JP3173693B2 - プラズマ処理装置及びその方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びその方法Info
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- JP3173693B2 JP3173693B2 JP27314093A JP27314093A JP3173693B2 JP 3173693 B2 JP3173693 B2 JP 3173693B2 JP 27314093 A JP27314093 A JP 27314093A JP 27314093 A JP27314093 A JP 27314093A JP 3173693 B2 JP3173693 B2 JP 3173693B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置及び
その方法に関する。
その方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハの処理工程において、例え
ばキャパシタや素子の分離、あるいはコンタクトホール
の形成などのためにドライエッチングが行われている。
このドライエッチングを行う従来装置の代表的なものと
して平行平板型プラズマ処理装置が知られている。
ばキャパシタや素子の分離、あるいはコンタクトホール
の形成などのためにドライエッチングが行われている。
このドライエッチングを行う従来装置の代表的なものと
して平行平板型プラズマ処理装置が知られている。
【0003】図9は平行平板型プラズマ処理装置を示す
図であり、気密なチャンバ1内に、下部電極を兼用する
載置台11が配設されると共に、載置台11の上方にこ
れと対向してガス供給部を兼用する上部電極12が配設
されている。13は排気管である。
図であり、気密なチャンバ1内に、下部電極を兼用する
載置台11が配設されると共に、載置台11の上方にこ
れと対向してガス供給部を兼用する上部電極12が配設
されている。13は排気管である。
【0004】このようなプラズマ処理装置においては、
先ず載置台11上にウエハWを載置し、ガス供給部12
から処理ガスを導入すると共に、電極11、12間に高
周波電源部Eにより高周波電力を印加してプラズマを発
生させ、このプラズマ中の反応性イオンによりウエハW
のエッチングが行われる。
先ず載置台11上にウエハWを載置し、ガス供給部12
から処理ガスを導入すると共に、電極11、12間に高
周波電源部Eにより高周波電力を印加してプラズマを発
生させ、このプラズマ中の反応性イオンによりウエハW
のエッチングが行われる。
【0005】ところでデバイスのパターンの線幅が増々
微細化する傾向にあるが、上述の装置においてプラズマ
が発生しているときのチャンバ内の圧力が100mTo
rr〜1Torrであり、このような高い圧力ではイオ
ンの平均自由工程が小さいので微細加工が困難である。
またウエハが大口径化しつつあるが、イオンの平均自由
工程が小さいと、広い面に亘ってプラズマ分布の高い均
一性を確保できないため、大口径のウエハに対して均一
な処理が困難であるという問題点もある。
微細化する傾向にあるが、上述の装置においてプラズマ
が発生しているときのチャンバ内の圧力が100mTo
rr〜1Torrであり、このような高い圧力ではイオ
ンの平均自由工程が小さいので微細加工が困難である。
またウエハが大口径化しつつあるが、イオンの平均自由
工程が小さいと、広い面に亘ってプラズマ分布の高い均
一性を確保できないため、大口径のウエハに対して均一
な処理が困難であるという問題点もある。
【0006】そこで最近において、欧州特許公開明細書
第379828号や特開平3−79025号公報に記載
されているように、載置台11に対向するチャンバ1の
上面を石英ガラスなどの絶縁材により構成すると共に、
この絶縁材の外側に平面状のコイルを固定し、このコイ
ルに高周波電流を流してチャンバ1内に電磁場を形成
し、この電磁場内に流れる電子を処理ガスの中性粒子に
衝突させてプラズマを生成する高周波誘導方式が検討さ
れつつある。
第379828号や特開平3−79025号公報に記載
されているように、載置台11に対向するチャンバ1の
上面を石英ガラスなどの絶縁材により構成すると共に、
この絶縁材の外側に平面状のコイルを固定し、このコイ
ルに高周波電流を流してチャンバ1内に電磁場を形成
し、この電磁場内に流れる電子を処理ガスの中性粒子に
衝突させてプラズマを生成する高周波誘導方式が検討さ
れつつある。
【0007】この方式によれば、コイルの形状に従って
略同心円状の電界を誘導し、プラズマの閉じ込め効果が
あるので、従来の平行平板型プラズマ処理装置の場合に
比べて相当低い圧力でプラズマを発生させることがで
き、従って発生したプラズマ中のイオンの平均自由工程
が大きく、このためこのプラズマによるエッチング処理
は、微細加工に適している。そしてプラズマは高密度領
域から低密度領域へ拡散するが、イオンの平均自由工程
が大きいことからプラズマ密度分布は滑らかであり、ウ
エハ平面に並行な面におけるプラズマの均一性が高く、
大口径のウエハに対するプラズマ処理の面内均一性が向
上する。
略同心円状の電界を誘導し、プラズマの閉じ込め効果が
