JPH01140723A - マイクロ波によるプラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波によるプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH01140723A JPH01140723A JP29924587A JP29924587A JPH01140723A JP H01140723 A JPH01140723 A JP H01140723A JP 29924587 A JP29924587 A JP 29924587A JP 29924587 A JP29924587 A JP 29924587A JP H01140723 A JPH01140723 A JP H01140723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwaves
- chamber
- microwave radiation
- radiation antenna
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板あるいは薄膜デバイスなどをプラ
ズマ処理し、特にレジストの除去を行うためのマイクロ
波によるプラズマ処理装置に関する。
ズマ処理し、特にレジストの除去を行うためのマイクロ
波によるプラズマ処理装置に関する。
従来の技術
半導体製造工程においては、ドライエツチングやイオン
注入が広く一般に行なわれている。そして、前記工程に
おいて変質したレジストを除去するために、プラズマを
用いたレジスト除去が行われている。このレジスト除去
を行う装置としては、バレル型と呼ばれるバッチ処理タ
イプが主流となっているが、近年、トランジスタへのダ
メージを少なくするために、枚葉処理方式のレジストア
ッシセー装置が市販されている。
注入が広く一般に行なわれている。そして、前記工程に
おいて変質したレジストを除去するために、プラズマを
用いたレジスト除去が行われている。このレジスト除去
を行う装置としては、バレル型と呼ばれるバッチ処理タ
イプが主流となっているが、近年、トランジスタへのダ
メージを少なくするために、枚葉処理方式のレジストア
ッシセー装置が市販されている。
このレジストアッシャ−装置は、たとえば第５図に示す
ようなものであり、真空￥１にはガス導入口２と真空排
気口３とが開口し、この真空室１の上部にはマイクロ波
を閉じ込めるためのチャンバー４が設けられている。こ
のチャンバー４にはマイクロ波を伝送するための導波管
５が開口しており、チャンバー４と真空室１とは、Ｏリ
ングを介してチャンバー４に設けた石英プレート６で仕
切られ、真空室１の真空が保たれている。そして、真空
室１の内部には、処理基板７を載置するための試料台８
が設けられている。
ようなものであり、真空￥１にはガス導入口２と真空排
気口３とが開口し、この真空室１の上部にはマイクロ波
を閉じ込めるためのチャンバー４が設けられている。こ
のチャンバー４にはマイクロ波を伝送するための導波管
５が開口しており、チャンバー４と真空室１とは、Ｏリ
ングを介してチャンバー４に設けた石英プレート６で仕
切られ、真空室１の真空が保たれている。そして、真空
室１の内部には、処理基板７を載置するための試料台８
が設けられている。
そして、処理基板７のレジストを除去するときには、真
空室１にガス導入口２から酸素ガスを３０８ＣＣＭ導入
し、真空室１の中を約０．５Ｔｏｒｒに保つ。
空室１にガス導入口２から酸素ガスを３０８ＣＣＭ導入
し、真空室１の中を約０．５Ｔｏｒｒに保つ。
そして、マイクロ波を導波管５からチャンバー４の内部
に導入し、このマイクロ波を石英プレート６を通して真
空室１に伝送する。そして、伝送されたマイクロ波を酸
素ガス中に放電し、この放電によって生じる酸素プラズ
マにより、処理基板７のレジストを除去する。このとき
、レジストが除去される速度すなわちアッシング速度は
、１．０μｍ／分で、６インチの処理基板７における均
一性は±１５％である。
に導入し、このマイクロ波を石英プレート６を通して真
空室１に伝送する。そして、伝送されたマイクロ波を酸
素ガス中に放電し、この放電によって生じる酸素プラズ
マにより、処理基板７のレジストを除去する。このとき
、レジストが除去される速度すなわちアッシング速度は
、１．０μｍ／分で、６インチの処理基板７における均
一性は±１５％である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上記のような従来の構成では、マイクロ波を用
いているために、処理基板７に与えるダメージを少なく
することができるが、８インチ以上の大口径基板のレジ
ストを均一に高速で除去するためには、マイクロ波を効
率良くチャンバー４に導入する必要があり、このために
はチャンバー４を共振器構造としなければならない。し
かし、共振器構造とすれば、チャンバー４の構造が限定
されるので、大口径化すること自体が困難となる問題が
あった。
いているために、処理基板７に与えるダメージを少なく
