JP3321584B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- semiconductor manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に、ウエハを一枚毎ドライプロセスにてエッチ
ングするのに好適なプラズマ処理装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】ウエハをドライプロセスにてエッチング
する半導体製造装置としては、複数枚のウエハを同時に
エッチング処理するバッチ式半導体製造装置が従来主流
を占めていた。しかし、半導体集積回路素子の微細化、
高集積化及びウエハの径大化が進むにつれエッッチング
の均一性等の性能上の要求が一段と厳しくなり、バッチ
式半導体製造装置では、この要求に最早対応しきれなく
なった。そこで、この要求を満足しようとする半導体製
造装置として、ウエハを一枚毎ドライプロセスにてエッ
チング処理する枚葉式半導体製造装置が開発され、近年
広く用いられるようになってきた。 【０００３】一方、ウエハを、ドライプロセスにてエッ
チング処理する技術（以下、ドライエッチング技術と
略）としては、反応性スパッタエッチング技術やマイク
ロ波プロズマエッチング技術等がある。これらドライエ
ッチング技術の諸特性については、最近ではかなりの程
度解明されており、その中のいくつかは実用化されてい
る。しかしながら、これらのドライエッチング技術に
は、それぞれ一長一短があり、その適用範囲は限られて
いる。 【０００４】従来の枚葉式半導体製造は、上記したよう
に半導体集積回路素子の微細化、高集積化及びウエハの
径大化によるエッチングの均一性等の性能上の要求に一
応対応できるものの、用いられてるドライエッチング技
術の適用範囲が限定された単一の技術であるため、エッ
チング形状を段階的に制御したり、エッチング処理の前
後の処理を連続して同一装置内で行なう等、エッチング
要求仕様の多様化が更に進む現在においては、これらに
充分対応できなくなってきている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、異な
るドライエッチング技術を組み合わせることで、エッチ
ング要求使用の多様化に対応できるプラズマ処理装置を
提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明は、真空雰囲気下
で反応性スパッタエッチング容器を複数個使用するとと
もにマイクロ波放電容器を１つ使用し、異なるプラズマ
を発生させ、前記反応性スパッタエッチング容器によっ
て試料１枚における処理全体の７０〜８０％を処理し、
前記１つのマイクロ波放電容器を用い前記試料１枚にお
ける全体の残りの２０〜３０％を処理することを特徴と
する。 【０００７】本発明によれば、異なるドライエッチング
技術を組み合わせることでエッチング要求仕様の多様化
に対応できる。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１により説
明する。図１で、反応室１０には、反応性スパッタエッ
チングとマイクロ波プラズマエッチングとの複合エッチ
ング可能なように第１のエッチング装置としての反応性
スパッタエッチング装置の容器２０と第２のエッチング
装置としてのマイクロ波放電装置の容器３０とが内設さ
れている。反応室１０とマイクロ波放電装置の容器３０
とは、排気系１１により、又、反応性スパッタエッチン
グ装置の容器２０は、排気系１２によりそれぞれ真空排
気させる。 【０００９】反応性スパッタエッチング容器２０には、
高周波電極２１とウエハ載置用電極（以下、テーブルと
略）２２とがこの場合、上下方向に対抗して内設されて
いる。高周波電極２１には、エッチングガスをテーブル
２２面に向かって放出するガス放出孔（図示省略）と、
ガス放出孔と連通しガス放出孔にエッチングガスを供給
するガス供給路（図示省略）とが形成され、ガス供給路
には、反応室１０外に設置されたガス供給手段、例えば
ガスボンベ２３に連結されたガス導管２４が連結されて
いる。又、高周波電極２１は、反応室１０外に設置され
た高周波電源２５が接続されている。 【００１０】テーブル２２には、試料台２６を介しウエ
ハ４０が一枚載置され、高周波電極２１には、高周波電
源２５より高周波が印加される。これにより、ガス放出
孔から反応性スパッタエッチング容器２０内に放出され
たエッチングガスは、プラズマ化される。このプラズマ
