TW201526148A - 製程腔室以及半導體加工裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種製程腔室以及半導體加工裝置。該製程腔室包括至少兩個反應艙、相互獨立的至少兩套進氣系統和晶片傳輸裝置，其中，至少兩個反應艙設置在製程腔室的內部，且沿其周向均勻分佈，每個反應艙內構成獨立的製程環境；進氣系統一一對應地向反應艙輸送製程氣體；晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至反應艙內。本發明提供的製程腔室及半導體加工裝置，其單個製程腔室可以同時進行兩道以上的工序，從而不僅製程腔室的結構緊湊、占地空間小，而且無需重新設計傳輸腔室的結構，從而可以降低裝置的製造成本。

Description

製程腔室以及半導體加工裝置
本發明涉及半導體裝置製造領域，具體地，涉及一種製程腔室以及半導體加工裝置。
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）的基本原理是：在真空條件下，使金屬、金屬合金或化合物蒸發，並沉積在基體表面上，以形成具有特殊功能的薄膜。物理氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、等離子體濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜以及分子束外延等。其中，等離子體濺射鍍膜是目前最具代表性和應用最廣泛的物理氣相沉積技術。在利用等離子體濺射技術對半導體晶片進行沉積（鍍膜）製程時，所採用的製程腔室通常為真空環境，並向製程腔室內提供製程氣體且激發其形成等離子體，等離子體轟擊靶材，濺射出的靶材材料沉積在晶片表面上，從而形成製程所需的薄膜。 製程腔室作為薄膜製備的“工廠”是PVD裝置的核心，傳輸、去氣、預清洗等的其他系統均為製程腔室服務。第1圖為現有的一種PVD裝置的整機示意圖。如第1圖所示，PVD裝置包括兩個裝卸台（Load Port）1、一個前端腔室（EMEF）2、兩個裝卸腔室（Load Lork）3、一個傳輸腔室（TM）4、一個去氣腔室（Degas）5、一個預清洗腔室（Preclean）6和兩個製程腔室（PM）7。該PVD裝置的工作流程為：前端腔室2中的機械手（圖中未示出）將裝卸台1上的晶片傳輸至裝卸腔室3中；傳輸腔室4中的機械手（Scara Robot）8將裝卸腔室3中的晶片傳輸至去氣腔室5中去除晶片的水汽；去氣後的晶片再由機械手8傳輸至預清洗腔室6中進行清洗，以去除其表面的氧化物等的殘留物；清洗後的晶片再由機械手8依次傳輸至兩個製程腔室71和72中進行濺射鍍膜；完成鍍膜後的晶片再由機械手8送回裝卸腔室3，並由前端腔室2中的機械手送回裝卸台1上，從而完成整個工作流程。 上述PVD裝置在實際應用中不可避免地存在以下問題： 其一，在上述PVD裝置中，單個製程腔室（71或72）單次僅能夠對晶片進行一道工序，即，單次僅能在晶片上沉積一種膜層。若要同時進行兩道以上的工序，則需要通過增加製程腔室的數量來實現，而為了實現所有製程腔室與傳輸腔室之間的對接，就必須要重新設計傳輸腔室的結構，以使其傳輸口的數量和製程腔室的數量相適配，以及使其周圍的空間能夠容納各個製程腔室，從而造成製造成本增加。 其二，由於多個製程腔室是相互獨立的，且呈放射狀排布在傳輸腔室的周圍，這種排布方式占地空間較大，且在製程腔室的數量較多時尤為明顯，這將增大PVD裝置的整體體積。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種製程腔室以及半導體加工裝置，其單個製程腔室可以同時進行兩道以上的工序，從而不僅製程腔室的結構緊湊、占地空間小，而且無需重新設計傳輸腔室的結構，從而可以降低裝置的製造成本。 為實現本發明的目的而提供一種製程腔室，其包括至少兩個反應艙、晶片傳輸裝置和至少兩套相互獨立的進氣系統，其中，該至少兩個反應艙設置在該製程腔室的內部，且沿該製程腔室的周向均勻分佈，每個反應艙內構成獨立的製程環境；該進氣系統一一對應地與該反應艙連通，且用於向該反應艙輸送製程氣體；該晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至該反應艙內。 其中，該晶片傳輸裝置包括旋轉基盤、升降基座和頂針裝置，其中：該旋轉基盤設置在該至少兩個反應艙的下方，且在該旋轉基盤上設置有多個用於承載晶片的承載位，該多個承載位沿該旋轉基盤的周向均勻分佈，該旋轉基盤通過作旋轉運動，而使各個反應艙的下方均對應一個該承載位，在該旋轉基盤上，且位於每個承載位所在位置處設置有通孔；該升降基座一一對應地設置在該反應艙的下方；每個升降基座通過作升降運動，而貫穿與之相對應的承載位，並上升至相應的該反應艙內以封閉該反應艙或者下降至該旋轉基盤下方；在該製程腔室的側壁上設置有傳片口，用以供晶片移入或移出該製程腔室；該頂針裝置設置在該製程腔室內的與該傳片口相對的位置處；該頂針裝置通過作升降運動，而使其頂端貫穿該承載位，並到達高於或低於該旋轉基盤的位置。 其中，該承載位的數量與該反應艙的數量相等，或是該反應艙數量的整數倍。 其中，該晶片傳輸裝置包括機械手和升降基座，其中：該升降基座的數量與該反應艙的數量相對應，該升降基座一一對應地設置在該反應艙的下方；每個升降基座能夠上升至相應的該反應艙內以封閉該反應艙，或者移出與之相對應的該反應艙；該機械手用於將晶片傳遞至該升降基座上。 其中，在該製程腔室的側壁上設置有傳片口，用以供晶片移入或移出該製程腔室；該晶片傳輸裝置還包括頂針裝置，該頂針裝置可作升降運動地設置在該製程腔室內的與該傳片口相對的位置處；該機械手用於在該頂針裝置與任意一個升降基座之間，以及在任意兩個升降基座之間傳遞晶片。 其中，在每個升降基座上還設置有晶片托架，該晶片托架包括一個支撐環和至少三個支撐針，其中：該支撐環環繞設置在該升降基座的週邊，且在該升降基座作升降運動時相對其固定不動；該至少三個支撐針固定在該支撐環上，且沿該升降基座的周向均勻分佈，並且該至少三個支撐針的頂端高度在該升降基座處於預設的最低位置時，高於該升降基座的上表面高度。 其中，該反應艙設置有勻流腔，該勻流腔與該進氣系統連接，並且該勻流腔具有多個出氣口，且沿該勻流腔的周向均勻分佈，用以將該勻流腔內的製程氣體輸送至該反應艙內。 其中，在該反應艙內還設置有襯環元件，該襯環元件包括上環體和下環體，該上環體位於該下環體的內側，且在該上環體和該下環體之間具有環形間隙；在該反應艙的側壁內部形成有沿其周向環繞的環形通道，該環形通道用作該勻流腔；在該反應艙的內側壁上且沿其周向均勻分佈有多個用作該出氣口的徑向通孔，該徑向通孔分別與該環形通道和該環形間隙連通。 其中，各個該升降基座協同工作，以便在製程前，各個該升降基座同時上升至各個該反應艙內，該各個反應艙中的至少一個被選擇性地作為實施製程的反應艙；並且在所有實施製程的反應艙均完成各自的工序之後，各個該升降基座同時下降至該旋轉基盤的下方。 其中，該晶片傳輸裝置還包括歸零感測器檢測位、定位感測器檢測位、歸零感測器和定位感測器，其中：該歸零感測器檢測位設置在該旋轉基盤的外周壁上，且位於與預設的原點位置相對應的位置處；該歸零感測器用於在該旋轉基盤旋轉時，通過識別該歸零感應片而檢測該旋轉基盤的原點位置；該定位感測器檢測位的數量與該承載位的數量相對應，該定位感測器檢測位設置在該旋轉基盤的外周壁上，且位於與該承載位一一對應的位置處；該定位感測器用於在旋轉基盤旋轉時，通過識別各個定位感測器檢測位而檢測各個承載位的位置。 其中，在該反應艙內還設置有壓環，該壓環用於在該升降基座上升至該反應艙內時，利用自身重力將晶片固定在該升降基座上；並且，該下環體還用於在該升降基座移出該反應艙時，支撐該壓環。 其中，在該反應艙的頂部設置有開蓋機構，用於開啟或關閉該反應艙的頂部開口。 其中，該開蓋機構包括上電極腔室，該上電極腔室，包括：設置在該上電極腔室的底部的靶材；設置在該上電極腔室內且位於該靶材的上方的磁控管；以及用於驅動該磁控管相對於該靶材表面作旋轉運動的磁控管驅動機構。 該磁控管驅動機構包括：具有大同步帶輪、小同步帶輪和同步帶的旋轉傳動機構；磁控管旋轉電機，用於通過該旋轉傳動機構驅動該磁控管相對於該靶材表面作旋轉運動；換向減速機，用於降低該磁控管旋轉電機的轉速。 其中，該晶片傳輸裝置還包括升降驅動機構，該升降驅動機構的數量與升降基座的數量相對應，用於一一對應地驅動該升降基座作升降運動。 其中，該通孔的直徑小於該晶片的直徑；或者該通孔的直徑大於或等於該晶片的直徑，且在每個通孔內設置有支撐部，用以支撐位於該通孔內的晶片。 其中，該晶片傳輸裝置還包括旋轉驅動機構，用於驅動該旋轉基盤作旋轉運動。該旋轉驅動機構包括：磁流體軸承，其設置在該製程腔室內的中心位置處，並與該旋轉基盤連接；旋轉電機，用於通過該磁流體軸承驅動該旋轉基盤圍繞該製程腔室的中心旋轉。 作為另一個技術方案，本發明還提供一種半導體加工裝置，包括：製程腔室，用於對晶片進行加工；去氣腔室，用於去除晶片上的水汽；預清洗腔室，用於去除晶片表面上的殘餘物；傳輸腔室，其分別與該製程腔室、該去氣腔室和該預清洗腔室連接，且在其內部設置有機械手，用以將晶片分別傳輸至各個腔室內；該製程腔室採用了本發明提供的上述製程腔室。 其中，該製程腔室的數量為一個或者多個，且該多個製程腔室沿該傳輸腔室的周向分佈。 其中，該半導體加工裝置包括物理氣相沉積裝置。 本發明具有以下有益效果： 本發明提供的製程腔室，其在其內部設置沿其周向均勻分佈的至少兩個反應艙，且每個反應艙構成獨立的製程環境，並且利用進氣系統一一對應地向反應艙輸送製程氣體，以及利用晶片傳輸裝置將晶片傳輸至反應艙內。這樣，利用單個製程腔室中的至少兩個反應艙即可實現同時進行兩道以上的工序，從而無需增加製程腔室的數量，也就無需重新設計傳輸腔室的結構，進而可以降低裝置的製造成本。此外，由於至少兩個反應艙沿製程腔室的周向均勻分佈，這與現有技術相比，可以使製程腔室的整體結構更緊湊、且占地空間更小。 本發明提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明提供的製程腔室，可以利用至少兩個反應艙同時進行兩道以上的工序，從而無需增加製程腔室的數量，也就無需重新設計傳輸腔室的結構，進而可以降低裝置的製造成本。此外，由於至少兩個反應艙沿製程腔室的周向均勻分佈，這與現有技術相比，可以使製程腔室的整體結構更緊湊、占地空間更小。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的製程腔室以及半導體加工裝置進行詳細描述。 本發明提供的製程腔室，其包括至少兩個反應艙、相互獨立的至少兩套進氣系統和晶片傳輸裝置。其中，至少兩個反應艙設置在製程腔室的內部，且沿其周向均勻分佈；每個反應艙內構成獨立的製程環境，以能夠單獨對晶片進行一道工序；進氣系統一一對應地向反應艙輸送製程氣體；晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至反應艙內。 由於每個反應艙構成獨立的製程環境，並利用進氣系統一一對應地向反應艙輸送製程氣體，以及利用晶片傳輸裝置將晶片傳輸至反應艙內，這使得利用單個製程腔室中的至少兩個反應艙即可實現同時進行兩道以上的工序，從而無需增加製程腔室的數量，即，可以在不改變製程腔室的數量的前提下，僅通過增加反應艙的數量來增加同時進行加工的工序數量，也就無需重新設計傳輸腔室的結構，進而可以降低裝置的製造成本。此外，由於至少兩個反應艙沿該製程腔室的周向均勻分佈，這與現有技術相比，可以使製程腔室的整體結構更緊湊、且占地空間更小。 