JPS62208636A - レジスト剥離方法 - Google Patents

レジスト剥離方法

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JPS62208636A
JPS62208636A JP61030327A JP3032786A JPS62208636A JP S62208636 A JPS62208636 A JP S62208636A JP 61030327 A JP61030327 A JP 61030327A JP 3032786 A JP3032786 A JP 3032786A JP S62208636 A JPS62208636 A JP S62208636A
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 イオン注入の際の衝撃等により表面に変質層を生じたレ
ジストを反応性プラズマ処理により剥離するに際し、基
板を冷却して長時間のプラズマ処理による温度−上昇を
抑え、未変質レジストの変質を防市してレジスト剥離を
完全ならしめる。
〔産業上の利用分野〕
本発明は反応ガス、例えば酸素（０□）を含むガスを用
いたプラズマで行うＩノジフｌ　′ｌ１ｌＡＩｌ力法に
関する。
従来より、プラズマを用いて単層イ口４’　ＦＩ　Ｍを
エツチングするとき、被処理体を冷却することの利点に
ついては公知である。（例えは、実公昭５６−１４３６
６参照） その理由は、冷却することによりマスク材として用いる
レジストのＩ員傷を軽減し、被処理体とレジストとの選
択比、あるいは被処理体と下地＋Ｎ　事（１との選択比
を向上させる。
更に、冷却によりレジストの変形を防いで加］−精度を
向上させる等の効用があることによる。
しかし、レジストを灰化し剥離する場合に被処理体を冷
却することは、従来一般に（３（行われていない。
ごれば、レジストを灰化するときはある程度温度が上が
った方が灰化レートが上がること、冷却装置を付加する
ことによる装置価格の上昇等のデメリットがあること等
の理由によるものと思われる。
一方、Ｌ−ジヌトはイオン注入のマスクとしても多く用
いられ、特に近時、半導体装置の高集積化に伴って、ソ
ース・ドレイン９ｒ１域等の高不純物濃度の領域もイオ
ン注入によっ−（形成されるようになって来ているが、
かかる高不純物濃度のイオン注入に際してマスクとして
用いたレジストは、その表向に変質層を生じて完全に剥
離することが困￥任になるという問題があり、その対策
が望まれている。
〔従来の技術〕
・イオン注入の際マスクとして用いたレジストは、特に
燐イオン（Ｐｏ）や砒素イオン（Δｓ＋）等質量の大き
いイオンがＩ　Ｘｌ０１５ｃｍ−２程度以上の高ト′−
ス星で打ち込まれると、イオンの衝撃によりレジスト表
面に炭化物様の変質物が形成され、通常に酸素（０□）
プラズマで剥離したのでは、薄膜状の残留物か生し、該
レシス１−がきれいにとりきれない。
これは、前記変質層がプラズマ処理によってとりきれな
いでいる間に、その下の未変質層がプラズマ中の熱で硬
化し、これら屏温されている変質層や硬化層が基板表面
と反応し′（、そこに強固に４４着するものと考えるこ
とができる。
リアクティブ・イオンエツチング（ＩＩＩＥ）等大きな
エネルギーを持った反応ガスの活性種によって基板面を
照射する方法においては、強固に基板面に付着したレジ
スＩ・変質層の除去がｉ”Ｊ能であるが、この方法にお
いては高エネルギーを有する活性種によって基板面がダ
メージを受け、該基板によって形成される半導体装置等
の品質が低下するという問題を生ずる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のように従来は、基板面にダメージを及ぼさないよ
うな条件で行われる反応ガスプラズマによるレジストの
沃化（アッシング）処理によって、イオン注入マスクと
して用い表面に変質層か形成されたレジスト層を基板面
から完全に剥離することは極めて困難であった・ ［問題点を解決するだめの手段］ 」ニ記問題点は、基板を冷却手段を用いて冷却しながら
、該基板−にに被着したレジストを０□等の反応ガスを
用いたプラズマで剥離する本発明によるレジス！・剥離
方法により解決される。
〔作用〕
即ち本発明は、イオン注入に際しての・イオンの衝撃に
より表面に変質層が形成され剥離が困難になったレジス
ト層を剥離するに際し、基板を冷却しなから０□等の反
応ガスによるプラズマ処理を行うことによって、剥離に
長時間を要する際にも、プラズマの熱や、電子、イオン
等の衝撃によるレジスト層のＷ温を抑え、未変質レジス
ト層の変質を抑制して完全な１／シスト剥離を可能にす
る。
（実施例） 以下本発明を図示実施例により、具体的に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に用いるバレル形プラズ
マ処理装置の模式側断Ｉｆｉｉ図で、第２図る５１本発
明の第２の実施例に用いる枚葉代マ・イクＬ′１波プラ
ズマ処理装置の模式側断面図である。
全図を通し同一対象物は同一符合で示す。
本発明の方法により、複数枚の基板上に被着されている
前記変質層の形成されたレジスＩ・層を一括剥離するに
際しては、例えば第１図に示すようなバレル形の高周波
プラズマ処理装置が用いられる。
図において、１は石英等よりなる反応容器、２は底板、
３ａは支柱兼冷却水供給管、３ｂは支柱兼冷却水送出管
、４は冷却水の供給管及び送出管に連通ずる冷却サセプ
タ、５は反応ガス導入日、６は真空排気口、７ａ及び７
ｂは高周波電極、８は高周波発振器、９はレジスト層を
有する被処理基板を示す。
第１の実施例においてはこの装置を用い、例えば燐イオ
ン（Ｐｏ）がドーズ量　３×１０１５ｃｍ−２、加速エ
ネルギー１２０ＭｅＶで打ち込まれ、表面に変質層の形
成された厚さ１．３μｍのレジスｔ−（ＯＦｌ’Ｒ８０
０東＋！１１ト化製）が被着された被処理基板９を冷却
水供給管３ａから冷却水が導入され冷却されている冷却
リーヒプタ４十に固定し、反応ガス勇入口５から酸素（
０□）を５００ｃｃ／分程度の流量で反応容器１内に書
入し、排気１１６から排気を行って反応容器内を］　Ｔ
ｏｒｒ程度に減圧し２、高周波電極７ａ、７１）間に１
３．５６）Ｉｌｌハ１．５１稈度の高周波電力を印加し
、反応容器１内に酸素プラズマを発生させて」二記被処
理括扱９のレジスト剥婿を３〜５分程度行った。
その１７ｉＷ、被処理２Ｌ板上のレタス１一層は変質層
を残さず、完全に剥離されていることが確認、された。
本発明の方法によりレジスト剥離の枚葉処理を行うに際
しては、例えば第２図に示すような枚葉式マイクロ波プ
ラズマ処理装置が用いられる。
同図において、１１は導波管、１２は矢印方向に進む１
４波数２．４５　Ｇ１１ｚのマイクし１波、１３は石英
、またし４セラミツクよりなるマイクロ波ｉ％過窓、１
４は金属よりなる反応容器、Ｉ５は基板を載せるステー
ジ、１６は冷却用水イ５、その他の記すは第１図と同一
・対象物を示す。
第２の実施例においてはこの装置を用い、０：１記実施
例同様燐イオン（Ｐ゛）がドーズ量　３ＸＩＯ１５ｃｍ
　−２、加速エネルギー１２０ＫｅＶで打ら込まれ、表
面に変質層の形成された厚さ１．３μｍのレジスト（Ｏ
Ｆｌ’Ｒ８００東京応化製）が被着された被処理基板１
）をステージ５の上に載せ、反応ガス導入ｒＺ］　５か
ら０□を２００ｃｃ／分程度の流けで反応容器１４内に
導入し、排気口６より排気して反応容器１４内を０゜３
　Ｔｏｒｒ程度に減圧し、２．４５ＧＩＩＺ　、１．５
　ＫＷのマ・イクロ波１２により発生するプラズマによ
りレジストの剥離を行った。
剥離時間は前記実施例同様３〜５分である。
その結果、基板」−のレシス１〜は変質層を残留せしめ
ることなく、完全に剥離されていることが確認された。
特に、基板をグリースでステージに固定すると伝熱がよ
くなり、より短時間で完全に剥＾１１されることが分か
った。
また、プラズマを安定させるためにアルゴン（Ａｒ）若
しくは窒素（Ｎ、）を混合した。２、或いは反応を促進
するために４弗化炭素（ＣＦ４）等弗素系のガスを混合
した０２を用いた際にも、実施例同様に変質層を佇する
レジストの完全な剥離が可能なことを確認している。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、イオン注入
マスクとして用い表面に変質層が形成されたレジストを
、プラズマにより基板にダメージを１ｊえずに完全に剥
離することができる。
従って半導体装置等の製造工程に適用して、製造品質を
向上せしめる効果を生ずる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の第１の実施例に用いるバレル形プラズ
マ処理装置の模式側断面図、 第２図は本発明の第２の実施例に用いる枚葉式マイクロ
波プラズマ処理装置の模式側断面図である。 図において、 １は石英等よりなる反応容器、 ２は底板、 ３ａは支柱兼冷却水供給管、 ３ｂは支柱兼冷却水送出管、 ４は冷却サセプタ、 ５は反応ガス導入口、 ６は真空排気口、 ７ａ及び７ｂは高周波電極、 ８は高周波発振器、 ９はレジス１へ層を有する被処理基板 １１は導波管、 Ｉ２は矢印方向に進むマイクロ波、 １３はマイクロ波透過窓、 １４は金属よりなる反応容器、 １５は基板を載せるステージ、 １６は冷却用水套 ノ峠イ≦日に＋１目１℃１３７７ ７０液７゛フツでマブゴしｐ貝Ａ（責ＥＩ７１＃父くト
４第　２　聞 −１０つ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板を冷却手段を用いて冷却しながら、該基板上に被着
    したレジストを反応ガスを用いたプラズマにより剥離す
    ることを特徴とするレジスト剥離方法。
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