JP3192351B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP3192351B2 JP3192351B2 JP17436695A JP17436695A JP3192351B2 JP 3192351 B2 JP3192351 B2 JP 3192351B2 JP 17436695 A JP17436695 A JP 17436695A JP 17436695 A JP17436695 A JP 17436695A JP 3192351 B2 JP3192351 B2 JP 3192351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing
- coil
- magnetic field
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理体に対して、エ
ッチング処理を始めとする各種のプラズマ処理を施すた
めのプラズマ処理装置に関するものである。
ッチング処理を始めとする各種のプラズマ処理を施すた
めのプラズマ処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から半導体製造プロセスにおいて
は、エッチング処理を始めとして、スパッタリング処理
やCVD処理などの処理に際し、処理容器内にプラズマ
を発生させ、該プラズマ雰囲気で、被処理基板、例えば
半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の表面に所定
の処理を行うように構成されたプラズマ処理装置が用い
られているが、今日ではデバイスの集積度が益々高くな
り、またスループットの向上も極めて重要であることか
ら、これらプラズマ処理装置においては、歩留まりの向
上はもちろんのこと、微細な処理を高速に実施すること
がとりわけ重視されている。
は、エッチング処理を始めとして、スパッタリング処理
やCVD処理などの処理に際し、処理容器内にプラズマ
を発生させ、該プラズマ雰囲気で、被処理基板、例えば
半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の表面に所定
の処理を行うように構成されたプラズマ処理装置が用い
られているが、今日ではデバイスの集積度が益々高くな
り、またスループットの向上も極めて重要であることか
ら、これらプラズマ処理装置においては、歩留まりの向
上はもちろんのこと、微細な処理を高速に実施すること
がとりわけ重視されている。
【0003】この点を踏まえた上で、例えばエッチング
装置を例にとって説明すると、プラズマ発生のために高
周波電力を用いたいわゆるカソードカップル型エッチン
グ装置やアノードカップル型エッチング装置において
は、そのままの構成でプラズマ密度を高めようとする
と、高周波電力のパワーを上げる必要がある。
装置を例にとって説明すると、プラズマ発生のために高
周波電力を用いたいわゆるカソードカップル型エッチン
グ装置やアノードカップル型エッチング装置において
は、そのままの構成でプラズマ密度を高めようとする
と、高周波電力のパワーを上げる必要がある。
【0004】しかしながらそのように高周波のパワーを
上げると今度は、イオンの入射エネルギーの上昇を招
き、その結果ウエハへのダメージやマスクのレジストの
変質をもたらすという問題が生ずる。
上げると今度は、イオンの入射エネルギーの上昇を招
き、その結果ウエハへのダメージやマスクのレジストの
変質をもたらすという問題が生ずる。
【0005】これを改善するため、特公昭58−123
47号においては、上下の電極に異なった周波数の高周
波を印加し、高い周波数の高周波でプラズマを発生さ
せ、低い周波数の高周波でイオン入射のエネルギーを独
立に制御することが提案されている。
47号においては、上下の電極に異なった周波数の高周
波を印加し、高い周波数の高周波でプラズマを発生さ
せ、低い周波数の高周波でイオン入射のエネルギーを独
立に制御することが提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
技術では、プラズマ密度を向上させるには限界があり、
またより微細な処理を実施するために処理容器内の圧力
を下げると、プラズマが処理容器内に拡散してしまい、
その結果所期の高密度プラズマが得られないおそれがあ
る。
技術では、プラズマ密度を向上させるには限界があり、
またより微細な処理を実施するために処理容器内の圧力
を下げると、プラズマが処理容器内に拡散してしまい、
その結果所期の高密度プラズマが得られないおそれがあ
る。
【0007】この点に関し、例えば被処理体上に平行磁
場を形成し、被処理体表面に形成された直交電磁界によ
るマグネトロン放電を利用するマグネトロンRIE装置
の構成を取り入れて、プラズマ密度をさらに上げること
も考えられるが、そうすると今度はプラズマ密度の均一
性を確保するのが難しくなる。しかもプラズマの拡散を
抑えるためにプラズマを処理領域内に閉じこめるという
問題も依然として残っている。
場を形成し、被処理体表面に形成された直交電磁界によ
るマグネトロン放電を利用するマグネトロンRIE装置
の構成を取り入れて、プラズマ密度をさらに上げること
も考えられるが、そうすると今度はプラズマ密度の均一
性を確保するのが難しくなる。しかもプラズマの拡散を
抑えるためにプラズマを処理領域内に閉じこめるという
問題も依然として残っている。
【0008】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、プラズマ密度の均一性の確保が容易で、しかもプ
ラズマの拡散を抑えて高いプラズマ密度を確保できるプ
ラズマ処理装置を提供して、前記問題の解決を図ること
を目的とする。
あり、プラズマ密度の均一性の確保が容易で、しかもプ
ラズマの拡散を抑えて高いプラズマ密度を確保できるプ
ラズマ処理装置を提供して、前記問題の解決を図ること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1のプラズマ処理装置は、2つの電極を処理
容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生
させて、前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対
して処理を施す処理装置であって、前記処理容器の外部
には、前記処理容器内のプラズマを閉じこめる磁界壁を
形成する磁界発生手段が配置され,前記磁界発生手段
は、前記処理容器の外周の上方に設けられた第1のコイ
ルと、前記処理容器の外周の下方に設けられた第2のコ
イルとからなり、さらに前記第1のコイルと、前記第2
のコイルとは、各々内側コイルと外側コイルとからな
り、前記内側コイルと前記外側コイルとには、相互に逆
向きの電流が流されることを特徴とするものである。
め、請求項1のプラズマ処理装置は、2つの電極を処理
容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生
させて、前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対
して処理を施す処理装置であって、前記処理容器の外部
には、前記処理容器内のプラズマを閉じこめる磁界壁を
形成する磁界発生手段が配置され,前記磁界発生手段
は、前記処理容器の外周の上方に設けられた第1のコイ
ルと、前記処理容器の外周の下方に設けられた第2のコ
イルとからなり、さらに前記第1のコイルと、前記第2
のコイルとは、各々内側コイルと外側コイルとからな
り、前記内側コイルと前記外側コイルとには、相互に逆
向きの電流が流されることを特徴とするものである。
【0010】また請求項2のプラズマ処理装置は、前記
請求項1のプラズマ処理装置における前記外側コイルの
起磁力が,前記内側コイルの起磁力よりも高く設定され
ていることを特徴とするものである。
請求項1のプラズマ処理装置における前記外側コイルの
起磁力が,前記内側コイルの起磁力よりも高く設定され
ていることを特徴とするものである。
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】(作用) そして本発明のプラズマ処理装置においては、その処理
容器の外部に、処理容器内のプラズマを閉じこめるため
の磁界壁を形成する磁界発生手段が配置されているの
で、前記第2の高周波電源からの高周波電力によって処
理容器内に発生したプラズマは、前記磁界壁によって閉
じこめられる。その結果、プラズマは拡散することな
く、プラズマの密度は上昇する。
容器の外部に、処理容器内のプラズマを閉じこめるため
の磁界壁を形成する磁界発生手段が配置されているの
で、前記第2の高周波電源からの高周波電力によって処
理容器内に発生したプラズマは、前記磁界壁によって閉
じこめられる。その結果、プラズマは拡散することな
く、プラズマの密度は上昇する。
【0015】また本発明によれば,略紡錘状の磁界壁を
形成することができるので,処理容器内の中心部におい
て、その磁場強度を殆ど0(ゼロ)とすることができ
る。このように、一方の電極上、つまり被処理体上の磁
場強度をそのようにいわば無磁場状態にすることによっ
て、被処理体上のプラズマ密度の均一性は良好なものと
なる。従って、前記高密度プラズマの下での処理の均一
性も良好なものとすることができる。
形成することができるので,処理容器内の中心部におい
て、その磁場強度を殆ど0(ゼロ)とすることができ
る。このように、一方の電極上、つまり被処理体上の磁
場強度をそのようにいわば無磁場状態にすることによっ
て、被処理体上のプラズマ密度の均一性は良好なものと
なる。従って、前記高密度プラズマの下での処理の均一
性も良好なものとすることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明をエッチング装置に適用した実
施例について説明すると、図1は第1の実施例にかかる
エッチング装置1の断面を模式的に示しており、このエ
ッチング装置1における処理室2は、酸化アルマイト処
理されたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器
3内に形成され、処理室2は気密に閉塞自在に構成され
ている。また処理容器3自体は、例えば接地線4に接続
されるなどして接地されている。
施例について説明すると、図1は第1の実施例にかかる
エッチング装置1の断面を模式的に示しており、このエ
ッチング装置1における処理室2は、酸化アルマイト処
理されたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器
3内に形成され、処理室2は気密に閉塞自在に構成され
ている。また処理容器3自体は、例えば接地線4に接続
されるなどして接地されている。
【0017】前記処理室2内の底部にはセラミックなど
の絶縁支持板5が設けられており、この絶縁支持板5の
上部に、被処理体例えば直径12インチの半導体ウエハ
(以下、「ウエハ」という)Wを載置するための略円柱
状のサセプタ6が収容されている。このサセプタ6は、
例えば酸化アルマイト処理されたアルミニウムからなっ
ており、下部電極を構成する。
の絶縁支持板5が設けられており、この絶縁支持板5の
上部に、被処理体例えば直径12インチの半導体ウエハ
(以下、「ウエハ」という)Wを載置するための略円柱
状のサセプタ6が収容されている。このサセプタ6は、
例えば酸化アルマイト処理されたアルミニウムからなっ
ており、下部電極を構成する。
【0018】前記サセプタ6内には、冷媒が流通する冷
媒循環路7が形成されており、冷媒導入管8から導入さ
れた冷媒は、この冷媒循環路7内を巡って冷媒排出管9
から処理容器3外部に排出されるようになっている。か
かる構成により、サセプタ6及び前記ウエハWを所定の
温度に冷却することが可能になっている。また同時にサ
セプタ6内に、例えばセラミックヒータなどの加熱手段
を別途を設け、適宜の温度センサによる制御によって該
加熱手段をコントロールし、前記した冷媒循環路7の作
用と共に、ウエハWを所定温度に制御する構成としても
よい。この場合には、より微細な温度調整が可能であ
る。
媒循環路7が形成されており、冷媒導入管8から導入さ
れた冷媒は、この冷媒循環路7内を巡って冷媒排出管9
から処理容器3外部に排出されるようになっている。か
かる構成により、サセプタ6及び前記ウエハWを所定の
温度に冷却することが可能になっている。また同時にサ
セプタ6内に、例えばセラミックヒータなどの加熱手段
を別途を設け、適宜の温度センサによる制御によって該
加熱手段をコントロールし、前記した冷媒循環路7の作
用と共に、ウエハWを所定温度に制御する構成としても
よい。この場合には、より微細な温度調整が可能であ
る。
【0019】前記サセプタ6上には、ウエハWを吸着保
持するための静電チャック11が設けられている。この
静電チャック11は、導電性の薄膜12をポリイミド系
の樹脂フィルム13によって上下から挟持した構成を有
し、処理容器3の外部に設置されている高圧直流電源1
4からの所定の直流電圧、例えば1.5kV〜2kVの
電圧が前記薄膜12に印加されると、樹脂フィルム13
上に発生する電荷に基づいたクーロン力によって、静電
チャック11上に載置されたウエハWは、この静電チャ
ック11の上面に吸着保持されるようになっている。
持するための静電チャック11が設けられている。この
静電チャック11は、導電性の薄膜12をポリイミド系
の樹脂フィルム13によって上下から挟持した構成を有
し、処理容器3の外部に設置されている高圧直流電源1
4からの所定の直流電圧、例えば1.5kV〜2kVの
電圧が前記薄膜12に印加されると、樹脂フィルム13
上に発生する電荷に基づいたクーロン力によって、静電
チャック11上に載置されたウエハWは、この静電チャ
ック11の上面に吸着保持されるようになっている。
【0020】また前記サセプタ6内には、処理容器3底
部及び絶縁支持板5を貫設した伝熱ガス導入管15が設
けられ、前記静電チャック11上面に開口したガス流路
16と接続されている。そして処理容器3外部から供給
される適宜の伝熱ガス、例えばHe(ヘリウム)ガスが
前記伝熱ガス導入管15、ガス流路16を通じて、静電
チャック11上に保持されているウエハWの裏面に供給
されると、ウエハWと静電チャック11、即ちサセプタ
6との間の熱伝達効率が向上するようになっている。
部及び絶縁支持板5を貫設した伝熱ガス導入管15が設
けられ、前記静電チャック11上面に開口したガス流路
16と接続されている。そして処理容器3外部から供給
される適宜の伝熱ガス、例えばHe(ヘリウム)ガスが
前記伝熱ガス導入管15、ガス流路16を通じて、静電
チャック11上に保持されているウエハWの裏面に供給
されると、ウエハWと静電チャック11、即ちサセプタ
6との間の熱伝達効率が向上するようになっている。
【0021】前記サセプタ6の上面外周縁における静電
チャック11の周囲には、この静電チャック11を取り
囲むようにして、環状のフォーカスリング17が設けら
れている。このフォーカスリング17は、例えば導電性
を有する単結晶シリコン等で形成された場合には、ウエ
ハW周辺のプラズマ密度の均一性を改善する機能を有
し、また石英等の絶縁体で形成された場合には、プラズ
マ中のイオンを引き寄せず、ウエハWへの入射効率を向
上させる機能を有する。このような作用を鑑みれば、内
側に導電性のフォーカスリングを配置し、その外周に絶
縁性のフォーカスリングを配置した構成をとれば、ウエ
ハW周辺のプラズマ密度の均一性を改善しつつ、かつウ
エハW上のプラズマ密度を高める作用が得られる。
チャック11の周囲には、この静電チャック11を取り
囲むようにして、環状のフォーカスリング17が設けら
れている。このフォーカスリング17は、例えば導電性
を有する単結晶シリコン等で形成された場合には、ウエ
ハW周辺のプラズマ密度の均一性を改善する機能を有
し、また石英等の絶縁体で形成された場合には、プラズ
マ中のイオンを引き寄せず、ウエハWへの入射効率を向
上させる機能を有する。このような作用を鑑みれば、内
側に導電性のフォーカスリングを配置し、その外周に絶
縁性のフォーカスリングを配置した構成をとれば、ウエ
ハW周辺のプラズマ密度の均一性を改善しつつ、かつウ
エハW上のプラズマ密度を高める作用が得られる。
【0022】前出サセプタ6の周囲には、多数の透孔が
形成されたバッフル板18が配置されており、さらにこ
のバッフル板18の下方における処理容器3の底部近傍
には、排気口19が設けられ、この排気口19は、例え
ばターボ分子ポンプなどの真空引き手段20に通ずる排
気管21と接続されている。従って、真空引き手段20
の作動によって、処理容器3内は所定の減圧度、例えば
10mTorrにまで、真空引きすることが可能であ
り、しかもその場合、処理容器3内のガスは前記バッフ
ル板18を通じて排気されるので、均一に排気すること
が可能である。
形成されたバッフル板18が配置されており、さらにこ
のバッフル板18の下方における処理容器3の底部近傍
には、排気口19が設けられ、この排気口19は、例え
ばターボ分子ポンプなどの真空引き手段20に通ずる排
気管21と接続されている。従って、真空引き手段20
の作動によって、処理容器3内は所定の減圧度、例えば
10mTorrにまで、真空引きすることが可能であ
り、しかもその場合、処理容器3内のガスは前記バッフ
ル板18を通じて排気されるので、均一に排気すること
が可能である。
【0023】このような処理容器3内の排気、並びに真
空引き手段20の作動による処理容器3内の減圧度の維
持は、処理容器3に設けた圧力センサ(図示せず)から
の検出信号に基づいて自動的に制御されるようになって
いる。
空引き手段20の作動による処理容器3内の減圧度の維
持は、処理容器3に設けた圧力センサ(図示せず)から
の検出信号に基づいて自動的に制御されるようになって
いる。
【0024】前出処理室2の上部には、例えばアルミナ
からなる絶縁材31を介して、上部電極32が設けられ
ている。この上部電極32は、導電性の材質、例えば酸
化アルマイト処理されたアルミニウムで構成されている
が、少なくとも前記ウエハWに対向する面32aは、他
の導電性材質、例えば単結晶シリコンで形成してもよ
い。またこの上部電極32は、その内部に中空部32b
を有する中空構造を有しており、さらに上部電極32の
上部中央にはガス導入口33が形成され、このガス導入
口33は前記中空部32bと通じている。そしてウエハ
Wに対向する面32aには、多数の吐出口32cが形成
されている。
からなる絶縁材31を介して、上部電極32が設けられ
ている。この上部電極32は、導電性の材質、例えば酸
化アルマイト処理されたアルミニウムで構成されている
が、少なくとも前記ウエハWに対向する面32aは、他
の導電性材質、例えば単結晶シリコンで形成してもよ
い。またこの上部電極32は、その内部に中空部32b
を有する中空構造を有しており、さらに上部電極32の
上部中央にはガス導入口33が形成され、このガス導入
口33は前記中空部32bと通じている。そしてウエハ
Wに対向する面32aには、多数の吐出口32cが形成
されている。
【0025】前記ガス導入口33には、ガス導入管34
が接続され、さらにこのガス導入管34には、バルブ3
5、流量調節のためのマスフローコントローラ36を介
して、処理ガス供給源37が接続されている。本実施例
では、処理ガス供給源47から所定の処理ガス、例えば
CF4ガスやC4F8ガスなどのCF系のエッチングガス
等が供給されるようになっており、このエッチングガス
は、マスフローコントローラ36で流量が調節されて、
前記上部電極32の吐出口32cから、ウエハWに対し
て均一に吐出される構成となっている。
が接続され、さらにこのガス導入管34には、バルブ3
5、流量調節のためのマスフローコントローラ36を介
して、処理ガス供給源37が接続されている。本実施例
では、処理ガス供給源47から所定の処理ガス、例えば
CF4ガスやC4F8ガスなどのCF系のエッチングガス
等が供給されるようになっており、このエッチングガス
は、マスフローコントローラ36で流量が調節されて、
前記上部電極32の吐出口32cから、ウエハWに対し
て均一に吐出される構成となっている。
【0026】次にこのエッチング装置1の高周波電力の
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ6に対しては、周波数が数百kHz程度、例えば80
0kHzの高周波電力を出力する第1の高周波電源41
からの電力が、ブロッキングコンデンサなどを有する整
合器42を介して供給される構成となっている。一方上
部電極32に対しては、整合器43を介して、周波数が
前記第1の高周波電源41よりも高い1MHz以上の周
波数、例えば27.12MHzの高周波電力を出力する
第2の高周波電源44からの電力が供給される構成とな
っている。
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ6に対しては、周波数が数百kHz程度、例えば80
0kHzの高周波電力を出力する第1の高周波電源41
からの電力が、ブロッキングコンデンサなどを有する整
合器42を介して供給される構成となっている。一方上
部電極32に対しては、整合器43を介して、周波数が
前記第1の高周波電源41よりも高い1MHz以上の周
波数、例えば27.12MHzの高周波電力を出力する
第2の高周波電源44からの電力が供給される構成とな
っている。
【0027】前記処理容器3の外周上下には、コイル5
1、52が対向配置されている。コイル51は内側コイ
ル51aと外側コイル51bとからなる二重コイル構成
を有し、コイル52も内側コイル52aと外側コイル5
2bとからなる二重コイル構成を有している。そして外
部からの電源(図示せず)によって内側コイル51aと
外側コイル51bにはそれぞれ相互に逆向きの電流が流
され、内側コイル52aと外側コイル52bにも相互に
逆向きの電流が流されると、相互に逆極性の磁界を形成
できるようになっている。
1、52が対向配置されている。コイル51は内側コイ
ル51aと外側コイル51bとからなる二重コイル構成
を有し、コイル52も内側コイル52aと外側コイル5
2bとからなる二重コイル構成を有している。そして外
部からの電源(図示せず)によって内側コイル51aと
外側コイル51bにはそれぞれ相互に逆向きの電流が流
され、内側コイル52aと外側コイル52bにも相互に
逆向きの電流が流されると、相互に逆極性の磁界を形成
できるようになっている。
【0028】前記各コイル51の各起磁力は、コイル5
1の外側コイル51b、コイル52の外側コイル52b
は、1000AT〜4000AT、コイル51の内側コ
イル51a、コイル52の内側52aは−1000AT
〜−4000ATに設定することが好ましい。但し、絶
対起磁力については、磁界壁を好適に形成するため、各
コイル51、52とも、外側コイル51b>内側コイル
51a、外側コイル52b>内側コイル52aの関係に
なっている。
1の外側コイル51b、コイル52の外側コイル52b
は、1000AT〜4000AT、コイル51の内側コ
イル51a、コイル52の内側52aは−1000AT
〜−4000ATに設定することが好ましい。但し、絶
対起磁力については、磁界壁を好適に形成するため、各
コイル51、52とも、外側コイル51b>内側コイル
51a、外側コイル52b>内側コイル52aの関係に
なっている。
【0029】第1の実施例にかかるエッチング装置1の
主要部は以上のように構成されており、このエッチング
装置1の側面には、例えばゲートバルブ(図示せず)を
介して、搬送アームなどのウエハ搬送手段等が収容され
ているロードロック室(図示せず)が並設されている。
主要部は以上のように構成されており、このエッチング
装置1の側面には、例えばゲートバルブ(図示せず)を
介して、搬送アームなどのウエハ搬送手段等が収容され
ているロードロック室(図示せず)が並設されている。
【0030】次に前記構成になるエッチング装置1を用
いて、例えばシリコンのウエハWの酸化膜(SiO2)
に対してエッチングする場合のプロセス、作用等につい
て説明すると、まず前記ロードロック室から被処理体で
あるウエハWが処理室2内に搬入され、静電チャック1
1上に載置されると、高圧直流電源14から所定の電圧
が静電チャック11内の導電性の薄膜12に印加され
て、ウエハWはこの静電チャック11上に吸着、保持さ
れる。
いて、例えばシリコンのウエハWの酸化膜(SiO2)
に対してエッチングする場合のプロセス、作用等につい
て説明すると、まず前記ロードロック室から被処理体で
あるウエハWが処理室2内に搬入され、静電チャック1
1上に載置されると、高圧直流電源14から所定の電圧
が静電チャック11内の導電性の薄膜12に印加され
て、ウエハWはこの静電チャック11上に吸着、保持さ
れる。
【0031】次いで処理室2内が、真空引き手段20に
よって真空引きされていき、所定の真空度、例えば10
mTorrになった後、処理ガス供給源37から所定の
処理ガス、例えばCF4が所定の流量比で供給され、処
理室2の圧力が所定の真空度、例えば20mTorrに
設定、維持される。
よって真空引きされていき、所定の真空度、例えば10
mTorrになった後、処理ガス供給源37から所定の
処理ガス、例えばCF4が所定の流量比で供給され、処
理室2の圧力が所定の真空度、例えば20mTorrに
設定、維持される。
【0032】その後前記コイル51の内側コイル51
a、51b及びコイル52の内側コイル52a、52b
に外部からの電源(図示せず)によって所定の逆向きの
電流が給電されると、図2に示したように、処理容器3
内に上部電極32とサセプタ6との対向空間の周囲に
は、該対向空間を上下方向中央部に近づくにしたがって
外側に膨出した形状に、即ち略紡錘状に包み込むような
磁界壁が形成される。
a、51b及びコイル52の内側コイル52a、52b
に外部からの電源(図示せず)によって所定の逆向きの
電流が給電されると、図2に示したように、処理容器3
内に上部電極32とサセプタ6との対向空間の周囲に
は、該対向空間を上下方向中央部に近づくにしたがって
外側に膨出した形状に、即ち略紡錘状に包み込むような
磁界壁が形成される。
【0033】次いで上部電極32に対して第2の高周波
電源44から周波数が27.12MHz、パワーが2k
Wの高周波電力が供給されると、上部電極32とサセプ
タ6との間にプラズマが生起される。またこれより僅か
に遅れて(1秒以下のタイミング遅れ)をもって、サセ
プタ6に対して第1の高周波電源41から周波数が80
0kHz、パワーが1kWの高周波電力が供給される。
そのようにサセプタ6に対して上部電極32よりもタイ
ミングを遅らせて高周波電力を供給させることにより、
過大な電圧によってウエハWがダメージを受けることを
防止できる。
電源44から周波数が27.12MHz、パワーが2k
Wの高周波電力が供給されると、上部電極32とサセプ
タ6との間にプラズマが生起される。またこれより僅か
に遅れて(1秒以下のタイミング遅れ)をもって、サセ
プタ6に対して第1の高周波電源41から周波数が80
0kHz、パワーが1kWの高周波電力が供給される。
そのようにサセプタ6に対して上部電極32よりもタイ
ミングを遅らせて高周波電力を供給させることにより、
過大な電圧によってウエハWがダメージを受けることを
防止できる。
【0034】前記第2の高周波電源44からの高周波
(27.12MHz)の印加によって発生したプラズマ
により処理室2内のエッチングガス、即ちCF4ガスの
ガス分子が解離し、それによって生じたエッチャントイ
オンが、第1の高周波電源41からサセプタ6側に供給
された相対的に低い周波数の高周波(800kHz)に
よってその入射速度がコントロールされつつ、ウエハW
表面のシリコン酸化膜(SiO2)をエッチングしてい
く。従って、ウエハWにダメージを与えることなく、所
定のエッチング処理を行うことが可能である。
(27.12MHz)の印加によって発生したプラズマ
により処理室2内のエッチングガス、即ちCF4ガスの
ガス分子が解離し、それによって生じたエッチャントイ
オンが、第1の高周波電源41からサセプタ6側に供給
された相対的に低い周波数の高周波(800kHz)に
よってその入射速度がコントロールされつつ、ウエハW
表面のシリコン酸化膜(SiO2)をエッチングしてい
く。従って、ウエハWにダメージを与えることなく、所
定のエッチング処理を行うことが可能である。
【0035】この場合、上部電極32とサセプタ6との
間の対向空間周囲には、前記したように、紡錘状の磁界
の壁が形成されているので、上部電極32とサセプタ6
間に発生したプラズマは、該磁界の壁によってその拡散
が防止される。従って、上部電極32とサセプタ6との
間の領域のプラズマ密度はそれに応じて高いものにな
り、その結果、高密度プラズマの下でウエハWに対して
高速なエッチング処理を施すことが可能になっている。
間の対向空間周囲には、前記したように、紡錘状の磁界
の壁が形成されているので、上部電極32とサセプタ6
間に発生したプラズマは、該磁界の壁によってその拡散
が防止される。従って、上部電極32とサセプタ6との
間の領域のプラズマ密度はそれに応じて高いものにな
り、その結果、高密度プラズマの下でウエハWに対して
高速なエッチング処理を施すことが可能になっている。
【0036】また前記磁界は、上部電極32とサセプタ
6との間の対向空間を略紡錘状に包み込む形態のもので
あるから、サセプタ6上は、磁場強度が殆ど0(ゼロ)
か、またはそれに近い値となっている。
6との間の対向空間を略紡錘状に包み込む形態のもので
あるから、サセプタ6上は、磁場強度が殆ど0(ゼロ)
か、またはそれに近い値となっている。
【0037】実際に第1の実施例にかかるエッチング装
置1を用いてウエハW上の磁場強度を検証したところ、
図3のグラフに示した結果が得られた。同グラフは、横
軸がウエハW中心からの距離(mm)、縦軸は磁場強度
(Gauss)であり、パラメータZは、ウエハWから
の垂直方向の距離(mm)を示している。
置1を用いてウエハW上の磁場強度を検証したところ、
図3のグラフに示した結果が得られた。同グラフは、横
軸がウエハW中心からの距離(mm)、縦軸は磁場強度
(Gauss)であり、パラメータZは、ウエハWから
の垂直方向の距離(mm)を示している。
【0038】これによれば、ウエハWの周縁部である1
50mmよりもやや外側の地点から磁場強度は急激に立ち
上がり、ウエハW表面上(Z=0mm)では約225mmの
地点で約120Gauss、ウエハWから10mm上方で
は、約150Gaussの磁場強度が得られた。他方、
ウエハWの中心の磁場強度は、約6Gaussであっ
た。従って、ウエハW上は殆ど無磁場であるのに対し、
その周縁部外方には磁界の壁が形成されていることが確
認できる。
50mmよりもやや外側の地点から磁場強度は急激に立ち
上がり、ウエハW表面上(Z=0mm)では約225mmの
地点で約120Gauss、ウエハWから10mm上方で
は、約150Gaussの磁場強度が得られた。他方、
ウエハWの中心の磁場強度は、約6Gaussであっ
た。従って、ウエハW上は殆ど無磁場であるのに対し、
その周縁部外方には磁界の壁が形成されていることが確
認できる。
【0039】従って、処理容器3内に発生した前記プラ
ズマは、前記磁界の壁によってほぼ上部電極32とサセ
プタ6との対向空間内に閉じこめられ、しかもウエハW
上は殆ど無磁場であるから、ウエハW上のプラズマ密度
の均一性は阻害されない。従って、高密度で均一なプラ
ズマ雰囲気の下で、ウエハWに対して高速かつ均一なエ
ッチング処理を施すことができる。
ズマは、前記磁界の壁によってほぼ上部電極32とサセ
プタ6との対向空間内に閉じこめられ、しかもウエハW
上は殆ど無磁場であるから、ウエハW上のプラズマ密度
の均一性は阻害されない。従って、高密度で均一なプラ
ズマ雰囲気の下で、ウエハWに対して高速かつ均一なエ
ッチング処理を施すことができる。
【0040】なお前記図3に示したグラフによれば、ウ
エハWから20mm上方の位置では、ウエハW表面上(Z
=0mm)と同一の磁場強度特性になっていることがわか
る。これは前記したように、2つのコイル51、52に
よって、略紡錘状の磁界が形成されたため、磁場強度が
上下対称になっているためである。従って、この点から
も処理容器3内のプラズマは偏りがなく、均一性の高い
ものとなっていることが確認できる。
エハWから20mm上方の位置では、ウエハW表面上(Z
=0mm)と同一の磁場強度特性になっていることがわか
る。これは前記したように、2つのコイル51、52に
よって、略紡錘状の磁界が形成されたため、磁場強度が
上下対称になっているためである。従って、この点から
も処理容器3内のプラズマは偏りがなく、均一性の高い
ものとなっていることが確認できる。
【0041】前記第1の実施例にかかるエッチング装置
1においては、サセプタ6に相対的に低い周波数の高周
波電力を発生する第1の高周波電源41を接続し、上部
電極32には相対的に高い周波数の高周波電力を発生す
る第2の高周波電源44を接続した構成であったが、図
4に示した第2の実施例にかかるエッチング装置61の
ように、これら2つの異なった周波数の高周波電力を発
生する第1の高周波電源41と第2の高周波電源44の
双方とも、サセプタ6に接続する構成としてもよい。な
お図4中、図1と同一の番号で示される部材は、第1の
実施例にかかるエッチング装置1における部材と同一の
構成を示している。
1においては、サセプタ6に相対的に低い周波数の高周
波電力を発生する第1の高周波電源41を接続し、上部
電極32には相対的に高い周波数の高周波電力を発生す
る第2の高周波電源44を接続した構成であったが、図
4に示した第2の実施例にかかるエッチング装置61の
ように、これら2つの異なった周波数の高周波電力を発
生する第1の高周波電源41と第2の高周波電源44の
双方とも、サセプタ6に接続する構成としてもよい。な
お図4中、図1と同一の番号で示される部材は、第1の
実施例にかかるエッチング装置1における部材と同一の
構成を示している。
【0042】即ち図4に示したエッチング装置61にお
いては、第1の高周波電源41と第2の高周波電源44
の双方とも、各々相互干渉を防止するためのフィルタ等
を内蔵した整合器62、63を介して、ミキシング装置
64に接続し、このミキシング装置94を通じて、いわ
ば2つの異なった周波数の高周波電力が重畳した形で、
サセプタ6に印加される構成となっている。
いては、第1の高周波電源41と第2の高周波電源44
の双方とも、各々相互干渉を防止するためのフィルタ等
を内蔵した整合器62、63を介して、ミキシング装置
64に接続し、このミキシング装置94を通じて、いわ
ば2つの異なった周波数の高周波電力が重畳した形で、
サセプタ6に印加される構成となっている。
【0043】またこのエッチング装置61においては、
上部電極32は、絶縁材を介さず直接処理容器3に固定
され、接地線4によって接地された処理容器3と上部電
極とは同電位、即ち上部電極32は接地された構成とな
っている。
上部電極32は、絶縁材を介さず直接処理容器3に固定
され、接地線4によって接地された処理容器3と上部電
極とは同電位、即ち上部電極32は接地された構成とな
っている。
【0044】かかる構成を有するエッチング装置61に
よっても、第2の高周波電源44からの高周波(例え
ば、27.12MHz)の印加によって発生したプラズ
マにより解離したエッチャントイオンが、第1の高周波
電源41から印加される低い周波数の高周波(例えば8
00kHz)によって、その入射速度がコントロールさ
れつつ、ウエハW表面をエッチングしていく。従って、
ダメージのない高速エッチングが可能である。
よっても、第2の高周波電源44からの高周波(例え
ば、27.12MHz)の印加によって発生したプラズ
マにより解離したエッチャントイオンが、第1の高周波
電源41から印加される低い周波数の高周波(例えば8
00kHz)によって、その入射速度がコントロールさ
れつつ、ウエハW表面をエッチングしていく。従って、
ダメージのない高速エッチングが可能である。
【0045】もちろん前記第1実施例にかかるエッチン
グ装置1と同様、処理容器3の外部には、磁界壁を形成
する手段として、二重コイル構成を有するコイル51、
52が上下に配置されているので、これら各コイル5
1、52によって処理容器3内には略紡錘状の磁界の壁
が形成され、前記第1の実施例にかかるエッチング装置
1と同様、処理容器3内に発生したプラズマはその磁界
壁によって閉じこめられ、処理空間のプラズマ密度は高
いものとなっている。従って、高速なエッチングレート
が得られる。また前記実施例と同様、ウエハW上は殆ど
無磁場であるから、処理の均一性も良好である。
グ装置1と同様、処理容器3の外部には、磁界壁を形成
する手段として、二重コイル構成を有するコイル51、
52が上下に配置されているので、これら各コイル5
1、52によって処理容器3内には略紡錘状の磁界の壁
が形成され、前記第1の実施例にかかるエッチング装置
1と同様、処理容器3内に発生したプラズマはその磁界
壁によって閉じこめられ、処理空間のプラズマ密度は高
いものとなっている。従って、高速なエッチングレート
が得られる。また前記実施例と同様、ウエハW上は殆ど
無磁場であるから、処理の均一性も良好である。
【0046】次に図5に示した第3の実施例にかかるエ
ッチング装置71について説明する。なお図5中、図1
と同一の番号で示される部材は、第1の実施例にかかる
エッチング装置1における部材と同一の構成を示してい
る。この第3の実施例にかかるエッチング装置71で
は、処理容器3内にプラズマを発生させるための相対的
に高い周波数の高周波電力の印加経路、電極構成を変え
たものである。
ッチング装置71について説明する。なお図5中、図1
と同一の番号で示される部材は、第1の実施例にかかる
エッチング装置1における部材と同一の構成を示してい
る。この第3の実施例にかかるエッチング装置71で
は、処理容器3内にプラズマを発生させるための相対的
に高い周波数の高周波電力の印加経路、電極構成を変え
たものである。
【0047】即ち図5に示したエッチング装置71にお
いては、前記第2実施例にかかるエッチング装置61と
同様、まず上部電極32を直接処理容器3に固定して、
接地線4によって接地されている処理容器3と同電位、
即ち接地電位とする。そして処理容器3内の側壁近傍
に、処理容器3とは絶縁された、例えば環状の第3の電
極72を設け、この第3の電極72に、整合器43を介
して相対的に高い周波数の高周波電力を発生させる前出
第2の高周波電源44を接続した構成を採ったものであ
る。
いては、前記第2実施例にかかるエッチング装置61と
同様、まず上部電極32を直接処理容器3に固定して、
接地線4によって接地されている処理容器3と同電位、
即ち接地電位とする。そして処理容器3内の側壁近傍
に、処理容器3とは絶縁された、例えば環状の第3の電
極72を設け、この第3の電極72に、整合器43を介
して相対的に高い周波数の高周波電力を発生させる前出
第2の高周波電源44を接続した構成を採ったものであ
る。
【0048】かかる構成を有するエッチング装置71の
場合、第2の高周波電源44からの高周波(例えば、2
7.12MHz)が、第3の電極72に印加されると、
処理容器3内にプラズマが発生する。そして該プラズマ
中のエッチャントイオンは、サセプタ6に印加される第
1の高周波電源41からの低い周波数の高周波(例えば
800kHz)によって、その入射速度がコントロール
されつつ、ウエハW表面をエッチングしていくのであ
る。従って、前記各実施例と同様、ダメージのない高速
エッチングが可能である。
場合、第2の高周波電源44からの高周波(例えば、2
7.12MHz)が、第3の電極72に印加されると、
処理容器3内にプラズマが発生する。そして該プラズマ
中のエッチャントイオンは、サセプタ6に印加される第
1の高周波電源41からの低い周波数の高周波(例えば
800kHz)によって、その入射速度がコントロール
されつつ、ウエハW表面をエッチングしていくのであ
る。従って、前記各実施例と同様、ダメージのない高速
エッチングが可能である。
【0049】もちろん前記第1、2実施例にかかるエッ
チング装置1、61と同様、処理容器3の外部には、磁
界壁を形成する手段として、二重コイル構成を有するコ
イル51、52が上下に配置されているので、これら各
コイル51、52によって処理容器3内に略紡錘状の磁
界の壁が形成され、前記各実施例と同様、処理容器3内
に発生したプラズマは上部電極32とサセプタ6との間
の対向空間内に閉じこめられ、プラズマ密度は高いもの
となっている。従って、高速なエッチングレートが得ら
れる。
チング装置1、61と同様、処理容器3の外部には、磁
界壁を形成する手段として、二重コイル構成を有するコ
イル51、52が上下に配置されているので、これら各
コイル51、52によって処理容器3内に略紡錘状の磁
界の壁が形成され、前記各実施例と同様、処理容器3内
に発生したプラズマは上部電極32とサセプタ6との間
の対向空間内に閉じこめられ、プラズマ密度は高いもの
となっている。従って、高速なエッチングレートが得ら
れる。
【0050】また前記各実施例と同様、コイル51、5
2によって逆極性磁場が形成された結果、プラズマは略
紡錘状の磁界の壁によって閉じこめられているので、ウ
エハW上は殆ど無磁場であり、処理の均一性も良好であ
る。
2によって逆極性磁場が形成された結果、プラズマは略
紡錘状の磁界の壁によって閉じこめられているので、ウ
エハW上は殆ど無磁場であり、処理の均一性も良好であ
る。
【0051】なお前記第3の電極72の形状は、高周波
電力の印加によって処理容器3内にプラズマを発生でき
るものであれば、環状に限らず、適宜の形態のものを使
用できる。
電力の印加によって処理容器3内にプラズマを発生でき
るものであれば、環状に限らず、適宜の形態のものを使
用できる。
【0052】前記した各実施例は、いずれもエッチング
装置として構成した例であったが、これに限らず、本発
明は他のプラズマ処理装置、例えばアッシング装置、ス
パッタリング装置、CVD装置としても具体化できる。
さらに被処理体も、ウエハに限らず、LCD基板であっ
てもよい。
装置として構成した例であったが、これに限らず、本発
明は他のプラズマ処理装置、例えばアッシング装置、ス
パッタリング装置、CVD装置としても具体化できる。
さらに被処理体も、ウエハに限らず、LCD基板であっ
てもよい。
【0053】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置によれば、磁
界発生手段によってプラズマを閉じこめる磁界壁が形成
されてプラズマがその磁界壁の中に閉じこめられるの
で、プラズマの拡散は防止され、高いプラズマ密度の下
で被処理体に対して各種のプラズマ処理を施すことがで
きる。さらに被処理体にダメージを与えることなく、高
速かつ微細な処理を実施することができる。また被処理
体上を殆ど無磁場とすることができ、被処理体上のプラ
ズマ密度の均一性を向上させて、均一な処理を実現でき
る。
界発生手段によってプラズマを閉じこめる磁界壁が形成
されてプラズマがその磁界壁の中に閉じこめられるの
で、プラズマの拡散は防止され、高いプラズマ密度の下
で被処理体に対して各種のプラズマ処理を施すことがで
きる。さらに被処理体にダメージを与えることなく、高
速かつ微細な処理を実施することができる。また被処理
体上を殆ど無磁場とすることができ、被処理体上のプラ
ズマ密度の均一性を向上させて、均一な処理を実現でき
る。
【図1】本発明の第1の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【図2】図1のエッチング装置における磁界壁の形態を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図3】図1のエッチング装置におけるウエハ中心から
の距離と磁場強度との関係を示すグラフである。
の距離と磁場強度との関係を示すグラフである。
【図4】本発明の第2の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【図5】本発明の第3の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【符号の説明】 1 エッチング装置 2 処理室 3 処理容器 6 サセプタ 11 静電チャック 20 真空引き手段 32 上部電極 37 処理ガス供給源 41 第1の高周波電源 44 第2の高周波電源 51、52 コイル 51a、52a 内側コイル 51b、52b 外側コイル W ウエハ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−22397(JP,A) 特開 平6−338476(JP,A) 特開 平5−271968(JP,A) 特開 昭60−126832(JP,A) 特開 昭60−94725(JP,A) 特開 平1−110734(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 21/203 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項1】 2つの電極を処理容器内に対向配置し、
この処理容器内にプラズマを発生させて、前記電極のう
ちの一方の電極上の被処理体に対して処理を施す処理装
置であって、前記処理容器の外部には、前記処理容器内のプラズマを
閉じこめる磁界壁を形成する磁界発生手段が配置され, 前記磁界発生手段は、前記処理容器の外周の上方に設け
られた第1のコイルと、前記処理容器の外周の下方に設
けられた第2のコイルとからなり、さらに前記第1のコ
イルと、前記第2のコイルとは、各々内側コイルと外側
コイルとからなり、前記内側コイルと前記外側コイルと
には、相互に逆向きの電流が流される ことを特徴とす
る、プラズマ処理装置。 - 【請求項2】 前記外側コイルの起磁力は,前記内側コ
イルの起磁力よりも高く設定されていることを特徴とす
る,請求項1に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17436695A JP3192351B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17436695A JP3192351B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH098009A JPH098009A (ja) | 1997-01-10 |
JP3192351B2 true JP3192351B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=15977368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17436695A Expired - Fee Related JP3192351B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3192351B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6074512A (en) * | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
US6974523B2 (en) | 2001-05-16 | 2005-12-13 | Lam Research Corporation | Hollow anode plasma reactor and method |
JP2003234331A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-08-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
JP4686956B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2011-05-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 機能体の形成方法 |
JP4527431B2 (ja) | 2004-04-08 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP17436695A patent/JP3192351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH098009A (ja) | 1997-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4454781B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI394492B (zh) | A plasma processing method and a plasma processing apparatus | |
US6074518A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP3210207B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100274757B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
US6024827A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP3920015B2 (ja) | Si基板の加工方法 | |
JP2001185542A (ja) | プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法 | |
JP3535309B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
JP2001077095A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JPH06283470A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20120074210A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP3121524B2 (ja) | エッチング装置 | |
JP3499104B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
JPH04279044A (ja) | 試料保持装置 | |
JPS58177472A (ja) | 反応性イオン食刻装置 | |
JP4467667B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3173693B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
JP3192351B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4566373B2 (ja) | 酸化膜エッチング方法 | |
JP3276023B2 (ja) | プラズマ処理装置の制御方法 | |
JP3192352B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3372244B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3438003B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010508 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |