JPH11297673A - プラズマ処理装置及びクリーニング方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH11297673A JPH11297673A JP10104341A JP10434198A JPH11297673A JP H11297673 A JPH11297673 A JP H11297673A JP 10104341 A JP10104341 A JP 10104341A JP 10434198 A JP10434198 A JP 10434198A JP H11297673 A JPH11297673 A JP H11297673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- magnetic field
- side wall
- generation chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32688—Multi-cusp fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、成膜後のクリーニングをむらなく均
一に行うことができることは勿論、効率的で高速にクリ
ーニングが行われて生産性の高いプラズマ処理装置及び
クリーニング方法を提供することを課題とする。 【解決手段】ほぼ円筒状の側壁８とその側壁８の上方部
を覆う天板９とから形成され、内部にプラズマを生成す
るプラズマ生成室１の天板９に互いに極性を順次違えて
ほぼ同心円状に配置されると共に、前記側壁８の外周に
互いに極性を順次違えて配置され、プラズマ処理室１内
部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場３０を形成
する複数の永久磁石２０ａ，２０ｂが、上下方向に移動
可能に支持されているプラズマ処理装置。
一に行うことができることは勿論、効率的で高速にクリ
ーニングが行われて生産性の高いプラズマ処理装置及び
クリーニング方法を提供することを課題とする。 【解決手段】ほぼ円筒状の側壁８とその側壁８の上方部
を覆う天板９とから形成され、内部にプラズマを生成す
るプラズマ生成室１の天板９に互いに極性を順次違えて
ほぼ同心円状に配置されると共に、前記側壁８の外周に
互いに極性を順次違えて配置され、プラズマ処理室１内
部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場３０を形成
する複数の永久磁石２０ａ，２０ｂが、上下方向に移動
可能に支持されているプラズマ処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置及
びクリーニング方法に係り、特に、半導体製造装置にお
けるプラズマエッチングやイオンドーピング，プラズマ
ＣＶＤ成膜、或いはスパッタリング成膜などのプラズマ
を用いて処理するプラズマ処理装置、及びその処理工程
において内壁面に付着した堆積物を除去するクリーニン
グ方法に関する。
びクリーニング方法に係り、特に、半導体製造装置にお
けるプラズマエッチングやイオンドーピング，プラズマ
ＣＶＤ成膜、或いはスパッタリング成膜などのプラズマ
を用いて処理するプラズマ処理装置、及びその処理工程
において内壁面に付着した堆積物を除去するクリーニン
グ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造に用いられるプラズマ処理
装置は、その生産性の高さは勿論のこと、単位時間当た
りの基板処理速度や大面積基板を均一に処理する性能な
どが要求される。そこで、エッチングやＣＶＤなどのプ
ラズマ処理装置の従来技術としては、数多くあるが、例
えば、特開平8−106994号公報，特開平8−92748 号公
報，特開平6−275600 号公報などがある。これらは、Ｃ
ＶＤ装置用を主として狙っており、成膜及びクリーニン
グのためのプラズマ生成方法にそれぞれ特徴ある。
装置は、その生産性の高さは勿論のこと、単位時間当た
りの基板処理速度や大面積基板を均一に処理する性能な
どが要求される。そこで、エッチングやＣＶＤなどのプ
ラズマ処理装置の従来技術としては、数多くあるが、例
えば、特開平8−106994号公報，特開平8−92748 号公
報，特開平6−275600 号公報などがある。これらは、Ｃ
ＶＤ装置用を主として狙っており、成膜及びクリーニン
グのためのプラズマ生成方法にそれぞれ特徴ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の方法も成膜とクリーニングのプロセスでのプラズマの
形成方法，制御方法は同じであり、使用するガスが異な
るのみであった。特に特開平8−106994 号公報は一部、
磁場コイルの電流を変えてプラズマを生成する磁場の位
置を変えることが可能ではあるが、磁場のパターンに大
きな変化はなく、基本的に内壁面に付着した膜は除去で
きないか、若しくはできにくい個所が存在してしまう。
また、特開平8−92748号公報ではクリーニングは内壁面
全体に行われやすいが、側壁部分のプラズマの閉じ込め
が弱いためにクリーニング速度が遅く、量産時のネック
となっている。更に、特開平6−275600 号公報について
は、マルチカスプ磁場形成手段のところのクリーニング
バランスが悪く逆に内壁材の汚染などの問題がある。
の方法も成膜とクリーニングのプロセスでのプラズマの
形成方法，制御方法は同じであり、使用するガスが異な
るのみであった。特に特開平8−106994 号公報は一部、
磁場コイルの電流を変えてプラズマを生成する磁場の位
置を変えることが可能ではあるが、磁場のパターンに大
きな変化はなく、基本的に内壁面に付着した膜は除去で
きないか、若しくはできにくい個所が存在してしまう。
また、特開平8−92748号公報ではクリーニングは内壁面
全体に行われやすいが、側壁部分のプラズマの閉じ込め
が弱いためにクリーニング速度が遅く、量産時のネック
となっている。更に、特開平6−275600 号公報について
は、マルチカスプ磁場形成手段のところのクリーニング
バランスが悪く逆に内壁材の汚染などの問題がある。
【０００４】特に、近年、半導体メモリーの高集積化に
伴い、パターンが微細化しプラズマ処理装置での処理中
のパーティクルの低減が歩留まり向上の観点からもより
重要不可欠な課題となってきている。しかるに、成膜中
の被成膜材の粒子は、所要とする基板表面のみならず、
処理される基板を載置している基板電極や処理室内壁
面，各機構系内臓部品などの表面に付着する。特に付着
した被成膜物は、ガスの導入，真空排気，加熱冷却，プ
ラズマ放電などの諸因により処理室中を浮遊しパーティ
クルとなって膜中に取り込まれてしまう。
伴い、パターンが微細化しプラズマ処理装置での処理中
のパーティクルの低減が歩留まり向上の観点からもより
重要不可欠な課題となってきている。しかるに、成膜中
の被成膜材の粒子は、所要とする基板表面のみならず、
処理される基板を載置している基板電極や処理室内壁
面，各機構系内臓部品などの表面に付着する。特に付着
した被成膜物は、ガスの導入，真空排気，加熱冷却，プ
ラズマ放電などの諸因により処理室中を浮遊しパーティ
クルとなって膜中に取り込まれてしまう。
【０００５】そこで、成膜と成膜との間、もしくは一定
の成膜の後チャンバ内をクリーニングし前記付着物の除
去を行うが、プラズマを形成するときの磁場の影響や電
圧の関係でなかなかクリーニングされにくい部分が残る
という欠点があった。
の成膜の後チャンバ内をクリーニングし前記付着物の除
去を行うが、プラズマを形成するときの磁場の影響や電
圧の関係でなかなかクリーニングされにくい部分が残る
という欠点があった。
【０００６】本発明は上述の点に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、成膜後のクリーニングをむら
なく均一に行うことができることは勿論、効率的で高速
にクリーニングが行われて生産性の高いプラズマ処理装
置及びクリーニング方法を提供するにある。
その目的とするところは、成膜後のクリーニングをむら
なく均一に行うことができることは勿論、効率的で高速
にクリーニングが行われて生産性の高いプラズマ処理装
置及びクリーニング方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では上記目的を達
