JPH01200629A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH01200629A JPH01200629A JP2526188A JP2526188A JPH01200629A JP H01200629 A JPH01200629 A JP H01200629A JP 2526188 A JP2526188 A JP 2526188A JP 2526188 A JP2526188 A JP 2526188A JP H01200629 A JPH01200629 A JP H01200629A
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- electrode
- semiconductor substrate
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- etching apparatus
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング装置に関し、特に半導体基板
を設置する設置用電極の構造に関する。
を設置する設置用電極の構造に関する。
従来、ドライエツチング装置の半導体基板（以下ウェー
ハという）を設置する設置用電極の表面を覆う電極材料
としては、ステンレス、アルミナ、石英及びセラミック
スなどが使われている。
ハという）を設置する設置用電極の表面を覆う電極材料
としては、ステンレス、アルミナ、石英及びセラミック
スなどが使われている。
そして、対象とするｆツチング物質によってこの電極材
料を変えている。例えば、エツチング対象が酸化シリコ
ンまたはシリコンの場合では、石英が、またエツチング
対象が有機膜の場合ではポリイミドがそれぞれ用いられ
る。
料を変えている。例えば、エツチング対象が酸化シリコ
ンまたはシリコンの場合では、石英が、またエツチング
対象が有機膜の場合ではポリイミドがそれぞれ用いられ
る。
尚、電極材料は設置用電極の全表面を覆う場合とウェー
ハが設置される部分以外を覆う場合とがある。
ハが設置される部分以外を覆う場合とがある。
上述した従来のドライエツチング装置の設置用電極表面
を覆う電極材料は、対象とするエツチング物質により変
えなければならないという煩雑さがある。また石英、Ａ
ｅ２０Ｓ 、セラミックスなどの絶縁膜を電極材料とし
て使用した場合、第３図に示すように電極上のプラズマ
電界の分布にがたよりか生じ、均一にエツチングができ
なくなったり、これらの絶縁膜がスパッタされ、汚染の
原因になるなどして、半導体装置の製造歩留り及び信頼
性を低下させるという欠点がある。
を覆う電極材料は、対象とするエツチング物質により変
えなければならないという煩雑さがある。また石英、Ａ
ｅ２０Ｓ 、セラミックスなどの絶縁膜を電極材料とし
て使用した場合、第３図に示すように電極上のプラズマ
電界の分布にがたよりか生じ、均一にエツチングができ
なくなったり、これらの絶縁膜がスパッタされ、汚染の
原因になるなどして、半導体装置の製造歩留り及び信頼
性を低下させるという欠点がある。
本発明の目的は、電極材料による設置用電極上の電界分
布のかたよりや汚染をなくし、半導体装置の製造歩留り
及び信頼性を向上させることのできるドライエツチング
装置を提供することにある。
布のかたよりや汚染をなくし、半導体装置の製造歩留り
及び信頼性を向上させることのできるドライエツチング
装置を提供することにある。
本発明のドライエツチング装置は、半導体基板を設置す
る設置用電極と該設置用電極に対向し設けられた対局電
極とを有するドライエツチング装置であって、少くとも
半導体基板が設置される部分を除く前記設置用電極の表
面は、導電性有機材料で被覆されているものである。
る設置用電極と該設置用電極に対向し設けられた対局電
極とを有するドライエツチング装置であって、少くとも
半導体基板が設置される部分を除く前記設置用電極の表
面は、導電性有機材料で被覆されているものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図において、真空容器１０内にはウェーハ４を設置
する設置電極２とこれに対向する対向電極１とが設けら
れている。そして、特に設置用電極２の、ウェーハ４を
設置する部分を除く表面は、導電性有機材料としてのポ
リイミドのパイロポリマー３により覆われている。この
ポリイミドのパイロポリマー３は、ポリイミドを１００
０℃で熱処理したものである。
する設置電極２とこれに対向する対向電極１とが設けら
れている。そして、特に設置用電極２の、ウェーハ４を
設置する部分を除く表面は、導電性有機材料としてのポ
リイミドのパイロポリマー３により覆われている。この
ポリイミドのパイロポリマー３は、ポリイミドを１００
０℃で熱処理したものである。
このように構成された本実施例を用い、ＣＦ４からなる
プラズマを発生させた場合の電界強度分布を第２図に示
す、第２図に示したように、本実施例による電界強度は
、設置用電極２全体にわたってほぼ均一なものとなった
。
プラズマを発生させた場合の電界強度分布を第２図に示
す、第２図に示したように、本実施例による電界強度は
、設置用電極２全体にわたってほぼ均一なものとなった
。
また、本実施例を用い、２００人程度の薄い酸化股上に
形成した厚さ６０００人の多結晶シリコン膜をＣＣｅ
ａ ＋ Ｈｅのガスを用いて異方性エツチングを行った
結果、酸化膜への損傷が少く、しかも重金属汚染のない
エツチングを行うことができた。
形成した厚さ６０００人の多結晶シリコン膜をＣＣｅ
ａ ＋ Ｈｅのガスを用いて異方性エツチングを行った
結果、酸化膜への損傷が少く、しかも重金属汚染のない
エツチングを行うことができた。
更につ、エーハ上の１μｍの厚の酸化膜を、レジストを
マスクにエツチングした後、レジストを除去し、この酸
化膜をマスクにシリコン基板を５μｍの深さまでＣＢｒ
Ｆ３を用いて異方性エツチングを行った。この場合も電
界分布が均一であるため、ウェーハ面内でエツチング形
状及び深さが均一な溝を設置用電極からの重金属汚染も
なく形゛ 成することができた。
