JP2001127047A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2001127047A JP2001127047A JP30907499A JP30907499A JP2001127047A JP 2001127047 A JP2001127047 A JP 2001127047A JP 30907499 A JP30907499 A JP 30907499A JP 30907499 A JP30907499 A JP 30907499A JP 2001127047 A JP2001127047 A JP 2001127047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical electrode
- reaction chamber
- cylindrical
- magnetic
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 円筒電極へのダメージを極力減らす。
【解決手段】 基板処理のための反応室２を構成するチ
ャンバ１と、反応室２内を排気する排気機構と、反応室
２内に処理ガスを導入するガス導入機構と、反応室２内
の空間を囲うように配された放電用の円筒電極３と、該
円筒電極３に高周波電力を印加する手段２３と、円筒電
極３の周囲に配され該円筒電極３の内面に沿う円筒軸方
向に磁力線を発するリング磁石６、７とを備えたプラズ
マ処理装置において、円筒電極３の周囲のリング磁石
６、７から発せられる磁力線Ｇのうちの多くのものが円
筒電極３の内面を斜めに透過するようにリング磁石６、
７の外周部にリターンヨーク３０を設けた。
ャンバ１と、反応室２内を排気する排気機構と、反応室
２内に処理ガスを導入するガス導入機構と、反応室２内
の空間を囲うように配された放電用の円筒電極３と、該
円筒電極３に高周波電力を印加する手段２３と、円筒電
極３の周囲に配され該円筒電極３の内面に沿う円筒軸方
向に磁力線を発するリング磁石６、７とを備えたプラズ
マ処理装置において、円筒電極３の周囲のリング磁石
６、７から発せられる磁力線Ｇのうちの多くのものが円
筒電極３の内面を斜めに透過するようにリング磁石６、
７の外周部にリターンヨーク３０を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基板やガ
ラス基板に対して薄膜を形成したり、薄膜のエッチング
を行ったりするプラズマ処理装置に関する。
ラス基板に対して薄膜を形成したり、薄膜のエッチング
を行ったりするプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板に処理をするプラズマ処理装置のな
かで、磁石の磁場を利用したマグネトロン放電型プラズ
マ処理装置がある。マグネトロン放電型プラズマ処理装
置（一般的にＭＭＴ装置と呼ばれる）は、陰極から放出
された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続け
て周回することにより長寿命となって電離生成率を高め
るので、多く使用されている容量結合型プラズマ処理装
置よりも高密度のプラズマが得られる。
かで、磁石の磁場を利用したマグネトロン放電型プラズ
マ処理装置がある。マグネトロン放電型プラズマ処理装
置（一般的にＭＭＴ装置と呼ばれる）は、陰極から放出
された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続け
て周回することにより長寿命となって電離生成率を高め
るので、多く使用されている容量結合型プラズマ処理装
置よりも高密度のプラズマが得られる。
【０００３】この種のマグネトロン型プラズマ処理装置
として、特開平７−２０１８３１号公報に記載のものが
知られており、図４（ａ）はそれと類似の従来のマグネ
トロン型プラズマ処理装置の概略構成を示す。
として、特開平７−２０１８３１号公報に記載のものが
知られており、図４（ａ）はそれと類似の従来のマグネ
トロン型プラズマ処理装置の概略構成を示す。
【０００４】１は反応室２を構成するチャンバ本体であ
り、チャンバ本体１の上にセラミック製の絶縁材５を介
してアルミニウムで形成された円筒電極３が配設され、
円筒電極３の上にセラミック製の絶縁材４を介してチャ
ンバ蓋８が配設され、チャンバ蓋８の中央に絶縁材９を
介して補助電極としての上部電極１１が配設されてい
る。上部電極１１の下面側には、ガス導入口（ガス導入
手段）１２から導入された処理ガスを反応室２内にシャ
ワー状に供給する多数の孔１０ａを有したシャワー板１
０が設けられている。
り、チャンバ本体１の上にセラミック製の絶縁材５を介
してアルミニウムで形成された円筒電極３が配設され、
円筒電極３の上にセラミック製の絶縁材４を介してチャ
ンバ蓋８が配設され、チャンバ蓋８の中央に絶縁材９を
介して補助電極としての上部電極１１が配設されてい
る。上部電極１１の下面側には、ガス導入口（ガス導入
手段）１２から導入された処理ガスを反応室２内にシャ
ワー状に供給する多数の孔１０ａを有したシャワー板１
０が設けられている。
【０００５】円筒電極３及びその上下両端の絶縁材４、
５は反応室２の周壁の一部を構成しており、反応室２の
中央のプラズマ生成領域としての空間を囲んでいる。円
筒電極３の上下両端の絶縁材４、５の外周側には、上下