することができるが、８インチ以上の大口径基板のレジ
ストを均一に高速で除去するためには、マイクロ波を効
率良くチャンバー４に導入する必要があり、このために
はチャンバー４を共振器構造としなければならない。し
かし、共振器構造とすれば、チャンバー４の構造が限定
されるので、大口径化すること自体が困難となる問題が
あった。
本発明は上記問題点を解決するもので、処理対象となる
大口径の試料のレジストを均一に高速で除去することが
できるマイクロ波によるプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的とする。
大口径の試料のレジストを均一に高速で除去することが
できるマイクロ波によるプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、誘電体物質で形
成されて内部に処理対象の試料が配置され、かつ導入口
と真空排気口が開口する真空容器と、この真空容器の周
囲に配置され、真空容器に向けてマイクロ波を放射する
マイクロ波放射アンテナと、このマイクロ波放射アンテ
ナにマイクロ波を導入するマイクロ波伝送手段とを備え
た構成としたものである。
成されて内部に処理対象の試料が配置され、かつ導入口
と真空排気口が開口する真空容器と、この真空容器の周
囲に配置され、真空容器に向けてマイクロ波を放射する
マイクロ波放射アンテナと、このマイクロ波放射アンテ
ナにマイクロ波を導入するマイクロ波伝送手段とを備え
た構成としたものである。
作用
上記構成により、真空容器の周囲に設けたマイクロ波放
射アンテナが、真空容器の形状に影響されることなく、
マイクロ波を真空容器に向けて放射するので、マイクロ
波が真空容器内に効率良く導入される。このため、真空
容器内に配置した試料のレジストが、放射されたマイク
ロ波により真空容器のガス中に生ずるプラズマによって
、均一に高速で除去される。したがって、マイクロ波放
射アンテナの径および長さを適宜に設定することにより
、大型の試料を均一に高速で処理することができ、かつ
、試料を枚葉ごとに処理することも、バッチ処理するこ
とも可能となる。
射アンテナが、真空容器の形状に影響されることなく、
マイクロ波を真空容器に向けて放射するので、マイクロ
波が真空容器内に効率良く導入される。このため、真空
容器内に配置した試料のレジストが、放射されたマイク
ロ波により真空容器のガス中に生ずるプラズマによって
、均一に高速で除去される。したがって、マイクロ波放
射アンテナの径および長さを適宜に設定することにより
、大型の試料を均一に高速で処理することができ、かつ
、試料を枚葉ごとに処理することも、バッチ処理するこ
とも可能となる。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第１
図〜第２図において、チャンバー１１はマイクロ波を外
部に放射させないために設けられたものであり、チャン
バー１１にはマイクロ波をチャンバー１１の内部に伝送
するための導波管１２が１設されている。また、チャン
バー１１の内部に、石英ペルジャー１３によって真空室
１４が形成されており、この真空室１４には、ガス導入
口１５と真空排気口１６とが開口している。そして、石
英ペルジｔ−１３の周囲には、マイクロ波を真空室１４
に向けて放射するマイクロ波放射アンテナ１７が配置さ
れており、導波管１２とマイクロ波放射アンテナ１７と
は結合部材１８を介して結合されている。そして、真空
室１４の内部には処理対象の試料である複数の処理基板
１９が基板台２０に支持されて配置されている。また、
マイクロ波放射アンテナ１７は、内径３００／Ｉｌｌ、
外径３２０闇、長さ４００ｒｍ、スリット幅２０Ｍ、ス
リットのピッチ８５顯、スリット全長２９４０ｉａ （
マイクロ波の半波長の整数倍）に形成されている。
図〜第２図において、チャンバー１１はマイクロ波を外
部に放射させないために設けられたものであり、チャン
バー１１にはマイクロ波をチャンバー１１の内部に伝送
するための導波管１２が１設されている。また、チャン
バー１１の内部に、石英ペルジャー１３によって真空室
１４が形成されており、この真空室１４には、ガス導入
口１５と真空排気口１６とが開口している。そして、石
英ペルジｔ−１３の周囲には、マイクロ波を真空室１４
に向けて放射するマイクロ波放射アンテナ１７が配置さ
れており、導波管１２とマイクロ波放射アンテナ１７と
は結合部材１８を介して結合されている。そして、真空
室１４の内部には処理対象の試料である複数の処理基板
１９が基板台２０に支持されて配置されている。また、
マイクロ波放射アンテナ１７は、内径３００／Ｉｌｌ、
外径３２０闇、長さ４００ｒｍ、スリット幅２０Ｍ、ス
リットのピッチ８５顯、スリット全長２９４０ｉａ （
マイクロ波の半波長の整数倍）に形成されている。
以下、上記構成における作用について説明する。
まず、真空室１４は、ガス導入口１５から２００ＳＣＣ
Ｈの酸素ガスが流入する状態で約０．５Ｔｏｒｒの真空
に維持されている。この状態で導波管１２よりマイクロ
波をチャンバー１１の内部に導入し、マイクロ波放射ア