あるので、従来の平行平板型プラズマ処理装置の場合に
比べて相当低い圧力でプラズマを発生させることがで
き、従って発生したプラズマ中のイオンの平均自由工程
が大きく、このためこのプラズマによるエッチング処理
は、微細加工に適している。そしてプラズマは高密度領
域から低密度領域へ拡散するが、イオンの平均自由工程
が大きいことからプラズマ密度分布は滑らかであり、ウ
エハ平面に並行な面におけるプラズマの均一性が高く、
大口径のウエハに対するプラズマ処理の面内均一性が向
上する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように高周波誘導
方式はパターンの線幅の微細化、ウエハの大口径化に適
したものとして注目されるものではあるが、まだ未知数
の部分が多く、例えば高周波電力をあまり大きくするこ
となくいかにしてより一層高密度なプラズマを生成させ
るかといった点について検討する必要がある。そして高
密度なプラズマを生成する手法の一つとしてウエハの周
縁部に絶縁体を配置してプラズマを集中化することが考
えられるが、その場合プラズマの集中の度合いをどのよ
うにして調整するか、またウエハの周縁部におけるプラ
ズマの下面の平坦性をどのようにして確保するかといっ
た点について検討する必要があり、このようなことが十
分に検討された上ではじめて上述の高周波誘導方式が実
現されることになる。
方式はパターンの線幅の微細化、ウエハの大口径化に適
したものとして注目されるものではあるが、まだ未知数
の部分が多く、例えば高周波電力をあまり大きくするこ
となくいかにしてより一層高密度なプラズマを生成させ
るかといった点について検討する必要がある。そして高
密度なプラズマを生成する手法の一つとしてウエハの周
縁部に絶縁体を配置してプラズマを集中化することが考
えられるが、その場合プラズマの集中の度合いをどのよ
うにして調整するか、またウエハの周縁部におけるプラ
ズマの下面の平坦性をどのようにして確保するかといっ
た点について検討する必要があり、このようなことが十
分に検討された上ではじめて上述の高周波誘導方式が実
現されることになる。
【0009】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的とするところは、コイルよりなるア
ンテナに高周波電力を印加して得られたプラズマにより
被処理体を処理するにあたって、プラズマを集中化さ
せ、またプラズマの下面について高い平坦性を得ること
のできるプラズマ処理装置及びその方法を提供すること
にある。
のであり、その目的とするところは、コイルよりなるア
ンテナに高周波電力を印加して得られたプラズマにより
被処理体を処理するにあたって、プラズマを集中化さ
せ、またプラズマの下面について高い平坦性を得ること
のできるプラズマ処理装置及びその方法を提供すること
にある。
【0010】
【課題を解決する手段】請求項1の発明は、気密構造の
チャンバ内に載置台を設け、前記チャンバ内にエッチン
グガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマにより載
置台上の被処理体をエッチング処理するプラズマ処理装
置において、CHF3 ガスまたはCF4 ガスを含むエッ
チングガスを前記チャンバ内に供給するための手段と、
前記載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりな
る高周波アンテナと、この高周波アンテナに高周波電力
を印加し、当該高周波アンテナの周りに磁界を発生させ
てプラズマを生成するための高周波電源部と、前記被処
理体の周りに当該被処理体を取り囲むように設けられ、
内方側よりも外方側の方が高くかつ外方側が被処理体の
被処理面よりも高く設定されているセラミックスよりな
るプラズマ集中リングと、を備えてなることを特徴とす
る。
チャンバ内に載置台を設け、前記チャンバ内にエッチン
グガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマにより載
置台上の被処理体をエッチング処理するプラズマ処理装
置において、CHF3 ガスまたはCF4 ガスを含むエッ
チングガスを前記チャンバ内に供給するための手段と、
前記載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりな
る高周波アンテナと、この高周波アンテナに高周波電力
を印加し、当該高周波アンテナの周りに磁界を発生させ
てプラズマを生成するための高周波電源部と、前記被処
理体の周りに当該被処理体を取り囲むように設けられ、
内方側よりも外方側の方が高くかつ外方側が被処理体の
被処理面よりも高く設定されているセラミックスよりな
るプラズマ集中リングと、を備えてなることを特徴とす
る。
【0011】請求項2の発明は、被処理体をチャンバ内
に搬入して当該チャンバ内を所定の真空度に排気する工
程と、 前記チャンバ内にCHF3 ガスまたはCF4 ガス
を含むエッチングガスを供給する工程と、 高周波アンテ
ナに高周波電源部より高周波電力を印加して、当該高周
波アンテナの周りに磁界を発生させてプラズマを生成す
る工程と、 前記被処理体の周りに当該被処理体を取り囲