中の活性化された中性分子及び原子（ラジカル）とイオ
ンとは、ウエハ４０に入射し、この結果、ウエハ４０
は、その表面を化学的及び物質的にエッチングされる。 【００１１】一方、反応室１０には、マイクロ波放電容
器３０と対向してテ−ブル３１が内設されると共に、テ
ーブル３１の下方には、永久磁石３２が設けられてい
る。反応室１０の頂壁には、一端にマイクロ波発生器３
３が設けられた導波管３４がマイクロ波放電容器３０を
包囲した状態でその他端が連結されている。導波管３４
に外周には、磁場発生用コイル３５が設けられ、又、マ
イクロ波放電容器３０には、マイクロ波放電容器３０の
放電空間３６に連通し、反応室１０外に設置されたガス
供給手段、例えば、ガスボンベ３７に連結されたガス導
管３８が連結されている。 【００１２】テーブル３１には、試料台３９を介しウエ
ハ４０が一板載置され、放電空間３６には、ガスボンベ
３７からエッチングガスが導入される。放電空間３６に
導入されたエッチングガスは、磁場発生用コイル３５と
永久磁石３２とによって放電空間３６に形成されるミラ
ー磁場と、マイクロ波発生器３３で発生され導波管３４
で伝播されたマイクロ波により放電空間３６に形成され
るマイクロ波電界との相乗作用によりプラズマ化され
る。このプラズマ中の活性イオンはミラー磁場に沿って
ウエア４０に入射し、この結果ウエハ４０は、その表面
をエッチングされる。尚、図１では図示を省略したが、
この場合、反応性スパッタエッチング容器２０とマイク
ロ波放電容器との間でウエハ４０を搬送可能、反応室１
０と外部との間でウエハ４０を搬出入可能な構造となっ
ている。 【００１３】このような装置にて、例えば、半導体記憶
素子のゲート膜に用いられる単結晶シリコンをエッチン
グする場合について、以下説明する。 【００１４】ドライエッチング技術は、そのエッチング
反応機構によりその性能は大きく左右される。反応性ス
パッタエッチング技術では、エッチング速度は早いが、
しかし、イオンよる電気的ダメージが大きい。一方、マ
イクロ波プラズマエッチング技術は、イオンによる電気
的ダメージは小さく、又、エッチング角度などの形状制
御が可能である等極めて微細加工性に優れているが、し
かし、エッチング速度が小さく量産性に極めて劣る。そ
こで、次のような順序によりエッチングすることにより
両エッチング技術の長所を最大限に生かすことができ
る。つまり、エッチングの第１段階においては、反応性
スパッタエッチング技術により単結晶シリコンの７０〜
８０％をエッチングし、その後、第２段階でマイクロ波
プラズマエッチング技術により残り２０〜３０％の単結
晶シリコンをエッチングする。これにより半導体素子に
電気的ダメージを与えることなしに大きいエッチング速
度でエッチングすることができる。また、エッチング形
状を段階的に制御することにより半導体素子加工上の最
適な形状に仕上げることができる。 【００１５】図２は、本発明の他の第１実施例を示すも
ので、処理室１０’には、反応性スパッタエッチング容
器２０が２個、マイクロ波放電容器３０が１個内設され
てる。尚、図２で、図１と同一装置等は同一符号で示し
説明を省略する。このような半導体製造装置では、ウエ
ハの複数段のエッチングにおいて各々に最適なドライエ
ッチング技術を採用することによりエッチング要求仕様
の多様化に更に対応することができる。 【００１６】図３は、本発明の他の第２実施例を示すも
ので、処理室１０”には、反応性スパッタエッチング容
器２０が１個、マイクロ波放電容器３０が２個内設され
ている。尚、図３で、図１と同一装置等は同一符号で示
し説明を省略する。このような半導体製造装置では、上
記第１実施例で得られた効果を得ることができる。 【００１７】図４は、本発明の他の第３実施例を示すも
ので、図１で示したテーブル２２、３１が一体化された
テーブル５０が処理室１０に回動可能に内設されてい
る。又、試料台５１は共用される。尚、図４で、図１と
同一装置等は同一符号で示し説明を省略する。 【００１８】このような半導体製造装置では、反応性ス
パッタエッチング容器２０とマイクロ波放電容器２０と
の間でウエハを搬送するウエハ搬送機構を簡単化するこ
とができる。 【００１９】 【発明の効果】本発明は以上説明したように、同一装置
内の異なる領域において異なるドライエッチング技術の
組み合わせによりウエハをエッチングできるので、エッ
チング要求仕様の多様化に対応できるという効果があ
る。
係り、特に、ウエハを一枚毎ドライプロセスにてエッチ