成するために、内部にプラズマを生成するプラズマ生成
室の周囲に互いに極性を順次違えて配置され、前記プラ
ズマ生成室内部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁
場を形成するマグネット手段を、形成される前記カスプ
磁場が移動するように移動可能に支持されているプラズ
マ処理装置、更に、ほぼ円筒状の側壁とその側壁の上方
部を覆う天板とから形成され、内部にプラズマを生成す
るプラズマ生成室の天板に互いに極性を順次違えてほぼ
同心円状に配置されると共に、前記プラズマ生成室の側
壁外周に互いに極性を順次違えて配置され、プラズマ生
成室内部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場を形
成する複数の永久磁石が、上下方向に移動可能なように
支持されているプラズマ処理装置としたことを特徴とす
る。
成するために、内部にプラズマを生成するプラズマ生成
室の周囲に互いに極性を順次違えて配置され、前記プラ
ズマ生成室内部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁
場を形成するマグネット手段を、形成される前記カスプ
磁場が移動するように移動可能に支持されているプラズ
マ処理装置、更に、ほぼ円筒状の側壁とその側壁の上方
部を覆う天板とから形成され、内部にプラズマを生成す
るプラズマ生成室の天板に互いに極性を順次違えてほぼ
同心円状に配置されると共に、前記プラズマ生成室の側
壁外周に互いに極性を順次違えて配置され、プラズマ生
成室内部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場を形
成する複数の永久磁石が、上下方向に移動可能なように
支持されているプラズマ処理装置としたことを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明では上記目的を達成するため
に、処理室の周囲に極性が交互に異なるように配置され
た複数の永久磁石により生成されたカスプ磁場により該
処理室内にプラズマを閉じ込め、そのカスプ磁場のカス
プ点を移動させて処理室内壁に付着している堆積物を除
去するクリーニング方法、更に、処理室の周囲に極性が
交互に異なるように配置された複数の永久磁石により該
処理室内壁近傍にカスプ磁場を形成し、このカスプ磁場
でプラズマを閉じ込めると共に、前記処理室内壁面と接
するカスプ磁場のカスプ点を移動させながら前記プラズ
マ中のイオンを処理室内壁面に入射させて該処理室内壁
面に付着している堆積物を除去するクリーニング方法と
したことを特徴とする。
に、処理室の周囲に極性が交互に異なるように配置され
た複数の永久磁石により生成されたカスプ磁場により該
処理室内にプラズマを閉じ込め、そのカスプ磁場のカス
プ点を移動させて処理室内壁に付着している堆積物を除
去するクリーニング方法、更に、処理室の周囲に極性が
交互に異なるように配置された複数の永久磁石により該
処理室内壁近傍にカスプ磁場を形成し、このカスプ磁場
でプラズマを閉じ込めると共に、前記処理室内壁面と接
するカスプ磁場のカスプ点を移動させながら前記プラズ
マ中のイオンを処理室内壁面に入射させて該処理室内壁
面に付着している堆積物を除去するクリーニング方法と
したことを特徴とする。
【０００９】通常、クリーニングプロセスでは、処理室
内のプラズマ中のラジカルとイオンの働きによりクリー
ニングが行われるが、磁場閉じ込め用のカスプ磁場など
があるとイオンの働きは磁場の影響で少なくなる。そこ
で、磁場閉じ込め用カスプ磁場領域の内壁面に高周波バ
イアス電位を与えると、カスプ点とその中間点とでは中
間点の方が約４倍のクリーニング速度が得られた。そこ
で、本発明では処理室内の内壁にバイアス電位を与え、
複数のリング状のマグネトロンを形成しておき、この時
のマグネトロンの磁石の位置、即ちカスプの位置を移動
させることにより、クリーニングの遅いところが改善さ
れ、均一性と生産性を高めることが可能となり、上記目
的が達成されるのである。
内のプラズマ中のラジカルとイオンの働きによりクリー
ニングが行われるが、磁場閉じ込め用のカスプ磁場など
があるとイオンの働きは磁場の影響で少なくなる。そこ
で、磁場閉じ込め用カスプ磁場領域の内壁面に高周波バ
イアス電位を与えると、カスプ点とその中間点とでは中
間点の方が約４倍のクリーニング速度が得られた。そこ
で、本発明では処理室内の内壁にバイアス電位を与え、
複数のリング状のマグネトロンを形成しておき、この時
のマグネトロンの磁石の位置、即ちカスプの位置を移動
させることにより、クリーニングの遅いところが改善さ
れ、均一性と生産性を高めることが可能となり、上記目
的が達成されるのである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１１】図１に示す実施例では、プラズマ処理室１
はプラズマ処理を行う反応室２と、内部の排気を行う排
気部３より構成されている。反応室２の下方には基板４
を載置する基板電極５があり、この基板電極５に高周波
バイアス電源６がマッチングボックス７を通じて接続さ
れている。一方、基板電極５と対向する反応室２の上方
には、反応室２の一部を形成し本実施例では対向電極と
なる天板９があり、この天板９にも高周波バイアス電源
１１がマッチングボックス１０を通じて接続されてい
る。この天板９は、天板９とともに反応室２を形成する
側壁８とは絶縁されており、反応室２の側壁８はプラズ
マ処理室１の排気部３とも絶縁されている。また、反応
室２の側壁８には、プラズマ源となるマイクロ波がプラ
ズマ処理室１内に導入できるようマイクロ波導入ポート
１２が設けられている。
はプラズマ処理を行う反応室２と、内部の排気を行う排
気部３より構成されている。反応室２の下方には基板４
を載置する基板電極５があり、この基板電極５に高周波
バイアス電源６がマッチングボックス７を通じて接続さ
れている。一方、基板電極５と対向する反応室２の上方
には、反応室２の一部を形成し本実施例では対向電極と
なる天板９があり、この天板９にも高周波バイアス電源
１１がマッチングボックス１０を通じて接続されてい
る。この天板９は、天板９とともに反応室２を形成する
側壁８とは絶縁されており、反応室２の側壁８はプラズ
マ処理室１の排気部３とも絶縁されている。また、反応
室２の側壁８には、プラズマ源となるマイクロ波がプラ
ズマ処理室１内に導入できるようマイクロ波導入ポート
１２が設けられている。
【００１２】一方、反応室２を構成する天板９上には、
カスプ磁場３０を形成するために順に極性を変えて同心
円状に複数の永久磁石２０ａが配置され、更に、反応室
２を構成する側壁８の周囲にも、互いに極性を変えてカ
スプ磁場３０を形成するための複数の永久磁石２０ｂが
配置されている。但し、側壁８に設けられているマイク
ロ波導入ポート１２の周囲では永久磁石の極性を同一に
して、高密度プラズマ生成用の電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）領域を局所的に形成している。そして、本実
施例では、側壁８の周囲に設けられている複数の永久磁
石２０ｂが一体になって上下に移動可能なように揺動機
構１４で支持され、天板９上に配置されている複数の永
久磁石２０ａが一体になって上下に繰り返し移動可能な
ように揺動機構１５で支持されている。具体的には、側
壁８の周囲に設けられている複数の永久磁石２０ｂは、
その反応室２側がヨーク１９等で一括支持され、これに
モータ等の回転力を機械系で直線運動に変えて伝達し上
下に移動できるようにしている。一方、天板９上に配置
されている複数の永久磁石２０ａは、反応室２の外側に
設けられたシリンダ機構により上下に繰り返し移動でき
るようになっている。具体的には、天板９上に配置され
ている複数の永久磁石２０ａは、リング状になってお
り、かつ、同心円状に複数あるため、その反応室２側
が、磁性材からなるヨーク（若しくはヨークと非磁性材
の組合せ）２２と永久磁石２０ａを保護するカバー板２
３とを組み合わせて一括支持され、このカバー板２３を
シリンダ機構の駆動部の先端に固定している（シリンダ
の駆動は油圧，空圧、又はモータ等でも良い）。なお、
マイクロ波導入ポート１２付近に配置されている永久磁
石は、揺動機構１４とは分離されている。
