JPS60208836A - プラズマ・エツチング装置 - Google Patents

プラズマ・エツチング装置

Info

Publication number
JPS60208836A
JPS60208836A JP60015635A JP1563585A JPS60208836A JP S60208836 A JPS60208836 A JP S60208836A JP 60015635 A JP60015635 A JP 60015635A JP 1563585 A JP1563585 A JP 1563585A JP S60208836 A JPS60208836 A JP S60208836A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holder
electrode
etching
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60015635A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0476493B2 (ja
Inventor
ジヨージ・フレデリツク・カニンガム、ジユニア
ジヨン・ウエイン・ルイス
ロバート・バーナード・マツクルア
ダニエル・ジヨン・ポインデクスター
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24386313&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS60208836(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS60208836A publication Critical patent/JPS60208836A/ja
Publication of JPH0476493B2 publication Critical patent/JPH0476493B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプラズマ・エツチング技術に係り、更に具体的
には本発明は改良したプラズマ・エツチング装置用の電
極構造体に係る。
［従来技術］ プラズマ・エツチング技術は半導体ウェハの様な製品を
エツチングするために用いる。この技術は低温で行われ
るので、マスク材としてフォトレジストを用いる事が出
来る。またプラズマ・エツチングは化学的プロセスであ
るので、エツチングに於ける選択度は非常に高く、マス
クのエツチングを最小にすることができる。
その様なエツチングに於ける問題点は処理する材料に関
してプラズマを形成する種の不均一性にある。これは一
部はカソード及びアノード間の電界の変動によるもので
ある。
ウェハなどのエツチングすべき生成材は慣習的にバッチ
処理される。即ちウェハはプラズマ・エツチング装置の
一方の電極上に平らに配置されて、プラズマに露出され
る。この様なバッチ・エツチングでは一度に多数のウェ
ハを処理できるので、均一性の点で劣るが、好んでこの
方法が用いられる。この様なバッチ・エツチング法はス
ループットを増大させるが、通常の装置に於けるガス流
、温度、電界、プラズマ形成の故に、装置内の位置に依
存してプラズマがそのバッチに於ける各ウェハに異った
効果を与える。例えばエツチング・し−ト及びエツチン
グ量が電極上のウェハの位置に大きく依存するのである
。概して、エツチング・レートは電極上のウェハの放射
方向の位置によって変動する。かくしてバッチ・エツチ
ングしたウェハは不均一にエツチングされる事になる。
従来は１石英のスペーサを用いてウェハを選択的に間隔
を置いて配置し、電極上の暗部を均一にするために電極
全体のまわりに伸延したシールドを設け、電極表面を丸
くし、あるいは装置内のプラズマ形成ガス流の分布を変
える事がこの不均一性の問題を解決するために提案され
た。
これらの解決方法を用いてもエツチングの均一度の問題
は相当なものであって、電極の端部に沿って配置したウ
ェハよりも中央部に置いたウェハの方が急速にエツチン
グされ、バッチ均一度は１８％乃至２５％に達した。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的はプラズマ・フィールドもしくはチャンバ
ーの変則状態（ａｂｎｏｒｍａｌｉｔｙ）を補償する事
によってプラズマ・エツチング装置に於けるエツチング
均一度を改善する事にある。
本発明の他の目的はエツチング装置に於いて処理する材
料（生成材）の上に付着された被膜に於ける差異による
エツチングの変動を補償する事にある。
本発明の更に他の目的はバッチ・プラズマ・エツチング
電極上に配置した材料の各々の個別的処理を実施する事
にある。
本発明の更嘉こ他の目的はプラズマ・エツチング装置内
に配置した生成材料を、その位置に関係なくほぼ同じレ
ートでエツチングしうる装置を提供する事にある。
本発明の更に他の目的は、エツチングするウェハの寸法
に関係なく任意の個々の材料の表面を均一にエツチング
する事を保証する事にある。
［問題点を解決するための手段］ 発明者はこれまで用いられなかった特異な電極を用いる
事によって、バッチ・エツチング装置、バッチ・エツチ
ャー）の高スループツトを達成しうると同時に、エツチ
ングの均一性を達成しうる事を見出した。
この顕著な改善は複数の開口を有するウェハ担持電極を
用い、各開口に調整した材料ホルダを挿入する事によっ
て実現される。各ホルダは、ホルダ内に含まれる各材料
を直接とりまくプラズマの特性が他のホルダに含まれる
他の材料をとりまくプラズマの特性とほぼ同じになるよ
うに、電極上の位置に従って調整される。更に、電極上
の位置の相異に関してだけでなく、ホルダ内の材料表面
に見られる膜厚差の様な被膜の特異性に関しても各ホル
ダを調整する事ができる。
［実施例］ 本発明に於いて、装置、バイアスなどに依存して電極は
アノードでも、カソードでもよい事を理解されたい。本
発明に於いて用いるホルダはその内部に含んだ材料に対
する熱的電気的接触を保証するが、ホルダの近辺のプラ
ズマの特性を物理的に変える様にも設計される。ホルダ
の形状は、除去する被膜の型並びに装置内のホルダの試
理的な位置を考慮する様に変える事ができる。
第１図に典型的なバッチ型の平行プラズマ・エツチャー
を示す。このプラズマ・エツチャーはチャンバ１０、上
方電極１１、下方電極１２（複数個の半導体ウェハ１３
を担持している）を有している。電極１１は例えばカソ
ードであり５電極１２はアノードであって、両者ともＲ
Ｆ源（図示せず）に接続される。管１４を介してカソー
ド１１の中心部からチャンバ１０内に、しがも電極１１
及び１２の間にプラズマ形成ガスを入れる。チャンバ１
０にその様なガスを入れる事によって、ＲＦ源をオンに
すると電極１１及び１２の間にプラズマが形成される。
図示しない真空ポンプと結合した排気管９を介してチャ
ンバ１ｏがらプラズマ形成ガスを排気する。この様なエ
ツチャーは市販されているので、詳細には説明しない。
第１図では上下に給排口を設けであるが、側方に設けて
もよい事は云うまでもない。
本発明に従って設計した第１図の７ノード１２の拡大図
を第２図及び第３−に示す。第２図はアノードの平面図
である。この７ノードは、−実施例を説明するために示
す直径８．２６ｏｎ　（３，２５インチ）の半導体ウェ
ハについて使用するために設計する場合、例えば厚さ０
．６３５ａｎで直径約６６０１のほぼ平坦な円形のプレ
ートよりなる。
本発明に従い、第２図に示す電極１２は、複数個の開口
を有している。一連の同心リングのアレイ状にこれらの
開口を配列する。図示する電極に於いて、中心開口１５
は夫々２つの同心リング開口１５ａ及び１５ｂによって
包囲されている。これらの開口は全て同一の形状であっ
て、第３図に示す様にステップ状の内壁を有している。
開口の大きい方の開口部の直径１６はおよそ９．５３（
７）。
小さい方の開口部の直径１７は約８．２６ａｎである。
即ち０．６４ａｍの肩部１８が各開口に設けられている
。
第２図の電極に挿入するのに適している異ったウェハ・
ホルダを第４図乃至第８図に示す。
第４図はリング３０（外部の唇状部３１及びウェハ３３
を支持する肩部３２を有する）として形成したホルダを
示す、ウェハ３３の上部表面がホルダ３０の上部表面と
一致する様にウェハを支持する。
第５図は他のウェハ・ホルダを示す。この例に於いては
、ホルダは唇状部３６よりなり、ウェハ３８をセットす
るため′の肩部３７が設けられている。唇状部３６及び
肩部３７はリング３５、ウェハ３８及び電極１２の上部
表面が全て同じ面内になる事を保証する様な寸法に形成
する。リング３５の底部の中央内部には挿入体３９が充
填される。
挿入体は図示する様にリング３５の底部からウェハの下
のレベルまで達している。ウェハ３８の底面と挿入体３
９の上面の間のスペース４０はウェハ３８の厚さにほぼ
等しい。この挿入体は導電性のものでも絶縁性のもので
もよいが、通常導電性のものであるのが好ましい。
第６図は唇状部４２及び凹部４３を有する皿状体４１と
して形成したウェハ・ホルダを示す。この場合も唇状部
の厚さは、ホルダの上面が電極１２の上部表面と同一面
になる様にする。凹所４３の深さは、その内部に配置さ
ハるウェハ４４の厚さの少くとも２倍である。電極１２
内にホルダを配置する場合、ウェハ４４は皿状体の底部
に配置され、ウェハの表面は皿状体の凹所内に位置し、
電極１２の上部表面より下になる。
第７図は第６図のホルダと類似したホルダである。これ
は、皿状部４５、唇状部４６及び凹所４７（深さはその
内部に配置されるウェハ４８の厚さの２倍）から成る。
更に、凹所４７には溝部４９が設けられており、溝部４
９は皿状部の中央に中央ペデスタル部５０が形成される
様に外縁端部を一循している。この溝部４９の深さは少
くともウェハの厚さに等しくするべきである。これによ
ってウェハ４８の外側端部は中央ペデスタル部５０の外
につき出た状態となる。
第４図ないし第７図に示されるホルダの各々は、ｉ状部
が電極の上部表面よりも上になる様に変更する事が可能
である。
第８図はメサ型のホルダを示す。このホルダは。
電極１２の肩部１８に乗る唇状部５２を有する本体６１
から成る。この図に於いて、本体６１はその表面がメサ
状に電極１２の上部表面の面よりも高くなる様に形成さ
れ、よってウェハ５３は電極１２の上部表面よりも上方
に支持される。
第９図は唇状部６２及びウェハを挿入できる凹所６３を
備えた皿状体６１を有するホルダを示す。
凹所６３は電極１２の上部表面と平行な平坦な底部を有
している。唇部６２は厚さが変わる上方に伸びる縁部６
２を有している。ホルダの一方の側から他の側へかけて
線部６２厚さを変える事によって、皿状体６１の上部表
面は電極１２の上部表面の面に対して成る角度をなす。
よって縁部６２は一方の側に於いては電極１２の上部表
面よりも上に出ているのに対して、他の側に於いては電
極１２の表面とほぼ同じレベルにある。
第１０図は第９図の傾斜型ホルダの変形例を示す。ウェ
ハ・ホルダ６５は唇状部６６及びウェハを挿入する凹所
６７を有している。凹所６７は電極１２の上部表面に対
して成る角度をなす平坦な底部６８を有している。この
場合も唇状部６２は厚さの変わる縁部を有している。よ
って縁部の上部表面は電極１２の上部表面と成る角度を
なしている。凹所６７の底部の面と電極１２の表面との
なす角度は、電極１２の表面と縁部６６の上部表面のな
す角度と同じ角度に維持され、凹部６７の底部が縁部の