マスクにエツチングした後、レジストを除去し、この酸
化膜をマスクにシリコン基板を５μｍの深さまでＣＢｒ
Ｆ３を用いて異方性エツチングを行った。この場合も電
界分布が均一であるため、ウェーハ面内でエツチング形
状及び深さが均一な溝を設置用電極からの重金属汚染も
なく形゛ 成することができた。
尚、上記実施例においては、導電性有機材料としてポリ
イミドのパイロポリマーを用いた場合について説明した
が、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリーＰ−フェニ
ルオキサジアゾール等のパイロポリマーを用いることが
できる。また、これらの導電性有機材料で設置用電極の
全面を覆ってもよいことは勿論である。
イミドのパイロポリマーを用いた場合について説明した
が、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリーＰ−フェニ
ルオキサジアゾール等のパイロポリマーを用いることが
できる。また、これらの導電性有機材料で設置用電極の
全面を覆ってもよいことは勿論である。
以上説明したように本発明は、ドライエツチング装置に
おける半導体基板を設置する設置用電極の、少くとも半
導体基板が設置される部分を除く表面を導電性有機材料
で被覆することにより、エツチング中のスパッタによる
重金属汚染を防止し、電極上の電界強度の分布を均一に
し、半導体基板表面にかかる電界強度を小さくすること
ができる。従って半導体装置の製造歩留り及び信頼性は
向上したものとなる。
おける半導体基板を設置する設置用電極の、少くとも半
導体基板が設置される部分を除く表面を導電性有機材料
で被覆することにより、エツチング中のスパッタによる
重金属汚染を防止し、電極上の電界強度の分布を均一に
し、半導体基板表面にかかる電界強度を小さくすること
ができる。従って半導体装置の製造歩留り及び信頼性は
向上したものとなる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
一実施例の設置用電極上の電界強度分布を示す図、第３
図は従来の設置用電極上の電界強度分布を示す図である
。 １・・・対向電極、２・・・設置用電極、３・・・ポリ
イミドのパイロポリマー、４・・・ウェーハ、５・・・
石英、１０・・・真空容器。
一実施例の設置用電極上の電界強度分布を示す図、第３
図は従来の設置用電極上の電界強度分布を示す図である
。 １・・・対向電極、２・・・設置用電極、３・・・ポリ
イミドのパイロポリマー、４・・・ウェーハ、５・・・
石英、１０・・・真空容器。
Claims (1)
- 半導体基板を設置する設置用電極と該設置用電極に対
向し設けられた対向電極とを有するドライエッチング装
置において、少くとも半導体基板が設置される部分を除
く前記設置用電極の表面は、導電性有機材料で被覆され
ていることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2526188A JPH01200629A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2526188A JPH01200629A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200629A true JPH01200629A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12161081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2526188A Pending JPH01200629A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611346U (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | ヘキストジャパン株式会社 | ドライエッチング装置用ポリベンゾイミダゾール製物品 |
| JPH1116891A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Nec Kyushu Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607132A (ja) * | 1983-06-25 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS60208836A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション | プラズマ・エツチング装置 |
| JPS62296521A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP2526188A patent/JPH01200629A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607132A (ja) * | 1983-06-25 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS60208836A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション | プラズマ・エツチング装置 |
| JPS62296521A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611346U (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | ヘキストジャパン株式会社 | ドライエッチング装置用ポリベンゾイミダゾール製物品 |
| JPH1116891A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Nec Kyushu Ltd | プラズマ処理装置 |
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