晶片傳輸裝置具有將晶片傳輸至反應艙內的傳輸功能，該功能至少包括如下動作：即，可以同時或先後將晶片傳輸至各個反應艙內；或者，也可以選擇性地將晶片傳輸至所有反應艙中的至少一個反應艙內。該動作的具體流程為：首先，由位於製程腔室之外的機械手將未加工的晶片傳輸至製程腔室內的晶片傳輸裝置上；然後由該晶片傳輸裝置將未加工的晶片傳輸至反應艙內。 較佳的，晶片傳輸裝置還可以用於在各個反應艙之間傳輸晶片，例如，針對各個反應艙進行不同的工序，晶片在其中一個反應艙內完成當前工序之後，可以借助晶片傳輸裝置將該晶片傳輸至下一工序所在的反應艙內。 借助上述晶片傳輸裝置，可以根據不同的製程、工序順序等選擇不同的傳輸方式，從而不僅可以提高製程的靈活性，而且還可以擴大應用範圍。 下面對本發明提供的製程腔室的具體實施例進行詳細描述。 實施例一 請一併參閱第2A圖至第2E圖，本實施例提供的製程腔室10包括四個反應艙、相互獨立的四套進氣系統和晶片傳輸裝置。其中，四個反應艙分別為：反應艙12A、反應艙12B、反應艙12C和反應艙12D，如第2A圖所示，四個反應艙設置在製程腔室10的內部，且沿其周向均勻分佈，並且每個反應艙構成獨立的製程環境，並利用四套進氣系統（圖中未示出）一一對應地向四個反應艙內輸送製程氣體，以及利用晶片傳輸裝置的上述傳輸功能，從而可以實現單個製程腔室同時進行兩道以上的工序。 在本實施例中，晶片傳輸裝置的結構具體為：其包括旋轉基盤14、升降基座和頂針裝置15。其中，旋轉基盤14設置在四個反應艙的下方，且在旋轉基盤14上設置有八個用於承載晶片16的承載位（141-148），八個承載位（141-148）沿旋轉基盤14的周向均勻分佈，如第2C圖所示。所謂承載位，是指在旋轉基盤的上表面上劃分的用於放置晶片的區域。 旋轉基盤14圍繞其軸向中心線作旋轉運動，可使每個反應艙的下方均對應一個承載位。由於旋轉基盤14上有八個承載位，即，承載位的數量是反應艙數量的兩倍，在這種情況下，旋轉基盤14在每旋轉預設角度後，使八個承載位中的四個不相鄰的承載位一一對應地位於四個反應艙的正下方，即，第2C圖所示的承載位142、144、146和148；其餘四個不相鄰的承載位一一對應地位於每相鄰的兩個反應艙之間的間隔處，即，第2C圖所示的承載位141、143、145和147。也就是說，旋轉基盤14通過旋轉而使八個承載位分兩批輪流位於四個反應艙的正下方。 當然，在實際應用中，承載位的數量也可以與反應艙的數量相等，或者是反應艙數量的2倍以上。而且，針對後者的情況，只要旋轉基盤14按倍數分批將承載位輪流位於四個反應艙的正下方即可。 在本實施例中，在製程腔室10內設置有四個升降基座（13A-13D），四個升降基座一一對應地設置在四個反應艙的下方，如第2B圖所示。當旋轉基盤14通過旋轉預設角度，而使每個反應艙的下方均對應一個承載位之後，每個升降基座通過作升降運動，而貫穿與之相對應的承載位，並上升至相應的反應艙內或者下降至旋轉基盤14下方，從而可以通過上升而將該承載位上的晶片傳遞至反應艙內，以及通過下降至旋轉基盤14下方，而將反應艙內的晶片傳遞至承載位上。 需要說明的是，每個反應艙的底部是敞開的，升降基座在上升至反應艙內後，可以將反應艙的底部封閉，從而使反應艙的內部形成相對獨立的製程環境，即，每個反應艙與製程腔室10之間，以及與其他反應艙之間相互隔離。 本實施例中，各個升降基座協同工作，以便在製程前，各個升降基座同時上升至各個反應艙內，各個反應艙中的至少一個被選擇性地作為實施製程的反應艙；並且在所有實施製程的反應艙均完成各自的工序之後，各個升降基座同時下降至旋轉基盤的下方。利用旋轉基盤14和升降基座傳輸晶片的流程具體為：首先，旋轉基盤14在旋轉預設角度後停止，以使四個反應艙的下方均對應一個承載位；然後，位於旋轉基盤14下方的四個升降基座同時上升，並將該四個承載位上的四個晶片頂起，然後一一對應地傳輸至四個反應艙內。待各個反應艙完成對晶片的加工之後，四個升降基座同時下降至旋轉基盤14的下方，在此過程中，完成加工的晶片被重新傳遞至旋轉基盤14的承載位上。若承載位元的數量是反應艙數量的整數倍，則重複進行上述流程，直至對旋轉基盤14上的所有晶片都完成了加工。由此，通過將旋轉基盤14的旋轉運動和升降基座的升降運動結合，可以實現將晶片傳輸至反應艙內，以及在各個反應艙之間傳輸晶片。容易理解，在旋轉基盤14作旋轉運動時，升降基座位於旋轉基盤14的下方且靜止不動；當旋轉基盤14旋轉到位後，升降基座作升降運動，此時旋轉基盤14靜止不動，從而保證旋轉基盤14和升降基座的運動互不干涉。 需要說明的是，在實際應用中，根據具體需要，可以使所有反應艙同時工作（進行相同或不同的工序），也可以選擇性地使其中至少一個反應艙工作，而其餘未被選擇的反應艙不工作。但是無論是所有反應艙工作，還是部分反應艙工作，各個升降基座在製程前必須同時上升至各個反應艙內，並且各個升降基座在各個工作的反應艙均完成各自的工序之後，再同時下降至旋轉基盤14的下方，以保證每個反應艙在工作時能夠與其他反應艙之間相互隔離。 另外，旋轉基盤14上的每個承載位元處的具體結構應滿足兩個要求，即：不僅可以承載晶片，而且還可以保證升降基座能夠在豎直方向上將其穿越（以下簡稱為豎直貫穿）。在本實施例中，在旋轉基盤14的與各個承載位相對應的位置處設置有通孔，該通孔的直徑大於晶片16的直徑，且在每個通孔內設置有支撐部，該支撐部為自通孔的孔壁凸出的多個支撐爪，且沿孔壁的周向間隔分佈。裝載至旋轉基盤14上的晶片16位於該通孔內，且由多個支撐爪支撐。容易理解，升降基座的外徑應小於由多個支撐爪在通孔周向上形成支撐環的內徑。當然，在實際應用中，也可以省去支撐部，並使通孔的直徑小於晶片的直徑，在這種情況下，晶片由旋轉基盤上表面的靠近通孔周邊的部分支撐，並且升降基座的外徑應小於該通孔的直徑，即，該通孔的直徑小於晶片的直徑且大於升降基座的直徑，以便既能承載晶片，又能使升降基座可在豎直方向上穿越該通孔。 在本實施例中，晶片傳輸裝置還包括旋轉驅動機構，用於驅動旋轉基盤14圍繞其軸向中心線作旋轉運動。