JPS59172237A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS59172237A JPS59172237A JP58046637A JP4663783A JPS59172237A JP S59172237 A JPS59172237 A JP S59172237A JP 58046637 A JP58046637 A JP 58046637A JP 4663783 A JP4663783 A JP 4663783A JP S59172237 A JPS59172237 A JP S59172237A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- plasma
- chamber
- film
- projections
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はプラズマ処理装置に係り、特に試料処理室内の
加熱機構の改善に関するものである。
加熱機構の改善に関するものである。
（ｂ） 従来技術と問題点
従来プラズマ処理を行なう場合、試料に損傷を与えない
ことや、試料の処理均一性のため、たと理室を所定の貫
通孔を有する遮蔽板によって分離されたプラズマ処理装
置が用いられている１、即ち同図において試料処理室１
は排気口２を介して真空に排気され、該試料処理室ｌの
上部にはプラズマ発生室３が設けられている。該プラズ
マ発生室３と前記試料処理室１の間に介在する遮蔽板４
は画室を分離するための隔壁となっており、該遮蔽板４
には所定の貫通孔５が複数個配設されている。
ことや、試料の処理均一性のため、たと理室を所定の貫
通孔を有する遮蔽板によって分離されたプラズマ処理装
置が用いられている１、即ち同図において試料処理室１
は排気口２を介して真空に排気され、該試料処理室ｌの
上部にはプラズマ発生室３が設けられている。該プラズ
マ発生室３と前記試料処理室１の間に介在する遮蔽板４
は画室を分離するための隔壁となっており、該遮蔽板４
には所定の貫通孔５が複数個配設されている。
前記試料処理室１内には試料を載置する平板型の試料ス
テージ６が設けられており、該試料ステージ６の下面に
は試料ステージ６上の試料７を所望温度に加熱するため
の加熱ヒータ８が付設されている。前記プラズマ発生室
３の一部にガス導入口９が設けられ又プラズマ発生室３
の上部にはマイクロ波発振器１０及び導波管１１が付設
されている。
テージ６が設けられており、該試料ステージ６の下面に
は試料ステージ６上の試料７を所望温度に加熱するため
の加熱ヒータ８が付設されている。前記プラズマ発生室
３の一部にガス導入口９が設けられ又プラズマ発生室３
の上部にはマイクロ波発振器１０及び導波管１１が付設
されている。
かかるように構成されたプラズマ処理装置１２を用いて
試料７をプラズマ処理する場合には前記試料７を試料ス
テージ６上に載置し、排気口２より真空排気してガス導
入口９より所望の処理ガスを導入してプラズマ発生室３
及び試料処理室１内を所定の真空度になるように調整す
る。次いでマイクロ波発振器１０を作動して導波管１１
を介して発生室３内の処理ガスに作用してプラズマを発
生し、ラジカルを主体としたプラズマエツチングガスが
貫通孔５を通じて試料処理室１内に送入され前記試料７
がエツチング処理される。この場合試料７は直接プラズ
マ発生室３内のプラズマにさらされないためエツチング
レートが」二がらない難点がありそのため試料ステージ
６下に設けられた加熱ヒーター８によって試料ステージ
６上の試料７を所望温度に加熱し反沁を促進させること
が行なわれている。
試料７をプラズマ処理する場合には前記試料７を試料ス
テージ６上に載置し、排気口２より真空排気してガス導
入口９より所望の処理ガスを導入してプラズマ発生室３
及び試料処理室１内を所定の真空度になるように調整す
る。次いでマイクロ波発振器１０を作動して導波管１１
を介して発生室３内の処理ガスに作用してプラズマを発
生し、ラジカルを主体としたプラズマエツチングガスが
貫通孔５を通じて試料処理室１内に送入され前記試料７
がエツチング処理される。この場合試料７は直接プラズ
マ発生室３内のプラズマにさらされないためエツチング
レートが」二がらない難点がありそのため試料ステージ
６下に設けられた加熱ヒーター８によって試料ステージ
６上の試料７を所望温度に加熱し反沁を促進させること
が行なわれている。
しかしながら前記試料７の背面は試料ステージ６面と密
着されているためエツチングされることがなく、試料表
面に被膜を形成する時に試料７の背面にまで被膜が付着
する場合があり、この背面に付着した被膜はその後の工
程においてたとえば背面の段差の形成、或は剥離した被
膜の再付着など、大きな障害となる問題がある。これを
防止するため再度背面をエツチング処理する方法もとら
れているが非常に手間のかかる問題がある。
着されているためエツチングされることがなく、試料表
面に被膜を形成する時に試料７の背面にまで被膜が付着
する場合があり、この背面に付着した被膜はその後の工
程においてたとえば背面の段差の形成、或は剥離した被