に離間してリング磁石６、７が配設されている。リング
磁石６、７は、半径方向両端（内周端と外周端）に磁極
を持ち、上下のリング磁石６、７の磁極の向きが逆向き
に設定されている。従って、内周部の磁極同士と外周部
の磁極同士が異極となっており、これにより、図４
（ｂ）に示すように、円筒電極３の内周面に沿って円筒
軸方向に磁力線Ｇを形成している。
５は反応室２の周壁の一部を構成しており、反応室２の
中央のプラズマ生成領域としての空間を囲んでいる。円
筒電極３の上下両端の絶縁材４、５の外周側には、上下
に離間してリング磁石６、７が配設されている。リング
磁石６、７は、半径方向両端（内周端と外周端）に磁極
を持ち、上下のリング磁石６、７の磁極の向きが逆向き
に設定されている。従って、内周部の磁極同士と外周部
の磁極同士が異極となっており、これにより、図４
（ｂ）に示すように、円筒電極３の内周面に沿って円筒
軸方向に磁力線Ｇを形成している。
【０００６】また、チャンバ本体１、円筒電極３、絶縁
材４、５、チャンバ蓋８等で構成された反応室２の内部
中央下部には、シリコンウェーハなどの基板Ｗを設置す
るサセプタ２０が配設されている。また、第１の高周波
電源２３が位相整合器２４を介して円筒電極３に、第２
の高周波電源２５が位相整合器２６を介して上部電極１
１につながれており、各電極３、１１に高周波電力が印
加されるようになっている。さらに、反応室２の周壁底
部には、反応室２内の雰囲気ガスを排気する排気口（排
気手段）１３が設けられている。なお、１５は、上部電
極１１を覆うカバーである。
材４、５、チャンバ蓋８等で構成された反応室２の内部
中央下部には、シリコンウェーハなどの基板Ｗを設置す
るサセプタ２０が配設されている。また、第１の高周波
電源２３が位相整合器２４を介して円筒電極３に、第２
の高周波電源２５が位相整合器２６を介して上部電極１
１につながれており、各電極３、１１に高周波電力が印
加されるようになっている。さらに、反応室２の周壁底
部には、反応室２内の雰囲気ガスを排気する排気口（排
気手段）１３が設けられている。なお、１５は、上部電
極１１を覆うカバーである。
【０００７】次に基板処理の流れについて図４（ａ）を
用いて説明する。まず、図示略の基板搬送手段によっ
て、反応室２内のサセプタ２０上に基板Ｗを搬送し、図
示略の排気ポンプを用いて反応室２内を真空にする。次
にその基板Ｗをその処理に適した温度に加熱する。基板
Ｗの加熱には、例えば抵抗加熱ヒータを埋め込んだサセ
プタを使用したり、赤外線ランプを使用したりする。あ
るいは、不活性ガスを使用してプラズマを生成し、その
エネルギを利用して基板を加熱する方法をとることもで
きる。
用いて説明する。まず、図示略の基板搬送手段によっ
て、反応室２内のサセプタ２０上に基板Ｗを搬送し、図
示略の排気ポンプを用いて反応室２内を真空にする。次
にその基板Ｗをその処理に適した温度に加熱する。基板
Ｗの加熱には、例えば抵抗加熱ヒータを埋め込んだサセ
プタを使用したり、赤外線ランプを使用したりする。あ
るいは、不活性ガスを使用してプラズマを生成し、その
エネルギを利用して基板を加熱する方法をとることもで
きる。
【０００８】基板Ｗを所定温度に加熱したら、ガス導入
口１２から処理ガスを供給し、シャワー板１０の孔１０
ａから反応室２内にシャワー状に吹き出させる。同時
に、第１の高周波電源２３と第２の高周波電源２５から
高周波電力をそれぞれ円筒電極３並びに上部電極１１に
印加し、反応室２内にプラズマを発生させる。その際、
円筒電極３の内周面に沿って軸方向に磁力線Ｇが形成さ
れるので、円筒電極３の内周表面近傍に高密度のリング
状のプラズマが生成され、それが反応室２の内部に拡散
することで、基板Ｗ上で均一なプラズマ密度になって、
基板Ｗに均一な薄膜が形成される。なお、ガスの供給か
ら停止、高周波電力の供給から停止までの一連の処理の
間、排気ポンプやガス導入手段によって、反応室２内は
一定の圧力に保たれている。そして、処理が終わった基
板Ｗは、搬送手段を用いて反応室２外へ搬送される。
口１２から処理ガスを供給し、シャワー板１０の孔１０
ａから反応室２内にシャワー状に吹き出させる。同時
に、第１の高周波電源２３と第２の高周波電源２５から
高周波電力をそれぞれ円筒電極３並びに上部電極１１に
印加し、反応室２内にプラズマを発生させる。その際、
円筒電極３の内周面に沿って軸方向に磁力線Ｇが形成さ
れるので、円筒電極３の内周表面近傍に高密度のリング
状のプラズマが生成され、それが反応室２の内部に拡散
することで、基板Ｗ上で均一なプラズマ密度になって、
基板Ｗに均一な薄膜が形成される。なお、ガスの供給か
ら停止、高周波電力の供給から停止までの一連の処理の
間、排気ポンプやガス導入手段によって、反応室２内は
一定の圧力に保たれている。そして、処理が終わった基
板Ｗは、搬送手段を用いて反応室２外へ搬送される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のマグネトロン放電型プラズマ処理装置を運転した場
合、反応室２の外周側に配したリング磁石６、７の働き
によって、反応室２の周辺部に高密度なプラズマが生成
されるが、従来の装置では、図４（ｂ）に示すように、
リング磁石６、７による磁場強度が弱いため、円筒電極
３の内面に対して垂直に透過する磁力線Ｇの本数が多く
なり、そのために円筒電極３の上端部分と下端部分の損