具體地，如第2D圖所示，該旋轉驅動機構包括磁流體軸承181和旋轉電機183。其中，磁流體軸承181設置在製程腔室10內的中心位置處，並與旋轉基盤14連接；旋轉電機181用於通過減速器182驅動磁流體軸承183圍繞製程腔室10的中心旋轉，從而帶動旋轉基盤14旋轉。磁流體軸承181是採用導電流體作潤滑劑並有外加磁場的滑動軸承，借助磁流體軸承181，可以利用由其產生的磁場而對流體的運動起阻滯作用，從而可以使流體的等效粘度成倍增加，進而可以提高軸承的承載能力。當然，在實際應用中，還可以採用其他任意結構的旋轉驅動機構，本發明對旋轉驅動機構的結構沒有限制，只要其能夠驅動旋轉基盤14在水平面內旋轉即可。 另外，較佳的，為了能夠準確地控制和校準旋轉基盤14的旋轉角度，以保證各個承載位能夠旋轉到位，晶片傳輸裝置還包括歸零感測器檢測位171、定位感測器檢測位172、歸零感測器（圖中未示出）和定位感測器（圖中未示出）。其中，歸零感測器檢測位171設置在旋轉基盤14的外周壁上的與預設的原點位置相對應的位置處；所謂原點位置，是指旋轉基盤14的旋轉角度為零時的初始位置。歸零感測器用於在旋轉基盤14旋轉時，通過識別歸零感應片171而檢測旋轉基盤14的原點位置。定位感測器檢測位172的數量與承載位的數量相對應，定位感測器檢測位172設置在旋轉基盤14的外周壁上的與承載位一一對應的位置處；定位感測器用於在旋轉基盤14旋轉時，通過識別各個定位感測器檢測位172而檢測各個承載位的位置。在實際應用中，歸零感測器檢測位171和定位感測器檢測位172可以設置成是凸起、凹槽或標線等能夠用於標記位置的各種形式。 在本實施例中，晶片傳輸裝置還包括升降驅動機構，該升降驅動機構的數量與升降基座的數量相對應，即，升降驅動機構的數量為四個，用於一一對應地驅動升降基座作升降運動。每個升降驅動機構的結構具體為：如第2D圖所示，每個升降驅動機構設置在製程腔室10的底部，且包括旋轉電機215、基座提升軸212、直線軸承211、直線傳動機構。其中，直線軸承211固定在製程腔室10的底部；基座提升軸212的上端沿豎直方向穿過直線軸承211（二者滑動配合），並延伸至製程腔室10內與升降基座連接；旋轉電機215用於提供旋轉動力；直線傳動機構用於將旋轉電機215的旋轉動力轉換為豎直方向上的直線動力，並傳遞至基座提升軸212。具體地，直線傳動機構包括螺母213和導螺桿214，其中，螺母213套制在導螺桿214上，且可沿導螺桿214滑動，並且螺母213與基座提升軸212的下端連接；導螺桿214分別與基座提升軸212的下端和旋轉電機215的驅動軸連接。 在旋轉電機215的驅動下，導螺桿214作旋轉運動，以使螺母213作升降運動，從而帶動基座提升軸212和與之連接的升降基座同步作升降運動。較佳的，升降驅動機構還可以包括用於對基座提升軸起導向作用的直線導軌。另外，較佳的，還可以在基座提升軸212上套制波紋管216，用以對基座提升軸212與製程腔室10之間的間隙進行密封。 在實際應用中，升降驅動機構也可以採用直線電機直接驅動基座提升軸作升降運動。或者，還可以採用其他任意結構的升降驅動機構，本發明對升降驅動機構的結構沒有限制，只要其具有驅動升降基座作升降運動的功能即可。 在本實施例中，在製程腔室10的側壁上設置有傳片口11，用以供晶片移入或移出製程腔室10；頂針裝置15設置在製程腔室10內的與傳片口11相對的位置處，如第2B圖所示。頂針裝置15通過作升降運動，而使其頂端貫穿承載位，並到達高於或低於旋轉基盤14的位置。 頂針裝置15的結構具體為：其包括至少三個頂針151和用於驅動至少三個頂針同步作升降運動的頂針提升機構152。當需要將完成加工的晶片自旋轉基盤14上取出，並移出製程腔室10時，首先，旋轉基盤14將完成加工的晶片所在的承載位旋轉至至少三個頂針151的上方（頂針151的初始位置位於旋轉基盤14的下方），即，旋轉至與傳片口11相對的位置處；然後，至少三個頂針151在頂針提升機構152的驅動下上升，直至其頂端穿過該承載位，並到達高於旋轉基盤14的位置處，在此過程中，至少三個頂針151頂起承載位上的晶片，以使其脫離旋轉基盤14；製程腔室10之外的機械手經由傳片口11移入製程腔室10內，並自頂針151上取出晶片16，然後攜帶晶片16移出製程腔室10，從而完成晶片16的卸載。將待加工的晶片裝載至旋轉基盤14的流程與上述晶片的卸載流程相類似，而僅是運動順序相反，因而不再贅述。容易理解，在旋轉基盤14作旋轉運動時，頂針裝置15位於旋轉基盤14的下方且靜止不動；待需要裝卸的承載位元旋轉到位後，使頂針裝置15上升至高於旋轉基盤15的位置處，此時旋轉基盤14靜止不動，從而保證旋轉基盤14和頂針裝置15的運動互不干涉。 下面對進氣系統的結構和進氣方式，以及反應艙的內部結構進行詳細描述。請一併參閱第3A圖至第3C圖，圖中僅示出了單個反應艙12A的具體結構，而其餘三個反應艙12B-12C的結構與反應艙12A相同。具體地，每個反應艙設置有勻流腔，該勻流腔與進氣系統連接，且具有多個出氣口，多個出氣口沿勻流腔的周向均勻分佈，用以將來自進氣系統的製程氣體均勻地輸送至反應艙內。 下面對勻流腔的結構進行詳細描述。具體地，如第3B圖所示，在反應艙12A內還設置有襯環元件，該襯環元件包括下環體25和上環體23，且上環體23位於下環體25的內側。下環體25和上環體23用於起到保護反應艙的側壁的作用，以防止其上附著污染物。在實際應用中，下環體25和上環體23與反應艙12A採用可拆卸的方向連接，以方便清洗。容易理解，由下環體25和上環體23組成的環壁應能夠覆蓋整個反應艙12A的側壁表面。 在本實施例中，在反應艙12A的側壁內部形成有沿其周向環繞的環形通道244，該環形通道244用作勻流腔且與進氣系統連接，並且在反應艙12A的內側壁上，且沿其周向均勻分佈有多個用作出氣口的徑向通孔245，該徑向通孔245分別與環形通道244和反應艙12A的內部連接，即，徑向通孔245的外端（第3B圖中所示的徑向通孔245的右端）與環形通道244連接；徑向通孔245的內端位於反應艙12A的內側壁上。