ンテナ１７から真空室１４に向けてマイクロ波を放射す
る。この放射されたマイクロ波によって真空室１４の中
の酸素ガスが放電し、酸素プラズマが生じる。このとき
のマイクロ波電力は１ＫＷである。そして、シリコンウ
ェハ上にポジレジストパターンを形成された８インチの
大口径の処理基板１９は、酸素プラズマにさらされ、レ
ジストが除去される。このときのレジストの除去速度す
なわちアッシング速度は、１．５μｒａ１分以上、処理
基板１９における均一性は±２０％以内、複数の処理基
板１９の間におけるばらつきは±１５％以内である。
Ｈの酸素ガスが流入する状態で約０．５Ｔｏｒｒの真空
に維持されている。この状態で導波管１２よりマイクロ
波をチャンバー１１の内部に導入し、マイクロ波放射ア
ンテナ１７から真空室１４に向けてマイクロ波を放射す
る。この放射されたマイクロ波によって真空室１４の中
の酸素ガスが放電し、酸素プラズマが生じる。このとき
のマイクロ波電力は１ＫＷである。そして、シリコンウ
ェハ上にポジレジストパターンを形成された８インチの
大口径の処理基板１９は、酸素プラズマにさらされ、レ
ジストが除去される。このときのレジストの除去速度す
なわちアッシング速度は、１．５μｒａ１分以上、処理
基板１９における均一性は±２０％以内、複数の処理基
板１９の間におけるばらつきは±１５％以内である。
このように、本実施例によれば、マイクロ波放射アンテ
ナ１７により、チャンバー１１の形状に影響されずに、
マイクロ波を効牛良く真空室１４に導入することができ
、処理基板１９のレジストが酸素プラズマによって高速
で均一に除去される。
ナ１７により、チャンバー１１の形状に影響されずに、
マイクロ波を効牛良く真空室１４に導入することができ
、処理基板１９のレジストが酸素プラズマによって高速
で均一に除去される。
次に、第３図〜第４図は本発明の他の実施例を示す。真
空室２１は、ガス導入口２２と真空排気口２３を有し、
Ｏリングを介してチャンバー２４に設けた石英ペルジャ
ー２５で真空に保たれている。２６はマイクロ波を伝送
する導波管、２７はマイクロ波を放射するためのマイク
ロ波放射アンテナ、２８は導波管２６とマイクロ波放射
アンテナ２７を結合するための結合部材である。２９は
処理基板３０を載置するための基板台である。そして、
マイクロ波放射アンテナ２７は内径３００鮒、外径３２
０關、長さ８０制、スリットＩＰ２０ｍ＃Ｉ、スリット
長さ６０ｍ１（マイクロ波の半波長）のスリットが１５
本切っである。
空室２１は、ガス導入口２２と真空排気口２３を有し、
Ｏリングを介してチャンバー２４に設けた石英ペルジャ
ー２５で真空に保たれている。２６はマイクロ波を伝送
する導波管、２７はマイクロ波を放射するためのマイク
ロ波放射アンテナ、２８は導波管２６とマイクロ波放射
アンテナ２７を結合するための結合部材である。２９は
処理基板３０を載置するための基板台である。そして、
マイクロ波放射アンテナ２７は内径３００鮒、外径３２
０關、長さ８０制、スリットＩＰ２０ｍ＃Ｉ、スリット
長さ６０ｍ１（マイクロ波の半波長）のスリットが１５
本切っである。
この構成においては、真空室２１は、ガス導入口２２か
ら３０ＳＣＣＭの酸素ガスを流した状態で約０．５ＴＯ
ｒ「の真空に維持される。そして、ガス導入口２２から
供給された酸素ガスはマイクロ波放射アンテナ２７から
放射されたマイクロ波によって放電する。
ら３０ＳＣＣＭの酸素ガスを流した状態で約０．５ＴＯ
ｒ「の真空に維持される。そして、ガス導入口２２から
供給された酸素ガスはマイクロ波放射アンテナ２７から
放射されたマイクロ波によって放電する。
このときのマイクロ波電力４よ６００Ｗである。そして
、シリコンウェハ上にポジレジストパターンを形成した
８インチの処理基板３０は、Ｆｉ木プラズマにさらされ
、レジストがアッシングされる。レジストのアッシング
速度は、１．５μｒａ１分以上、処理基板２８内の均一
性は±１５％以内である。
、シリコンウェハ上にポジレジストパターンを形成した
８インチの処理基板３０は、Ｆｉ木プラズマにさらされ
、レジストがアッシングされる。レジストのアッシング
速度は、１．５μｒａ１分以上、処理基板２８内の均一
性は±１５％以内である。
このように、本実施例によれば、マイクロ波放射アンテ
ナ２７を用い、マイクロ波放射アンテナ２７の内側に、
処理基板３０を載置することにより、チャンバー２４の
形状に影響されることなくマイクロ波を効率良く真空室
２１に導入することができ、大型の処理基板３０でも均
一に高速で処理することができる。
ナ２７を用い、マイクロ波放射アンテナ２７の内側に、
処理基板３０を載置することにより、チャンバー２４の
形状に影響されることなくマイクロ波を効率良く真空室
２１に導入することができ、大型の処理基板３０でも均
一に高速で処理することができる。
また、第３図において、処理基板に、８インチシリコン
ウェハに、ポリシリコン膜を形成したものを用い、反応
ガスとしてＳＦｓを用いて、エツチングを行ってもよい
。この場合には、結果として、ポリシリコンのエッチレ
ート５ｏｏｏ人／分以上、均一性±１５％以内が得られ
た。
ウェハに、ポリシリコン膜を形成したものを用い、反応