カスプ磁場３０を形成するために順に極性を変えて同心
円状に複数の永久磁石２０ａが配置され、更に、反応室
２を構成する側壁８の周囲にも、互いに極性を変えてカ
スプ磁場３０を形成するための複数の永久磁石２０ｂが
配置されている。但し、側壁８に設けられているマイク
ロ波導入ポート１２の周囲では永久磁石の極性を同一に
して、高密度プラズマ生成用の電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）領域を局所的に形成している。そして、本実
施例では、側壁８の周囲に設けられている複数の永久磁
石２０ｂが一体になって上下に移動可能なように揺動機
構１４で支持され、天板９上に配置されている複数の永
久磁石２０ａが一体になって上下に繰り返し移動可能な
ように揺動機構１５で支持されている。具体的には、側
壁８の周囲に設けられている複数の永久磁石２０ｂは、
その反応室２側がヨーク１９等で一括支持され、これに
モータ等の回転力を機械系で直線運動に変えて伝達し上
下に移動できるようにしている。一方、天板９上に配置
されている複数の永久磁石２０ａは、反応室２の外側に
設けられたシリンダ機構により上下に繰り返し移動でき
るようになっている。具体的には、天板９上に配置され
ている複数の永久磁石２０ａは、リング状になってお
り、かつ、同心円状に複数あるため、その反応室２側
が、磁性材からなるヨーク（若しくはヨークと非磁性材
の組合せ）２２と永久磁石２０ａを保護するカバー板２
３とを組み合わせて一括支持され、このカバー板２３を
シリンダ機構の駆動部の先端に固定している（シリンダ
の駆動は油圧，空圧、又はモータ等でも良い）。なお、
マイクロ波導入ポート１２付近に配置されている永久磁
石は、揺動機構１４とは分離されている。
【００１３】次に、本実施例の構成による動作、及び作
用について説明する。
用について説明する。
【００１４】図１において、マイクロ波導入ポート１２
から反応室２内に導入されたマイクロ波は、ＥＣＲ境界
条件である８７５ガウス以上の磁場強度領域で反応室２
内のガスを共鳴励起させ、多量の高エネルギー電子を反
応室２内に放出拡散する。この高エネルギー電子と天板
９上に印加された高周波バイアス電源１１により反応室
２内に放電を生じさせ電離プラズマ１３が形成される。
そして、反応室２内にガス導入口１７より導入されたシ
ランガスによるプラズマ、及びその活性種であるラジカ
ルと導入口１８より導入された酸素ガスプラズマとが反
応し、二酸化珪素の反応生成物を基板４上に堆積させて
いく。このとき、基板電極５にも高周波バイアス電源６
から高周波電力を投入し、基板４の表面をエッチングさ
せながらバイアス成膜を行わせる。
から反応室２内に導入されたマイクロ波は、ＥＣＲ境界
条件である８７５ガウス以上の磁場強度領域で反応室２
内のガスを共鳴励起させ、多量の高エネルギー電子を反
応室２内に放出拡散する。この高エネルギー電子と天板
９上に印加された高周波バイアス電源１１により反応室
２内に放電を生じさせ電離プラズマ１３が形成される。
そして、反応室２内にガス導入口１７より導入されたシ
ランガスによるプラズマ、及びその活性種であるラジカ
ルと導入口１８より導入された酸素ガスプラズマとが反
応し、二酸化珪素の反応生成物を基板４上に堆積させて
いく。このとき、基板電極５にも高周波バイアス電源６
から高周波電力を投入し、基板４の表面をエッチングさ
せながらバイアス成膜を行わせる。
【００１５】このときの二酸化珪素の反応生成物は、基
板４の表面のみばかりでなく、反応室２の内壁面や基板
電極５の側壁面，ガス導入口１７，導入口１８、或いは
マイクロ波導入ポート１２などのあらゆる部分に付着し
てしまう。これらは、反応室２の内部を汚染させるばか
りでなくパーティクルの原因となるので、これら二酸化
珪素の反応生成付着物を除去するために放電プラズマに
よるクリーニングが通常行われる。このクリーニング時
も同様に反応室２内にフッ素系ガスを導入してフッ素プ
ラズマを生成させ、反応室２の内壁面などに付着した生
成物とフッ素プラズマ及びラジカルとの反応により反応
生成物をフッ素ガス化させ除去する。
板４の表面のみばかりでなく、反応室２の内壁面や基板
電極５の側壁面，ガス導入口１７，導入口１８、或いは
マイクロ波導入ポート１２などのあらゆる部分に付着し
てしまう。これらは、反応室２の内部を汚染させるばか
りでなくパーティクルの原因となるので、これら二酸化
珪素の反応生成付着物を除去するために放電プラズマに
よるクリーニングが通常行われる。このクリーニング時
も同様に反応室２内にフッ素系ガスを導入してフッ素プ
ラズマを生成させ、反応室２の内壁面などに付着した生
成物とフッ素プラズマ及びラジカルとの反応により反応
生成物をフッ素ガス化させ除去する。
【００１６】ところが、成膜時プラズマを効率良く閉じ
込め、プラズマ密度を維持しやすくさせていたカスプ磁
場３０には、プラズマ中のイオンはほとんど入射せず磁
場により反射されてしまうため、プラズマとの反応は少
なくフッ素ラジカルのみの反応となる。一方、カスプ点
３１とカスプ点３１の中間は、反応室２の内壁面と並行
な磁場が形成され、かつ、内壁面のプラズマとの電位差
により電子はこれらと直角の方向に加速され旋回運動を
行う。そして、反応室２中のガスと衝突電離を行い、そ
こで生成されたイオンは、反応室２の内壁面との電位差
により加速されて内壁面に入射する（内壁面の電圧はイ
オンを加速させるため、負電位が印加される必要があ
り、これは高周波であってもかまわない）。この入射イ
オンの持つエネルギーにより内壁面に付着していた二酸
化珪素の膜は、ラジカル反応だけでエッチングされる他
の部分より急速にエッチングされる。条件にもよるが、
カスプ点３１とカスプ点３１間の中間部分とでは４倍程
度の差が得られている。
込め、プラズマ密度を維持しやすくさせていたカスプ磁
場３０には、プラズマ中のイオンはほとんど入射せず磁
場により反射されてしまうため、プラズマとの反応は少
なくフッ素ラジカルのみの反応となる。一方、カスプ点
３１とカスプ点３１の中間は、反応室２の内壁面と並行
な磁場が形成され、かつ、内壁面のプラズマとの電位差
により電子はこれらと直角の方向に加速され旋回運動を
行う。そして、反応室２中のガスと衝突電離を行い、そ
こで生成されたイオンは、反応室２の内壁面との電位差
により加速されて内壁面に入射する（内壁面の電圧はイ
オンを加速させるため、負電位が印加される必要があ
り、これは高周波であってもかまわない）。この入射イ
オンの持つエネルギーにより内壁面に付着していた二酸
化珪素の膜は、ラジカル反応だけでエッチングされる他
の部分より急速にエッチングされる。条件にもよるが、
カスプ点３１とカスプ点３１間の中間部分とでは４倍程
度の差が得られている。
【００１７】そこで、プラズマクリーニングのプロセス
を処理する時のカスプ磁場３０を形成する天板９上に設
けられている永久磁石２０ａを揺動機構１５で上下方向
に繰り返して移動し、側壁８に設けられている永久磁石
２０ｂを揺動機構１４で上下方向に移動する。上下方向
に繰り返し永久磁石２０ａを移動させる揺動機構１５
は、反応室２の外側に設けられているシリンダ機構によ
り、永久磁石２０ａを上方に約１０〜２０mmずらすこと
が可能である。天板９上には永久磁石２０ａが同心円状
に配列されているため、同心円状のリングプラズマが反
応室２内に形成され、リングプラズマの中央のカスプ点
３１からなるカスプ線にエッチングされにくい部分が残
るが、本実施例の揺動機構１５により、クリーニング時
に永久磁石２０ａを天板９から上方に移動させると、反
応室２を構成する天板９の内壁面でのカスプ磁場３０の
磁場強度が弱くなり、イオンの入射が促進されエッチン
グが早くなるので、天板９の内壁面のクリーニングが効
率的に行われる。一方、反応室２を構成する側壁８で
は、永久磁石２０ｂを側壁８に沿って揺動機構１４によ
り上下に繰り返し移動させることにより、側壁８の内壁
面のカスプ点３１を上下に移動させることができるた
め、エッチングの早い部分と遅い部分が平均化され、全
体的にエッチング速度が早められ、側壁８の内壁面のク
リーニングが効率的に行われる。
を処理する時のカスプ磁場３０を形成する天板９上に設
けられている永久磁石２０ａを揺動機構１５で上下方向
に繰り返して移動し、側壁８に設けられている永久磁石
２０ｂを揺動機構１４で上下方向に移動する。上下方向