由上可知，上述勻流腔（即，環形通道244）內嵌在反應艙12A的側壁內部，這不僅可以簡化裝置的結構，而且有利於加工和安裝。 進氣系統包括在反應艙12A的側壁24內形成的進氣通道243，該進氣通道243的出氣端與環形通道244連接；進氣通道241的進氣端位於反應艙的上表面，並與氣路（圖中未示出）的接頭242連接。 當反應艙12A工作時，製程氣體首先通過進氣通道243進入用作勻流腔的環形通道244，並向四周擴散直至充滿環形通道244，然後自各個徑向通孔245均勻地流入環形間隙272內，最終流入反應艙12A內。由此，進氣系統的氣路可以依次通過進氣通道243和勻流腔直接將製程氣體輸送至反應艙12A內，這不僅可以縮短製程氣體到達反應艙12A內部的流動時間，而且可以更準確地控制參與製程過程的製程氣體的流量，從而有利於製程結果。此外，由於反應艙12A的尺寸相對於製程腔室10較小，這使得直接流入反應艙12A內的製程氣體可以分佈的更均勻，從而可以提高製程均勻性。另外，通過使進氣通道243的進氣端設置在反應艙12A的上表面，這可以節省反應艙12A周圍的空間，從而不僅使製程腔室10的結構更緊湊，而且有利於氣體管道等元件的裝卸。 在本實施例中，在反應艙12A內還設置有壓環26，壓環26用於在升降基座13A上升至反應艙12A內，如第3A圖中的位置E時，利用自身重力將晶片固定在升降基座13A上，此時升降基座13A和壓環26共同將反應艙12A的底部開口封閉，從而使反應艙12A形成相對獨立的製程環境。此外，當升降基座13A下降，並移出反應艙12A時，壓環26由下環體25支撐，具體地，下環體25的下端具有用於支撐壓環26的彎曲部252，該彎曲部252在升降基座13A位於位置E時，其頂端低於壓環26底部被支撐的部分；而當升降基座13A移出反應艙12A時，壓環26自動下落至該彎曲部252的頂端。 較佳的，在每個反應艙的頂部設置有開蓋機構，用於開啟或關閉反應艙的頂部開口，以便於獨立地對每個反應艙的內部零件進行維護和保養。在本實施例中，如第2D圖所示，每個開蓋機構包括上電極腔室221，其設置在反應艙的頂部，且在上電極腔室221與反應艙之間還設置有絕緣環，用以使二者電絕緣，該絕緣環可以採用陶瓷、玻璃等的絕緣材料製作。 較佳的，開蓋機構還包括開蓋驅動裝置19，用於驅動上電極腔室221作翻轉運動，即，使上電極腔室221扣合在反應艙的頂部，以關閉反應艙的頂部開口；或者自反應艙的頂部向外翻轉，以開啟反應艙的頂部開口。開蓋驅動裝置19可以採用氣動或者液壓的方式驅動。本發明對開蓋驅動裝置19的結構沒有限制，只要其結構能夠實現上述功能即可。另外，在實際應用中，也可以省去開蓋驅動裝置19，而採用手動的方式驅動上電極腔室作翻轉運動。 下面對上電極腔室221的結構進行詳細描述。具體地，其包括設置在上電極腔室221的底部的靶材20，即，當上電極腔室221扣合在反應艙的頂部時，該靶材20位於反應艙的內部。而且，上電極腔室221還包括設置在上電極腔室221內的位於靶材20的上方的磁控管222，以及用於驅動磁控管222相對於靶材表面作旋轉運動的磁控管驅動機構。 在本實施例中，上述磁控管驅動機構的結構具體為：其包括旋轉傳動機構、磁控管旋轉電機225和環形減速機（圖中未示出）。其中，旋轉傳動機構由大同步帶輪224、小同步帶輪227和同步帶226組成，用以採用同步帶的方式傳遞旋轉動力；磁控管旋轉電機225用於通過該旋轉傳動機構驅動磁控管222相對於靶材20表面作旋轉運動；換向減速機用於降低磁控管旋轉電機225的轉速。當然，在實際應用中，還可以採用其他任意結構的磁控管驅動機構，只要其能夠驅動磁控管相對於靶材表面旋轉即可。 需要說明的是，在本實施例中，反應艙的數量為四個，但是本發明並不侷限於此，在實際應用中，反應艙的數量還可以為兩個、三個或者五個以上。 還需要說明的是，在本實施例中，承載位均用於承載晶片，但是本發明並不侷限於此，在實際應用中，承載位還可以具有其他功能，例如用於放置遮擋盤（Disk）等等。 實施例二 本實施例與上述實施例一相比，其區別僅在於：晶片傳輸裝置的結構不同。由於本實施例提供的製程腔室的其他結構和功能在上述實施例一中已有了詳細描述，在此不再贅述。下面僅對本實施例提供的晶片傳輸裝置的結構進行詳細描述。 具體地，第4A圖為本發明實施例二提供的製程腔室的內部結構的立體圖。第4B圖為本發明實施例二提供的製程腔室的內部結構的俯視圖。請一併參閱第4A圖和第4B圖，晶片傳輸裝置包括機械手31、升降基座13和頂針裝置15。其中，升降基座13的數量與反應艙的數量相對應，該升降基座13的結構和功能與上述實施例一中的升降基座相同，即：升降基座的數量與反應艙的數量相對應，且升降基座一一對應地設置在反應艙的下方；通過使每個升降基座作升降運動，可以使其上升至與之相對應的反應艙內或者自與之相對應的反應艙內下降至反應艙下方。 頂針裝置15可作升降運動地設置在製程腔室10內的與傳片口11相對的位置處，該頂針裝置15的結構與上述實施例一中的頂針裝置相同，即：包括至少三個頂針151和用於驅動至少三個頂針同步作升降運動的頂針提升機構152。當需要向製程腔室10內裝載晶片16時，製程腔室10之外的機械手經由傳片口11移入製程腔室10內；頂針提升機構152驅動至少三個頂針151上升，以托起晶片16；然後製程腔室10之外的機械手移出製程腔室10。 機械手31用於在頂針裝置15與任意一個升降基座13之間，以及在任意兩個升降基座13之間傳遞晶片。具體地，如第4B圖所示，機械手31可旋轉地設置在製程腔室10內的中心位置處，且位於反應艙與處於預設的最低位置時的升降基座13之間，容易理解，升降基座13在處於該最低位置時，進行裝載或卸載晶片16。