表面のわずか下に位置する様に構成するのが好ましい。
最初は、第４図乃至第７図に示した異なった形のウェハ
・ホルダの各々を装荷した電極を用いてサンプルを処理
した。各ホルダの各ウェハ上のフォトレジスト及びポリ
イミド被覆に関して、１２゜７５ワツト、９Ｑｓｃｃｍ
のガス流量、２０℃に於いて６０ミリトルの１００％０
□等の条件で動作するプラズマ装置を用いて、第４図な
いし第７図の各タイプのウェハ・ホルダを装荷した電極
について平均ウェハ内均一度（Ｗｉｔｈ　ｉｎ　ｗａｆ
ｅｒ　Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を以下に於いて示す。
第４図に示したホルダを装荷した電極に対する平均的な
ウェハ内向一度は１３．１％であった。
ここで用いるウェハ均一度は、ウェハあたり５ポイント
を用いて測定した均一度であって、その結果を３σ／マ
情報として示したものである。
ホルダを第５図に示した形に変えた場合、ウェハ内向一
度は１２．１％に改善された。
第６図に示したホルダに替えた場合、均一度は９．７％
に改善された。第７図のホルダの場合、大きな変化はな
く、１０％のウェハ均一度が得られた。第６図に示した
ホルダが最も低いウェハ内向一度を呈したので、以後の
テストにこのホルダを用いた。
第６図のホルダを用いた場合、第１図の内部の中央位置
１５及び１５ａに於けるウェハ内向一度は１０％ないし
それ以下であるが、外側の位置１５ｂではウェハ均一度
は平均１５．８％であった。
これは、外側位置１５ｂのウェハが位ｗ１５もしくは１
５ａのウェハよりも早いレートでエツチングされる事を
示している。更にテストを行う事によって、もしもホル
ダの表面がらおよそｏ、３２１下の深さの位置にウェハ
の表面をセットするならば、内側位置１５．１５ａに於
いておよそ２゜３％のウェハ均一度が得られ、外側位置
１５ｂに於いて７％の均一度が得られる事が判った。更
にテストを実施する事によって、外側位置１５ｂバツチ
・レート均一度は、第８図の傾斜ホルダを用いると更に
改善される事が判った。このホルダに於いて、ウェハ表
面の深さは外側端部に於いて０゜３２ａｍないし０．５
１ＣＩＩの範囲にあり、それらの外側位置１５ｂに於け
るウェハ均一度は平均４゜２％であった。
これらのエツチング均一度の差は以下の説明によってよ
り良く理解しうるであろう。その様な差は全体として次
の４つのカテゴリーに分けられる。
（１）　ウェハの中心領域が外側端部よりエツチングが
速い。
（２）　ウェハの外側端部が中心領域よりもエツチング
が速い。
（３）外側端部の一部がウェハの残部よりもエツチング
が速い。
（４）電極端部に近い電極の領域が電極の残部よりもエ
ツチングが速い。　゛ これらの効果の組合せも生じうる。これらの問題に対処
するために、第４図ないし第１０図に示した設計の基本
ウェハホルダを用いる。
第６図のホルダを、上記の現象（１）及び（２）を解決
するために用いる。凹所４３が深ければ深い程、唇状部
４２によって保護される事によってウェハ４４の外側端
部はよりゆっくりとエツチングされる。凹所４３の深さ
を減じると、全ウェハにわたってエツチング・レートが
わずかに増加し、凹所をより深くすると、ウェハのエツ
チング・レートが減じる。代りに、もしもウェハを下げ
ずに、第８図のメサ形ホルダを用いて電極表面よりも高
く上げると、ウェハ５３の外側端部はより速くエツチン
グされる。よって、改善されたパッチ均一度を得るため
に、異なった深さの凹所あるいは高さの異なるメサを用
いたホルダを電極全体に配置する事ができる事が判る。
特に第７図の設計のホルダは、中心領域に於けるより顕
著なＲＦ結合の故にその領域に於けるエツチング・レー
トを改善するために用いる事ができる。これは現象（２
）を矯正する。よりすぐれたＲＦ結合によってウェハの
外側端部のエツチング・レートを増大させるために第５
図の設計のホルダを用いる。これは上記の現象（１）を
補正する。これらの設計の両方のホルダは熱転写問題に
敏感である。熱伝導性のペデスタルに接触してないウェ
ハの領域はエツチングの間に加熱される傾向があり、い
くつかの被膜が異なるレートでエツチングされる。この
現象はウェハのこれらの領域に対して電気的に絶縁性の
熱転写媒体を加える事によって補正できる。
第９図及び第１０図の設計のホルダは前記の現象（３）
及び（４）を補正するために非常に首尾よく用いられる
。通常これらの現象は電極端部による効果によって生じ
る。概してこれらの縁端効果によって、電極端部に最も
近いウェハの部分がウェハの残部よりも早くエツチング
される事になる。第９図の設計のホルダ（ペデスタルの
縁部の一側部が他側部よりも例えば０．８９ａｍ程高く
なっている）を用いる事によって、その縁端効果を補正
する事ができる。縁部の高い方の部分が最も外部の電極
端部に最も近くなる様に、よってウェハの外側端部をよ
りよく保護する様に、ホルダを電極に配置する事が望ま
しい。第９図に示すホルダはウェハ表面を電極表面と平
行に維持する。第１０図のホルダは、図示する様に電極
１２の表面に対してウェハを傾斜させる。
プラズマ・エツチング及び反応性イオン・エツチング（
ＲＩ　Ｅ）には基本的な相異点がある。ＲＩＥは方向性
のあるエツチングであるが、プラズマ・エツチングは一
般的にはそうではない。従って、ＲＩＥに於いて側壁を
真直ぐに下方へエツチングするためには、ウェハを電極
表面に対して平行に即ち第９図に示す様にしなければな
らない。
しかしながら、プラズマ・エツチングは非方向性を呈す
るので、ウェハを傾ける事ができる。第１０図に示す様
に、ウェハの高くもち上げた領域を上方の電極により近
く配置し、より高速度でエツチングする事ができる。第
９図及び第１０図に示すホルダを用いる事によって、電
