TWI450330B - 電漿蝕刻設備、晶圓治具及設置晶圓的方法 - Google Patents

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Description

電漿蝕刻設備、晶圓治具及設置晶圓的方法
本發明是有關於一種電漿蝕刻設備及晶圓治具，特別是指一種可自動化載入晶圓的電漿蝕刻設備及晶圓治具。
現有用於晶圓的電漿蝕刻設備是使用圓形的電極，而承載晶圓的治具也配合電極為圓形。參閱圖1，由於晶圓治具9的外輪廓為圓形，而一般設置晶圓容置槽91是呈陣列排列，且大致呈方形排列，因而受限於晶圓治具9的圓形邊界，使得晶圓治具9的整體面積並未能充分的利用。例如圖1所示，在相鄰邊界的部分區域92(方形陣列的外側區域)其寬度容不下一個晶圓容置槽91，但是該等區域92加總的面積還可以再容納幾個晶圓容置槽91，所以該等區域92即為浪費的空間。
再者，由於晶圓治具的外輪廓為圓形，沒有方向性，欲將已承載晶圓的晶圓治具置入電漿蝕刻設備的電極上時，不容易將晶圓治具定位，所以無法利用機器手臂自動擺放，需增加作業時間及人力成本。
因此，本發明之一目的，即在提供一種可以增加設置晶圓空間的電漿蝕刻設備。
本發明之另一目的，即在提供一種用於電漿蝕刻設備的晶圓治具。
本發明之又一目的，在提供一種在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法。
於是，依據本發明之一較佳實施例，本發明電漿蝕刻設備包含：一反應腔、一設於反應腔體內的下電極、一晶圓治具及一設於反應腔體內並對應位於下電極上方的上電極。晶圓治具覆蓋於下電極上，並具有一呈方形的底板，底板設有多數個呈陣列排列的晶圓容置槽，各晶圓容置槽可分別容納一晶圓。
依據本發明另一較佳實施例，本發明電漿蝕刻設備，包含：一反應腔體、一下電極及一上電極。下電極設於反應腔體內，具有一呈方形的本體及多數個設於本體頂面的晶圓容置槽。上電極設於反應腔體內並對應位於下電極上方。
本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，係製備一呈方形之承載裝置，在對應該承載裝置之方形的承載範圍內佈設多數個晶圓。
本發明之功效，電漿蝕刻設備中用以設置晶圓的承載裝置(晶圓治具或下電極)呈方形，可以容納較多的晶圓，達到最佳的空間利用率，提高生產效能。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之二個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖2，本發明電漿蝕刻設備之第一較佳實施例，包含一反應腔體1、一下電極2、一晶圓治具3及一設於反應腔體1內並對應位於下電極2上方的上電極4。
下電極2設於反應腔體1內，具有一呈方形的本體21，並具有一冷卻系統22。冷卻系統22包括多數個設於本體21頂面且朝向晶圓治具3的出氣孔221，在本實施例中，冷卻系統22與反應腔體1外的氣體供應系統(未圖示)連接，藉以在蝕刻晶圓5時提供冷卻氣體。
晶圓治具3覆蓋於下電極2上，並具有一呈方形的底板31及一蓋板32。底板31設有多數個晶圓容置槽311，各晶圓容置槽311可分別容納一晶圓5，且各晶圓容置槽311與冷卻系統22相連通，以使冷卻氣體可以在晶圓5周側流動，帶走晶圓5上的熱能。在本實施例中，晶圓容置槽311是藉由穿設於底板31的冷卻孔312與冷卻系統22相連通。
在第一較佳實施例中，用以承載晶圓5的承載裝置為晶圓治具3，設置晶圓5的方法，可以如圖4所示，在對應晶圓治具3之方形的承載範圍內，使晶圓5呈陣列對齊排列；或如圖5所示，使晶圓5呈陣列錯位排列；或如圖6所示，使晶圓5呈放射狀排列。但是也可以依據晶圓5的大小及數量選擇較佳的排列方式，並不限制。晶圓容置槽311的排列方式即是對應晶圓5的位置設置。