ガスとしてＳＦｓを用いて、エツチングを行ってもよい
。この場合には、結果として、ポリシリコンのエッチレ
ート５ｏｏｏ人／分以上、均一性±１５％以内が得られ
た。
なお、上記各実施例において、石英ペルジャー１２、２
２はマイクロ波を透過、させ、かつ真空保持できる誘電
体物質であれば良い。
２はマイクロ波を透過、させ、かつ真空保持できる誘電
体物質であれば良い。
また、各実施例では、レジストのアッシング、エツチン
グについて説明したが、ＣＶＤ （気相成長）について
も適用できる。
グについて説明したが、ＣＶＤ （気相成長）について
も適用できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、マイクロ波放射アンテナ
の内側に、処理基板を載置することにより、チャンバー
の形状に影響されずに、効率良く真空室にマイクロ波を
導入することができ、結果として、複数試料のバッチ処
理および大型試料の処理が可能となる。
の内側に、処理基板を載置することにより、チャンバー
の形状に影響されずに、効率良く真空室にマイクロ波を
導入することができ、結果として、複数試料のバッチ処
理および大型試料の処理が可能となる。
また、マイクロ波を用いるため、放電出力を大きくして
もイオン衝撃を抑制できるため、トランジスタへのダメ
ージが少なくてすむ。
もイオン衝撃を抑制できるため、トランジスタへのダメ
ージが少なくてすむ。
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波によるプラズマ
処理装置の断面図、第２図は第１図のマイクロ波放射ア
ンテナの斜視図、第３図は本発明の他の実施例のマイク
ロ波によるプラズマ処理装置の断面図、第４図は第３図
のマイクロ波放射アンテナの斜視図、第５図は従来のマ
イクロ波によるプラズマ処理装置の断面図である。 １１、２４・・・チャンバー、１２．２６・・・導波管
、１３．２５・・・石英ペルジャー、１４．２１・・・
真空室、１５．２２・・・ガス導入口、１６．２３・・
・真空排気口、１７．２７・・・マイクロ波放射アンテ
ナ、１９．３０・・・処理基板。 代理人 森 本 義 弘 第ｆ図 １ｔ−・・−其ガ■− 第２図 弔Ｊ凶 ２３、−阜鞠￥馳 ２ｔ・・−１循 ２７・・−マイフロシ度幼１アンテナ 第４図
処理装置の断面図、第２図は第１図のマイクロ波放射ア
ンテナの斜視図、第３図は本発明の他の実施例のマイク
ロ波によるプラズマ処理装置の断面図、第４図は第３図
のマイクロ波放射アンテナの斜視図、第５図は従来のマ
イクロ波によるプラズマ処理装置の断面図である。 １１、２４・・・チャンバー、１２．２６・・・導波管
、１３．２５・・・石英ペルジャー、１４．２１・・・
真空室、１５．２２・・・ガス導入口、１６．２３・・
・真空排気口、１７．２７・・・マイクロ波放射アンテ
ナ、１９．３０・・・処理基板。 代理人 森 本 義 弘 第ｆ図 １ｔ−・・−其ガ■− 第２図 弔Ｊ凶 ２３、−阜鞠￥馳 ２ｔ・・−１循 ２７・・−マイフロシ度幼１アンテナ 第４図
Claims (1)
- １、誘電体物質で形成されて内部に処理対象の試料が配
置され、ガス導入口と真空排気口が開口する真空容器と
、この真空容器の周囲に配置され、真空容器に向けてマ
イクロ波を放射するマイクロ波放射アンテナと、このマ
イクロ波放射アンテナにマイクロ波を導入するマイクロ
波伝送手段とを備えたマイクロ波によるプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29924587A JPH01140723A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | マイクロ波によるプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29924587A JPH01140723A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | マイクロ波によるプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140723A true JPH01140723A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17870030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29924587A Pending JPH01140723A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | マイクロ波によるプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140723A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05271949A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-10-19 | Applied Materials Inc | プラズマ反応装置及び薄膜形成方法 |
