JPS5976427A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5976427A JPS5976427A JP18117982A JP18117982A JPS5976427A JP S5976427 A JPS5976427 A JP S5976427A JP 18117982 A JP18117982 A JP 18117982A JP 18117982 A JP18117982 A JP 18117982A JP S5976427 A JPS5976427 A JP S5976427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma processing
- plasma
- processing apparatus
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａン 発明の技術分野
本発明はプラズマ処理装置に係り、特にプラズマエツチ
ング装置の被処理基板載置台の改良に関する。
ング装置の被処理基板載置台の改良に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
従来被処理基板たとえば被膜を有する半導体基板をプラ
ズマ処理室内に収容して、プラズマガスにより上記半導
体基板上の被膜をエツチング加工する方法が知られてい
る。該方法に使用される装置、たとえば第１図に示すよ
うに石英などからなるベルジャ１１とベース稔によって
処理室１３が形成され、該処理室１３内に収容される被
処理基板２を載置する平置型の載置台（ステージ）１４
、該処理室１３内にエツチングガスを導入する導入管１
５、該処理室１３外にエツチングガスを排気するための
排気管１６、及び前記エツチングガスをプラズマ化する
ための高周波コイル１７とよりなるプラズマ処理装置１
である。一般に前記ステージ１４はエツチング加工性の
均一化、又は自動搬送などのため平置型が多用されてい
る。かかるプラズマ処理装置ｌを用いて、被処理基板た
とえば被膜を有する半導体基板２ｆ：ステージ１４上に
該被膜を上面にして平置状態に載置してプラズマエツチ
ング処理を行なう場合に、該基板２表面上に形成されて
なる被膜は所望状態にエツチング加工されるが、前記半
導体基板２の背面はステージ１４の載置面と密着されて
いるためエップーングされることはない。
ズマ処理室内に収容して、プラズマガスにより上記半導
体基板上の被膜をエツチング加工する方法が知られてい
る。該方法に使用される装置、たとえば第１図に示すよ
うに石英などからなるベルジャ１１とベース稔によって
処理室１３が形成され、該処理室１３内に収容される被
処理基板２を載置する平置型の載置台（ステージ）１４
、該処理室１３内にエツチングガスを導入する導入管１
５、該処理室１３外にエツチングガスを排気するための
排気管１６、及び前記エツチングガスをプラズマ化する
ための高周波コイル１７とよりなるプラズマ処理装置１
である。一般に前記ステージ１４はエツチング加工性の
均一化、又は自動搬送などのため平置型が多用されてい
る。かかるプラズマ処理装置ｌを用いて、被処理基板た
とえば被膜を有する半導体基板２ｆ：ステージ１４上に
該被膜を上面にして平置状態に載置してプラズマエツチ
ング処理を行なう場合に、該基板２表面上に形成されて
なる被膜は所望状態にエツチング加工されるが、前記半
導体基板２の背面はステージ１４の載置面と密着されて
いるためエップーングされることはない。
ｔ５かしながら、前工程において前記半導体基板２表面
に被膜を形成する時に、基板２の背面にまで該被膜が付
着する場合があり、この背面に付着した該被膜はその後
の工程において、たとえば背面の段差形成、膜質の不均
一によるセンサーの誤動作、或は剥離した付着物の再付
着など大きな障害になる問題がある。これを防止するた
め再度背面をエツチング処理をする方法も採られるが非
常に手間がかかる問題がある。
に被膜を形成する時に、基板２の背面にまで該被膜が付
着する場合があり、この背面に付着した該被膜はその後
の工程において、たとえば背面の段差形成、膜質の不均
一によるセンサーの誤動作、或は剥離した付着物の再付
着など大きな障害になる問題がある。これを防止するた
め再度背面をエツチング処理をする方法も採られるが非
常に手間がかかる問題がある。
（ｃ）発明の目的
本発明の目的はかかる問題を解消するため、被処理基板
の表面をプラズマ処理する際に、該被処理基板の背面も
同時にプラズマ処理可能なプラズマ処理装置の提供にあ
る。
の表面をプラズマ処理する際に、該被処理基板の背面も
同時にプラズマ処理可能なプラズマ処理装置の提供にあ
る。
（由 発明の構成
即ち、本発明は被処理基板を載置する平置型の載置台を
有するプラズマ処理装置において、該載置台上に複数型