耗（ダメージ）が激しくなる傾向があった。
来のマグネトロン放電型プラズマ処理装置を運転した場
合、反応室２の外周側に配したリング磁石６、７の働き
によって、反応室２の周辺部に高密度なプラズマが生成
されるが、従来の装置では、図４（ｂ）に示すように、
リング磁石６、７による磁場強度が弱いため、円筒電極
３の内面に対して垂直に透過する磁力線Ｇの本数が多く
なり、そのために円筒電極３の上端部分と下端部分の損
耗（ダメージ）が激しくなる傾向があった。
【００１０】これについて検討したところ、成膜時に使
用するガスの化学反応により反応室２内に水分が発生す
るが、この水分が、円筒電極３の内面に垂直に生成され
ている磁力線に沿って円筒電極３の内面に衝突すること
により、アルミニウム製の円筒電極３の内面にダメージ
を与えていることが分かった。
用するガスの化学反応により反応室２内に水分が発生す
るが、この水分が、円筒電極３の内面に垂直に生成され
ている磁力線に沿って円筒電極３の内面に衝突すること
により、アルミニウム製の円筒電極３の内面にダメージ
を与えていることが分かった。
【００１１】本発明は、上記事情を考慮し、円筒電極へ
のダメージを極力減らすことのできるプラズマ処理装置
を提供することを目的とする。
のダメージを極力減らすことのできるプラズマ処理装置
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
処理のための反応室を構成するチャンバと、反応室内を
排気する排気機構と、反応室内に処理ガスを導入するガ
ス導入機構と、反応室内の空間を囲うように配された放
電用の円筒電極と、該円筒電極に高周波電力を印加する
手段と、前記円筒電極の周囲に配され該円筒電極の内面
に沿う円筒軸方向に磁力線を発する磁力線発生手段とを
備えたプラズマ処理装置において、前記円筒電極の周囲
の磁力線発生手段から発せられる磁力線のうちの多くの
ものが円筒電極の内面を斜めに透過するように前記磁力
線発生手段が構成されていることを特徴とする。
処理のための反応室を構成するチャンバと、反応室内を
排気する排気機構と、反応室内に処理ガスを導入するガ
ス導入機構と、反応室内の空間を囲うように配された放
電用の円筒電極と、該円筒電極に高周波電力を印加する
手段と、前記円筒電極の周囲に配され該円筒電極の内面
に沿う円筒軸方向に磁力線を発する磁力線発生手段とを
備えたプラズマ処理装置において、前記円筒電極の周囲
の磁力線発生手段から発せられる磁力線のうちの多くの
ものが円筒電極の内面を斜めに透過するように前記磁力
線発生手段が構成されていることを特徴とする。
【００１３】この発明では、円筒電極の内面を透過する
磁力線の多くが円筒電極の内面に斜めに透過する。従っ
て、反応室内にて発生した水分が磁力線に沿って円筒電
極の内面に衝突しても、斜めに当たるものが多くなるた
め、円筒電極に与える衝撃が少なくなり、円筒電極のダ
メージを極力を減らすことができる。
磁力線の多くが円筒電極の内面に斜めに透過する。従っ
て、反応室内にて発生した水分が磁力線に沿って円筒電
極の内面に衝突しても、斜めに当たるものが多くなるた
め、円筒電極に与える衝撃が少なくなり、円筒電極のダ
メージを極力を減らすことができる。
【００１４】円筒電極の内面を透過する磁力線の多くを
円筒電極の内面に斜めに透過させるようにするには、例
えば、（ａ）円筒電極の円筒軸方向に間隔をおいて配設
した２つのリング磁石の外周側の異極同士をリターンヨ
ークで結合して、磁場強度そのものを高める方法、
（ｂ）円筒電極の周囲に配するリング磁石を１個にし
て、その磁極の向きを円筒電極の円筒軸方向に向け、円
筒軸方向を向いた２つの磁極間で磁力線を発生させるよ
うにする方法、（ｃ）前記（ｂ）のリング磁石の両端に
ヨークを設けて、各ヨークの先端を円筒電極に斜めに向
かうよう曲げる方法、等を採用することができる。
円筒電極の内面に斜めに透過させるようにするには、例
えば、（ａ）円筒電極の円筒軸方向に間隔をおいて配設
した２つのリング磁石の外周側の異極同士をリターンヨ
ークで結合して、磁場強度そのものを高める方法、
（ｂ）円筒電極の周囲に配するリング磁石を１個にし
て、その磁極の向きを円筒電極の円筒軸方向に向け、円
筒軸方向を向いた２つの磁極間で磁力線を発生させるよ
うにする方法、（ｃ）前記（ｂ）のリング磁石の両端に
ヨークを設けて、各ヨークの先端を円筒電極に斜めに向
かうよう曲げる方法、等を採用することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１（ａ）は実施形態のマグネトロ
ン放電型プラズマ処理装置の断面図、（ｂ）はその要部
断面図である。このプラズマ処理装置が、図４（ａ）に
示した従来のプラズマ処理装置と異なる点は、円筒電極
３の外周側に円筒軸方向に間隔をおいて配置した２つの
リング磁石６、７の外周側にリターンヨーク３０を配置
した点であり、それ以外の構成は図４（ａ）の装置と同
じであるので、図中同一要素に同一符号を付して説明を
省略する。
基づいて説明する。図１（ａ）は実施形態のマグネトロ
ン放電型プラズマ処理装置の断面図、（ｂ）はその要部
断面図である。このプラズマ処理装置が、図４（ａ）に
示した従来のプラズマ処理装置と異なる点は、円筒電極
３の外周側に円筒軸方向に間隔をおいて配置した２つの
リング磁石６、７の外周側にリターンヨーク３０を配置
