とに連結された導管１７が
連結されている。蓋１２は、ブラケット１８を介して昇
降装置１９に設けられ、また、反応室１０と排気装置（
図示省略）とは、升加が設けられた導管２１で連結され
ている。
升加が閉弁されるとともに排気装置の運転が停止される
。その後、不活性ガスが、不活性ガス供給装置１６より
導管１７を経て１反応カス供給路１４に供給され反応ガ
ス供給路１４を流通した後に放出孔１５から放出される
ことで、反応室１０は真空ブレークされる。反応室１０
の真空ブレーク完了後、放出孔１５からの不活性ガスの
放出が停止され、それとともに蓋辻が昇降装置１９で上
昇されて反応室１０は、第１図に示すように大気開放さ
れる。
。その後、不活性ガスが、不活性ガス供給装置１６より
導管１７を経て１反応カス供給路１４に供給され反応ガ
ス供給路１４を流通した後に放出孔１５から放出される
ことで、反応室１０は真空ブレークされる。反応室１０
の真空ブレーク完了後、放出孔１５からの不活性ガスの
放出が停止され、それとともに蓋辻が昇降装置１９で上
昇されて反応室１０は、第１図に示すように大気開放さ
れる。
このような反応室の大気開放方法では、次のような欠点
があった。
があった。
（１）反応室の大気開放中、反応室の内壁や電極（は大
気に晒された状態になるため、電極内に残留したり反応
室の内壁や電極表面に付着している反応カスと大気とが
反応し固体状の反応生成物が生じる。この反応生成物は
、処理中のウェハに落下堆積するようになるため、ウニ
・・の歩留りが低下する。
気に晒された状態になるため、電極内に残留したり反応
室の内壁や電極表面に付着している反応カスと大気とが
反応し固体状の反応生成物が生じる。この反応生成物は
、処理中のウェハに落下堆積するようになるため、ウニ
・・の歩留りが低下する。
し発明の目的〕
本発明の目的は、反応室の大気開放中に反応生成物が生
じるのを防止することで、ウェハの歩留りを向上できる
反応室の大気開放方法を提供することにある。
じるのを防止することで、ウェハの歩留りを向上できる
反応室の大気開放方法を提供することにある。
本発明は、反応室の大気開放中、反応室の内壁と、反応
室の蓋に設けられた電極とを不活性ガスでシールドする
ことで、反応室の大気開放中、電極内に残留したり反応
室の内壁や電極表面に付着している反応カスと大気とを
遮断し反応生成物が生じるのを防止しようとするもので
ある。
室の蓋に設けられた電極とを不活性ガスでシールドする
ことで、反応室の大気開放中、電極内に残留したり反応
室の内壁や電極表面に付着している反応カスと大気とを
遮断し反応生成物が生じるのを防止しようとするもので
ある。
本発明の一実施例を第２図により説明する。なお、第２
図で、第１図と同−装置等は同一符号で示し説明を省略
する。
図で、第１図と同−装置等は同一符号で示し説明を省略
する。
第２図で、反応室１０の底部番こは、複数の放出孔（図
示省略）が設けられたリング状の不活性カス放出管ρが
反応室１０の内壁に沿って内設されている。不活性カス
放出管ηには、導管１７より分岐した導管る゛が連結さ
れている。
示省略）が設けられたリング状の不活性カス放出管ρが
反応室１０の内壁に沿って内設されている。不活性カス
放出管ηには、導管１７より分岐した導管る゛が連結さ
れている。
反応室１０が上記した操作により真空ブレークされ、そ
の後、第２図番こ示すように、蓋１２は昇降装置１９で
１昇させられる。それとともに、放出孔１５からは不活
性ガスが再び放出され、また、不活性カス供給装置１６
より導管１７．２３を経て不活性ガス放出管２２１こ不
活性カスが供給され放出孔から反応室１０の内壁に沿っ
て放出される。この結果、反応室１０の内壁と電極１３
とは、不活性カスによりそれぞれシールドされる。
の後、第２図番こ示すように、蓋１２は昇降装置１９で
１昇させられる。それとともに、放出孔１５からは不活
性ガスが再び放出され、また、不活性カス供給装置１６
より導管１７．２３を経て不活性ガス放出管２２１こ不
活性カスが供給され放出孔から反応室１０の内壁に沿っ
て放出される。この結果、反応室１０の内壁と電極１３
とは、不活性カスによりそれぞれシールドされる。
このような反応室１０の内壁と電極１３との不活性ガス
によるシールドは、反応室１０の大気開放状態持される
。
によるシールドは、反応室１０の大気開放状態持される
。
本実施例のような反応室の大気開放方法では、次のよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
（１） 反応室の大気開放中、反応室の内壁は不活性
カス放出管の放出孔から放出される不活性カスでシール
ドされ、また、電極は、電極の放出孔から放出される不
活性ガスでシールドされているため、電極内部に残留し
たり反応室の内壁や電極表面に付着している反応カスと
大気とが遮断され、したがって、反応生成物が生じるの
を防止できる。
カス放出管の放出孔から放出される不活性カスでシール
ドされ、また、電極は、電極の放出孔から放出される不
活性ガスでシールドされているため、電極内部に残留し
たり反応室の内壁や電極表面に付着している反応カスと
大気とが遮断され、したがって、反応生成物が生じるの
を防止できる。
（２）反応生成物が生じないため、処理中のウェハへの