在本實施例中，機械手31採用晶片承載部、三個連桿和使三者依次可在水平面內相對旋轉的兩個旋轉副構成，從而機械手31可在水平面內伸縮。另外，機械手31還可以沿豎直方向作升降運動。由此，機械手31通過將在水平面作旋轉運動、伸縮運動以及在豎直方向作升降運動相結合，而實現將未加工的晶片傳輸至反應艙內；以及，針對進行不同的工序的各個反應艙，晶片在其中一個反應艙內完成當前工序之後，可以借助機械手31將該晶片自當前工序所對應的升降基座13傳輸至下一工序所對應的升降基座13。 此外，為了配合機械手31能夠自每個升降基座31取片或放片，在每個升降基座13上還設置有晶片托架，該晶片托架包括一個支撐環322和至少三個支撐針321，其中，支撐環322環繞設置在升降基座13的週邊，且在升降基座13作升降運動時相對其固定不動，即，支撐環322不隨升降基座13上升或下降；至少三個支撐針321固定在支撐環322上，且沿升降基座13的周向均勻分佈，並且至少三個支撐針321的頂端高度在升降基座13處於預設的最低位置時，高於升降基座13的上表面高度，且至少三個支撐針321的頂端高度高於機械手31的晶片承載部高度。 在機械手31自任意一個升降基座31放片時，此時該升降基座13位於預設的最低位置；承載有晶片16的機械手31通過在水平面內做伸縮運動和旋轉運動，以使其晶片承載部移動至位於該升降基座31處的至少三個支撐針321的頂端上方；機械手31下降，以使晶片16自該晶片承載部被傳遞至至少三個支撐針321上；然後，升降基座31上升，以使該晶片16自至少三個支撐針321被傳遞至該升降基座16上，從而完成機械手31向任意一個升降基座31的放片動作。 在機械手31自任意一個升降基座31取片時，此時承載有晶片16的該升降基座13下降至預設的最低位置，並在下降過程中將晶片16傳遞至至少三個支撐針321的頂端；機械手31通過在水平面內做伸縮運動和旋轉運動，以使其晶片承載部移動至置於該支撐針321頂端上的晶片16的下方；機械手31上升，以使晶片16自至少三個支撐針321被傳遞至晶片承載部上，從而完成機械手31向任意一個升降基座31的取片動作。 由此可知，本實施例中的晶片傳輸裝置通過在製程腔室內設置機械手31，可以代替上述實施例一中的旋轉基盤和頂針裝置，來至少實現下述傳輸動作，即：同時或先後將晶片傳輸至各個反應艙內；或者，也可以選擇性地將晶片傳輸至所有反應艙中的至少一個反應艙內；以及在各個反應艙之間傳輸晶片。 上述機械手31不僅可以更靈活地傳輸晶片，而且在各個反應艙進行不同的工序，且該工序所花費的製程時間不同的情況下，還可以先將提前完成工序的晶片自傳片口11移出製程腔室10，而無需等待所有晶片完成工序之後再移出製程腔室10，從而不僅可以提高製程效率，而且還可以進一步提高製程的靈活性。 需要說明的是，機械手31的結構並不侷限於本發明上述實施例中的機械手結構，在實際應用中，還可以採用其他任意結構的機械手，只要其能夠實現在頂針裝置與任意一個升降基座之間，以及在任意兩個升降基座之間傳遞晶片即可。 還需要說明的是，在本實施例中，借助頂針裝置15分別與製程腔室10之外的機械手和製程腔室10之內的機械手31相配合，而實現將晶片在製程腔室10之外的機械手和製程腔室10之內的機械手31之間傳遞，但是本發明並不侷限於此，在實際應用中，也可以省去頂針裝置15，即，製程腔室10之外的機械手和製程腔室10之內的機械手直接進行晶片傳遞的動作，在這種情況下，可根據具體情況對製程腔室10之內的機械手的結構進行適應性設計。 作為另一個技術方案，第5A圖為本發明實施例提供的半導體加工裝置的結構示意圖。請參閱第5A圖，半導體加工裝置包括製程腔室66、去氣腔室64、預清洗腔室65和傳輸腔室63。其中，製程腔室66用於對晶片進行加工；去氣腔室64用於去除晶片上的水汽；預清洗腔室65用於去除晶片表面上的殘餘物；傳輸腔室63分別與製程腔室66、去氣腔室64和預清洗腔室65連接，且在其內部設置有機械手631，用以將晶片分別傳輸至各個腔室內。 在本實施例中，製程腔室66的數量為一個，且該製程腔室66採用了本發明各個實施例提供的上述製程腔室，具體地，在製程腔室66內具有四個反應艙（661A-661D），用以同時對晶片進行加工。 在本實施例中，半導體加工裝置還包括兩個裝載台62，用於分別承載未加工的晶片和已完成加工的晶片；並且，傳輸腔室63分別與兩個裝載台62連接，用以自其中一個裝載台62上取出未加工的晶片，以及將完成加工的晶片傳輸至其中另一個承載台62上。 在本實施例中，由於半導體加工裝置具有四個功能模組，即：製程腔室66、去氣腔室64、預清洗腔室65和裝載台62，因而可以將傳輸腔室63設計為四方體，且該四方體的四個側面一一對應地與四個功能模組對接。由此可知，在不增加製程腔室66的數量，即，不增加功能模組的數量的前提下，即使反應艙的數量增加或減少，也不會影響製程腔室66與傳輸腔室63的對接（在傳輸腔室63周圍的空間允許的條件下），從而若僅通過增加反應艙的數量來增加同時進行加工的工序數量，則無需重新設計傳輸腔室63的結構，進而可以降低裝置的製造成本。 需要說明的是，在本實施例中，製程腔室66的數量為一個，但是本發明並不侷限於此，在實際應用中，製程腔室的數量還可以設置為兩個以上。而且，多個製程腔室沿傳輸腔室的周向分佈。例如，如第5B圖所示，該半導體加工裝置具有兩個製程腔室（711，712），即，在第5A圖所示的半導體加工裝置的基礎上增加了一個製程腔室，而其餘功能模組相同。在這種情況下，由於功能模組的數量增加至五個，則可以將傳輸腔室63設計為五方體，且該五方體的五個側面一一對應地與五個功能模組對接。 在實際應用中，半導體加工裝置可以包括物理氣相沉積裝置。 本發明實施例提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明上述各個實施例提供的製程腔室，可以利用至少兩個反應艙同時進行兩道以上的工序，從而無需增加製程腔室的數量，也就無需重新設計傳輸腔室的結構，進而可以降低裝置的製造成本。此外，由於至少兩個反應艙沿製程腔室的周向均勻分佈，這與現有技術相比，可以使製程腔室的整體結構更緊湊、占地空間更小。 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1‧‧‧裝卸台