した点であり、それ以外の構成は図４（ａ）の装置と同
じであるので、図中同一要素に同一符号を付して説明を
省略する。
【００１６】リング磁石６、７は、半径方向の両端（内
周端と外周端）に磁極（リング磁石６、７中の矢印が磁
極の方向を示す）を持ち、上下のリング磁石６、７の磁
極の向きが逆向きに設定され、内周部の磁極同士と外周
部の磁極同士が異極となっている。そして、外周側の異
極同士が、リターンヨーク３０によって短絡結合されて
いる。このように、リング磁石６、７とリターンヨーク
３０とによって磁力線発生手段が構成されており、この
リターンヨーク３０を付けたことにより、磁場強度が増
大され、図１（ｂ）に示すように、円筒電極３の内周面
に沿って形成される磁力線Ｇが広がりを持つようにな
る。このため、円筒電極３の内面に対して垂直に透過す
る磁力線の本数が減り、従来ダメージのあった部分に水
分による衝撃がかかりにくくなって、結果的に円筒電極
３に対するダメージが低減する。
周端と外周端）に磁極（リング磁石６、７中の矢印が磁
極の方向を示す）を持ち、上下のリング磁石６、７の磁
極の向きが逆向きに設定され、内周部の磁極同士と外周
部の磁極同士が異極となっている。そして、外周側の異
極同士が、リターンヨーク３０によって短絡結合されて
いる。このように、リング磁石６、７とリターンヨーク
３０とによって磁力線発生手段が構成されており、この
リターンヨーク３０を付けたことにより、磁場強度が増
大され、図１（ｂ）に示すように、円筒電極３の内周面
に沿って形成される磁力線Ｇが広がりを持つようにな
る。このため、円筒電極３の内面に対して垂直に透過す
る磁力線の本数が減り、従来ダメージのあった部分に水
分による衝撃がかかりにくくなって、結果的に円筒電極
３に対するダメージが低減する。
【００１７】また、リターンヨーク３０によって磁場強
度が大きくなることにより、マイナスイオンがチャージ
アップして電極電位が小さくなり、それによってプラス
イオンのエネルギーが小さくなり、結果的に円筒電極３
の表面に与えるダメージが小さくなる効果もある。
度が大きくなることにより、マイナスイオンがチャージ
アップして電極電位が小さくなり、それによってプラス
イオンのエネルギーが小さくなり、結果的に円筒電極３
の表面に与えるダメージが小さくなる効果もある。
【００１８】なお、上記実施形態では、２つのリング磁
石６、７の外周の異極同士をリターンヨーク３０で結合
した場合を示したが、図２に示す他の実施形態のよう
に、円筒電極３の外周側に配置する磁力線発生手段を１
個のリング磁石３１で構成し、その１個のリング磁石３
１の磁極の向き（矢印が磁極の向きを示す）を円筒電極
３の円筒軸方向に向けて配置し、円筒軸方向を向いた２
つの磁極間で磁力線Ｇを発生するようにしてもよい。こ
のように構成した場合、円筒軸方向の両端の磁極間をつ
なぐように生成される磁力線Ｇの多くが、円筒電極３の
内面を斜めに透過するようになるので、前述した水分に
よる円筒電極３の表面に対するダメージを減らせる。
石６、７の外周の異極同士をリターンヨーク３０で結合
した場合を示したが、図２に示す他の実施形態のよう
に、円筒電極３の外周側に配置する磁力線発生手段を１
個のリング磁石３１で構成し、その１個のリング磁石３
１の磁極の向き（矢印が磁極の向きを示す）を円筒電極
３の円筒軸方向に向けて配置し、円筒軸方向を向いた２
つの磁極間で磁力線Ｇを発生するようにしてもよい。こ
のように構成した場合、円筒軸方向の両端の磁極間をつ
なぐように生成される磁力線Ｇの多くが、円筒電極３の
内面を斜めに透過するようになるので、前述した水分に
よる円筒電極３の表面に対するダメージを減らせる。
【００１９】また、図３の実施形態に示すように、前記
の１個のリング磁石３１の両端にヨーク３２を設けて、
各ヨーク３２の先端を円筒電極３に斜めに向かうよう曲
げることでも、磁力線Ｇの多くを円筒電極３の内面に斜
めに透過させることができるので、前述した水分による
円筒電極３の表面に対するダメージを減らせる。
の１個のリング磁石３１の両端にヨーク３２を設けて、
各ヨーク３２の先端を円筒電極３に斜めに向かうよう曲
げることでも、磁力線Ｇの多くを円筒電極３の内面に斜
めに透過させることができるので、前述した水分による
円筒電極３の表面に対するダメージを減らせる。
【００２０】なお、図３の例においては、ヨーク３２の
曲げ角度を変えることにより、磁力線Ｇの形や向きを調
整することができるため、磁力線Ｇの形や向きによる悪
影響を最小限に減らせる設定にすることができる。
曲げ角度を変えることにより、磁力線Ｇの形や向きを調
整することができるため、磁力線Ｇの形や向きによる悪
影響を最小限に減らせる設定にすることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
円筒電極の周囲の磁力線発生手段から発せられる磁力線
のうちの多くのものが円筒電極の内面を斜めに透過する
ように設定されているので、反応室内にて発生した水分
が円筒電極に与える衝撃を少なくすることができ、円筒
電極のダメージを極力を減らすことができる。
円筒電極の周囲の磁力線発生手段から発せられる磁力線
のうちの多くのものが円筒電極の内面を斜めに透過する
ように設定されているので、反応室内にて発生した水分
が円筒電極に与える衝撃を少なくすることができ、円筒