極１２上の開口の最外部のリングに見出される縁端効果
を有効に相殺する事ができ、実施されるエツチングのタ
イプに関係なく最良の結果が得られる。
最適のホルダを備えた電極を作る場合に考慮すべき他の
事項は、ホルダを構成する材料である。
何故ならば、材料によってＲＦ電界が変化し、効果に影
響を与えるからである。例′えば、ウェハのエツチング
の均一度を改善するために、ホルダを絶縁材で被覆した
り、絶縁材で作ったりする事ができる。ウェハを揮発性
の物質ホルダで包囲する事によって、揮発物質をウェハ
・フィルムと同じレートでエツチングされる様にすると
、前述の現象（２）の補正が助長される。
以上に於いて、開口を設けた電極を用い、装置に於ける
生成材の位置に関係なく、生成材の均一なエツチングを
実施しうる選択された設計の生成材ホルダを上記開口に
配置する本発明の詳細な説明した。
ホルダ内に含まれる生成材を直接包囲する局所的な物理
的特性を変更する事によってその内部に含まれる生成材
のエツチング均一度を各ホルダが制御する事によって上
記の効果が奏せられる。各生成材まわりの局所的特性は
適当な設計のホルダによって各生成材自体の特定のニー
ズに従って変更される。これらの個々のホルダは、局所
的なＲＦ電界を物理的に呈する事によってフィルム及び
反応室両者の変則状態（ａｂｎｏｒｍａｌｉｔｙ）を補
償する事により、アート上の生成材のエツチング均一度
を相当改善する。
バッチ・エツチャーを詳細に説明したが、単一ウェハ・
エツチャーに於いてもホルダーの修整を用いうる事は云
うまでもない。
更に、平坦なバッチ電極について説明したが、曲面を有
する電極も用いうる事を理解されたい。
但しこの場合、ホルダの形は電極の曲面を補償する何ら
かの修整が必要である。
［発明の効果］ 本発明によって、電極上に配置される生成材の位置に関
係なく均一なエツチングを実施しうる改′良されたプラ
ズマ・エツチング装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図はバッチ・プラズマ・エツチング装置を示す図、
第２図は電極の部分を示す図、第３図は第２図の３−３
線に沿う断面図、第４図乃至第１０図は種々の形のウェ
ハ・ホルダを示す図である。 ９・・・・排気管、１０・・・・チャンバ、１１・・・
・上方電極、１２・・・・下方電極、１３・・・・半導
体ウェハ、１４・・・・管。 出願人　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 代理人　弁理士　岡　１）　次　生 （外１名） 第１頁の続き ０発　明　者　ロバート・バーナー　アメド・マツクル
ア　ン、 ＠発明者　ダニエル・ジョン・ボ　アメインデクスター
　ズ・“ リカ合衆国バーモント州エセックス・ジャンクショロタ
ンダ・アベニ２−１０１地 リカ合衆国バーリント州サウス・バーリントン、ヘイｒ
ベニュー１幡地

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 複数個の開口を有する電極と、 各開口内に配置したエツチングすべき生成材を保持する
    ためのホルダとを含むプラズマ・エツチング装置であっ
    て、 上記各ホルダが、生成材の表面を均一にエツチングする
    様に上記ホルダのまわり及び上方のプラズマを変化させ
    る構造を有している事を特徴とするプラズマ・エツチン
    グ装置。
JP60015635A 1984-04-02 1985-01-31 プラズマ・エツチング装置 Granted JPS60208836A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/596,189 US4512841A (en) 1984-04-02 1984-04-02 RF Coupling techniques
US596189 1984-04-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60208836A true JPS60208836A (ja) 1985-10-21
JPH0476493B2 JPH0476493B2 (ja) 1992-12-03

Family

ID=24386313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60015635A Granted JPS60208836A (ja) 1984-04-02 1985-01-31 プラズマ・エツチング装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4512841A (ja)
EP (1) EP0160220B2 (ja)
JP (1) JPS60208836A (ja)
DE (1) DE3570805D1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200629A (ja) * 1988-02-04 1989-08-11 Nec Corp ドライエッチング装置
JP2001230235A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶板のプラズマエッチング装置および水晶板の製造方法並びに水晶板
JP2004193632A (ja) * 2004-03-22 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶板のプラズマエッチング装置
JP2009076816A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置