むように設けられ、内方側よりも外方側の方が高くかつ
外方側が被処理体の被処理面よりも高く設定されている
セラミックスよりなるプラズマ集中リングにより前記プ
ラズマを被処理体の中心方向に引き寄せて下面が湾曲し
た形状とし、このプラズマにより前記被処理体をエッチ
ング処理する工程と、 を含むことを特徴とする。
に搬入して当該チャンバ内を所定の真空度に排気する工
程と、 前記チャンバ内にCHF3 ガスまたはCF4 ガス
を含むエッチングガスを供給する工程と、 高周波アンテ
ナに高周波電源部より高周波電力を印加して、当該高周
波アンテナの周りに磁界を発生させてプラズマを生成す
る工程と、 前記被処理体の周りに当該被処理体を取り囲
むように設けられ、内方側よりも外方側の方が高くかつ
外方側が被処理体の被処理面よりも高く設定されている
セラミックスよりなるプラズマ集中リングにより前記プ
ラズマを被処理体の中心方向に引き寄せて下面が湾曲し
た形状とし、このプラズマにより前記被処理体をエッチ
ング処理する工程と、 を含むことを特徴とする。
【0012】
【作用】本発明によれば、プラズマ集中リングの配置さ
れている位置では、電気力線がこのリングから離れよう
とするのでプラズマが集中化されるが、プラズマ集中リ
ングの上面が被処理体よりも高いため、被処理体の中心
側へのプラズマの引き締まりの程度が大きく、従ってプ
ラズマの高い集中化を図ることができ、高い効率でプラ
ズマ処理を行うことができる。またプラズマ集中リング
の外側が内側に比べて高いため、プラズマ集中リングの
外側部位にてプラズマの集中効果を得る一方、内側部位
では被処理体の被処理面のレベルからのプラズマの反り
上がりが小さくなるので被処理体の周縁部におけるプラ
ズマ下面の平坦性を高くすることができる。
れている位置では、電気力線がこのリングから離れよう
とするのでプラズマが集中化されるが、プラズマ集中リ
ングの上面が被処理体よりも高いため、被処理体の中心
側へのプラズマの引き締まりの程度が大きく、従ってプ
ラズマの高い集中化を図ることができ、高い効率でプラ
ズマ処理を行うことができる。またプラズマ集中リング
の外側が内側に比べて高いため、プラズマ集中リングの
外側部位にてプラズマの集中効果を得る一方、内側部位
では被処理体の被処理面のレベルからのプラズマの反り
上がりが小さくなるので被処理体の周縁部におけるプラ
ズマ下面の平坦性を高くすることができる。
【0013】
【実施例】図1及び図2は本発明の実施例に係るプラズ
マ処理装置例えばエッチング装置の全体構成を示す断面
図、及び一部を破断した概略斜視図である。図中2は、
上面の一部を除いて例えばアルミニウムで構成された気
密構造のチャンバであり、このチャンバ2内の中央底部
には、例えばアルミニウムよりなる載置台3が配置され
ている。
マ処理装置例えばエッチング装置の全体構成を示す断面
図、及び一部を破断した概略斜視図である。図中2は、
上面の一部を除いて例えばアルミニウムで構成された気
密構造のチャンバであり、このチャンバ2内の中央底部
には、例えばアルミニウムよりなる載置台3が配置され
ている。
【0014】前記載置台3は、上側部分である載置部3
1と、この載置部31を支持する下側部分である支持部
32とがボルト33により分離可能に結合して構成され
ており、支持部32とチャンバ2との間には絶縁体34
が介装されている。前記載置部31の上面には静電チャ
ックシート4がその上面を覆うように設けられている。
この静電チャックシート4は、例えば銅箔からなる静電
チャックシート用の電極である導電膜41を例えばポリ
イミドフィルムからなる絶縁膜42で両側から被覆して
構成され、導電膜41は、チャンバ2の外部の直流電源
43にスイッチ44を介して電気的に接続されている。
1と、この載置部31を支持する下側部分である支持部
32とがボルト33により分離可能に結合して構成され
ており、支持部32とチャンバ2との間には絶縁体34
が介装されている。前記載置部31の上面には静電チャ
ックシート4がその上面を覆うように設けられている。
この静電チャックシート4は、例えば銅箔からなる静電
チャックシート用の電極である導電膜41を例えばポリ
イミドフィルムからなる絶縁膜42で両側から被覆して
構成され、導電膜41は、チャンバ2の外部の直流電源
43にスイッチ44を介して電気的に接続されている。
【0015】前記載置部31には、上端が当該載置部3
1の上面に開口する複数のバックサイドガス(熱伝導用
のガス)のためのの孔部51が形成されており、これら
孔部51の下端は例えば通気室52を介してバックサイ
ドガス用のガス供給路53に連通している。また前記静
電チャックシート4にも各孔部51に対応した位置に穴
(図示せず)が穿設され、孔部51からのバックサイド
ガスが静電チャックシート4の穴を通じてウエハWの裏
面に吹き付けられるようになっている。前記ガス供給路
53は、バタフライバルブなどの圧力調整器54を介し
て図示しない例えばHeガスなどのガス供給源に接続さ
れている。
1の上面に開口する複数のバックサイドガス(熱伝導用
のガス)のためのの孔部51が形成されており、これら
孔部51の下端は例えば通気室52を介してバックサイ
ドガス用のガス供給路53に連通している。また前記静
電チャックシート4にも各孔部51に対応した位置に穴
