JPS6355938A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6355938A JPS6355938A JP19883286A JP19883286A JPS6355938A JP S6355938 A JPS6355938 A JP S6355938A JP 19883286 A JP19883286 A JP 19883286A JP 19883286 A JP19883286 A JP 19883286A JP S6355938 A JPS6355938 A JP S6355938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- plasma
- sample
- waveguide
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241000723353 Chrysanthemum Species 0.000 description 2
- 235000007516 Chrysanthemum Nutrition 0.000 description 2
- 241000287828 Gallus gallus Species 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に係り、特に電
子の共鳴運動によって処理ガスをプラズマ化し、該プラ
ズマにより半導体素子基板（以下、基板と略）等の試料
をエツチング処理、成膜処理するのに好適なマイクロ波
プラズマ処理装置に関するものである。
子の共鳴運動によって処理ガスをプラズマ化し、該プラ
ズマにより半導体素子基板（以下、基板と略）等の試料
をエツチング処理、成膜処理するのに好適なマイクロ波
プラズマ処理装置に関するものである。
電子の共鳴運動によって処理ガスをプラズマ化し、該プ
ラズマにより基板等の試料を処理するマイクロ波プラズ
マ処理装置としては、例えば、特公昭５８−１３６２７
号公報等に記載されているものが知られている。
ラズマにより基板等の試料を処理するマイクロ波プラズ
マ処理装置としては、例えば、特公昭５８−１３６２７
号公報等に記載されているものが知られている。
上記従来技術は、減圧排気され処理ガスが導入されて該
処理ガスがプラズマ化されるチャンバー内面のガスプラ
ズマによる面荒れ番二ついて配慮されていない。つまり
、ガスプラズマによる試料の処理毎にチャンバ内面もこ
のガスプラズマに反応して不均一な而荒れを順次生じる
。このため、試料の被処理面に対応するガスプラズマが
不均一、具体的には、磁場分布にも依存するが、チャン
バー中心から半径数センチメートルの同心置載で特に大
きな面荒れが生じ、ガスプラズマが中心部に集中するよ
うになり、試料の被処理面内での均一処理が行える期間
つまり個数が減少するといった問題が生じる。
処理ガスがプラズマ化されるチャンバー内面のガスプラ
ズマによる面荒れ番二ついて配慮されていない。つまり
、ガスプラズマによる試料の処理毎にチャンバ内面もこ
のガスプラズマに反応して不均一な而荒れを順次生じる
。このため、試料の被処理面に対応するガスプラズマが
不均一、具体的には、磁場分布にも依存するが、チャン
バー中心から半径数センチメートルの同心置載で特に大
きな面荒れが生じ、ガスプラズマが中心部に集中するよ
うになり、試料の被処理面内での均一処理が行える期間
つまり個数が減少するといった問題が生じる。
本発明の目的は、試料の被処理面に対応するガスプラズ
マな均一維持できる期間を長くすることで、試料の被処
理面内での均一処理が行える個数を増加できるマイクロ
波プラズマ処理装置を提供することにある。
マな均一維持できる期間を長くすることで、試料の被処
理面内での均一処理が行える個数を増加できるマイクロ
波プラズマ処理装置を提供することにある。
上記目的は、マイクロ波プラズマ処理装置を、マイクロ
波を発振するマグネトロンと、前記マイクロ波を伝播さ
せる導波管と、前記マイクロ波による電場と直交する磁
場を生成する磁場生成手段と、前記電場と前記磁場との
相乗作用で内部に放電が生じ該放電により処理ガスがプ
ラズマ化されるチャンバーと、該チャンバー内を減圧排
気する真空排気手段と、前記処理ガスを前記チャンバー
内に導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記チャン
バーの前記ガスプラズマと接する而に予め面荒れを生じ
させたものとすることにより、達成される。
波を発振するマグネトロンと、前記マイクロ波を伝播さ
せる導波管と、前記マイクロ波による電場と直交する磁
場を生成する磁場生成手段と、前記電場と前記磁場との
相乗作用で内部に放電が生じ該放電により処理ガスがプ
ラズマ化されるチャンバーと、該チャンバー内を減圧排
気する真空排気手段と、前記処理ガスを前記チャンバー
内に導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記チャン
バーの前記ガスプラズマと接する而に予め面荒れを生じ
させたものとすることにより、達成される。
チャシバ−のガスプラズマと接する面に予め面荒れを生
じさせることで、試料処理毎に生じる面荒れ分の影響度
合いが小さくなる。したがって、試料の被処理面に対応
するガスプラズマを均一維持できる期間が長くなり、均
一処理できる試料の個数が増加する。
じさせることで、試料処理毎に生じる面荒れ分の影響度
合いが小さくなる。したがって、試料の被処理面に対応
するガスプラズマを均一維持できる期間が長くなり、均
一処理できる試料の個数が増加する。
本発明の一実施例を第１図、第２図により説明する。
第１図で、チャンバー１０は、この場合、上部チキンバ
ー１１と下部チャンバー化とでなっている。
ー１１と下部チャンバー化とでなっている。
上部チャンバー１１は、この場合、透明石英で形成され
、下部チャンバー認は、ステンレス鋼製である。上部チ