2‧‧‧前端腔室
3‧‧‧裝卸腔室
4、63‧‧‧傳輸腔室
5、64‧‧‧去氣腔室
6、65‧‧‧預清洗腔室
7、10、66、71、72、711、712‧‧‧製程腔室
8、31、631‧‧‧機械手
11‧‧‧傳片口
12A、12B、12C、12D、661A、661B、661C、661D‧‧‧反應艙
13A、13B、13C、13D‧‧‧升降基座
14‧‧‧旋轉基盤
15‧‧‧頂針裝置
16‧‧‧晶片
19‧‧‧開蓋驅動裝置
20‧‧‧靶材
23‧‧‧上環體
24‧‧‧側壁
25‧‧‧下環體
62‧‧‧裝載台
141、142、143、144、145、146、147、148‧‧‧承載位
151‧‧‧頂針
152‧‧‧頂針提升機構
171‧‧‧歸零感測器檢測位
172‧‧‧定位感測器檢測位
181‧‧‧磁流體軸承
182‧‧‧減速器
183、215、225‧‧‧旋轉電機
211‧‧‧直線軸承
212‧‧‧基座提升軸
213‧‧‧螺母
214‧‧‧導螺桿
216‧‧‧波紋管
221‧‧‧電極腔室
222‧‧‧磁控管
224、227‧‧‧同步帶輪
226‧‧‧同步帶
242‧‧‧接頭
243‧‧‧進氣通道
244‧‧‧環形通道
245‧‧‧通孔
252‧‧‧彎曲部
272‧‧‧環形間隙
321‧‧‧支撐針
322‧‧‧支撐環
E‧‧‧位置
II‧‧‧區域
第1圖為現有的一種PVD裝置的整機示意圖； 第2A圖為本發明實施例提供的製程腔室的立體圖； 第2B圖為本發明實施例提供的製程腔室的內部結構的俯視圖； 第2C圖為本發明實施例提供的製程腔室的晶片傳輸裝置的立體圖； 第2D圖為本發明實施例提供的製程腔室的剖視圖； 第3A圖為本發明實施例提供的製程腔室所採用的反應艙的局部剖視圖； 第3B圖為第3A圖中II區域的放大圖； 第3C圖為第3A圖中沿B-B線的剖視圖； 第4A圖為本發明實施例提供的製程腔室的內部結構的立體圖； 第4B圖為本發明實施例提供的製程腔室的內部結構的俯視圖； 第5A圖為本發明實施例提供的一種半導體加工裝置的結構示意圖；以及 第5B圖為本發明實施例提供的另一種半導體加工裝置的結構示意圖。
10‧‧‧製程腔室
12A、12D‧‧‧反應艙
13A、13D‧‧‧升降基座
14‧‧‧旋轉基盤
19‧‧‧開蓋驅動裝置
181‧‧‧磁流體軸承
182‧‧‧減速器
183、215、225‧‧‧旋轉電機
211‧‧‧直線軸承
212‧‧‧基座提升軸
213‧‧‧螺母
214‧‧‧導螺桿
216‧‧‧波紋管
221‧‧‧電極腔室
222‧‧‧磁控管
224、227‧‧‧同步帶輪
226‧‧‧同步帶

Claims (20)

  1. 一種製程腔室，其特徵在於，包括至少兩個反應艙、晶片傳輸裝置和至少兩套相互獨立的進氣系統，其中，        該至少兩個反應艙設置在該製程腔室的內部，且沿該製程腔室的周向均勻分佈，每個反應艙內構成獨立的製程環境；        該進氣系統一一對應地與該反應艙連通，且用於向該反應艙輸送製程氣體；        該晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至該反應艙內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的製程腔室，其特徵在於，該晶片傳輸裝置包括旋轉基盤、升降基座和頂針裝置，其中        該旋轉基盤設置在該至少兩個反應艙的下方，且在該旋轉基盤上設置有多個用於承載晶片的承載位，該多個承載位沿該旋轉基盤的周向均勻分佈，該旋轉基盤通過作旋轉運動，而使各個反應艙的下方均對應一個該承載位，在該旋轉基盤上，且位於每個承載位所在位置處設置有通孔；        該升降基座一一對應地設置在該反應艙的下方；每個升降基座通過作升降運動，而貫穿與之相對應的承載位，並上升至相應的該反應艙內以封閉該反應艙或者下降至該旋轉基盤下方；        在該製程腔室的側壁上設置有傳片口，用以供晶片移入或移出所述製程腔室；該頂針裝置設置在所述製程腔室內的與該傳片口相對的位置處；該頂針裝置通過作升降運動，而使其頂端貫穿該承載位，並到達高於或低於該旋轉基盤的位置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該承載位的數量與該反應艙的數量相等，或是該反應艙數量的整數倍。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的製程腔室，其特徵在於，該晶片傳輸裝置包括機械手和升降基座，其中        該升降基座的數量與該反應艙的數量相對應，該升降基座一一對應地設置在該反應艙的下方；每個升降基座能夠上升至相應的該反應艙內以封閉該反應艙，或者移出與之相對應的該反應艙；        該機械手用於將晶片傳遞至該升降基座上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的製程腔室，其特徵在於，在該製程腔室的側壁上設置有傳片口，用以供晶片移入或移出該製程腔室；        該晶片傳輸裝置還包括頂針裝置，該頂針裝置可作升降運動地設置在該製程腔室內的與該傳片口相對的位置處；        該機械手用於在該頂針裝置與任意一個升降基座之間，以及在任意兩個升降基座之間傳遞晶片。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的製程腔室，其特徵在於，在每個升降基座上還設置有晶片托架，該晶片托架包括一個支撐環和至少三個支撐針，其中，         該支撐環環繞設置在該升降基座的週邊，且在該升降基座作升降運動時相對其固定不動；         該至少三個支撐針固定在該支撐環上，且沿該升降基座的周向均勻分佈，並且該至少三個支撐針的頂端高度在該升降基座處於預設的最低位置時，高於該升降基座的上表面高度。
