JPH03245522A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体の製造工程において用いるプラズマ灰
化装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来の半導体製造装置のプラズマ灰化装置を示
す図であり、図において、１はガス導入口、２はマイク
ロ波（μ波）導波管、３は放電プラズマ、４は放電管、
５は処理室、６は被処理ウェハ、７はウェハステージ、
８は排気口である。

次に動作について説明する。

被処理ウェハ６をウェハステージ７上に載置した後、処
理室５内を排気口８より真空排気する。

次にガス導入口ｌよりガスを導入し、処理室５内を０．
　Ｉ　Ｔｏｒｒ〜１０　Ｔｏｒｒ程度の圧力に保持し、
続いて導波管２内にμ波を導入し、放電管４内にプラズ
マ３を発生させる。これにより、被処理ウェハ６の灰化
処理が行われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体製造装置のプラズマ灰化装置は以上のよう
に構成されており、μ波放電プラズマの放電条件によっ
てはそのプラズマが被処理うユバの方へ広がり、被処理
つ、エバがプラズマ中で発生した荷電粒子にさらされ、
損傷を受ける可能性があるという問題点があった。

又、これを防止するために放電部をウェハからさらに遠
ざける等の方法がとられるが、この場合には灰化反応の
速度が低下するという問題があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放電プラズマで生成された荷電粒子の処理ウ
ェハへの到達を防止しつつ、高い灰化処理速度が得られ
る斗導体製造装置及び処理ウェハが損傷を受けることな
く迅速に製造できる半導体装置の製造方法を得ることを
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体製造装置、及びこれを用いた半導
体装置の製造方法は、プラズマ灰化装置において、放電
管部分を複数個に分割し、それぞれの放電管を細くした
ものである。

また、この発明に係る半導体装置の製造方法は上記半導
体製造装置を用いて灰化処理を行なうようにしたもので
ある。

〔作用〕

この発明においては、放電管を細くしたので、放電プラ
ズマを効果的に放電管内に閉じ込めることができ、荷電
粒子の処理ウェハへの到達を防止することができるとと
もに、放電管を複数個にしたので、灰化反応の反応種の
ウェハへの到達量を増大させることができ、これにより
灰化反応処理速度を増大させることができる。

また、この発明においては、上記半導体製造装置を用い
て灰化処理を行なうようにしたので、処理ウェハが損傷
を受けることなく迅速に灰化処理ができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例によるプラズマ灰化装置を
示す。図中、１はガス導入口、２はマイクロ波導波管、
５は処理室、６は被処理ウェハ、７はウェハステージ、
８は排気口、９は放電管部、１０は放電プラズマである
。

本発明においては、従来単一であった放電管部を複数本
に分割し、かつその各々を従来に比べて細く形成しであ
る。例えば、従来放電管内径が２〜３ｃｍ以上であった
ものを本実施例においては内径１〜２ｃｍ以下としてい
る。

本実施例の装置においては、μ被電力の印加により発生
するプラズマ１０は放電管９内のμ波導波管２と重なっ
た部分のみに集中して発生する。

これは従来よりも放電管９を細くしたことの効果である
。このプラズマ１０の集中によりプラズマ９と被処理ウ
ェハ６との間の距離を大きくすることができ、プラズマ
１０中で生じる荷電粒子の被処理ウェハ６への到達を防
止できる。又、放電管９を細くすることにより、灰化反
応の反応種の発生量が減少することとなるが、これに対
しては、放電管９を複数にすることにより、発生量を増
加させ、灰化反応の速度の低下を抑制している。

このような本実施例のプラズマ灰化装置を用いて灰化処
理を行なうことにより、プラズマによる損傷のない灰化
処理を迅速に行なうことができ、半導体装置の高品質化
、製造の高速化を図ることができる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、プラズマ灰化装置及
びこれを用いた半導体装置の製造方法において、放電管
を複数個に分割し、その各々を細くしたので、灰化反応
の速度を低下さすることなく、放電プラズマ中の荷電粒
子のウェハへの到達を効果的に防止でき、灰化による損
傷を防止できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるプラズマ灰化装置の断
面図、第２図は従来のプラズマ灰化装置の断面図である
。 ｌはガス導入口、２はマイクロ波導波管、３は放電プラ
ズマ、４は放電管、５は処理室、６は被処理ウェハ、７
はウェハステージ、８は排気口、９は複数にした放電管
、１０は放電管９により生じたプラズマである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）プラズマ生成部において放電プラズマを生成し、
   該生成されたプラズマ中にガスを導入して反応種を生成
   し、該反応種により有機膜の灰化除去を行なうプラズマ
   灰化装置において、 上記プラズマ生成部の放電管部を、発生した放電プラズ
   マが放電管口より試料上に拡がらない程度に細い管口径
   を持つ複数の放電管より構成したことを特徴とする半導
   体製造装置。
2. （２）請求項１記載のプラズマ灰化装置を用いたことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。