ングするのに好適なプラズマ処理装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】ウエハをドライプロセスにてエッチング
する半導体製造装置としては、複数枚のウエハを同時に
エッチング処理するバッチ式半導体製造装置が従来主流
を占めていた。しかし、半導体集積回路素子の微細化、
高集積化及びウエハの径大化が進むにつれエッッチング
の均一性等の性能上の要求が一段と厳しくなり、バッチ
式半導体製造装置では、この要求に最早対応しきれなく
なった。そこで、この要求を満足しようとする半導体製
造装置として、ウエハを一枚毎ドライプロセスにてエッ
チング処理する枚葉式半導体製造装置が開発され、近年
広く用いられるようになってきた。 【０００３】一方、ウエハを、ドライプロセスにてエッ
チング処理する技術（以下、ドライエッチング技術と
略）としては、反応性スパッタエッチング技術やマイク
ロ波プロズマエッチング技術等がある。これらドライエ
ッチング技術の諸特性については、最近ではかなりの程
度解明されており、その中のいくつかは実用化されてい
る。しかしながら、これらのドライエッチング技術に
は、それぞれ一長一短があり、その適用範囲は限られて
いる。 【０００４】従来の枚葉式半導体製造は、上記したよう
に半導体集積回路素子の微細化、高集積化及びウエハの
径大化によるエッチングの均一性等の性能上の要求に一
応対応できるものの、用いられてるドライエッチング技
術の適用範囲が限定された単一の技術であるため、エッ
チング形状を段階的に制御したり、エッチング処理の前
後の処理を連続して同一装置内で行なう等、エッチング
要求仕様の多様化が更に進む現在においては、これらに
充分対応できなくなってきている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、異な
るドライエッチング技術を組み合わせることで、エッチ
ング要求使用の多様化に対応できるプラズマ処理装置を
提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明は、真空雰囲気下
で反応性スパッタエッチング容器を複数個使用するとと
もにマイクロ波放電容器を１つ使用し、異なるプラズマ
を発生させ、前記反応性スパッタエッチング容器によっ
て試料１枚における処理全体の７０〜８０％を処理し、
前記１つのマイクロ波放電容器を用い前記試料１枚にお
ける全体の残りの２０〜３０％を処理することを特徴と
する。 【０００７】本発明によれば、異なるドライエッチング
技術を組み合わせることでエッチング要求仕様の多様化
に対応できる。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１により説
明する。図１で、反応室１０には、反応性スパッタエッ
チングとマイクロ波プラズマエッチングとの複合エッチ
ング可能なように第１のエッチング装置としての反応性
スパッタエッチング装置の容器２０と第２のエッチング
装置としてのマイクロ波放電装置の容器３０とが内設さ
れている。反応室１０とマイクロ波放電装置の容器３０
とは、排気系１１により、又、反応性スパッタエッチン
グ装置の容器２０は、排気系１２によりそれぞれ真空排
気させる。 【０００９】反応性スパッタエッチング容器２０には、
高周波電極２１とウエハ載置用電極（以下、テーブルと
略）２２とがこの場合、上下方向に対抗して内設されて
いる。高周波電極２１には、エッチングガスをテーブル
２２面に向かって放出するガス放出孔（図示省略）と、
ガス放出孔と連通しガス放出孔にエッチングガスを供給
するガス供給路（図示省略）とが形成され、ガス供給路
には、反応室１０外に設置されたガス供給手段、例えば
ガスボンベ２３に連結されたガス導管２４が連結されて
いる。又、高周波電極２１は、反応室１０外に設置され
た高周波電源２５が接続されている。 【００１０】テーブル２２には、試料台２６を介しウエ
ハ４０が一枚載置され、高周波電極２１には、高周波電
源２５より高周波が印加される。これにより、ガス放出
孔から反応性スパッタエッチング容器２０内に放出され
たエッチングガスは、プラズマ化される。このプラズマ
中の活性化された中性分子及び原子（ラジカル）とイオ
ンとは、ウエハ４０に入射し、この結果、ウエハ４０
は、その表面を化学的及び物質的にエッチングされる。 【００１１】一方、反応室１０には、マイクロ波放電容
器３０と対向してテ−ブル３１が内設されると共に、テ
ーブル３１の下方には、永久磁石３２が設けられてい
る。反応室１０の頂壁には、一端にマイクロ波発生器３
３が設けられた導波管３４がマイクロ波放電容器３０を