(図示せず)が穿設され、孔部51からのバックサイド
ガスが静電チャックシート4の穴を通じてウエハWの裏
面に吹き付けられるようになっている。前記ガス供給路
53は、バタフライバルブなどの圧力調整器54を介し
て図示しない例えばHeガスなどのガス供給源に接続さ
れている。
【0016】そして前記通気室52にはバックサイドガ
スの圧力を検出する圧力検出部55が設けられ、本発明
装置の制御系に含まれるコントローラ56は、圧力検出
部55の圧力検出値にもとづいて、前記孔部51からウ
エハWの裏面へ向けて吹き出すバックサイドガスの圧力
が所定値例えば10Torrになるように、圧力調整器
54例えばバタフライバルブの開度を調整する機能を有
している。
スの圧力を検出する圧力検出部55が設けられ、本発明
装置の制御系に含まれるコントローラ56は、圧力検出
部55の圧力検出値にもとづいて、前記孔部51からウ
エハWの裏面へ向けて吹き出すバックサイドガスの圧力
が所定値例えば10Torrになるように、圧力調整器
54例えばバタフライバルブの開度を調整する機能を有
している。
【0017】また前記載置台3の上面には、ウエハWの
周りにウエハWを取り囲むように絶縁体例えばセラミッ
クや石英よりなるプラズマ集中リング(フォーカスリン
グ)6が設けられている。このフォーカスリング6は、
図3に示すようにウエハWの外形と相似形状に作られる
と共に、内周縁から外周縁に向かって高くなるように傾
斜しており、図4に示すように例えば8インチウエハに
対してはフォーカスリング6のリング幅aは30mm、
ウエハ表面に対する外周縁の高さbは2mm、ウエハW
とリング内縁との距離cは0.5mm、ウエハ表面に対
する内周縁の高さdは1.5mmに設定されている。前
記フォーカスリング6は、チャンバ2内の電気力線をチ
ャンバ中央部側へ寄せるためのものであり、この例では
絶縁体で作られるが、絶縁体に限らず高低抗体(導電性
高低抗体及び半導体の抵抗値を有する材質を含む)によ
り構成してもよい。
周りにウエハWを取り囲むように絶縁体例えばセラミッ
クや石英よりなるプラズマ集中リング(フォーカスリン
グ)6が設けられている。このフォーカスリング6は、
図3に示すようにウエハWの外形と相似形状に作られる
と共に、内周縁から外周縁に向かって高くなるように傾
斜しており、図4に示すように例えば8インチウエハに
対してはフォーカスリング6のリング幅aは30mm、
ウエハ表面に対する外周縁の高さbは2mm、ウエハW
とリング内縁との距離cは0.5mm、ウエハ表面に対
する内周縁の高さdは1.5mmに設定されている。前
記フォーカスリング6は、チャンバ2内の電気力線をチ
ャンバ中央部側へ寄せるためのものであり、この例では
絶縁体で作られるが、絶縁体に限らず高低抗体(導電性
高低抗体及び半導体の抵抗値を有する材質を含む)によ
り構成してもよい。
【0018】前記支持部32の内部には、載置台3を介
してウエハWを冷却するために、冷却媒体を循環させる
冷媒溜35が形成され、これには導入管36Aと排出管
36Bとが設けられていて、導入管36Aを介して冷媒
溜35内に供給された冷却媒体例えば液体窒素は排出管
36Bを介して装置外部へ排出される。
してウエハWを冷却するために、冷却媒体を循環させる
冷媒溜35が形成され、これには導入管36Aと排出管
36Bとが設けられていて、導入管36Aを介して冷媒
溜35内に供給された冷却媒体例えば液体窒素は排出管
36Bを介して装置外部へ排出される。
【0019】前記載置台3に対向するチャンバ2の上面
は絶縁材例えば石英ガラス板21により構成され、この
石英ガラス21の上面には平面状のコイル例えば渦巻き
コイルからなる高周波アンテナ7が固着されている。こ
の高周波アンテナ7の両端子(内側端子及び外側端子)
間には、プラズマ生成用の高周波電源部71よりマッチ
ング回路72を介して例えば13.56MHz、1kw
の高周波電圧が印加される。これによりアンテナ7に高
周波電流が流れ、後述するようにアンテナ7直下のチャ
ンバ2内空間でプラズマが生成されることとなる。
は絶縁材例えば石英ガラス板21により構成され、この
石英ガラス21の上面には平面状のコイル例えば渦巻き
コイルからなる高周波アンテナ7が固着されている。こ
の高周波アンテナ7の両端子(内側端子及び外側端子)
間には、プラズマ生成用の高周波電源部71よりマッチ
ング回路72を介して例えば13.56MHz、1kw
の高周波電圧が印加される。これによりアンテナ7に高
周波電流が流れ、後述するようにアンテナ7直下のチャ
ンバ2内空間でプラズマが生成されることとなる。
【0020】また前記載置台3とアースとの間には、当
該載置台3に、高周波アンテナ7に印加される高周波電
圧の周波数より低い周波数例えば400KHzのバイア
ス電圧を与えるために、高周波電源部22が接続されて
いる。そしてチャンバ2はアースに接続されており、こ
のため載置台3とチャンバ2との間に電界が形成され、
この結果チャンバ2内のプラズマ中の反応性イオンのウ
エハWに対する垂直性が増すこととなる。
該載置台3に、高周波アンテナ7に印加される高周波電
圧の周波数より低い周波数例えば400KHzのバイア
ス電圧を与えるために、高周波電源部22が接続されて
いる。そしてチャンバ2はアースに接続されており、こ
のため載置台3とチャンバ2との間に電界が形成され、
この結果チャンバ2内のプラズマ中の反応性イオンのウ
エハWに対する垂直性が増すこととなる。
【0021】前記チャンバ2の側面上部にはガス供給管
23が接続されている。このガス供給管23よりチャン
バ2内に供給される処理ガスは加工の種類によって異な
り、例えばエッチング加工の場合にはCHF3 やCF4
等のエッチングガスが供給される。図示の例では1本の
ガス供給管23だけ示されているが、均一に処理ガスを
流すため適当な本数のガス供給管をチャンバ2に接続す
ればよい。
23が接続されている。このガス供給管23よりチャン
バ2内に供給される処理ガスは加工の種類によって異な
り、例えばエッチング加工の場合にはCHF3 やCF4
等のエッチングガスが供給される。図示の例では1本の
ガス供給管23だけ示されているが、均一に処理ガスを
流すため適当な本数のガス供給管をチャンバ2に接続す
ればよい。
【0022】前記チャンバ2の底面には、複数の排気管
81の一端がチャンバ2の周方向に等間隔な位置に接続
されている。図示の例では2本の排気管81の一端がチ
ャンバ2の軸に対称に接続されている。そしてこれら排
気管81の他端側は、図2に示すようにバタフライバル
ブなどの圧力調整器82及び真空ポンプ83が介装され
た共通の排気管84に接続されている。またこの実施例
では排気系は、真空引き初期には緩やかに排気してパー
ティクルを巻き上げないように、またある程度真空引き
した後は急速に排気するように、チャンバ2内に設けら
れた圧力検出部85よりの圧力検出値にもとづいて排気
コントローラ86が圧力調整器82を調整するように構
成されている。
81の一端がチャンバ2の周方向に等間隔な位置に接続
されている。図示の例では2本の排気管81の一端がチ
ャンバ2の軸に対称に接続されている。そしてこれら排
気管81の他端側は、図2に示すようにバタフライバル
ブなどの圧力調整器82及び真空ポンプ83が介装され
た共通の排気管84に接続されている。またこの実施例
では排気系は、真空引き初期には緩やかに排気してパー
ティクルを巻き上げないように、またある程度真空引き
した後は急速に排気するように、チャンバ2内に設けら
れた圧力検出部85よりの圧力検出値にもとづいて排気
コントローラ86が圧力調整器82を調整するように構
成されている。
【0023】次に上述実施例の作用について説明する。
先ず図示しない搬送アームにより被処理体例えばウエハ
Wをチャンバ2内に搬入して静電チャックシート4上に
載置する。そして真空ポンプ83により排気管81を介
して、所定の真空雰囲気に真空排気すると共に、ガス供
給管23より例えばCF4 ガスなどのエッチングガスを
チャンバ2内に供給しながら排気管81より真空排気し
てチャンバ2内を例えば数mTorr〜数10mTor
rの真空度に維持すると共に、高周波アンテナ7に高周
波電源部71より高周波電圧を印加する。この高周波電
圧の印加により高周波アンテナ7に高周波電流が流れる
と、アンテナ導体の周りに交番磁界が発生し、その磁束
の多くはアンテナ中心部を縦方向に通って閉ループを形
成する。このような交番磁界によってアンテナ7の直下
で概ね同心円状に円周方向の交番電界が誘起され、この
交番電界により円周方向に加速された電子が処理ガスの
中性粒子に衝突することでガスが電離してプラズマが生
成される。こうして発生したプラズマ中の反応性イオン
によってウエハWの表面がエッチングされる。
先ず図示しない搬送アームにより被処理体例えばウエハ
Wをチャンバ2内に搬入して静電チャックシート4上に
載置する。そして真空ポンプ83により排気管81を介
して、所定の真空雰囲気に真空排気すると共に、ガス供
給管23より例えばCF4 ガスなどのエッチングガスを
チャンバ2内に供給しながら排気管81より真空排気し
てチャンバ2内を例えば数mTorr〜数10mTor
rの真空度に維持すると共に、高周波アンテナ7に高周
波電源部71より高周波電圧を印加する。この高周波電
圧の印加により高周波アンテナ7に高周波電流が流れる
と、アンテナ導体の周りに交番磁界が発生し、その磁束
の多くはアンテナ中心部を縦方向に通って閉ループを形
成する。このような交番磁界によってアンテナ7の直下
で概ね同心円状に円周方向の交番電界が誘起され、この
交番電界により円周方向に加速された電子が処理ガスの
中性粒子に衝突することでガスが電離してプラズマが生
成される。こうして発生したプラズマ中の反応性イオン
によってウエハWの表面がエッチングされる。
【0024】ここでウエハWの外側に絶縁体または高抵
抗体よりなるフォーカスリング6が設けられているた
め、電気力線がここから離れようとするのでプラズマが
ウエハWの中心側へ集中化される。そしてフォーカスリ
ング6の上面は外側が高くなるように傾斜しているた
め、図5に点線で示すようにプラズマの高い集中化を図
ることができると共に、プラズマの下面は急激に内側に
寄せられるのではなく、湾曲した形状になるのでウエハ
Wの周縁部のプラズマの下面の平坦性を確保することが
でき、この結果高い効率で面内均一性の高いプラズマ処
理を行うことができる。そしてフォーカスリング6の上
面の高さや、傾斜面の角度を調整することにより、プラ