ャンバー１１と下部チャンバー化とは、シール手段を介
して気密に構設されている。上部チャンバー１１の外側
には、上部チャンバー１１と同心状に導波管別が設けら
れている。導波管頒の上部には、導波管４が連結されて
いる。マイクロ波を発振するマグネトロン（は、導波管
２０．２１の連結側とは反対側で導波管ガに設けられて
いる。導波管（９）の外側薔こは、導波管（９）と同心
状に磁場生成手段である電磁６切が環装されている。真
空排気手段である真空排気装置間は、排気管５１を介し
て下部チャンバー化に連結されている。支持軸ωは、チ
キンバー１０の中心を軸心として下部チャンバー１２内
に設けられている。支持軸ωの上端には、試料台６１が
試料設置面を上面とし略水平に設けられている。処理ガ
ス導入手段である処理ガス導入装置１ｊ７０は、ガス導
入管７１を介し上部チャンバー１１に連結されている。
、下部チャンバー認は、ステンレス鋼製である。上部チ
ャンバー１１と下部チャンバー化とは、シール手段を介
して気密に構設されている。上部チャンバー１１の外側
には、上部チャンバー１１と同心状に導波管別が設けら
れている。導波管頒の上部には、導波管４が連結されて
いる。マイクロ波を発振するマグネトロン（は、導波管
２０．２１の連結側とは反対側で導波管ガに設けられて
いる。導波管（９）の外側薔こは、導波管（９）と同心
状に磁場生成手段である電磁６切が環装されている。真
空排気手段である真空排気装置間は、排気管５１を介し
て下部チャンバー化に連結されている。支持軸ωは、チ
キンバー１０の中心を軸心として下部チャンバー１２内
に設けられている。支持軸ωの上端には、試料台６１が
試料設置面を上面とし略水平に設けられている。処理ガ
ス導入手段である処理ガス導入装置１ｊ７０は、ガス導
入管７１を介し上部チャンバー１１に連結されている。
上部チャンバー１１のガスプラズマと接する面（第１図
で、２点鎖線で示す面）は、例えば、ブラスト処理され
て予め面荒れを生じている。（数μｍ〜数十μｍ５例え
ば、３μｒＩＴ〜５０μｍ、数百μｍの面荒れを生じさ
せた場合、ガスプラズマの均一維持は当初よりできなく
なる。）また、ブラスト処理される上部チャシバ−１１
の面は、基板（資）の被処理面の面積に対して充分に太
きなマイクロ波照射面積を有している。
で、２点鎖線で示す面）は、例えば、ブラスト処理され
て予め面荒れを生じている。（数μｍ〜数十μｍ５例え
ば、３μｒＩＴ〜５０μｍ、数百μｍの面荒れを生じさ
せた場合、ガスプラズマの均一維持は当初よりできなく
なる。）また、ブラスト処理される上部チャシバ−１１
の面は、基板（資）の被処理面の面積に対して充分に太
きなマイクロ波照射面積を有している。
第２図は、本実施例の効果を具体的に示すもので、５イ
ンチ、 Ｐｏ１ｙ−８１基板をフッ素系ガスを処理ガ
スに用いてエツチングした場合の基板処理個数と基板内
エツチング均一性との関係線図である。
ンチ、 Ｐｏ１ｙ−８１基板をフッ素系ガスを処理ガ
スに用いてエツチングした場合の基板処理個数と基板内
エツチング均一性との関係線図である。
第２図で、上部チャンバーのガスプラズマと接する面に
予め面荒れを生じさせていない場合は、実線で示すよう
な関係を得た。つまり、初期のエツチング均一性±３チ
に対し基板処理個数が４００個以上になるとエッチジグ
均一性は順次低下する。これに対し、本実施例では、−
点鎖線で示すような関係を得た。つまり、初期のエツチ
ング均一性±３チに対してエツチング均一性が低下し始
めるのは、基波処理個数が１６００個以上になってから
であり、それまでは、良好なエツチング均一性を維持す
ることができる。また、エツチング均一性が低下し始め
た場合は、上部チャンバーを新しいものに文換する必要
があるが、本実施例では、この変換サイクルを長々でき
、上部チヤンパ−の変換個数を減少できる。したがって
装置の稼動率が向上し、全体としてのスループットが向
上すると共に、メンテナンス費用を節減できる。
予め面荒れを生じさせていない場合は、実線で示すよう
な関係を得た。つまり、初期のエツチング均一性±３チ
に対し基板処理個数が４００個以上になるとエッチジグ
均一性は順次低下する。これに対し、本実施例では、−
点鎖線で示すような関係を得た。つまり、初期のエツチ
ング均一性±３チに対してエツチング均一性が低下し始
めるのは、基波処理個数が１６００個以上になってから
であり、それまでは、良好なエツチング均一性を維持す
ることができる。また、エツチング均一性が低下し始め
た場合は、上部チャンバーを新しいものに文換する必要
があるが、本実施例では、この変換サイクルを長々でき
、上部チヤンパ−の変換個数を減少できる。したがって
装置の稼動率が向上し、全体としてのスループットが向
上すると共に、メンテナンス費用を節減できる。
なお、基板のプラズマ処理の操作は、従来技術と同様の
操作になされるため、説明を省略する。
操作になされるため、説明を省略する。
１本発明によれば、試料処理毎睡こ生じる面荒れ分の影
響度合いを小さくできるので、試料の被処理面に対流す
るガスプラズマを均一維持できる期間を長くでき均一処
理できる試料の個数を増加できるという効果が得られる
。
響度合いを小さくできるので、試料の被処理面に対流す
るガスプラズマを均一維持できる期間を長くでき均一処
理できる試料の個数を増加できるという効果が得られる
。
第１図は、本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ処理
装置の構成図、第２図は、基板処理個数と基板内エツチ
ング均一性との関係線図である。 １０・・・・・・チャンバー、ｌｌ・・・・・・上部チ
ャンバー、１２・・・・・・下部チャシバ−１加、２１
・・・・・・導波管、菊・・・・・・マグネトロン、菊
・・・・・・電磁石、父・・・・・・真空排気袋オＩ図
装置の構成図、第２図は、基板処理個数と基板内エツチ
