JPS6015931A - 反応性イオンエツチング方法 - Google Patents
反応性イオンエツチング方法Info
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- JPS6015931A JPS6015931A JP12453583A JP12453583A JPS6015931A JP S6015931 A JPS6015931 A JP S6015931A JP 12453583 A JP12453583 A JP 12453583A JP 12453583 A JP12453583 A JP 12453583A JP S6015931 A JPS6015931 A JP S6015931A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は反応性イオンエツチング（Ｒｅａｃｔｊ−Ｖｅ
工ｏｎ Ｅｔｃｂｊ、ｎｇ ： ＨＪ：Ｅ ）方法に係
り、特に半導体装置の製造工程における酸化シリコン膜
（ＳｉＯ２膜）又はリン珪化ガラヌＨ（ｐｓｅ膜）の反
応性イオンエツチング方法の改良に関する。
工ｏｎ Ｅｔｃｂｊ、ｎｇ ： ＨＪ：Ｅ ）方法に係
り、特に半導体装置の製造工程における酸化シリコン膜
（ＳｉＯ２膜）又はリン珪化ガラヌＨ（ｐｓｅ膜）の反
応性イオンエツチング方法の改良に関する。
（Ｌ）） 従来技術と問題点
従来、半導体装置のｆｌ！！！造工程において、シリコ
ン基板上のＳ：ＬＯ２膜、或いはＰＳＧ膜を選択的にエ
ツチングする場合には次のような方法が採用されている
。すなわち、シリコン基板上のＳｉＯ２膜、或いはＰＳ
Ｇ膜上に、パターン描画、現像処理により形成されたレ
ジストパターンを設け、このレジストパターンをマスク
として露出するＳｌ０ｇ膜、 ＰＳＧ膜をエツチングｅ
（Ｎ）ｌ、Ｆ液）でエツチング除去するウェットエツチ
ング方法が一般に用いられている。
ン基板上のＳ：ＬＯ２膜、或いはＰＳＧ膜を選択的にエ
ツチングする場合には次のような方法が採用されている
。すなわち、シリコン基板上のＳｉＯ２膜、或いはＰＳ
Ｇ膜上に、パターン描画、現像処理により形成されたレ
ジストパターンを設け、このレジストパターンをマスク
として露出するＳｌ０ｇ膜、 ＰＳＧ膜をエツチングｅ
（Ｎ）ｌ、Ｆ液）でエツチング除去するウェットエツチ
ング方法が一般に用いられている。
しかしながら上記方法にあっては、被エツチン膜として
のＳｉ、Ｏ１ｌ膜、ＰＳＧ膜に対するフォトレジヌトの
密着性が劣るため、エツチング時にレジスト膜とＰＳＧ
膜などの境界面にエツチング液が浸入してレジストパタ
ーンでマスクされた領域以外のＰＳＧ膜までエツチング
が起るか、又起らないまでもアンダカットなどの問題が
ある。
のＳｉ、Ｏ１ｌ膜、ＰＳＧ膜に対するフォトレジヌトの
密着性が劣るため、エツチング時にレジスト膜とＰＳＧ
膜などの境界面にエツチング液が浸入してレジストパタ
ーンでマスクされた領域以外のＰＳＧ膜までエツチング
が起るか、又起らないまでもアンダカットなどの問題が
ある。
このようなことから最近上述のレジヌトパグーン形成後
ウェットエツチング方法に代って、たとえば弗素系の反
応性ガスのプラズマ中で選択的にエツチングし、微細加
工が可能な反応性イオンエッチング方法（Ｈ１号）が広
く用いられるようになっている 第１図に従来の反応性イオンエツチングに用いる装置の
、模式的概略（ｌり成因を示す。同図において１は真壁
容器、２は平行平板電極の上部電極で接地されておシ、
３は同じく平行平板電極の下部電極でｉＰＪ 周波電ｄ
Ｍ ４及び七ルフバイアスコンガンサ５に接続づれてい
る。真空容器ｌの所＞ゼ位置にガス導入管６及び排気管
７が設けられており８は試料を示す。
ウェットエツチング方法に代って、たとえば弗素系の反
応性ガスのプラズマ中で選択的にエツチングし、微細加
工が可能な反応性イオンエッチング方法（Ｈ１号）が広
く用いられるようになっている 第１図に従来の反応性イオンエツチングに用いる装置の
、模式的概略（ｌり成因を示す。同図において１は真壁
容器、２は平行平板電極の上部電極で接地されておシ、
３は同じく平行平板電極の下部電極でｉＰＪ 周波電ｄ
Ｍ ４及び七ルフバイアスコンガンサ５に接続づれてい
る。真空容器ｌの所＞ゼ位置にガス導入管６及び排気管
７が設けられており８は試料を示す。
上記１（Ｉ ３装置を用いて、たとえばＰＳＧ膜などを
有するシリコン基板上に選択的に形成されたレジストマ
スク膜を有する試料８を反応性イオンエツチングする場
合には該試料８をト°部砥極３上に複数個載置し、排気
管７より真空容器１内を真空に排気し、ガス導入管６よ
り弗素系のガスを真空容器ｌ内に心入して、該真壁容器
ｌ内の真空度を約０．１ Ｔｏｒ：＋：になる様に調整
する。次いで高周波電源４より１７７］波数１８．５６
Ｍ鼠の所定の高周波電力を印加して弗素系のガスをプラ
ズマ化し 下部電極３上の試料８をＤＣバイアスによっ
て所望のエツチングを行なう。
有するシリコン基板上に選択的に形成されたレジストマ
スク膜を有する試料８を反応性イオンエツチングする場
合には該試料８をト°部砥極３上に複数個載置し、排気
管７より真空容器１内を真空に排気し、ガス導入管６よ
り弗素系のガスを真空容器ｌ内に心入して、該真壁容器
ｌ内の真空度を約０．１ Ｔｏｒ：＋：になる様に調整
する。次いで高周波電源４より１７７］波数１８．５６
Ｍ鼠の所定の高周波電力を印加して弗素系のガスをプラ
ズマ化し 下部電極３上の試料８をＤＣバイアスによっ
て所望のエツチングを行なう。
ところで、最近のシリコン裁板の大目径比が進行する中
でスル−プットヲ上げるためには夛ｈ１処理と同時に被
加工試料のエツチングレートの向上が必要であり、その
ためには高周波電力のパワアップが必要である。
でスル−プットヲ上げるためには夛ｈ１処理と同時に被
加工試料のエツチングレートの向上が必要であり、その
ためには高周波電力のパワアップが必要である。
し〃為しなから高周波電力のパワーアップは９反面シリ
コン基板に損傷（ダメージ）を与えることになり更に基
板上のレジスト膜が発生する熱によって損傷し基板に焼
きつくなどの問題が、ｂった。
コン基板に損傷（ダメージ）を与えることになり更に基
板上のレジスト膜が発生する熱によって損傷し基板に焼
きつくなどの問題が、ｂった。
（Ｃ）発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので高周
波′電力を上げることなく、低パワーで真空容器内のプ
ラズマ密度を上げて高いエツチングレートを得ることが
可能な反応性イオンエツチング方法の提供にある。
波′電力を上げることなく、低パワーで真空容器内のプ
ラズマ密度を上げて高いエツチングレートを得ることが
可能な反応性イオンエツチング方法の提供にある。
（４）発明の溝底
その目的を達成するため本発明は、真空容器内にガスを
導入し、平行平板電極に高周波′電力を印加して、前記
ガスを解離活性化ｌ〜て試料をエツチングするに１’／
Ａし、予め導入するガスをマイクロ波の１ｉ４１射によ
って油性化し、該活性化されたガスを１ｉＪ記真空容器
内に心入して試着をエツチングするようにしたことを特
徴と１−る。
導入し、平行平板電極に高周波′電力を印加して、前記
ガスを解離活性化ｌ〜て試料をエツチングするに１’／
Ａし、予め導入するガスをマイクロ波の１ｉ４１射によ
って油性化し、該活性化されたガスを１ｉＪ記真空容器
内に心入して試着をエツチングするようにしたことを特
徴と１−る。
（ｅ） 発明のり２施例
以ｒ本釦明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例の反応性イオンエッチング力
法を実施するた♂ＯのＲ工Ｅ装置の模式的概略溝底図で
ｂす、前回と同等の部分については同一円号をけしてい
る。同（２）において特に従来と！ｊ４なる点（は真空
容器１内に４７人するガスのガス導入管６の通路の所定
位ｉｌｌに、マグネトロンよりなるマイクロ波発函器１
０及び導波管１１を１」゛設置、−＋ｔＪマイクＯｉ皮
うＶ： １に：ｉ＋’ｉ ｌ Ｏより２．４５ＧＨｚの
マイクロ波をり１肢・＋！１１を介してガス導入″ｇを
通Ｊ歯するガス、たとえば３４１３比エタン（ＵＨＦ
ｓ ）の反応ガメレこ照射して、予め該反応ガスを活性
化（プラズマ化）シ、活性化された反応ガスを真壁容器
１内に導入するようにした点にある。
法を実施するた♂ＯのＲ工Ｅ装置の模式的概略溝底図で
ｂす、前回と同等の部分については同一円号をけしてい
る。同（２）において特に従来と！ｊ４なる点（は真空
容器１内に４７人するガスのガス導入管６の通路の所定
位ｉｌｌに、マグネトロンよりなるマイクロ波発函器１
０及び導波管１１を１」゛設置、−＋ｔＪマイクＯｉ皮
うＶ： １に：ｉ＋’ｉ ｌ Ｏより２．４５ＧＨｚの
マイクロ波をり１肢・＋！１１を介してガス導入″ｇを
通Ｊ歯するガス、たとえば３４１３比エタン（ＵＨＦ
ｓ ）の反応ガメレこ照射して、予め該反応ガスを活性
化（プラズマ化）シ、活性化された反応ガスを真壁容器
１内に導入するようにした点にある。
かかるように溝底されたＲ工Ｅ装置において。
１１ｉ１述したと同様に真空容器１内の［都電極３上に
たとえばＰＳＧ膜などを有するシリコン基板上に選択的
に形成されたレジストマスク膜を有する□試料８を複数
個載置し、排気管′ｌより具菟容器内を真空に排気し、
前記マイクロ波発］辰器１０を作動させながら、ガス導
入ｉτ６より活性化されたＣＨＦ３の反応ガスを真空容
器ｌ内Ｕ乙・５人して約ｔ１．］ ＴＯｒｒの真空度に
する。次いで高周波゛電源４より周波数１８．５６ Ｍ
Ｈｚの所定の高周波電力を印加して１部電極３上の試料
８をＤＣベイアス１（℃って所望のエツチングを行なう
。
たとえばＰＳＧ膜などを有するシリコン基板上に選択的
に形成されたレジストマスク膜を有する□試料８を複数
個載置し、排気管′ｌより具菟容器内を真空に排気し、
前記マイクロ波発］辰器１０を作動させながら、ガス導
入ｉτ６より活性化されたＣＨＦ３の反応ガスを真空容
器ｌ内Ｕ乙・５人して約ｔ１．］ ＴＯｒｒの真空度に
する。次いで高周波゛電源４より周波数１８．５６ Ｍ
Ｈｚの所定の高周波電力を印加して１部電極３上の試料
８をＤＣベイアス１（℃って所望のエツチングを行なう
。
かかる方法によれば反応ガス（はマイクロ波及び高周波
によるプラズマ化のためＪＶ：’ｒＷ容器１内のプラズ
マ密度が向上し高いエツチングレートを得ることがｒｚ
Ｊ能となる。
によるプラズマ化のためＪＶ：’ｒＷ容器１内のプラズ
マ密度が向上し高いエツチングレートを得ることがｒｚ
Ｊ能となる。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したごとく本発明によれば予め活１コ１．化され
た反応ガスを真空容器内に尋人して高１「″ｊ波’ｌｌ
ｉ’。
た反応ガスを真空容器内に尋人して高１「″ｊ波’ｌｌ
ｉ’。
力を上げることなく、真空容器内ヅノブフズマ密度を上
げて高いエツチングレートを得ることが可能となシ、又
試料に損傷を与えることなくスループットを向上さすこ
とが可能となり品質向上、ｉ化率向上及びコストダウン
ンこ効果かある。
げて高いエツチングレートを得ることが可能となシ、又
試料に損傷を与えることなくスループットを向上さすこ
とが可能となり品質向上、ｉ化率向上及びコストダウン
ンこ効果かある。
第１図は従来方法に用いる装置の模式的概略構成図、第
２図は本発明の一実施例の反応性イオンエツチング方法
を実施するためのＲ工Ｅ装置の模式的概略構成図でおる
。 □ 図において、■は真空容器、２は平行平板電極の上部電
極、３は同じく１部電極、４は高１司波電諒、６はガス
導入管、８はハ料、１０はマイクロ波発振器、１１は導
波管をボ１゛。
２図は本発明の一実施例の反応性イオンエツチング方法
を実施するためのＲ工Ｅ装置の模式的概略構成図でおる
。 □ 図において、■は真空容器、２は平行平板電極の上部電
極、３は同じく１部電極、４は高１司波電諒、６はガス
導入管、８はハ料、１０はマイクロ波発振器、１１は導
波管をボ１゛。
Claims (1)
- 真空容器内にカスを辱太し、平行平板電極に高周波電力
を印加して１ｍＪ記ガスを解離活性化して試料をエツチ
ングするに際し、予め導入するガスをマイクロ波の照射
によって活性化し、該活性化されたガスを前記真空容器
内に導入して試料をエツチングするようにしたことを特
徴とする反応性イオンエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12453583A JPS6015931A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 反応性イオンエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12453583A JPS6015931A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 反応性イオンエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015931A true JPS6015931A (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14887872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12453583A Pending JPS6015931A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 反応性イオンエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015931A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107730A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 複合励起プラズマ・エツチング・システム |
| JPS6344641A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Minolta Camera Co Ltd | シヤツタ−駆動装置 |
| JP2004535672A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-25 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | プラズマ処理におけるマイクロジェットによる低エネルギーイオン発生および輸送のための方法および装置 |
| US11950755B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charging station for robot vacuum cleaner |
-
1983
- 1983-07-07 JP JP12453583A patent/JPS6015931A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107730A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 複合励起プラズマ・エツチング・システム |
| JPS6344641A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Minolta Camera Co Ltd | シヤツタ−駆動装置 |
| JP2004535672A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-25 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | プラズマ処理におけるマイクロジェットによる低エネルギーイオン発生および輸送のための方法および装置 |
| US11950755B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charging station for robot vacuum cleaner |
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