に繰り返し永久磁石２０ａを移動させる揺動機構１５
は、反応室２の外側に設けられているシリンダ機構によ
り、永久磁石２０ａを上方に約１０〜２０mmずらすこと
が可能である。天板９上には永久磁石２０ａが同心円状
に配列されているため、同心円状のリングプラズマが反
応室２内に形成され、リングプラズマの中央のカスプ点
３１からなるカスプ線にエッチングされにくい部分が残
るが、本実施例の揺動機構１５により、クリーニング時
に永久磁石２０ａを天板９から上方に移動させると、反
応室２を構成する天板９の内壁面でのカスプ磁場３０の
磁場強度が弱くなり、イオンの入射が促進されエッチン
グが早くなるので、天板９の内壁面のクリーニングが効
率的に行われる。一方、反応室２を構成する側壁８で
は、永久磁石２０ｂを側壁８に沿って揺動機構１４によ
り上下に繰り返し移動させることにより、側壁８の内壁
面のカスプ点３１を上下に移動させることができるた
め、エッチングの早い部分と遅い部分が平均化され、全
体的にエッチング速度が早められ、側壁８の内壁面のク
リーニングが効率的に行われる。
【００１８】図２に本発明の第２の実施例を示す。該図
に示す実施例では、天板９上に複数配置されている永久
磁石２０ａを反応室２の中心に対して偏心させて配置
し、これをモータ等の回転機構１６により回転させるも
のである。
に示す実施例では、天板９上に複数配置されている永久
磁石２０ａを反応室２の中心に対して偏心させて配置
し、これをモータ等の回転機構１６により回転させるも
のである。
【００１９】このような本実施例の構成では、回転機構
１６により各永久磁石２０ａが偏心して回転することに
なり、天板９の内壁面でのカスプ点３１が一定位置にこ
ないので、エッチングの早い部分と遅い部分が平均化さ
れ、全体的にエッチング速度が早められ、天板９の内壁
面のクリーニングが効率的に行われる。また、特に図示
しないが、天板９上に配置された複数の永久磁石２０ａ
のカスプ磁場３０の磁場強度を円周方向に強弱を持た
せ、これを回転させることによってもカスプ磁場３０の
弱いところが平均化されるので、上述と同様な効果が得
られる。尚、側壁８については、上述の図１に示した実
施例と同様なので説明は省略する。
１６により各永久磁石２０ａが偏心して回転することに
なり、天板９の内壁面でのカスプ点３１が一定位置にこ
ないので、エッチングの早い部分と遅い部分が平均化さ
れ、全体的にエッチング速度が早められ、天板９の内壁
面のクリーニングが効率的に行われる。また、特に図示
しないが、天板９上に配置された複数の永久磁石２０ａ
のカスプ磁場３０の磁場強度を円周方向に強弱を持た
せ、これを回転させることによってもカスプ磁場３０の
弱いところが平均化されるので、上述と同様な効果が得
られる。尚、側壁８については、上述の図１に示した実
施例と同様なので説明は省略する。
【００２０】図３に本発明の第３の実施例を示す。該図
に示す実施例は、マイクロ波イオン源（図示せず）から
のマイクロ波が導入される真空チャンバ２４と、この真
空チャンバ２４の周囲に配置され、マイクロ波との電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させるための
磁場を形成する磁場コイル２１と、真空チャンバ２４内
に生成されたプラズマを保持するために、この真空チャ
ンバ２４の外周に極性が交互に変えて配置された複数の
永久磁石２０と、この永久磁石２０に保持されたプラズ
マによりプラズマ処理される基板４ａを保持する基板電
極５ａとからなるプラズマ処理装置の例である。そし
て、本実施例では真空チャンバ２４の外周に配置された
複数の永久磁石２０を一括支持し、これを揺動機構１４
ａにより上下に繰り返し移動させるようにしている。こ
のような構成のプラズマ処理装置であっても、そのクリ
ーニング効果は上述した実施例と同様である。
に示す実施例は、マイクロ波イオン源（図示せず）から
のマイクロ波が導入される真空チャンバ２４と、この真
空チャンバ２４の周囲に配置され、マイクロ波との電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させるための
磁場を形成する磁場コイル２１と、真空チャンバ２４内
に生成されたプラズマを保持するために、この真空チャ
ンバ２４の外周に極性が交互に変えて配置された複数の
永久磁石２０と、この永久磁石２０に保持されたプラズ
マによりプラズマ処理される基板４ａを保持する基板電
極５ａとからなるプラズマ処理装置の例である。そし
て、本実施例では真空チャンバ２４の外周に配置された
複数の永久磁石２０を一括支持し、これを揺動機構１４
ａにより上下に繰り返し移動させるようにしている。こ
のような構成のプラズマ処理装置であっても、そのクリ
ーニング効果は上述した実施例と同様である。
【００２１】尚、真空チャンバ２４の内部に大きな磁場
が形成されていると、内部で生成されたプラズマのイオ
ンが膜の付着した真空チャンバ２４の内壁面をクリーニ
ングしようとしても磁場に妨げられて充分に到達せず、
クリーニング速度が低下するばかりか発塵の原因にもな
っているので、プラズマを維持するための磁場は必要で
あるが、イオンが到達しにくい部分を少なくするために
は、磁場コイル２１の位置を上下に移動、若しくはいず
れかの磁場コイル２１の磁場強度を変化させることも有
効である。但し、磁場コイル２１は非常に重たいため、
その上下機構（図示せず）は大規模な設備が必要にな
り、装置の大型化を招いてしまう。そこで、永久磁石２
０でプラズマの保持磁場を確保し、磁場コイル２１での
磁場をやめ、かつ、上述したように、永久磁石２０を揺
動機構１４で上下に移動させる方が好ましい。
が形成されていると、内部で生成されたプラズマのイオ
ンが膜の付着した真空チャンバ２４の内壁面をクリーニ
ングしようとしても磁場に妨げられて充分に到達せず、
クリーニング速度が低下するばかりか発塵の原因にもな
っているので、プラズマを維持するための磁場は必要で
あるが、イオンが到達しにくい部分を少なくするために
は、磁場コイル２１の位置を上下に移動、若しくはいず
れかの磁場コイル２１の磁場強度を変化させることも有
効である。但し、磁場コイル２１は非常に重たいため、
その上下機構（図示せず）は大規模な設備が必要にな
り、装置の大型化を招いてしまう。そこで、永久磁石２
０でプラズマの保持磁場を確保し、磁場コイル２１での
磁場をやめ、かつ、上述したように、永久磁石２０を揺
動機構１４で上下に移動させる方が好ましい。
【００２２】本発明の第４の実施例を図４に示す。該図
に示す実施例は、真空チャンバの外側に誘導コイルを配
置し、高周波誘導により真空チャンバ内にプラズマを誘
起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置である。
に示す実施例は、真空チャンバの外側に誘導コイルを配
置し、高周波誘導により真空チャンバ内にプラズマを誘
起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置である。
【００２３】図４に示すごとく、真空チャンバ２５の側
壁２５ａは、上述した実施例のような円筒形ではなくド
ーム状の一部のような形状を成し、このドーム状の側壁
25ａの上部には天板９があり高周波が印加できるように
なっている。また、ドーム状の側壁２５ａの外側にはプ
ラズマ誘導用のコイル３２が側壁２５ａを取り囲むよう
に配置されている。この真空チャンバ２５内に付着した
反応生成物をクリーニングしようとする際、上述した実
施例と同様に、プラズマを生成維持するためにコイル３
２には高周波電流を流す必要があり、この高周波電流の
誘導によるプラズマのイオンは磁力線に沿った挙動をす
るため、積極的な壁面とのイオンの衝突は行われず、ク
リーニング速度が遅くなってしまう。
壁２５ａは、上述した実施例のような円筒形ではなくド
ーム状の一部のような形状を成し、このドーム状の側壁
25ａの上部には天板９があり高周波が印加できるように
なっている。また、ドーム状の側壁２５ａの外側にはプ
ラズマ誘導用のコイル３２が側壁２５ａを取り囲むよう
に配置されている。この真空チャンバ２５内に付着した
反応生成物をクリーニングしようとする際、上述した実
施例と同様に、プラズマを生成維持するためにコイル３
２には高周波電流を流す必要があり、この高周波電流の
誘導によるプラズマのイオンは磁力線に沿った挙動をす