ズマの集中の度合い及びプラズマ下面の形状を調整する
ことができる。
抗体よりなるフォーカスリング6が設けられているた
め、電気力線がここから離れようとするのでプラズマが
ウエハWの中心側へ集中化される。そしてフォーカスリ
ング6の上面は外側が高くなるように傾斜しているた
め、図5に点線で示すようにプラズマの高い集中化を図
ることができると共に、プラズマの下面は急激に内側に
寄せられるのではなく、湾曲した形状になるのでウエハ
Wの周縁部のプラズマの下面の平坦性を確保することが
でき、この結果高い効率で面内均一性の高いプラズマ処
理を行うことができる。そしてフォーカスリング6の上
面の高さや、傾斜面の角度を調整することにより、プラ
ズマの集中の度合い及びプラズマ下面の形状を調整する
ことができる。
【0025】フォーカスリング6の上面は上述の実施例
では傾斜面とされているが、図6(a)に示すように段
部を複数形成する構成、図6(b)に示すようにL字型
に形成する構成、図6(c)に示すように外側を傾斜面
にして内側を平坦面にする構成等を採用しても同様の効
果が得られる。なおフォーカスリング6の内側はウエハ
Wの表面より低くても同一の高さでもよく、プラズマの
密度などに応じてウエハWの周縁部の平坦性を確保でき
るように適宜設定すればよい。
では傾斜面とされているが、図6(a)に示すように段
部を複数形成する構成、図6(b)に示すようにL字型
に形成する構成、図6(c)に示すように外側を傾斜面
にして内側を平坦面にする構成等を採用しても同様の効
果が得られる。なおフォーカスリング6の内側はウエハ
Wの表面より低くても同一の高さでもよく、プラズマの
密度などに応じてウエハWの周縁部の平坦性を確保でき
るように適宜設定すればよい。
【0026】またフォーカスリング6の外側を内側より
も高くすれば、プラズマ下面の周縁部の平坦性が良くな
る点で好ましいが、本発明では必ずしもフォーカスリン
グ6の上面における外側、内側の高さ関係を上述のよう
に限定するものではなく、高いプラズマの集中効果を得
る点からすればフォーカスリング6の上面がウエハWの
表面よりも高ければ例えばその上面はウエハWに並行な
平面であってもよい。なお図7に本発明に関連した参考
例を示しておくと、この例ではウエハWを取り囲むよう
に、導電性材質例えばカーボンよりなる導電性リング6
1が載置台3上に配置されている。この導電性リング6
1は内周面がL字形に形成されており、段面部がウエハ
Wの下面に重なるように、また上面がウエハWの表面よ
りも高くなるように構成されている。更にこの導電性6
1の外側には絶縁材あるいは高低抗体よりなる、例えば
石英やセラミックからなるフォーカスリング62が設け
られている。このように構成すれば、プラズマはフォー
カスリング62により上に押し上げられるが、導電性6
1が置かれている部分では電気力線が外に広がるので、
プラズマの下面は実線に示すように横に広げられ(点線
は導電性リング61の代わりにフォーカスリングを置い
た場合のプラズマの形状である)、このためウエハWの
周縁部における平坦性が良くなるので、プラズマ処理の
面内均一性を高めることができる。
も高くすれば、プラズマ下面の周縁部の平坦性が良くな
る点で好ましいが、本発明では必ずしもフォーカスリン
グ6の上面における外側、内側の高さ関係を上述のよう
に限定するものではなく、高いプラズマの集中効果を得
る点からすればフォーカスリング6の上面がウエハWの
表面よりも高ければ例えばその上面はウエハWに並行な
平面であってもよい。なお図7に本発明に関連した参考
例を示しておくと、この例ではウエハWを取り囲むよう
に、導電性材質例えばカーボンよりなる導電性リング6
1が載置台3上に配置されている。この導電性リング6
1は内周面がL字形に形成されており、段面部がウエハ
Wの下面に重なるように、また上面がウエハWの表面よ
りも高くなるように構成されている。更にこの導電性6
1の外側には絶縁材あるいは高低抗体よりなる、例えば
石英やセラミックからなるフォーカスリング62が設け
られている。このように構成すれば、プラズマはフォー
カスリング62により上に押し上げられるが、導電性6
1が置かれている部分では電気力線が外に広がるので、
プラズマの下面は実線に示すように横に広げられ(点線
は導電性リング61の代わりにフォーカスリングを置い
た場合のプラズマの形状である)、このためウエハWの
周縁部における平坦性が良くなるので、プラズマ処理の
面内均一性を高めることができる。
【0027】ここで高周波誘導方式を利用するにあたっ
て、電界によるウエハWのダメージを防止するための好
ましい実施例について述べる。高周波アンテナ7により
発生した電界は、プラズマが立っているときには表皮効
果によりウエハWまで達しないが、プラズマが立ってい
ないときにはウエハWまで達し、垂直方向の電界成分に
よりウエハWの表面がダメージを受けるおそれがあるた
め、図8に示すように、ウエハWと同じサイズかそれよ
りも大きいメカニカルシャッタ8を進退自在に設けた
り、あるいは載置台3を上下動可能に構成して電界発生
時には下方側に退避させ、こうして電界がウエハWに達
しないようにするか、またはチャンバ2内の処理ガスの
雰囲気が所定の圧力になってから高周波電力を高周波ア
ンテナに供給するようにしてもよい。
て、電界によるウエハWのダメージを防止するための好
ましい実施例について述べる。高周波アンテナ7により
発生した電界は、プラズマが立っているときには表皮効
果によりウエハWまで達しないが、プラズマが立ってい
ないときにはウエハWまで達し、垂直方向の電界成分に
よりウエハWの表面がダメージを受けるおそれがあるた
め、図8に示すように、ウエハWと同じサイズかそれよ
りも大きいメカニカルシャッタ8を進退自在に設けた
り、あるいは載置台3を上下動可能に構成して電界発生
時には下方側に退避させ、こうして電界がウエハWに達
しないようにするか、またはチャンバ2内の処理ガスの
雰囲気が所定の圧力になってから高周波電力を高周波ア
ンテナに供給するようにしてもよい。
【0028】なお高周波アンテナは、例えば表面を耐食
処理してチャンバ内に設けるようにしてもよいし、被処
理体としては半導体ウエハに限らず、LCD基板などで
あってもよい。
処理してチャンバ内に設けるようにしてもよいし、被処
理体としては半導体ウエハに限らず、LCD基板などで
あってもよい。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、低圧下で密度の高いプ
ラズマを発生できる高周波アンテナを用いたプラズマ処
理装置において、上面が被処理体の被処理面よりも高い
プラズマ集中リングを用いているため、プラズマの高い
集中化を図ることができ、高い効率でプラズマ処理を行
うことができる。またプラズマ集中リングの外側が内側
に比べて高いため、被処理体の周縁部におけるプラズマ
の下面の平坦性が高くなる。
ラズマを発生できる高周波アンテナを用いたプラズマ処
理装置において、上面が被処理体の被処理面よりも高い
プラズマ集中リングを用いているため、プラズマの高い
集中化を図ることができ、高い効率でプラズマ処理を行
うことができる。またプラズマ集中リングの外側が内側
に比べて高いため、被処理体の周縁部におけるプラズマ
の下面の平坦性が高くなる。
【図1】本発明の実施例の全体構成を示す断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施例の全体構成の概略を示す概略斜
視図である。
視図である。
【図3】載置台及びフォーカスリングを示す分解斜視図
である。
である。
【図4】載置台とフォーカスリングとの位置関係を示す
説明図である。
説明図である。
【図5】プラズマの形状を示す説明図である。
【図6】フォーカスリングの他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図7】本発明に関連した参考例の要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図8】被処理体の電界によるダメージ防止のための構
成例を示す説明図である。
成例を示す説明図である。
【図9】従来のプラズマ処理装置を示す説明図である。
2 チャンバ 21 石英ガラス板 3 載置台 4 静電チャックシート 53 バックサイドガスのガス供給路 6、62 フォーカスリング(プラズマ集中リング) 61 導電性リング 7 高周波アンテナ 71 高周波電源部 W 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3065 C23C 16/507 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項1】 気密構造のチャンバ内に載置台を設け、
前記チャンバ内にエッチングガスを導入してプラズマ化
し、そのプラズマにより載置台上の被処理体をエッチン
グ処理するプラズマ処理装置において、CHF3 ガスまたはCF4 ガスを含むエッチングガスを
前記チャンバ内に供給するための手段と、 前記載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりな
る高周波アンテナと、この高周波アンテナに高周波電力
を印加し、当該高周波アンテナの周りに磁界を発生させ
てプラズマを生成するための高周波電源部と、 前記被処理体の周りに当該被処理体を取り囲むように設
けられ、内方側よりも外方側の方が高くかつ外方側が被
処理体の被処理面よりも高く設定されているセラミック
スよりなるプラズマ集中リングと、 を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項2】 被処理体をチャンバ内に搬入して当該チ
ャンバ内を所定の真空度に排気する工程と、 前記チャンバ内にCHF3 ガスまたはCF4 ガスを含む
エッチングガスを供給する工程と、 高周波アンテナに高周波電源部より高周波電力を印加し
て、当該高周波アンテナの周りに磁界を発生させてプラ
ズマを生成する工程と、 前記被処理体の周りに当該被処理体を取り囲むように設
けられ、内方側よりも外方側の方が高くかつ外方側が被
処理体の被処理面よりも高く設定されているセラミック
スよりなるプラズマ集中リングにより前記プラズマを被
処理体の中心方向に引き寄せて下面が湾曲した形状と
し、このプラズマにより前記被処理体をエッチング処理
する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27314093A JP3173693B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | プラズマ処理装置及びその方法 |
TW083109091A TW285813B (ja) | 1993-10-04 | 1994-10-01 | |
US08/317,490 US5529657A (en) | 1993-10-04 | 1994-10-04 | Plasma processing apparatus |
KR1019940025300A KR100264445B1 (ko) | 1993-10-04 | 1994-10-04 | 플라즈마처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27314093A JP3173693B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | プラズマ処理装置及びその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07106316A JPH07106316A (ja) | 1995-04-21 |
JP3173693B2 true JP3173693B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=17523680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27314093A Expired - Fee Related JP3173693B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | プラズマ処理装置及びその方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3173693B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5874704A (en) * | 1995-06-30 | 1999-02-23 | Lam Research Corporation | Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source |
TW376547B (en) * | 1997-03-27 | 1999-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for plasma processing |
JP3071729B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2000-07-31 | 九州日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4602545B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2010-12-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマチャンバの半導体ワークピース用シュラウド |
KR100315088B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2001-11-24 | 윤종용 | 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치 |
JP4686867B2 (ja) * | 2001-02-20 | 2011-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3981091B2 (ja) | 2004-03-01 | 2007-09-26 | 株式会社東芝 | 成膜用リングおよび半導体装置の製造装置 |
JP2008103760A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
KR20120116923A (ko) * | 2009-11-30 | 2012-10-23 | 램 리써치 코포레이션 | 각진 측벽을 가진 정전 척 |
JP2013149635A (ja) * | 2010-05-11 | 2013-08-01 | Sharp Corp | ドライエッチング装置 |
JP2019163497A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置およびそれに用いる載置台 |
JP6846384B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の高周波電源を制御する方法 |
-
1993
- 1993-10-04 JP JP27314093A patent/JP3173693B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07106316A (ja) | 1995-04-21 |
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