  7. 如申請專利範圍第2項或第4項所述的製程腔室，其特徵在於，該反應艙設置有勻流腔，該勻流腔與該進氣系統連接，並且         該勻流腔具有多個出氣口，且沿該勻流腔的周向均勻分佈，用以將該勻流腔內的製程氣體輸送至該反應艙內。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的製程腔室，其特徵在於，在該反應艙內還設置有襯環元件，該襯環元件包括上環體和下環體，該上環體位於該下環體的內側，且在該上環體和該下環體之間具有環形間隙；         在該反應艙的側壁內部形成有沿其周向環繞的環形通道，該環形通道用作該勻流腔；         在該反應艙的內側壁上且沿其周向均勻分佈有多個用作該出氣口的徑向通孔，該徑向通孔分別與該環形通道和該環形間隙連通。
  9. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，各個該升降基座協同工作，以便         在製程前，各個該升降基座同時上升至各個該反應艙內，該各個反應艙中的至少一個被選擇性地作為實施製程的反應艙；並且         在所有實施製程的反應艙均完成各自的工序之後，各個該升降基座同時下降至該旋轉基盤的下方。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該晶片傳輸裝置還包括歸零感測器檢測位、定位感測器檢測位、歸零感測器和定位感測器，其中，         該歸零感測器檢測位設置在該旋轉基盤的外周壁上，且位於與預設的原點位置相對應的位置處；         該歸零感測器用於在該旋轉基盤旋轉時，通過識別該歸零感應片而檢測該旋轉基盤的原點位置；         該定位感測器檢測位的數量與該承載位的數量相對應，該定位感測器檢測位設置在該旋轉基盤的外周壁上，且位於與該承載位一一對應的位置處；         該定位感測器用於在旋轉基盤旋轉時，通過識別各個定位感測器檢測位而檢測各個承載位的位置。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的製程腔室，其特徵在於，在該反應艙內還設置有壓環，該壓環用於在該升降基座上升至該反應艙內時，利用自身重力將晶片固定在該升降基座上；並且，         該下環體還用於在該升降基座移出該反應艙時，支撐該壓環。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的製程腔室，其特徵在於，在該反應艙的頂部設置有開蓋機構，用於開啟或關閉該反應艙的頂部開口。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的製程腔室，其特徵在於，該開蓋機構包括上電極腔室，該上電極腔室，包括：         設置在該上電極腔室的底部的靶材；         設置在該上電極腔室內且位於該靶材的上方的磁控管；以及         用於驅動該磁控管相對於該靶材表面作旋轉運動的磁控管驅動機構。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的製程腔室，其特徵在於，該磁控管驅動機構包括：         具有大同步帶輪、小同步帶輪和同步帶的旋轉傳動機構；         磁控管旋轉電機，用於通過該旋轉傳動機構驅動該磁控管相對於該靶材表面作旋轉運動；         換向減速機，用於降低該磁控管旋轉電機的轉速。
  15. 如申請專利範圍第2項或第4項所述的製程腔室，其特徵在於，該晶片傳輸裝置還包括升降驅動機構，該升降驅動機構的數量與升降基座的數量相對應，用於一一對應地驅動該升降基座作升降運動。
  16. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該通孔的直徑小於該晶片的直徑；或者         該通孔的直徑大於或等於該晶片的直徑，且在每個通孔內設置有支撐部，用以支撐位於該通孔內的晶片。
  17. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該晶片傳輸裝置還包括旋轉驅動機構，用於驅動該旋轉基盤作旋轉運動；         該旋轉驅動機構包括：         磁流體軸承，其設置在該製程腔室內的中心位置處，並與該旋轉基盤連接；         旋轉電機，用於通過該磁流體軸承驅動該旋轉基盤圍繞該製程腔室的中心旋轉。
  18. 一種半導體加工裝置，包括：製程腔室，用於對晶片進行加工；去氣腔室，用於去除晶片上的水汽；預清洗腔室，用於去除晶片表面上的殘餘物；傳輸腔室，其分別與該製程腔室、該去氣腔室和該預清洗腔室連接，且在其內部設置有機械手，用以將晶片分別傳輸至各個腔室內；其特徵在於，該製程腔室採用申請專利範圍第1項至第17項任意一項所述的製程腔室。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的半導體加工裝置，其特徵在於，該製程腔室的數量為一個或者多個，且該多個製程腔室沿該傳輸腔室的周向分佈。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的半導體加工裝置，其特徵在於，該半導體加工裝置包括物理氣相沉積裝置。
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