JPH1116891A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPH1116891A
JPH1116891A JP9164742A JP16474297A JPH1116891A JP H1116891 A JPH1116891 A JP H1116891A JP 9164742 A JP9164742 A JP 9164742A JP 16474297 A JP16474297 A JP 16474297A JP H1116891 A JPH1116891 A JP H1116891A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォーカスリング上に異物である反応生成物
の堆積量を大幅に減少させることができ、したがって、
下部電極上に反応生成物を落下させる虞が無くなり、落
下した反応生成物の上に半導体基板等の被処理物が乗り
上げて異常放電を引き起こすという虞も無くなるプラズ
マ処理装置を提供する。 【解決手段】 チャンバー内に、被処理物３を載置する
下部電極１と、下部電極１の上方に対向配置された上部
電極とを備え、下部電極１または上部電極のいずれか一
方に高周波を印加させることにより、チャンバー内に導
入された反応性を有するガスにプラズマを発生させて被
処理物３に化学的および／または物理的処理を行なうプ
ラズマ処理装置において、下部電極１の周囲に設けられ
たフォーカスリング１１の、少なくとも前記下部電極に
接する部分１２を、耐熱性及び耐プラズマ性を有する樹
脂により形成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に係り、特に、半導体基板を微細加工する際に用いて好
適なプラズマエッチング装置、プラズマ化学堆積（Chem
ical Vapor Deposition：ＣＶＤ）装置等のプラズマ処
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】微細加工技術としてのエッチング技術
は、ＬＳＩの高集積化に不可欠の要素技術であり、加工
寸法の微細化ともにドライエッチングの１種であるプラ
ズマエッチングも広く用いられるようになっている。こ
のプラズマエッチングは、反応性を有するガスのプラズ
マ中にシリコンウェハ等の半導体基板を置くことで、該
半導体基板に化学的／物理的にエッチングを行なうもの
である。
【０００３】図３は従来のプラズマエッチング装置の一
例を示す部分縦断面図であり、図において、１はチャン
バー内に設けられ上面が平坦面とされた下部電極、２は
下部電極１の周囲に設けられたフォーカスリング、３は
下部電極１上に載置されたシリコンウェハ等の半導体基
板、４はフォーカスリング２上に堆積された反応生成物
である。
【０００４】フォーカスリング２は、下部電極１を保護
するとともに、下部電極１（または図示しない上部電
極）に高周波を印加させた際に発生するプラズマを集束
させるためのもので、主としてセラミックスが用いられ
ている。
【０００５】このプラズマエッチング装置では、下部電
極１（または図示しない上部電極）に高周波を印加させ
ることにより、チャンバー内に導入された反応性を有す
るガス（以下、反応性ガスとも称する）にプラズマを発
生させて半導体基板３のエッチングを行っているが、そ
の際に生成した反応生成物４は、半導体基板３の周囲に
飛散し、フォーカスリング２上に堆積することとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマエッチ
ング装置の問題点は、半導体基板３を長時間に渡ってエ
ッチングし続けると、フォーカスリング２上に堆積され
た反応生成物４の量が多くなり、その一部がはがれて下
部電極１上に落下するという点である。落下した反応生
成物４は半導体基板３にとって異物であるため、その上
に半導体基板３が乗り上げた場合、異常放電を引き起こ
す虞がある。
【０００７】その理由は、フォーカスリング２の材料が
セラミックス等の反応生成物４が堆積され易い材料によ
り構成されているために、半導体基板３をエッチングす
る際に、チャンバー内に導入された反応性ガスと半導体
基板とが反応することにより生じる反応生成物４がこの
フォーカスリング２上に容易に堆積されてしまうからで
ある。
【０００８】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、反応性ガスにプラズマを発生させて半導体基
板等の被処理物に化学的および／または物理的処理を行
なう際に、フォーカスリング上に異物である反応生成物
の堆積量を大幅に減少させることができ、したがって、
下部電極上に反応生成物を落下させる虞が無くなり、落
下した反応生成物の上に被処理物が乗り上げて異常放電
を引き起こすという虞も無くなるプラズマ処理装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なプラズマ処理装置を採用した。す
なわち、請求項１記載のプラズマ処理装置は、チャンバ
ー内に、被処理物を載置する下部電極と、該下部電極の
上方に対向配置された上部電極とを備え、前記下部電極
または該上部電極のいずれか一方に高周波を印加させる
ことにより、前記チャンバー内に導入された反応性を有
するガスにプラズマを発生させて前記被処理物に化学的
および／または物理的処理を行なうプラズマ処理装置で
あり、前記下部電極の周囲に設けられたフォーカスリン
グの、少なくとも前記下部電極に接する部分を、耐熱性
