JPH03232224A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH03232224A JPH03232224A JP2931190A JP2931190A JPH03232224A JP H03232224 A JPH03232224 A JP H03232224A JP 2931190 A JP2931190 A JP 2931190A JP 2931190 A JP2931190 A JP 2931190A JP H03232224 A JPH03232224 A JP H03232224A
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- Japan
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- plasma
- magnetic field
- wafer
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体製造工程において用いられるプラズマ処
理装置の改良に関するものである。
理装置の改良に関するものである。
Ｊ従来の技術〕
第２図は従来のプラズマ処理装置の概略構成図げあり、
図において、■はガス導入口、２はマイクロ波導波管、
３は放電プラズマ、４は放電管、５は処理室、６は被処
理ウェハ、７はウェハステージ、８は排気口である。
図において、■はガス導入口、２はマイクロ波導波管、
３は放電プラズマ、４は放電管、５は処理室、６は被処
理ウェハ、７はウェハステージ、８は排気口である。
次に動作について説明する。
被処理ウェハ６をウェハステージ７上に設置後、処理室
５内を排気口８より真空排気する。次にガス導入口１よ
りガスを導入し、処理室５内を０． １〜１０Ｔｏ ｒ
ｒ程度の圧力に保持する。続いてマイクロ波を導波管
２内に導入し、放電管４内にプラズマ３を発生させる。
５内を排気口８より真空排気する。次にガス導入口１よ
りガスを導入し、処理室５内を０． １〜１０Ｔｏ ｒ
ｒ程度の圧力に保持する。続いてマイクロ波を導波管
２内に導入し、放電管４内にプラズマ３を発生させる。
このようにして被処理ウェハ６のプラズマ処理が行われ
る。
る。
〔発明が解決しようとする課題］
従来のプラズマ処理装置は以上のように構成されており
、プラズマ放電で生じた荷電粒子が被処理ウェハに到達
して被処理ウェハステ−ジを与えるのを防止するために
、放電管を長くする等の手段で、放電プラズマを被処理
ウェハから遠ざける等の工夫が必要とされ、荷電粒子以
外のプラズマ処理の所望の反応種も、被処理ウェハに到
達しに（くなり、そのために処理速度が低下するという
欠点があった。
、プラズマ放電で生じた荷電粒子が被処理ウェハに到達
して被処理ウェハステ−ジを与えるのを防止するために
、放電管を長くする等の手段で、放電プラズマを被処理
ウェハから遠ざける等の工夫が必要とされ、荷電粒子以
外のプラズマ処理の所望の反応種も、被処理ウェハに到
達しに（くなり、そのために処理速度が低下するという
欠点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、プラズマ放電で生成された荷電粒子が被処理ウ
ェハに到達するのを選択的に防止しつつ、高い処理速度
が得られるプラズマ処理装置を得ることを目的とする。
もので、プラズマ放電で生成された荷電粒子が被処理ウ
ェハに到達するのを選択的に防止しつつ、高い処理速度
が得られるプラズマ処理装置を得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
この発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマ生成部と
処理室との間に、局部的な磁場を印加する手段を設けた
ものである。
処理室との間に、局部的な磁場を印加する手段を設けた
ものである。
この発明においては、プラズマ生成部と処理室との間に
、局部的な磁場を印加する手段を設けたたので、放電プ
ラズマ中の荷電粒子の処理ウェハへの到達を防止するこ
とができ、また高密度なプラズマが得られ、プラズマ処
理の所望の反応種のウェハへの到達度が増大し、プラズ
マ処理の速度を増大させることができる。
、局部的な磁場を印加する手段を設けたたので、放電プ
ラズマ中の荷電粒子の処理ウェハへの到達を防止するこ
とができ、また高密度なプラズマが得られ、プラズマ処
理の所望の反応種のウェハへの到達度が増大し、プラズ
マ処理の速度を増大させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるプラズマ処理ｌ１の
概略構成図を示し、第２図と同一符号は同一または相当
部分を示し、９は放電管４の上方のプラズマ発生部の外
周に取りつけられた磁場印加機構であり、ここでは６極
カプス磁場を用いてい放電管４に対して垂直に磁場を発
生することで、より効果的にプラズマガス中の粒子に作
用するようにしている。
概略構成図を示し、第２図と同一符号は同一または相当
部分を示し、９は放電管４の上方のプラズマ発生部の外
周に取りつけられた磁場印加機構であり、ここでは６極
カプス磁場を用いてい放電管４に対して垂直に磁場を発
生することで、より効果的にプラズマガス中の粒子に作
用するようにしている。
次に作用効果について説明する。
従来例と同様にして発生した放電プラズマ３は、その周
囲の放電管４の周囲に設置された磁場印加機構が発生す
る磁場により、その場に閉じ込められるようになる。
囲の放電管４の周囲に設置された磁場印加機構が発生す
る磁場により、その場に閉じ込められるようになる。
このため、特に放電プラズマ３中のイオン等の荷電粒子
は効果的に磁場中に閉じ込められ、ラジカルや中性粒子
等の所望の粒子が選択的に被処理ウェハ６に到達するよ
うになる。
は効果的に磁場中に閉じ込められ、ラジカルや中性粒子
等の所望の粒子が選択的に被処理ウェハ６に到達するよ
うになる。
なお、上記実施例では、磁場を発生する磁場印加機構９
を、放電管４の上方のプラズマ発生部の外周に取りつけ
たものを示したが、この磁場印加機構９の設置場所は、
プラズマ発生部の近く、即ち、放電管４上部に設ける程
、プラズマガスを閉じ込める作用が大きくなり、高密度
なプラズマガスを得ることができ、反対に、放電管４下
部の被処理ウェハに近い場所に設置する程、荷電粒子の
被処理ウェハへの到達を低減する作用が大きくなる。
を、放電管４の上方のプラズマ発生部の外周に取りつけ
たものを示したが、この磁場印加機構９の設置場所は、
プラズマ発生部の近く、即ち、放電管４上部に設ける程
、プラズマガスを閉じ込める作用が大きくなり、高密度
なプラズマガスを得ることができ、反対に、放電管４下
部の被処理ウェハに近い場所に設置する程、荷電粒子の
被処理ウェハへの到達を低減する作用が大きくなる。
また、上記実施例では、磁場印加機構として、６極カプ
ス磁場を用いたが、用いられる機構はこれに限られるも
のではなく、プラズマガスを効果的に閉じ込めることが
できるものであればよい。
ス磁場を用いたが、用いられる機構はこれに限られるも
のではなく、プラズマガスを効果的に閉じ込めることが
できるものであればよい。
以上のように、この発明に係るプラズマ処理装置によれ
ば、プラズマ生成部と処理室との間に、局部的な磁場を