JP2009535852A (ja) * 2006-05-03 2009-10-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 動的に調整可能なプラズマ源出力印加器を備えたプラズマリアクタ

Families Citing this family (262)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647361A (en) * 1985-09-03 1987-03-03 International Business Machines Corporation Sputtering apparatus
US5262029A (en) * 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
US5511799A (en) * 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
GB9317170D0 (en) * 1993-08-18 1993-10-06 Applied Vision Ltd Improvements in physical vapour deposition apparatus
US5498313A (en) * 1993-08-20 1996-03-12 International Business Machines Corp. Symmetrical etching ring with gas control
JPH08153682A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Nec Corp プラズマｃｖｄ装置
US5639334A (en) * 1995-03-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Uniform gas flow arrangements
DE69725245T2 (de) * 1996-08-01 2004-08-12 Surface Technoloy Systems Plc Verfahren zur Ätzung von Substraten
GB9616225D0 (en) 1996-08-01 1996-09-11 Surface Tech Sys Ltd Method of surface treatment of semiconductor substrates
US6187685B1 (en) 1997-08-01 2001-02-13 Surface Technology Systems Limited Method and apparatus for etching a substrate
US6417013B1 (en) 1999-01-29 2002-07-09 Plasma-Therm, Inc. Morphed processing of semiconductor devices
DE102004053906A1 (de) * 2004-11-05 2006-05-11 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Adaptervorrichtung für eine Substrat-Arbeitsstation
US7520999B2 (en) * 2006-05-03 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with dynamic adjustment of the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another
US7419551B2 (en) * 2006-05-03 2008-09-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with apparatus for dynamically adjusting the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another
US7431797B2 (en) * 2006-05-03 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a dynamically adjustable plasma source power applicator
US8557093B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Sunpower Corporation Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies
DE102007023970A1 (de) * 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate
US8962101B2 (en) 2007-08-31 2015-02-24 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for plasma-based deposition
US8999106B2 (en) * 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
US8137463B2 (en) * 2007-12-19 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Dual zone gas injection nozzle
US20090162570A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology
US8062472B2 (en) * 2007-12-19 2011-11-22 Applied Materials, Inc. Method of correcting baseline skew by a novel motorized source coil assembly
EP2562290A3 (en) * 2008-08-29 2016-10-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
CN102859645B (zh) * 2010-02-24 2016-05-04 威科仪器有限公司 带温度分布控制的加工方法和装置
TWI452163B (zh) * 2010-04-08 2014-09-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜治具
US8535445B2 (en) * 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
TWI450330B (zh) * 2010-11-25 2014-08-21 C Sun Mfg Ltd 電漿蝕刻設備、晶圓治具及設置晶圓的方法
US20120164834A1 (en) * 2010-12-22 2012-06-28 Kevin Jennings Variable-Density Plasma Processing of Semiconductor Substrates
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
DE102011055061A1 (de) 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
KR101928356B1 (ko) * 2012-02-16 2018-12-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 제조 장치
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
US9088085B2 (en) 2012-09-21 2015-07-21 Novellus Systems, Inc. High temperature electrode connections
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9273413B2 (en) 2013-03-14 2016-03-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with temperature distribution control
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
WO2016083508A1 (de) * 2014-11-26 2016-06-02 Von Ardenne Gmbh Substrathaltevorrichtung, substrattransportvorrichtung, prozessieranordnung und verfahren zum prozessieren eines substrats
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102417931B1 (ko) * 2017-05-30 2022-07-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436255A (en) * 1965-07-06 1969-04-01 Monsanto Co Electric resistance heaters
US4230515A (en) * 1978-07-27 1980-10-28 Davis & Wilder, Inc. Plasma etching apparatus
US4222839A (en) * 1978-09-21 1980-09-16 Motorola, Inc. Workpiece holder and method for plasma reactor apparatus
US4298443A (en) * 1979-08-09 1981-11-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High capacity etching apparatus and method
US4307283A (en) * 1979-09-27 1981-12-22 Eaton Corporation Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection
US4297162A (en) * 1979-10-17 1981-10-27 Texas Instruments Incorporated Plasma etching using improved electrode
US4309267A (en) * 1980-07-21 1982-01-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Reactive sputter etching apparatus
DE3028536C2 (de) * 1980-07-28 1983-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur Halterung von kreisförmigen Substratscheiben und ihre Verwendung