蓋板32覆蓋於底板31上，並具有多數個分別對應各晶圓容置槽311的開口321，且各開口321的內徑小於各晶圓容置槽311，亦即各開口321呈截頭倒錐狀，以使蓋板32位於各開口321周側的部分壓抵於各晶圓5的周緣。底板31與下電極2之間設有一密封環6，以避免由下電極2的出氣孔22流出的冷卻氣體洩漏，而使冷卻氣體能進入底板31的冷卻孔312，以在電漿蝕刻晶圓5時將晶圓5冷卻。在本較佳實施例中，晶圓治具3具有蓋板32，但是不使用蓋板32也可以。而且藉由晶圓治具3來承載晶圓5，亦可適用於非方形的下電極，並不以本實施例為限。
利用方形的晶圓治具3，可以增加設置晶圓5的空間，達到最佳的空間利用率。而且方形的晶圓治具3有四個側邊，相較於圓形容易定位，可以利用機器將晶圓5置入晶圓治具3，並利用機器將晶圓治具3連同夾置於晶圓治具3內的晶圓5，一起置入反應腔體1內的下電極2上，而能夠將載入晶圓5至反應腔體1內的流程自動化。當晶圓治具3放置於下電極2到達定位後，可藉由位於下電極2兩側的扣壓裝置7將晶圓治具3固定。扣壓裝置7可以升降，欲放置或取出晶圓治具3時，將扣壓裝置7升起即可移動晶圓治具3，待需要將晶圓治具3固定於下電極2時，再將扣壓裝置7下降而抵於晶圓治具3上。
參閱圖3，本發明電漿蝕刻設備之第二較佳實施例，包含：一反應腔體1、一下電極2及一上電極4。上電極4設於反應腔體1內並對應位於下電極2上方。下電極2設於反應腔體1內，具有一呈方形的本體21及多數個設於本體21頂面的晶圓容置槽23，且下電極2還具有一設於本體21內的冷卻系統(未圖示)，冷卻系統由佈設在本體21內的循環冷卻液體管路組成，冷卻系統的冷卻液體會流經各晶圓容置槽23，以將熱能帶走。
在第二較佳實施例中，用以承載晶圓5的承載裝置為下電極2，設置晶圓5的方法與第一較佳實施例相同，同樣可參閱圖4、圖5或圖6的排列方式。晶圓容置槽23設置在下電極2的本體21上的排列方式即對應晶圓5的排列方式。
綜上所述，本發明電漿蝕刻設備中用以承載晶圓5的承載裝置(晶圓治具3或下電極2)呈方形，可以容納較多的晶圓5，達到最佳的空間利用率，提高生產效能，而且較容易定位，能夠將載入晶圓5至反應腔體1內的流程自動化，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧反應腔體
2‧‧‧下電極
21‧‧‧本體
22‧‧‧冷卻系統
221‧‧‧出氣孔
23‧‧‧晶圓容置槽
3‧‧‧晶圓治具
31‧‧‧底板
311‧‧‧晶圓容置槽
312‧‧‧冷卻孔
32‧‧‧蓋板
321‧‧‧開口
4‧‧‧上電極
5‧‧‧晶圓
6‧‧‧密封環
7‧‧‧扣壓裝置
圖1是一示意圖，說明現有電漿蝕刻設備之一晶圓治具；及
圖2是一示意圖，說明本發明電漿蝕刻設備之第一較佳實施例；
圖3是一示意圖，說明本發明電漿蝕刻設備之第二較佳實施例；
圖4是一示意圖，說明本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法之一實施態樣；
圖5是一示意圖，說明本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法之另一實施態樣；及
圖6是一示意圖，說明本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法之另一實施態樣。
1．．．反應腔體
2．．．下電極
21．．．本體
22．．．冷卻系統
221．．．出氣孔
3．．．晶圓治具
31．．．底板
32．．．蓋板
321．．．開口
4．．．上電極
5．．．晶圓
6．．．密封環
7．．．扣壓裝置