印加する手段を設けたので、放電プラズマ中の荷電粒子
が閉じ込められて、ウエノ１への到達を効果的に防止で
き、また、高密度なプラズマが得られるので、処理速度
を増大させることができるという効果がある。
ば、プラズマ生成部と処理室との間に、局部的な磁場を
印加する手段を設けたので、放電プラズマ中の荷電粒子
が閉じ込められて、ウエノ１への到達を効果的に防止で
き、また、高密度なプラズマが得られるので、処理速度
を増大させることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の概
略構成図、第２図は従来装置のプラズマ処理装置の概略
構成図である。 図において、１はガス導入口、２はマイクロ波導波管、
３は放電プラズマ、４は放電管、５は処理室、６は被処
理ウェハ、７はウェハステージ、８は排気口、９は磁場
印加機構である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
略構成図、第２図は従来装置のプラズマ処理装置の概略
構成図である。 図において、１はガス導入口、２はマイクロ波導波管、
３は放電プラズマ、４は放電管、５は処理室、６は被処
理ウェハ、７はウェハステージ、８は排気口、９は磁場
印加機構である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）放電管内にガスを導入して、ガスにマイクロ波を
導入してプラズマを発生させて、プラズマ処理室に配置
された目標物を処理するプラズマ処理装置において、 プラズマ発生部とプラズマ処理室との間に局部的に磁場
を印加する手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2931190A JPH03232224A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2931190A JPH03232224A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232224A true JPH03232224A (ja) | 1991-10-16 |
Family
ID=12272675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2931190A Pending JPH03232224A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03232224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1041280A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6017396A (en) * | 1995-08-04 | 2000-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma film forming apparatus that prevents substantial irradiation damage to the substrate |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338263A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-08 | Toshiba Corp | Plasma treating apparatus of semiconductors |
| JPS56147438A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Microplasma treatment apparatus |
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS6159821A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Ulvac Corp | ラジカルビ−ムプロセス装置 |
| JPS6165420A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Anelva Corp | 高周波放電装置とそれを利用する放電反応装置 |
| JPS6293834A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-30 | Hitachi Ltd | イオン源 |
| JPH01293521A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2931190A patent/JPH03232224A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338263A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-08 | Toshiba Corp | Plasma treating apparatus of semiconductors |
| JPS56147438A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Microplasma treatment apparatus |
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS6159821A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Ulvac Corp | ラジカルビ−ムプロセス装置 |
| JPS6165420A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Anelva Corp | 高周波放電装置とそれを利用する放電反応装置 |
| JPS6293834A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-30 | Hitachi Ltd | イオン源 |
| JPH01293521A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6017396A (en) * | 1995-08-04 | 2000-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma film forming apparatus that prevents substantial irradiation damage to the substrate |
| KR100264405B1 (ko) * | 1995-08-04 | 2000-09-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | 성막 장치 및 성막 방법 |
| JPH1041280A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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