包囲した状態でその他端が連結されている。導波管３４
に外周には、磁場発生用コイル３５が設けられ、又、マ
イクロ波放電容器３０には、マイクロ波放電容器３０の
放電空間３６に連通し、反応室１０外に設置されたガス
供給手段、例えば、ガスボンベ３７に連結されたガス導
管３８が連結されている。 【００１２】テーブル３１には、試料台３９を介しウエ
ハ４０が一板載置され、放電空間３６には、ガスボンベ
３７からエッチングガスが導入される。放電空間３６に
導入されたエッチングガスは、磁場発生用コイル３５と
永久磁石３２とによって放電空間３６に形成されるミラ
ー磁場と、マイクロ波発生器３３で発生され導波管３４
で伝播されたマイクロ波により放電空間３６に形成され
るマイクロ波電界との相乗作用によりプラズマ化され
る。このプラズマ中の活性イオンはミラー磁場に沿って
ウエア４０に入射し、この結果ウエハ４０は、その表面
をエッチングされる。尚、図１では図示を省略したが、
この場合、反応性スパッタエッチング容器２０とマイク
ロ波放電容器との間でウエハ４０を搬送可能、反応室１
０と外部との間でウエハ４０を搬出入可能な構造となっ
ている。 【００１３】このような装置にて、例えば、半導体記憶
素子のゲート膜に用いられる単結晶シリコンをエッチン
グする場合について、以下説明する。 【００１４】ドライエッチング技術は、そのエッチング
反応機構によりその性能は大きく左右される。反応性ス
パッタエッチング技術では、エッチング速度は早いが、
しかし、イオンよる電気的ダメージが大きい。一方、マ
イクロ波プラズマエッチング技術は、イオンによる電気
的ダメージは小さく、又、エッチング角度などの形状制
御が可能である等極めて微細加工性に優れているが、し
かし、エッチング速度が小さく量産性に極めて劣る。そ
こで、次のような順序によりエッチングすることにより
両エッチング技術の長所を最大限に生かすことができ
る。つまり、エッチングの第１段階においては、反応性
スパッタエッチング技術により単結晶シリコンの７０〜
８０％をエッチングし、その後、第２段階でマイクロ波
プラズマエッチング技術により残り２０〜３０％の単結
晶シリコンをエッチングする。これにより半導体素子に
電気的ダメージを与えることなしに大きいエッチング速
度でエッチングすることができる。また、エッチング形
状を段階的に制御することにより半導体素子加工上の最
適な形状に仕上げることができる。 【００１５】図２は、本発明の他の第１実施例を示すも
ので、処理室１０’には、反応性スパッタエッチング容
器２０が２個、マイクロ波放電容器３０が１個内設され
てる。尚、図２で、図１と同一装置等は同一符号で示し
説明を省略する。このような半導体製造装置では、ウエ
ハの複数段のエッチングにおいて各々に最適なドライエ
ッチング技術を採用することによりエッチング要求仕様
の多様化に更に対応することができる。 【００１６】図３は、本発明の他の第２実施例を示すも
ので、処理室１０”には、反応性スパッタエッチング容
器２０が１個、マイクロ波放電容器３０が２個内設され
ている。尚、図３で、図１と同一装置等は同一符号で示
し説明を省略する。このような半導体製造装置では、上
記第１実施例で得られた効果を得ることができる。 【００１７】図４は、本発明の他の第３実施例を示すも
ので、図１で示したテーブル２２、３１が一体化された
テーブル５０が処理室１０に回動可能に内設されてい
る。又、試料台５１は共用される。尚、図４で、図１と
同一装置等は同一符号で示し説明を省略する。 【００１８】このような半導体製造装置では、反応性ス
パッタエッチング容器２０とマイクロ波放電容器２０と
の間でウエハを搬送するウエハ搬送機構を簡単化するこ
とができる。 【００１９】 【発明の効果】本発明は以上説明したように、同一装置
内の異なる領域において異なるドライエッチング技術の
組み合わせによりウエハをエッチングできるので、エッ
チング要求仕様の多様化に対応できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す枚葉式半導体製造装置
の構成図である。 【図２】本発明の他の実施例を示す枚葉式半導体製造装
置の構成図である。 【図３】本発明の他の実施例を示す枚葉式半導体製造装
置の構成図である。 【図４】本発明の他の実施例を示す枚葉式半導体製造装
置の構成図である。 【符号の説明】 １０，１０’，１０”…反応室、 １１，１２…排気
系、 ２０…反応性スパッタエッチング容器、 ２３，
３７…ガスボンベ、 ２５…高周波電源、 ３０…マイ
クロ波放電容器、 ３２…永久磁石、 ３３…マイクロ
波発生器、 ３４…導波管、 ３５…磁場発生用コイ
ル、 ４０…ウエハ
の構成図である。 【図２】本発明の他の実施例を示す枚葉式半導体製造装
置の構成図である。 【図３】本発明の他の実施例を示す枚葉式半導体製造装
置の構成図である。 【図４】本発明の他の実施例を示す枚葉式半導体製造装
置の構成図である。 【符号の説明】 １０，１０’，１０”…反応室、 １１，１２…排気
系、 ２０…反応性スパッタエッチング容器、 ２３，
３７…ガスボンベ、 ２５…高周波電源、 ３０…マイ
クロ波放電容器、 ３２…永久磁石、 ３３…マイクロ
波発生器、 ３４…導波管、 ３５…磁場発生用コイ
ル、 ４０…ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 丸本 愿
山口県下松市大字東豊井794番地 株式
会社 日立製作所 笠戸工場内
(72)発明者 奥平 定之
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社 日立製作所 中央研究所内
(56)参考文献 特開 昭60−37129（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−137638（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−278（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−100431（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−82955（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−87477（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3065
C23F 4/00
H01L 21/205
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】１． 真空雰囲気下で反応性スパッタエッチング容器を複
数個使用するとともにマイクロ波放電容器を１つ使用
し、異なるプラズマを発生させ、前記反応性スパッタエ
ッチング容器によって試料１枚における処理全体の７０
〜８０％を処理し、前記１つのマイクロ波放電容器を用
い前記試料１枚における全体の残りの２０〜３０％を処
理することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000005960A JP3321584B2 (ja) | 1993-08-10 | 2000-01-07 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000005960A JP3321584B2 (ja) | 1993-08-10 | 2000-01-07 | プラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9327996A Division JP3052266B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150494A JP2000150494A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3321584B2 true JP3321584B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18534560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000005960A Expired - Lifetime JP3321584B2 (ja) | 1993-08-10 | 2000-01-07 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3321584B2 (ja) |
-
2000
- 2000-01-07 JP JP2000005960A patent/JP3321584B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000150494A (ja) | 2000-05-30 |
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