の突起を設け、該突起上に該被処理基板を載置するよう
べしたことを特徴とする、（ｅ） 発明の実施例 以下本発明の実施例について図面を参照して具体的に説
明する７、 第２図は本発明の一実施例を説明するための模式的要部
断面図である。尚削口と同等の部分については同一符号
を付している。
有するプラズマ処理装置において、該載置台上に複数型
の突起を設け、該突起上に該被処理基板を載置するよう
べしたことを特徴とする、（ｅ） 発明の実施例 以下本発明の実施例について図面を参照して具体的に説
明する７、 第２図は本発明の一実施例を説明するための模式的要部
断面図である。尚削口と同等の部分については同一符号
を付している。
同図において、削口（第１図）と同等部分については説
明を省略するが、本発明の一実施例のプラズマ処理装置
３においては、被処理基板２を平置状に載置する載置台
（ステージ）、３１の載置面３１１に図示したように複
数個のたとえば円錐状の突起３１２が設けられてなる。
明を省略するが、本発明の一実施例のプラズマ処理装置
３においては、被処理基板２を平置状に載置する載置台
（ステージ）、３１の載置面３１１に図示したように複
数個のたとえば円錐状の突起３１２が設けられてなる。
かかる構造のステージ３ｊを具備してなるプラズマ処理
装置３を用いてプラズマ処理を行なう場合、たとえば半
導体基板上にポリシリコン膜或は窒化膜などの被膜を形
成し、該被膜上にレジストマスク膜を有する被処理基板
４を前記ステージ３１上に載置し排気管１６より真空排
気し、ガス導入管δより所定の四弗化炭素（ＣＦ４．）
と酸素（Ｏ７）の混合ガスを導入して処理室１３内の真
空度を約１． ＯＴｏｒｒに調整し、ベルジャＵ外壁に
設けられた高周波数コイル１７によって１３．５６ＭＨ
７の高周波を印加すれば、前記混合ガスはプラズマ状に
励起され前記半導体基板上の被膜を選択的にエツチング
加工し所望ののパターンが形成される。この場合前記半
導体基板の背面は、前記複数個の突起部３１２によって
支持されているため、プラズマ反応ガスは該背面にも流
通して該背面に付着した被膜を同時にエツチング除去す
ることが可能である。勿論前述した突起３１２の形状は
剣山状にしてもよい。
装置３を用いてプラズマ処理を行なう場合、たとえば半
導体基板上にポリシリコン膜或は窒化膜などの被膜を形
成し、該被膜上にレジストマスク膜を有する被処理基板
４を前記ステージ３１上に載置し排気管１６より真空排
気し、ガス導入管δより所定の四弗化炭素（ＣＦ４．）
と酸素（Ｏ７）の混合ガスを導入して処理室１３内の真
空度を約１． ＯＴｏｒｒに調整し、ベルジャＵ外壁に
設けられた高周波数コイル１７によって１３．５６ＭＨ
７の高周波を印加すれば、前記混合ガスはプラズマ状に
励起され前記半導体基板上の被膜を選択的にエツチング
加工し所望ののパターンが形成される。この場合前記半
導体基板の背面は、前記複数個の突起部３１２によって
支持されているため、プラズマ反応ガスは該背面にも流
通して該背面に付着した被膜を同時にエツチング除去す
ることが可能である。勿論前述した突起３１２の形状は
剣山状にしてもよい。
又、インライン化のための半導体基板１枚処理の場合は
第３図の要部拡大断面図に示すよう傾半導体基板４周辺
部にストッパ用の突起３１３を複数個設は搬送系に対し
て半導体基板４の位置補正することも可能である。更に
第４図の要部拡大断面部に示すごとくステージ３１の中
央に排気孔３１４を設ける構造にすれば、ステージ３１
中央がら排気を取ることが可能で、その結果半導体基板
４背面へのプラズマエツチングガスの回り込みを良くし
て効率を上げることも可能である。
第３図の要部拡大断面図に示すよう傾半導体基板４周辺
部にストッパ用の突起３１３を複数個設は搬送系に対し
て半導体基板４の位置補正することも可能である。更に
第４図の要部拡大断面部に示すごとくステージ３１の中
央に排気孔３１４を設ける構造にすれば、ステージ３１
中央がら排気を取ることが可能で、その結果半導体基板
４背面へのプラズマエツチングガスの回り込みを良くし
て効率を上げることも可能である。
尚本発明はプラズマ発生室よりプラズマガスを処理室内
に導入して、主として等方性エツチングする構造のケミ
カルトライエツチング装置にも適用可能である。
に導入して、主として等方性エツチングする構造のケミ
カルトライエツチング装置にも適用可能である。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したように本発明によれば被処理基板表面のプラ
ズマ処理と同時に該基板背面の不要被膜のエツチング除
去が可能となり、能率歩留向上及び品質向上に大きな効
果がある。
ズマ処理と同時に該基板背面の不要被膜のエツチング除
去が可能となり、能率歩留向上及び品質向上に大きな効
果がある。
尚、本実施例は本発明の一例としてあげたものであり本
発明の範囲を制限するものではない。
発明の範囲を制限するものではない。
第１図は従来のプラズマ処理装置の模式的要部断面図、
第２図は本発明によるプラズマ処理装置の一実施例の模
式的要部＠１ｍ図、第３図は本発明の他の実施例の要部
拡大断面図、第４図は不発ヅｒの其の他の実施例の要部
拡大断面図である。 図において、３はプラズマ処理装置、３１は載置台、３
１１は載置１叫 ３１２・３１３は載置面上の突起を示
す。 第１図 第２図 第３図 １１
第２図は本発明によるプラズマ処理装置の一実施例の模
式的要部＠１ｍ図、第３図は本発明の他の実施例の要部
拡大断面図、第４図は不発ヅｒの其の他の実施例の要部
拡大断面図である。 図において、３はプラズマ処理装置、３１は載置台、３
１１は載置１叫 ３１２・３１３は載置面上の突起を示
す。 第１図 第２図 第３図 １１
Claims (1)
- 被処理基板を載置する平置型の載置台を有するプラズマ
処理装置に−おいて、該載置台上に複数個の突起を設け
、該突起上に、該被処理基板を載置するようにしたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18117982A JPS5976427A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18117982A JPS5976427A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976427A true JPS5976427A (ja) | 1984-05-01 |
| JPH0416937B2 JPH0416937B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16096252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18117982A Granted JPS5976427A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0205142A2 (en) * | 1985-06-11 | 1986-12-17 | Tegal Corporation | Pin lift plasma processing |
| JPH01319935A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電材料のドライエッチング装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135934A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching device |
| JPS5770278A (en) * | 1980-10-22 | 1982-04-30 | Nec Kyushu Ltd | Plasma etching apparatus |
| JPS57143827A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Parallel, flat electrode |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP18117982A patent/JPS5976427A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135934A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching device |
| JPS5770278A (en) * | 1980-10-22 | 1982-04-30 | Nec Kyushu Ltd | Plasma etching apparatus |
| JPS57143827A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Parallel, flat electrode |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0205142A2 (en) * | 1985-06-11 | 1986-12-17 | Tegal Corporation | Pin lift plasma processing |
| JPH01319935A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電材料のドライエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416937B2 (ja) | 1992-03-25 |
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