膜の再付着など、大きな障害となる問題がある。これを
防止するため再度背面をエツチング処理する方法もとら
れているが非常に手間のかかる問題がある。
（ｅ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点を解消して試料表面を能率
よく均一にプラズマエツチング処理すると同時に、該試
料の背面もプラズマエツチング処理可能なプラズマ処理
装置の提供にある。
よく均一にプラズマエツチング処理すると同時に、該試
料の背面もプラズマエツチング処理可能なプラズマ処理
装置の提供にある。
（ｄ） 発明の構成
その目的を達成するため本発明はプラズマ発生室からラ
ジカルを試料処理室に送入してエツチング又はアッシン
グ処理するプラズマ処理装置であって、前記試料処理室
内において、複数の突起部を設けた試料ステージ上の、
該突起部先端に試料を載置し、所定位置に赤外ランプを
設け、該赤外ランプにより前記試料を加熱してプラズマ
処理するようにしたことを特徴とする。
ジカルを試料処理室に送入してエツチング又はアッシン
グ処理するプラズマ処理装置であって、前記試料処理室
内において、複数の突起部を設けた試料ステージ上の、
該突起部先端に試料を載置し、所定位置に赤外ランプを
設け、該赤外ランプにより前記試料を加熱してプラズマ
処理するようにしたことを特徴とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例のプラズマ処理装置の模式的
要部断面図で、前図と同等の部分については同一符号を
付している。同図において前図（第１図）と同等部分に
ついては説明を省略するが本発明の一実施例のプラズマ
処理装置２０と従来のプラズマ処理装置１２が異なる点
は試料処理室１内の所定位置に赤外ランプ２１を付設し
、かつ平置状に試料を載置する試料ステージ２２の載置
面に図示したように複数個のたとえば円錐状の突起部２
３を設けた点にある。
要部断面図で、前図と同等の部分については同一符号を
付している。同図において前図（第１図）と同等部分に
ついては説明を省略するが本発明の一実施例のプラズマ
処理装置２０と従来のプラズマ処理装置１２が異なる点
は試料処理室１内の所定位置に赤外ランプ２１を付設し
、かつ平置状に試料を載置する試料ステージ２２の載置
面に図示したように複数個のたとえば円錐状の突起部２
３を設けた点にある。
このような赤外ランプ２１による加熱手段と、複数の突
起部２３を有する試料ステージ２２を具備してなるプラ
ズマ処理装置２０を用いてプラズマ処理を行なう場合、
試料たとえば半導体基板上にポリシリコン層の被膜を形
成し、該被膜上にレジストマスク膜を有する被処理基板
２４を前記試料ステージ２２の突起部２３の先端に載置
し、排気口２より真空排気し、ガス導入口９より所定の
四弗化炭素（ＣＦ４）と酸素（０２）の混合ガスを導入
してプラズマ発生室３及び試料処理室ｌ内の真空度を約
Ｉ Ｔｏｒｒになるように調整する。次いでマイクロ波
発振器１０を作動して導波管１１を介して発生室３内の
混合体としたプラズマエツチングガスが貫通孔５を通じ
て試料処理室ｌ内に送入され、該プラズマエツチングガ
スによって赤外ランプ２１によって約２００°Ｃの温度
に加熱された被処理基板２４の被膜を選択的に能率よく
均一にエツチング加工し、所望のパターンが形成される
。この場合前記被処理基板２４の背面は前記複数の突起
部２３によって支持されているためプラズマエツチング
ガスは前記被処理基板の背面に付着した被膜を同時にエ
ツチング除去することが可能である。
起部２３を有する試料ステージ２２を具備してなるプラ
ズマ処理装置２０を用いてプラズマ処理を行なう場合、
試料たとえば半導体基板上にポリシリコン層の被膜を形
成し、該被膜上にレジストマスク膜を有する被処理基板
２４を前記試料ステージ２２の突起部２３の先端に載置
し、排気口２より真空排気し、ガス導入口９より所定の
四弗化炭素（ＣＦ４）と酸素（０２）の混合ガスを導入
してプラズマ発生室３及び試料処理室ｌ内の真空度を約
Ｉ Ｔｏｒｒになるように調整する。次いでマイクロ波
発振器１０を作動して導波管１１を介して発生室３内の
混合体としたプラズマエツチングガスが貫通孔５を通じ
て試料処理室ｌ内に送入され、該プラズマエツチングガ
スによって赤外ランプ２１によって約２００°Ｃの温度
に加熱された被処理基板２４の被膜を選択的に能率よく
均一にエツチング加工し、所望のパターンが形成される
。この場合前記被処理基板２４の背面は前記複数の突起
部２３によって支持されているためプラズマエツチング
ガスは前記被処理基板の背面に付着した被膜を同時にエ
ツチング除去することが可能である。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したごとく本発明によれば、試料表面を能率よく
均一なプラズマエツチング処理と同時に、該試料背面の
不要被膜のエツチングが可能となり、歩留、能率及び品
質向上に大きな効果がある。尚本実施例は本発明の一例
としてあげたものでありレジスト膜のアッシング処理な
どにも使用できることは勿論である。
均一なプラズマエツチング処理と同時に、該試料背面の
不要被膜のエツチングが可能となり、歩留、能率及び品
質向上に大きな効果がある。尚本実施例は本発明の一例
としてあげたものでありレジスト膜のアッシング処理な
どにも使用できることは勿論である。
断面図、第２図は本発明による一実施例のプラズマ処理
装置の模式的要部断面図である。 図において、１は試料処理室、３はプラズマ発生室、２
０はプラズマ処理装置、２１は赤外ランプ。 ２２は試料ステージ、２３は突起部、２４は試料を示す
。 第 １ 図 第２図
装置の模式的要部断面図である。 図において、１は試料処理室、３はプラズマ発生室、２
０はプラズマ処理装置、２１は赤外ランプ。 ２２は試料ステージ、２３は突起部、２４は試料を示す
。 第 １ 図 第２図
Claims (1)
- プラズマ発生室からラジカルを試料処理室に送入してエ
ツチング又はアッシング処理するプラズマ処理装置であ
って、前記試料処理室内において、複数の突起部を設け
た試料ステージ上の、該突起部先端に試料を載置し、所
定位置に赤外ランプを設け、該赤外ランプにより前記試
料を加熱してプラズマ処理するようにしたことを特徴と
するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046637A JPS59172237A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046637A JPS59172237A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172237A true JPS59172237A (ja) | 1984-09-28 |
Family
ID=12752811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58046637A Pending JPS59172237A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461645A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Yasuda Susumu | Dangerous harmful gas detecting method |
| JP2008280878A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nissan Motor Co Ltd | 過給器の潤滑装置 |
| WO2010088267A3 (en) * | 2009-01-31 | 2010-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839948U (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-16 | 新日軽株式会社 | 張出し付属室 |
| JPS5844324U (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-25 | 新日軽株式会社 | 付属室の屋根雨仕舞装置 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58046637A patent/JPS59172237A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839948U (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-16 | 新日軽株式会社 | 張出し付属室 |
| JPS5844324U (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-25 | 新日軽株式会社 | 付属室の屋根雨仕舞装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461645A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Yasuda Susumu | Dangerous harmful gas detecting method |
| JP2008280878A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nissan Motor Co Ltd | 過給器の潤滑装置 |
| WO2010088267A3 (en) * | 2009-01-31 | 2010-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching |
| US8937017B2 (en) | 2009-01-31 | 2015-01-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching |
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