反応生成物の落下、堆積が防止でき、したがって、ウェ
ハの歩留りを向上できる。
反応生成物の落下、堆積が防止でき、したがって、ウェ
ハの歩留りを向上できる。
本発明は、以上説明したように、反応室の大気開放中、
反応室の内壁と反応室の蓋に設けられた電極とを不活性
ガスでシールドするということで、反応生成物が生じる
のを防止できるので、ウェハの歩留りを向上できるとい
う効果がある。
反応室の内壁と反応室の蓋に設けられた電極とを不活性
ガスでシールドするということで、反応生成物が生じる
のを防止できるので、ウェハの歩留りを向上できるとい
う効果がある。
第１図は、従来の反応室の大気開放状態での縦断面図、
第２図は、本発明を実施した反応室の一例を示す大気開
放状態の縦断面図である。 １０ ・ 反応室、１１ 試料台、１２ 山蓋、
１３・電極、１６ ・ 不活性ガス供給装置、１９・
・・昇降装置、ｎ・・・・不活性カス放出管 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
第２図は、本発明を実施した反応室の一例を示す大気開
放状態の縦断面図である。 １０ ・ 反応室、１１ 試料台、１２ 山蓋、
１３・電極、１６ ・ 不活性ガス供給装置、１９・
・・昇降装置、ｎ・・・・不活性カス放出管 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- １ ドライプロセスにてウェハに所定の処理を施こす装
置胃で、該装置を構成する反応室を真空ブレーク後大気
開放する方法において、前記反応室の人気開放中、反応
室の内壁と、反応室の蓋に設けられた電極とを不活性ガ
スでシールドすることを特徴とする反応室の大気開放方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17612682A JPS5966121A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 反応室の大気開放方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17612682A JPS5966121A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 反応室の大気開放方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966121A true JPS5966121A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=16008123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17612682A Pending JPS5966121A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 反応室の大気開放方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174242U (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-19 | 株式会社日立国際電気 | リアクテイブイオンエツチング装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588335A (en) * | 1978-12-07 | 1980-07-04 | Kokusai Electric Co Ltd | Automatic conveying mechanism for plasma etching/ stripping device |
| JPS56152971A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Ulvac Corp | Sputtering device |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP17612682A patent/JPS5966121A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588335A (en) * | 1978-12-07 | 1980-07-04 | Kokusai Electric Co Ltd | Automatic conveying mechanism for plasma etching/ stripping device |
| JPS56152971A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Ulvac Corp | Sputtering device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174242U (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-19 | 株式会社日立国際電気 | リアクテイブイオンエツチング装置 |
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