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device
US4350578A (en) * 1981-05-11 1982-09-21 International Business Machines Corporation Cathode for etching
US4400235A (en) * 1982-03-25 1983-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Etching apparatus and method
US4426246A (en) * 1982-07-26 1984-01-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch
US4439261A (en) * 1983-08-26 1984-03-27 International Business Machines Corporation Composite pallet

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200629A (ja) * 1988-02-04 1989-08-11 Nec Corp ドライエッチング装置
JP2001230235A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶板のプラズマエッチング装置および水晶板の製造方法並びに水晶板
JP2004193632A (ja) * 2004-03-22 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶板のプラズマエッチング装置
JP2009535852A (ja) * 2006-05-03 2009-10-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 動的に調整可能なプラズマ源出力印加器を備えたプラズマリアクタ
JP2009076816A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0160220B2 (en) 1992-08-19
DE3570805D1 (en) 1989-07-06
US4512841A (en) 1985-04-23
EP0160220A1 (en) 1985-11-06
JPH0476493B2 (ja) 1992-12-03
EP0160220B1 (en) 1989-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60208836A (ja) プラズマ・エツチング装置
JP4499567B2 (ja) 基板上のポリマーの堆積を減少させるためのデバイスを備えたプラズマ装置及びポリマーの堆積を減少させるための方法
EP0165400B1 (en) Apparatus for plasma etching
US7024105B2 (en) Substrate heater assembly
JPH0528893B2 (ja)
US4793975A (en) Plasma Reactor with removable insert
CN100437930C (zh) 用于实现均匀等离子处理的阶梯式上部电极
EP1166323B1 (en) Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing
US7922862B2 (en) Plasma processing apparatus, electrode plate for plasma processing apparatus, and electrode plate manufacturing method
TWI373810B (en) Substrate processing with rapid temperature gradient control
EP0134999B1 (en) Composite pallet for a reactive ion etching system
KR20040111691A (ko) 반도체 공정용 플라즈마 반응기를 위한 다중부재 전극 및다중부재 전극의 일부를 교체하는 방법
KR20010032700A (ko) 프로세싱 챔버 및 플라즈마 구속방법
US4340461A (en) Modified RIE chamber for uniform silicon etching
KR102623545B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치
JP2001504160A (ja) 基板ホルダ上へのポリマーの堆積を削減する装置
US20050022736A1 (en) Method for balancing return currents in plasma processing apparatus
US5789324A (en) Uniform gas flow arrangements
US4810322A (en) Anode plate for a parallel-plate reactive ion etching reactor
JPH06140187A (ja) プラズマ処理装置
JPH0663107B2 (ja) 平行平板型ドライエツチング装置
JPH09312284A (ja) バッチ式アッシング装置
JPH118225A (ja) 平行平板電極型プラズマ処理装置
KR100884414B1 (ko) 애노드형 플라즈마 반응기 및 방법
JPS60171728A (ja) ドライエツチング装置