ング均一性との関係線図である。 １０・・・・・・チャンバー、ｌｌ・・・・・・上部チ
ャンバー、１２・・・・・・下部チャシバ−１加、２１
・・・・・・導波管、菊・・・・・・マグネトロン、菊
・・・・・・電磁石、父・・・・・・真空排気袋オＩ図
Claims (1)
- １、マイクロ波を発振するマグネトロンと、前記マイク
ロ波を伝播させる導波管と、前記マイクロ波による電場
と直交する磁場を生成する磁場生成手段と、前記電場と
前記磁場との相乗作用で内部に放電が生じ該放電により
処理ガスがプラズマ化されるチャンバーと、該チャンバ
ー内を減圧排気する真空排気手段と、前記処理ガスを前
記チャンバー内に導入する処理ガス導入手段とを具備し
た装置において、前記チャンバーの前記ガスプラズマと
接する面に予め面荒れを生じさせることを特徴とするマ
イクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19883286A JPS6355938A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19883286A JPS6355938A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355938A true JPS6355938A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16397658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19883286A Pending JPS6355938A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397421A (en) * | 1992-10-20 | 1995-03-14 | Sony Corporation | Powder beam etching machine |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP19883286A patent/JPS6355938A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397421A (en) * | 1992-10-20 | 1995-03-14 | Sony Corporation | Powder beam etching machine |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0145302B1 (ko) | 얇은 막의 형성방법 | |
| JPS6355938A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH07273092A (ja) | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP3595885B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 | |
| KR100272143B1 (ko) | 반도체 제조장치 및 그 드라이클리닝 방법 | |
| JP2515885B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0734253A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2001127047A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000355768A (ja) | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニング方法 | |
| JPH0242724A (ja) | 処理装置および処理装置のクリーニング方法 | |
| JP3646756B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002043289A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2001118698A (ja) | 表面波励起プラズマの生成方法およびプラズマ発生装置 | |
| JPH08330294A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH03232224A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04318175A (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2880586B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63250821A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH02250325A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0382779A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2990838B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS63114985A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH05335274A (ja) | プラズマ生成装置 | |
| JPH0436484A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH01110733A (ja) | マイクロ波表面処理装置 |