るため、積極的な壁面とのイオンの衝突は行われず、ク
リーニング速度が遅くなってしまう。
【００２４】そこで、図４に示すように、複数の永久磁
石２６を配列したマグネット手段２７によりプラズマを
保持し、かつ、上下機構、又は回転機構にてこのマグネ
ット手段２７によるプラズマリングの位置を移動させる
ことにより、側壁２５ａの内壁面に付着した反応生成物
を平均してクリーニングさせるようにしている。
石２６を配列したマグネット手段２７によりプラズマを
保持し、かつ、上下機構、又は回転機構にてこのマグネ
ット手段２７によるプラズマリングの位置を移動させる
ことにより、側壁２５ａの内壁面に付着した反応生成物
を平均してクリーニングさせるようにしている。
【００２５】また、この永久磁石２６は、基板４ｂの面
に平行に配列してリング状プラズマを形成するのが最も
効率的であるが、本実施例のようにドーム状の側壁２５
ａの場合は、上下動させると側壁２５ａより離れてしま
うため、プラズマの保持が困難になる場合がある。そこ
で、永久磁石２６を基板４ｂ面に垂直に配列させ、リン
グ状プラズマの代わりに棒状プラズマを側壁２５ａの外
周に沿って形成させ、揺動，移動、或いは回転等をさせ
ると、より均一なクリーニングが行われる。更に、配列
した永久磁石２６の磁場強度を側壁２５ａの円周方向の
周囲にわたって強弱をつけて回転させても同様である。
に平行に配列してリング状プラズマを形成するのが最も
効率的であるが、本実施例のようにドーム状の側壁２５
ａの場合は、上下動させると側壁２５ａより離れてしま
うため、プラズマの保持が困難になる場合がある。そこ
で、永久磁石２６を基板４ｂ面に垂直に配列させ、リン
グ状プラズマの代わりに棒状プラズマを側壁２５ａの外
周に沿って形成させ、揺動，移動、或いは回転等をさせ
ると、より均一なクリーニングが行われる。更に、配列
した永久磁石２６の磁場強度を側壁２５ａの円周方向の
周囲にわたって強弱をつけて回転させても同様である。
【００２６】尚、上述した各実施例は、プラズマＣＶＤ
装置のクリーニングについて説明したが、プラズマを用
いたエッチング装置、或いはスパッタリング装置にこれ
らの方式を採用しても同様である。
装置のクリーニングについて説明したが、プラズマを用
いたエッチング装置、或いはスパッタリング装置にこれ
らの方式を採用しても同様である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明した本発明のプラズマ処理装
置、及びクリーニング方法によれば、内部にプラズマを
生成するプラズマ生成室の周囲に互いに極性を順次違え
て配置され、前記プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ
込めるためのカスプ磁場を形成するマグネット手段を、
形成される前記カスプ磁場が移動するように移動可能に
支持されているプラズマ処理装置、更に、ほぼ円筒状の
側壁とその側壁の上方部を覆う天板とから形成され、内
部にプラズマを生成するプラズマ生成室の天板に互いに
極性を順次違えてほぼ同心円状に配置されると共に、前
記プラズマ生成室の側壁外周に互いに極性を順次違えて
配置され、プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ込める
ためのカスプ磁場を形成する複数の永久磁石が、上下方
向に移動可能なように支持されているプラズマ処理装
置、また、処理室の周囲に極性が交互に異なるように配
置された複数の永久磁石により生成されたカスプ磁場に
より該処理室内にプラズマを閉じ込め、そのカスプ磁場
のカスプ点を移動させて処理室内壁に付着している堆積
物を除去するクリーニング方法、更に、処理室の周囲に
極性が交互に異なるように配置された複数の永久磁石に
より該処理室内壁近傍にカスプ磁場を形成し、このカス
プ磁場でプラズマを閉じ込めると共に、前記処理室内壁
面と接するカスプ磁場のカスプ点を移動させながら前記
プラズマ中のイオンを処理室内壁面に入射させて該処理
室内壁面に付着している堆積物を除去するクリーニング
方法としたものであるから、カスプの位置を移動させる
ことにより、クリーニングの遅いところが改善されるの
で、成膜後のクリーニングをむらなく均一に行うことが
でき、効率的で高速にクリーニングが行われて生産性を
高めることができる効果がある。
置、及びクリーニング方法によれば、内部にプラズマを
生成するプラズマ生成室の周囲に互いに極性を順次違え
て配置され、前記プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ
込めるためのカスプ磁場を形成するマグネット手段を、
形成される前記カスプ磁場が移動するように移動可能に
支持されているプラズマ処理装置、更に、ほぼ円筒状の
側壁とその側壁の上方部を覆う天板とから形成され、内
部にプラズマを生成するプラズマ生成室の天板に互いに
極性を順次違えてほぼ同心円状に配置されると共に、前
記プラズマ生成室の側壁外周に互いに極性を順次違えて
配置され、プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ込める
ためのカスプ磁場を形成する複数の永久磁石が、上下方
向に移動可能なように支持されているプラズマ処理装
置、また、処理室の周囲に極性が交互に異なるように配
置された複数の永久磁石により生成されたカスプ磁場に
より該処理室内にプラズマを閉じ込め、そのカスプ磁場
のカスプ点を移動させて処理室内壁に付着している堆積
物を除去するクリーニング方法、更に、処理室の周囲に
極性が交互に異なるように配置された複数の永久磁石に
より該処理室内壁近傍にカスプ磁場を形成し、このカス
プ磁場でプラズマを閉じ込めると共に、前記処理室内壁
面と接するカスプ磁場のカスプ点を移動させながら前記
プラズマ中のイオンを処理室内壁面に入射させて該処理
室内壁面に付着している堆積物を除去するクリーニング
方法としたものであるから、カスプの位置を移動させる
ことにより、クリーニングの遅いところが改善されるの
で、成膜後のクリーニングをむらなく均一に行うことが
でき、効率的で高速にクリーニングが行われて生産性を
高めることができる効果がある。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す説
明用断面図である。
明用断面図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置の第２の実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置の第３の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明のプラズマ処理装置の第４の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
１…プラズマ処理室、２…反応室、３…排気部、４，４
ａ，４ｂ…基板、５，５ａ，５ｂ…基板電極、６，１１
…高周波バイアス電源、７，１０…マッチングボック
ス、８，２５ａ…側壁、９…天板、１２…マイクロ波導
入ポート、１３…電離プラズマ、１４，１４ａ，１５…
揺動機構、１６…回転機構、１７…ガス導入口、１８…
導入口、１９，２２…ヨーク、２０，２０ａ，２０ｂ，
２６…永久磁石、２１…磁場コイル、２３…カバー板、
２４，２５…真空チャンバ、２７…マグネット手段、３
０…カスプ磁場、３１…カスプ点、３２…コイル。
ａ，４ｂ…基板、５，５ａ，５ｂ…基板電極、６，１１
…高周波バイアス電源、７，１０…マッチングボック
ス、８，２５ａ…側壁、９…天板、１２…マイクロ波導
入ポート、１３…電離プラズマ、１４，１４ａ，１５…
揺動機構、１６…回転機構、１７…ガス導入口、１８…
導入口、１９，２２…ヨーク、２０，２０ａ，２０ｂ，
２６…永久磁石、２１…磁場コイル、２３…カバー板、
２４，２５…真空チャンバ、２７…マグネット手段、３
０…カスプ磁場、３１…カスプ点、３２…コイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 27/16 Ｈ０１Ｊ 27/16 37/08 37/08 37/317 37/317 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/304 ６４５ 21/304 ６４５Ｃ 21/302 Ｎ (72)発明者 関 博文 茨城県日立市大みか町七丁目２番１号 株 式会社日立製作所電力・電機開発本部内