Claims (12)

  1. 一種電漿蝕刻設備，包含：一反應腔體；一下電極，設於該反應腔體內；一晶圓治具，覆蓋於該下電極上，並具有一呈方形的底板，該底板設有多數個晶圓容置槽，各該晶圓容置槽可分別容納一晶圓；一上電極，設於該反應腔體內並對應位於該下電極上方；及一蓋板，該蓋板覆蓋於該底板上，並具有多數個分別對應各該晶圓容置槽的開口，且各該開口的內徑小於各該晶圓容置槽，以使該蓋板位於各該開口周側的部分壓抵於各晶圓的周緣。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻設備，其中，該下電極還具有一冷卻系統，該冷卻系統包括多數個設於該本體頂面且朝向該晶圓治具的出氣孔。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻設備，其中，該蓋板的各開口呈截頭倒錐狀。
  4. 依據申請專利範圍第2項所述之電漿蝕刻設備，其中，該晶圓治具的各該晶圓容置槽與該冷卻系統相連通。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻設備，其中，該等晶圓容置槽是沿平行該底板側邊的方向縱橫對齊排列。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻設備，其中， 該等晶圓容置槽是沿平行該底板側邊的方向縱橫錯位排列。
  7. 一種晶圓治具，適用於電漿蝕刻設備，該晶圓治具包含：一底板，呈方形並設有多數個陣列排列的晶圓容置槽，各該晶圓容置槽可分別容納一晶圓；及一覆蓋於該底板上的蓋板，該蓋板具有多數個分別對應各該晶圓容置槽的開口，且各該開口的內徑小於各該晶圓容置槽，以使該蓋板位於各該開口周側的部分壓抵於各晶圓的周緣。
  8. 一種電漿蝕刻設備，包含：一反應腔體；一下電極，設於該反應腔體內，具有一呈方形的本體及多數個設於該本體頂面的晶圓容置槽；及一上電極，設於該反應腔體內並對應位於該下電極上方。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之電漿蝕刻設備，其中，該下電極還具有一設於該本體內的冷卻系統。
  10. 一種在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，係製備一呈方形之承載裝置，在對應該承載裝置之方形的承載範圍內佈設多數個晶圓，其中該等晶圓是呈陣列錯位排列或呈放射狀排列。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其中，該承載裝置為一晶圓治具，該晶圓 治具包含：一呈方形的底板及一覆蓋於該底板上的蓋板，該底板設有多數個陣列排列的晶圓容置槽以分別容納晶圓，而使該等晶圓呈陣列錯位排列或呈放射狀排列，該蓋板具有多數個分別對應各該晶圓容置槽的開口，且各該開口的內徑小於各該晶圓容置槽，以使該蓋板位於各該開口周側的部分壓抵於各晶圓的周緣。
  12. 依據申請專利範圍第10項所述之在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其中，該承載裝置為如申請專利範圍第8項所述的下電極。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110867365B (zh) * 2019-11-04 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 等离子体系统
CN113889395B (zh) * 2021-12-06 2022-03-11 北京芯愿景软件技术股份有限公司 刻蚀设备及刻蚀方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4912139A (zh) * 1972-05-15 1974-02-02
US4222839A (en) * 1978-09-21 1980-09-16 Motorola, Inc. Workpiece holder and method for plasma reactor apparatus
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2718777Y (zh) * 2004-08-10 2005-08-17 晶研科技股份有限公司 下游电浆的改良反应器
CN2758971Y (zh) * 2004-09-14 2006-02-15 微芯科技有限公司 晶圆蚀刻设备的晶圆承载装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4912139A (zh) * 1972-05-15 1974-02-02
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
US4222839A (en) * 1978-09-21 1980-09-16 Motorola, Inc. Workpiece holder and method for plasma reactor apparatus
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same

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