及び耐プラズマ性を有する樹脂により形成したものであ
る。
【００１０】請求項２記載のプラズマ処理装置は、前記
下部電極に接する部分を、前記樹脂からなるリングとし
たものである。
【００１１】請求項３記載のプラズマ処理装置は、前記
樹脂を、ポリイミドを主成分とする樹脂としたものであ
る。
【００１２】請求項４記載のプラズマ処理装置は、前記
リングの径方向の幅を、前記被処理物の化学的および／
または物理的処理の均一性を低下させない範囲で設定し
たものである。
【００１３】請求項５記載のプラズマ処理装置は、前記
被処理物を、半導体基板としたものである。
【００１４】本発明のプラズマ処理装置では、下部電極
の周囲に設けられたフォーカスリングの、少なくとも前
記下部電極に接する部分を、耐熱性及び耐プラズマ性を
有する樹脂により形成したことにより、この樹脂により
形成されたフォーカスリングの部分は、反応性を有する
ガスにプラズマを発生させて被処理物に化学的および／
または物理的処理を行なう際に生じる反応生成物が堆積
し難くなる。これにより、この反応生成物が下部電極上
に落下する虞が無くなり、落下した反応生成物の上に前
記被処理物が乗り上げて異常放電を引き起こすという虞
も無くなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
の一実施形態について図面に基づき説明する。図１は本
発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す
部分縦断面図であり、図において、１１は半導体基板３
を載置する下部電極１の外周に所定の間隔をあけて設け
られたセラミックスからなるフォーカスリング、１２は
下部電極１の外周とフォーカスリング１１の内周それぞ
れに接触するように設けられた耐熱性及び耐プラズマ性
を有するポリイミド等の樹脂からなるリングである。
【００１６】このリング１２の径方向の幅ａは、半導体
基板３のエッチング速度に影響を与えるため、エッチン
グ速度の均一性を低下させない範囲で設定する必要があ
り、下部電極１の周囲の一部に設けるのがよい。
【００１７】次に、このプラズマエッチング装置の動作
について説明する。下部電極１（または図示しない上部
電極）に高周波を印加させることにより、チャンバー内
に導入されたエッチングガス（反応性を有するガス）に
プラズマを発生させ、半導体基板３にプラズマエッチン
グ（化学的および／または物理的処理）を行なう。
【００１８】一般に、プラズマエッチング時に生成する
ラジカル（遊離基）やイオンは極めて活性で、試料表面
に対してエッチング作用と堆積（デポジション）作用と
が共存していると見なされる。そのため、エッチングが
開始されると、エッチングガスと半導体基板３とが反応
することにより生じる反応生成物４が、半導体基板３の
周辺部のリング１２上及びフォーカスリング１１上に堆
積することとなる。
【００１９】図２は、本実施形態のリング１２と従来の
フォーカスリング２それぞれのエッチング時間と反応生
成物堆積厚さとの関係を示す図である。この図によれ
ば、エッチング時間が１００時間の場合、本実施形態の
リング１２では、従来のフォーカスリング２と比較して
反応生成物堆積厚さが１／５以下になっており、本実施
形態のリング１２の方が反応生成物が堆積し難いことは
明白である。
【００２０】本実施形態のプラズマエッチング装置によ
れば、下部電極１の外周とフォーカスリング１１の内周
それぞれに接触するように耐熱性及び耐プラズマ性を有
するポリイミド等の樹脂からなるリング１２を設けたの
で、下部電極１の周囲にプラズマエッチングの際に生じ
る反応生成物４を堆積し難くすることができる。したが
って、この反応生成物４が下部電極１上に落下するのを
防止することができ、落下した反応生成物４上に半導体
基板３が乗り上げることにより生じる異常放電の発生を
防止することができる。
【００２１】また、リング１２の外周側に接する様に、
セラミックスからなるフォーカスリング１１を設けたの
で、プラズマの集束効果が大きく、フォーカスリング１
１全体を樹脂にした場合と比べてエッチング速度の半導
体基板３内における均一性が優れているという効果があ
る。
【００２２】なお、本実施形態では、プラズマエッチン
グ装置について説明したが、反応性ガスにプラズマを発
生させて半導体基板等の被処理物に化学的および／また
は物理的処理を行なう装置であればよく、例えば、プラ
ズマＣＶＤ装置等にも適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のプラズマ処
理装置によれば、下部電極の周囲に設けられたフォーカ
スリングの、少なくとも前記下部電極に接する部分を、
耐熱性及び耐プラズマ性を有する樹脂により形成したの
で、この樹脂により形成されたフォーカスリングの部分
に反応生成物を堆積し難くすることができる。したがっ
て、この反応生成物が下部電極上に落下するのを防止す
ることができ、落下した反応生成物の上に被処理物が乗
り上げて異常放電を引き起こすのを防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に係るプラズマエッチン
グ装置を示す部分縦断面図である。
【図２】 本発明の一実施形態のリングと従来のフォー
カスリングそれぞれのエッチング時間と反応生成物堆積
厚さとの関係を示す図である。
【図３】 従来のプラズマエッチング装置の一例を示す
部分縦断面図である。
【符号の説明】 １ 下部電極 ２ フォーカスリング ３ 半導体基板 ４ 反応生成物 １１ フォーカスリング １２ リング ａ リングの径方向の幅

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チャンバー内に、被処理物を載置する下
    部電極と、該下部電極の上方に対向配置された上部電極
    とを備え、 前記下部電極または該上部電極のいずれか一方に高周波
    を印加させることにより、前記チャンバー内に導入され
    た反応性を有するガスにプラズマを発生させて前記被処
    理物に化学的および／または物理的処理を行なうプラズ
    マ処理装置において、 前記下部電極の周囲に設けられたフォーカスリングの、
    少なくとも前記下部電極に接する部分を、耐熱性及び耐
    プラズマ性を有する樹脂により形成したことを特徴とす
    るプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 前記下部電極に接する部分は、前記樹脂
    からなるリングであることを特徴とする請求項１記載の
    プラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記樹脂は、ポリイミドを主成分とする
    樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載のプ
    ラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記リングの径方向の幅は、前記被処理
    物の化学的および／または物理的処理の均一性を低下さ
    せない範囲で設定されていることを特徴とする請求項２
    記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 前記被処理物は、半導体基板であること
    を特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載のプ
    ラズマ処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025982A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法
KR100813823B1 (ko) 2001-04-03 2008-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 챔버의 반도체 가공물을 둘러싸는 전도성 칼라
US7850174B2 (en) 2003-01-07 2010-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and focus ring

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200629A (ja) * 1988-02-04 1989-08-11 Nec Corp ドライエッチング装置
JPH02130823A (ja) * 1988-11-10 1990-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置およびその方法
JPH07106316A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH08339984A (ja) * 1995-06-13 1996-12-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200629A (ja) * 1988-02-04 1989-08-11 Nec Corp ドライエッチング装置
JPH02130823A (ja) * 1988-11-10 1990-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置およびその方法
JPH07106316A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH08339984A (ja) * 1995-06-13 1996-12-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025982A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法
JP4554037B2 (ja) * 2000-07-04 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法
KR100813823B1 (ko) 2001-04-03 2008-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 챔버의 반도체 가공물을 둘러싸는 전도성 칼라
US7850174B2 (en) 2003-01-07 2010-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and focus ring
US8114247B2 (en) 2003-01-07 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and focus ring

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