Claims (9)
- 【請求項１】内部にプラズマを生成するプラズマ生成室
と、該プラズマ生成室の周囲に互いに極性を順次違えて
配置され、前記プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ込
めるためのカスプ磁場を形成するマグネット手段と、前
記プラズマ生成室内に配置され、前記プラズマにより処
理される被処理物を保持する保持手段とを備えたプラズ
マ処理装置において、 前記マグネット手段は、形成される前記カスプ磁場が移
動するように移動可能に支持されていることを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 【請求項２】ほぼ円筒状の側壁とその側壁の上方部を覆
う天板とから形成され、内部にプラズマを生成するプラ
ズマ生成室と、該プラズマ生成室の天板に互いに極性を
順次違えてほぼ同心円状に配置されると共に、前記プラ
ズマ生成室の側壁外周に互いに極性を順次違えて配置さ
れ、プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ込めるための
カスプ磁場を形成する複数の永久磁石と、前記プラズマ
生成室内に配置され、前記プラズマにより処理される被
処理物を保持する保持手段とを備えたプラズマ処理装置
において、 前記プラズマ生成室の天板に配置されている永久磁石
と、前記プラズマ生成室の側壁外周に配置されている永
久磁石は、上下方向に移動可能なように支持されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記プラズマ生成室の天板に配置されてい
る永久磁石は上下に移動する移動機構で支持され、か
つ、前記プラズマ生成室の側壁外周に配置されている永
久磁石は上下に繰り返し移動させる揺動機構により支持
されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】ほぼ円筒状の側壁とその側壁の上方部を覆
う天板とから形成され、内部にプラズマを生成するプラ
ズマ生成室と、該プラズマ生成室の天板に互いに極性を
順次違えて配置されると共に、前記プラズマ生成室の側
壁外周に互いに極性を順次違えて配置され、プラズマ生
成室内部にプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場を形
成する複数の永久磁石と、前記プラズマ生成室内に配置
され、前記プラズマにより処理される被処理物を保持す
る保持手段とを備えたプラズマ処理装置において、 前記プラズマ生成室の天板に配置されている永久磁石
は、前記プラズマ生成室の中心に対して偏心させて回転
可能に支持されていると共に、前記プラズマ生成室の側
壁外周に配置されている永久磁石は、上下方向に移動可
能なように支持されていることを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項５】ほぼ円筒状の側壁とその側壁の上方部を覆
う天板とから形成され、内部にプラズマを生成するプラ
ズマ生成室と、該プラズマ生成室の天板に互いに極性を
順次違えてほぼ同心円状に配置されると共に、前記プラ
ズマ生成室の側壁外周に互いに極性を順次違えて配置さ
れ、プラズマ生成室内部にプラズマを閉じ込めるための
カスプ磁場を形成する複数の永久磁石と、前記プラズマ
生成室内に配置され、前記プラズマにより処理される被
処理物を保持する保持手段とを備えたプラズマ処理装置
において、 前記プラズマ生成室の天板に配置されている永久磁石
は、円周上で磁場の強度に強弱を持たせて回転可能に支
持されていると共に、前記プラズマ生成室の側壁外周に
配置されている永久磁石は、上下方向に移動可能なよう
に支持されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】マイクロ波イオン源と、該マイクロ波イオ
ン源からのマイクロ波が導入される真空チャンバと、該
真空チャンバの周囲に配置され、前記マイクロ波との電
子サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させるため
の磁場を形成する磁場コイルと、前記真空チャンバ内に
生成されたプラズマを保持するために、該真空チャンバ
の外周に極性が交互に変えて配置された複数の永久磁石
と、該永久磁石に保持されたプラズマによりプラズマ処
理される被処理物を保持する保持手段とを備えたプラズ
マ処理装置において、 前記磁場コイル、若しくは永久磁石の少なくともいずれ
か一方が上下方向に移動可能に支持されていることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項７】側壁がドーム状の一部の形状を有すると共
に、該側壁の上部に天板が配置されて形成される真空チ
ャンバと、該真空チャンバの側壁外周を取り囲むように
配置されたプラズマ誘導用のコイルと、該コイルにより
生成維持されたプラズマによりプラズマ処理される被処
理物を保持する保持手段とを備えたプラズマ処理装置に
おいて、 前記プラズマ誘導用のコイルの外周囲に、前記プラズマ
を保持するために極性を交互に変えて複数の永久磁石を
配置すると共に、該永久磁石を移動可能に支持したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項８】処理室の周囲に極性が交互に異なるように
配置された複数の永久磁石により生成されたカスプ磁場
により該処理室内にプラズマを閉じ込め、そのカスプ磁
場のカスプ点を移動させて処理室内壁に付着している堆
積物を除去することを特徴とするクリーニング方法。 - 【請求項９】処理室の周囲に極性が交互に異なるように
配置された複数の永久磁石により該処理室内壁近傍にカ
スプ磁場を形成し、このカスプ磁場でプラズマを閉じ込
めると共に、前記処理室内壁面と接するカスプ磁場のカ
スプ点を移動させながら前記プラズマ中のイオンを処理
室内壁面に入射させて該処理室内壁面に付着している堆
積物を除去することを特徴とするクリーニング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104341A JPH11297673A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | プラズマ処理装置及びクリーニング方法 |
| US09/290,169 US6196155B1 (en) | 1998-04-15 | 1999-04-13 | Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus |
| US09/760,836 US20010001185A1 (en) | 1998-04-15 | 2001-01-17 | Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104341A JPH11297673A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | プラズマ処理装置及びクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297673A true JPH11297673A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14378223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10104341A Pending JPH11297673A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | プラズマ処理装置及びクリーニング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6196155B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11297673A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007531214A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン源 |