電極のダメージを極力を減らすことができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施形態のプラズマ処理装置
の断面図、（ｂ）はその要部の拡大断面図である。
の断面図、（ｂ）はその要部の拡大断面図である。
【図２】本発明の別の実施形態の要部断面図である。
【図３】本発明の更に別の実施形態の要部断面図であ
る。
る。
【図４】（ａ）は従来のプラズマ処理装置の概略構成を
示す断面図、（ｂ）はその要部の拡大断面図である。
示す断面図、（ｂ）はその要部の拡大断面図である。
１ チャンバ本体（チャンバ） ２ 反応室 ３ 円筒電極 ５ チャンバ蓋（チャンバ） ６，７ リング磁石（磁力線発生手段） ２３ 高周波電源 ３０ リターンヨーク ３１ リング磁石（磁力線発生手段） ３２ ヨーク
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 FA01 HA06 JA02 JA04 JA15 KA16 KA34 KA45 4K057 DA16 DB06 DB20 DD01 DM03 DM24 DN01 5F004 BA05 BA13 BB07 BB13 BB26 BB29 CA06 FA08 5F045 AA08 EB03 EB05 EH04 EH06 EH08 EH13 EH16 EH19 EK11
Claims (1)
- 【請求項１】 基板処理のための反応室を構成するチャ
ンバと、反応室内を排気する排気機構と、反応室内に処
理ガスを導入するガス導入機構と、反応室内の空間を囲
うように配された放電用の円筒電極と、該円筒電極に高
周波電力を印加する手段と、前記円筒電極の周囲に配さ
れ該円筒電極の内面に沿う円筒軸方向に磁力線を発する
磁力線発生手段とを備えたプラズマ処理装置において、 前記円筒電極の周囲の磁力線発生手段から発せられる磁
力線のうちの多くのものが円筒電極の内面を斜めに透過
するように前記磁力線発生手段が構成されていることを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30907499A JP2001127047A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30907499A JP2001127047A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127047A true JP2001127047A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17988576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30907499A Pending JP2001127047A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127047A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7272497B2 (en) * | 2003-03-24 | 2007-09-18 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Vehicle navigation system with multi-use display |
| US8364136B2 (en) | 1999-02-01 | 2013-01-29 | Steven M Hoffberg | Mobile system, a method of operating mobile system and a non-transitory computer readable medium for a programmable control of a mobile system |
| US8369967B2 (en) | 1999-02-01 | 2013-02-05 | Hoffberg Steven M | Alarm system controller and a method for controlling an alarm system |
| US8892495B2 (en) | 1991-12-23 | 2014-11-18 | Blanding Hovenweep, Llc | Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-interface therefore |
| US10361802B1 (en) | 1999-02-01 | 2019-07-23 | Blanding Hovenweep, Llc | Adaptive pattern recognition based control system and method |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP30907499A patent/JP2001127047A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8892495B2 (en) | 1991-12-23 | 2014-11-18 | Blanding Hovenweep, Llc | Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-interface therefore |
| US8364136B2 (en) | 1999-02-01 | 2013-01-29 | Steven M Hoffberg | Mobile system, a method of operating mobile system and a non-transitory computer readable medium for a programmable control of a mobile system |
| US8369967B2 (en) | 1999-02-01 | 2013-02-05 | Hoffberg Steven M | Alarm system controller and a method for controlling an alarm system |
| US9535563B2 (en) | 1999-02-01 | 2017-01-03 | Blanding Hovenweep, Llc | Internet appliance system and method |
| US10361802B1 (en) | 1999-02-01 | 2019-07-23 | Blanding Hovenweep, Llc | Adaptive pattern recognition based control system and method |
| US7272497B2 (en) * | 2003-03-24 | 2007-09-18 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Vehicle navigation system with multi-use display |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5021114A (en) | Apparatus for treating material by using plasma | |
| JP4527431B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6076483A (en) | Plasma processing apparatus using a partition panel | |
| US6727654B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US6861643B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| JPH11297673A (ja) | プラズマ処理装置及びクリーニング方法 | |
| JPH08288096A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6167835B1 (en) | Two chamber plasma processing apparatus | |
| JPH11111697A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5543688A (en) | Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method | |
| JP2001127047A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100325404B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
| JP2000268995A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10298786A (ja) | 表面処理装置 | |
| JP2001093699A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR102617710B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
| JP2000353693A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000355768A (ja) | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニング方法 | |
| JPS5867870A (ja) | 磁界圧着マグネトロン形高速プラズマエッチングおよび反応性イオンエッチング装置 | |
| JP3077144B2 (ja) | 試料保持装置 | |
| JP2000277294A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2002043289A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP3646756B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2009176991A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3319971B2 (ja) | プラズマ処理装置 |