| JP2003264099A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置 |
| KR101589612B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2016-01-29 | (주)이피엔 | 인라인 플라즈마 반응기 |
| JP2017034067A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法並びにそれに用いるプログラム |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP29924587A patent/JPH01140723A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05271949A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-10-19 | Applied Materials Inc | プラズマ反応装置及び薄膜形成方法 |
| JP2003264099A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置 |
| KR101589612B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2016-01-29 | (주)이피엔 | 인라인 플라즈마 반응기 |
| JP2017034067A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法並びにそれに用いるプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62208636A (ja) | レジスト剥離方法 | |
| TW201028804A (en) | Substrate processing method | |
| JPH01140723A (ja) | マイクロ波によるプラズマ処理装置 | |
| JPS6110239A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100272143B1 (ko) | 반도체 제조장치 및 그 드라이클리닝 방법 | |
| JPH1098026A (ja) | アッシング方法 | |
| JP2802083B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH09162172A (ja) | エッチングダメージの除去方法 | |
| JP2967681B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH05290995A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP3082331B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR0156244B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 | |
| JPS61130493A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS5961930A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| JPH08330294A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10172955A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS59172237A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05347282A (ja) | アッシング装置及びその処理方法 | |
| JPH0241167B2 (ja) | ||
| JP2624158B2 (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 | |
| JPS61222533A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5976427A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3321584B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0223616A (ja) | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2002158210A (ja) | レジスト除去方法 |