| JP2013541817A (ja) * | 2010-10-07 | 2013-11-14 | ザ・サイエンス・アンド・テクノロジー・ファシリティーズ・カウンシル | 改良された多極マグネット |
| KR101468727B1 (ko) * | 2008-07-28 | 2014-12-08 | 위순임 | 자기 조절 수단을 구비한 플라즈마 반응기 |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU1606101A (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-30 | Lam Research Corporation | Materials and gas chemistries for processing systems |
| US7067034B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-06-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for plasma forming inner magnetic bucket to control a volume of a plasma |
| US6632322B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-10-14 | Lam Research Corporation | Switched uniformity control |
| US6363624B1 (en) | 2000-11-21 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a semiconductor process chamber |
| US7003479B2 (en) * | 2000-12-15 | 2006-02-21 | First Data Corporation | Systems and methods for ordering and distributing incentive messages |
| JP3555084B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2004-08-18 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体基板に対するプラズマ処理方法及び半導体基板のためのプラズマ処理装置 |
| JP4812991B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2011-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20030101935A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-05 | Walther Steven R. | Dose uniformity control for plasma doping systems |
| WO2004019398A1 (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 |
| EP1554412B1 (en) * | 2002-09-19 | 2013-08-14 | General Plasma, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus |
| CN100463112C (zh) * | 2003-05-30 | 2009-02-18 | 周星工程股份有限公司 | 一种用于半导体装置的设备 |
| DE10341239B4 (de) * | 2003-09-08 | 2006-05-24 | Roth & Rau Ag | ECR-Plasmaquelle mit linearer Plasmaaustrittsöffnung |
| US7400096B1 (en) * | 2004-07-19 | 2008-07-15 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Large area plasma source |
| US7305935B1 (en) * | 2004-08-25 | 2007-12-11 | The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa | Slotted antenna waveguide plasma source |
| DE602006002264D1 (de) * | 2006-06-01 | 2008-09-25 | Varian Spa | Magnetanordnung für eine Sputter-Ionenpumpe |
| US20090220865A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for source field shaping in a plasma etch reactor |
| US20100080928A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Tango Systems, Inc. | Confining Magnets In Sputtering Chamber |
| MX345403B (es) | 2009-05-13 | 2017-01-30 | Sio2 Medical Products Inc | Revestimiento por pecvd utilizando un precursor organosilícico. |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| CN102549725B (zh) * | 2009-09-29 | 2016-06-01 | 株式会社爱发科 | 等离子蚀刻装置 |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| JP2013542613A (ja) | 2010-10-27 | 2013-11-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトレジスト線幅の荒れを制御するための方法及び装置 |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
| CA2887352A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US8962224B2 (en) | 2012-08-13 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Methods for controlling defects for extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask substrate |
| EP2914762B1 (en) | 2012-11-01 | 2020-05-13 | SiO2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| WO2014085348A2 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| KR20140095825A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-04 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 설비 |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| KR102011933B1 (ko) | 2013-03-06 | 2019-08-20 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 |
| KR102472240B1 (ko) | 2013-03-11 | 2022-11-30 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 코팅된 패키징 |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| WO2014144926A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating method |
| US11066745B2 (en) | 2014-03-28 | 2021-07-20 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| TWI546858B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-08-21 | 紫焰科技股份有限公司 | 非接觸式物理蝕刻系統及方法 |
| US10410889B2 (en) * | 2014-07-25 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors |
| JP6609425B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2019-11-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US11077233B2 (en) | 2015-08-18 | 2021-08-03 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
| US10350652B2 (en) * | 2016-10-08 | 2019-07-16 | The Boeing Company | Methods and systems for plasma cleaning a container using a magnet |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3820237C1 (ja) * | 1988-06-14 | 1989-09-14 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | |
| US5234526A (en) | 1991-05-24 | 1993-08-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
| JPH06275600A (ja) | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Anelva Corp | 薄膜作製方法および装置 |
| DE69531880T2 (de) | 1994-04-28 | 2004-09-09 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung |
| JPH09266096A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法 |
| US5824607A (en) * | 1997-02-06 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10104341A patent/JPH11297673A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-13 US US09/290,169 patent/US6196155B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-17 US US09/760,836 patent/US20010001185A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007531214A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン源 |
| KR101468727B1 (ko) * | 2008-07-28 | 2014-12-08 | 위순임 | 자기 조절 수단을 구비한 플라즈마 반응기 |
| JP2013541817A (ja) * | 2010-10-07 | 2013-11-14 | ザ・サイエンス・アンド・テクノロジー・ファシリティーズ・カウンシル | 改良された多極マグネット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010001185A1 (en) | 2001-05-17 |
| US6196155B1 (en) | 2001-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11297673A (ja) | プラズマ処理装置及びクリーニング方法 | |
| US6849857B2 (en) | Beam processing apparatus | |
| JP3128239B2 (ja) | クラスタツールのソフトエッチングモジュールおよびそのｅｃｒプラズマ発生装置 | |
| US5753066A (en) | Plasma source for etching | |
| EP0054201B1 (en) | Dry etching device and method | |
| US6909087B2 (en) | Method of processing a surface of a workpiece | |
| JPH10308296A (ja) | 誘導結合式プラズマリアクタのプラズマ閉込め | |
| KR19980080686A (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
| JPS58151028A (ja) | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 | |
| JPH0775226B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2002093776A (ja) | Ｓｉ高速エッチング方法 | |
| JPH06283470A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10270430A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6909086B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| JPH1074600A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| EP0789506B1 (en) | Apparatus for generating magnetically neutral line discharge type plasma | |
| JP4527432B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| TWI817229B (zh) | 下電極元件、等離子體處理裝置和更換聚焦環的方法 | |
| JPH06232079A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11204297A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2000243707A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2797307B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JPH02312231A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH025413A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0794480A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |