TWI470722B - 基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Description

基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明關於支撐作為搬送對象物之基板的基板搬送機構、具備有該基板搬送機構的基板處理裝置、以及使用該基板處理裝置來進行的半導體裝置的製造方法。
一般在半導體裝置之製造步驟所使用的基板處理裝置具備有處理室與搬送裝置。處理室處理晶圓等基板。搬送裝置進行對該處理室內搬入基板及從該處理室搬出基板。搬送裝置具備有所謂鑷子的基板搬送機構。該基板搬送機構支撐作為搬送對象物的基板。例如於特開2007-184476號公報揭示有基板搬送機構。此基板搬送機構係建構成於所謂指孔板(finger plate)之雙岔叉子狀的板狀體上形成有段差狀的支撐部，該支撐部從基板被處理面的背面側支撐基板之外周端緣附近四個地方。
然而，特開2007-184476號公報所記載的基板搬送機構於基板產生翹曲或彎曲等變形時，會發生該基板接觸到支撐部以外的地方或在支撐部的基板保持力(基板與支撐部的摩擦力)降低所造成的摩擦。如此的接觸或摩擦等成為導致缺陷或粒子的產生等。又，基板發生變形時，支撐構件與基板的接觸面積會減少，基板保持力會降低。一旦基板保持力降低，則對基板的搬送能力會降低。
本發明提供一種可抑制因基板變形所造成缺陷或粒子等的發生，可抑制因伴隨著基板變形所造成的基板保持力降低，可實現穩定的高速搬送的基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
本發明之第1樣態，係一種基板搬送機構，包含有：板狀體，係成為作為搬送對象物的基板之支撐基體；及基板支撐部，係於比前述基板之直徑還小的圓周上配置有設置於前述板狀體之面上的複數個凸部而成。
本發明之第2樣態，係一種基板搬送機構，包含有：處理室，係處理基板；及搬送裝置，係進行對前述處理室搬送前述基板；前述搬送裝置包含：基板搬送機構，係支撐前述基板；及搬送機構移動部，係使前述基板搬送機構移動；前述搬送機構包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的基板之支撐基體；及基板支撐部，係於比前述基板之直徑還小的圓周上配置有設置於前述板狀體之面上的複數個凸部而成。
本發明之第3樣態，係一種半導體裝置之製造方法，且係使用基板處理裝置而進行的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備處理基板的處理室與對該處理室進行前述基板之搬送所構成，該半導體裝置之製造方法包含有：基板供應步驟，係前述搬送裝置朝前述處理室內搬入前述基板；處理步驟，係在前述處理室內處理前述基板；及基板搬出步驟，係前述搬送裝置從前述處理室內搬出前述基板；在前述基板供應步驟與前述基板搬出步驟之至少一者，係以複數個凸部配置於比前述基板之直徑還小之圓周上所構成的基板支撐部支撐作為搬送對象之前述基板的被支撐面。
依據本發明之上述樣態，與僅在基板的外周端緣附近支撐該基板的習知構造比較，即使在基板發生變形的情況下，也能抑制缺陷或粒子等的產生。而且，本發明之上述樣態，能抑制因伴隨著基板變形所造成的基板保持力降低，能實現穩定的高速搬送。
 [用以實施發明之形態] ＜例示的實施形態＞
以下一面參考圖式一面說明用本發明之例示的實施形態。
(1)基板處理裝置的構造
首先說明有關本發明之例示的實施形態之基板處理裝置之構造例。在此，以例說明基板處理裝置係進行去除抗蝕劑之灰化裝置的情況。
第1圖係有關本發明之例示的實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。第2圖係第1圖所示之基板處理裝置之一部分垂直剖面圖。第3圖係第1圖所示之基板處理裝置之處理室群內的垂直剖面圖。第4圖係第1圖所示之基板處理裝置之上處理室與下處理室的垂直剖面圖。
如第1圖所示，本例示的實施形態之基板處理裝置10具備有筐體11與控制該基板處理裝置10之各構造部的控制器84。
筐體內11內以搬送室12為中心配置有兩個負載鎖定(load lock)室14a、14b、第一處理室群116及第二處理室群117。搬送室12與負載鎖定室14a、14b之間設置有閘閥(未以圖式顯示)。建構成打開閘閥的狀態下，搬送室12內與各負載鎖定室14a、14b內可連通。又，搬送室12與各處理室群116、117之間也設置有閘閥(未以圖式顯示)。建構成打開閘閥的狀態下，搬送室12與各處理室群116、117內可連通。
於筐體11外以與負載鎖定室14a、14b面對的方式配置有作為前模組的設備前端模組(EFEM：Equipment Front End Module)18。EFEM18建構成例如能搭載三台可儲存25片作為基板之晶圓的傳送盒，亦即前端開啟統一規格晶圓傳送盒(FOUP：Front Open Unified Pod)。又，於EFEM18內載置有可在大氣中同時移載複數片(5片)的大氣機器人(未以圖式顯示)。大氣機器人進行與各負載鎖定室14a、14b之間晶圓的移動載置。
如第2圖所示，各負載鎖定室14a、14b內設置有可於縱向隔著一定間隔收容例如25片晶圓1的基板支撐體(晶舟)20。藉著基板支撐體20可使晶圓1保持於各負載鎖定室14a、14b內。基板支撐體20係以例如碳化矽或鋁等構成。基板支撐體20具有連接上部板22與下部板24之例如三根支柱26。於支柱26的長度方向內側平行地形成有例如25個載置部28。又，基板支撐體20建構成可於負載鎖定室14a、14b內移動於垂直方向(上下方向)。而且，基板支撐體20建構成以延著垂直方向之旋轉軸作為軸而旋轉(參考第2圖中的箭頭)。
於搬送室12內，且在負載鎖定室14a、14b與第一處理室群116及第二處理室群117之間設置有搬送晶圓1之相當於搬送裝置的機器人30。機器人30具備有稱為鑷子的基板搬送機構32與可使該基板搬送機構32移動之作為搬送機構移動部的機械臂34。基板搬送機構32由上鑷子32a及下鑷子32b所構成。上鑷子32a及下鑷子32b例如形成相同的形狀。上鑷子32a及下鑷子32b於上下方向以既定的間隔分離著，從機械臂34分別約水平地延伸於相同方向，並分別支撐作為搬送對象物的晶圓1。又，機械臂34建構成以延伸於垂直方向的旋轉軸作為軸而旋轉，且可朝水平方向移動(參考第2圖中的箭頭)。
搬送室12與第一處理室群116以閘閥35為中介而連通著。因此，搬送室12內的機器人30以閘閥35為中介並藉著鑷子32a及下鑷子32b將已儲存於負載鎖定室14a、14b內未處理的晶圓1同時每次兩片地朝第一處理室群116移載。又，搬送室12內的機器人30藉著上鑷子32a及下鑷子32b將已處理完的晶圓1從第一處理室群116一次兩片地朝負載鎖定室14a、14b內移載。又，關於第二處理室群117也完全相同，搬送室12內的機器人30以閘閥35為中介將負載鎖定室14a、14b內未處理的晶圓1同時每次兩片地朝第二處理室群117移載。而且，搬送室12內的機器人30將已處理完的晶圓1從第二處理室群117一次兩片地朝負載鎖定室14a、14b內移載。
在此說明第一處理室群116的構造。又，第一處理室群116與第二處理室群117為約相同構造。因此，僅說明第一處理室群116而對第二處理室群117則省略其說明。
於第一處理室群116內，如第1圖至第3圖所示，配置有相互鄰接的兩個下處理室16a、16b。下處理室16a與下處理室16b以設置於此等之間的連接空間48為中介而連通著。此等下處理室16a、16b從搬送室12之側來看係以下處理室16a、下處理室16b的順序排列成直列的方式來配置。又，於與第一處理室群116約相同構造的第2處理室群117從搬送室12之側來看也係以下處理室17a與下處理室17b的順序排列成直列。然後，從上面來看，連結下處理室16a、16b的中心的直線與連結下處理室17a、17b的中心的直線，係以相互約平行的方式分別配置(參考第1圖)。
於下處理室16a、16b內，分別設置有基板保持台36a、36b。基板保持台36a、36b分別呈獨立的構造，從整體裝置來看，係形成與晶圓處理流動方向同方向呈一行。亦即，從搬送室12來看，基板保持台36b隔著基板保持台36a而配置於遠處。基板保持台36a、36b上所載置的晶圓1分別被作為內建之加熱部的加熱器37a、37b加熱，例如可升溫至300℃。基板保持台36a、36b係以熱傳導性優良的金屬材料(例如，A5052、A5056等鋁)所形成。
於下處理室16a與下處理室16b之間的連接空間48設置有基板搬送機構40(參考第1圖)。基板搬送機構40從該機器人30的鑷子接受由搬送室12內的機器人30所搬送的兩片未處理晶圓1之中的一片，並移載至基板保持台36b上。而且，基板搬送機40將基板保持台36b上之已處理完的晶圓1移載至該機器人30的鑷子上。
又，下處理室16a、16b的上側以分別重疊的方式設置有上處理室45a、45b。亦即，於下處理室16a、16b的上側與該下處理室16a、16b同樣配置有相互鄰接的兩個上處理室45a、45b。
依據如此的配置，以上處理室45a與下處理室16a構成處理室116a，以上處理室45b與下處理室16b構成處理室116b，以處理室116a與處理室116b構成第一處理室群116。
在此，進一步詳細說明構成處理室116b的上處理室45b與下處理室16b。又，構成處理室116a的上處理室45a及下處理室16a也約相同構造。所以，在此僅說明處理室116b而省略說明處理室116a。
如第4圖所示，上處理室45b具備有例如利用石英而形成圓筒狀的反應管52。反應管52以O型環92b為中介而形成於作為金屬製之氣密容器的下處理室16b上。反應管52的上端藉反應管天花板55而閉塞成氣密。因此，反應管52便構成真空容器。於反應管天花板55之約中央部設置有氣體導入部44b及氣體導入口56。氣體導入口56連接於處理氣體供給源(未以圖式顯示)，經流量調整後的處理氣體被供給至反應管52內。又，反應管52內設置有使業經導入的氣體分散的石英製擋板(baffle plate)57。反應管52的周圍設置有電漿產生用的高頻線圈54，而且，該高頻線圈54被線圈包扎層(coil cover)53所覆蓋。建構成高頻線圈54連接高頻電源59，而藉該高頻電源59對高頻線圈54施加電漿產生用的高頻電流。
位於上處理室45b下方的下處理室16b內，如已說明的情形固定設置有基板保持台36b。又，可升降的升降旋轉軸65以氣密地貫穿下處理室16b的底部的方式設置。升降旋轉軸65與配置於下處理室16b內的升降基板64連結。貫穿基板保持台36b之至少三根基板保持銷39b豎立設置於升降基板64。藉著如此的構造，在下處理室16b內藉控制器84的控制以使升降旋轉軸65升降，而能使升降基板64及基板保持銷39b升降。又，伴隨於此而使被載置於基板保持銷39b上面的晶圓1被載置於基板保持台36b的上面或被從基板保持台36b上拿起。
在處理室116b，上處理室45b中的反應管52形成電漿產生室51。利用在電漿產生室51產生的電漿可處理下處理室16b內之基板保持台36b上的晶圓1。又，建構成下處理室16b的底部形成有排氣口66，處理完的氣體從排氣口66朝下處理室16b排放。
(2)基板處理裝置的動作
其次，說明本例示實施形態之基板處理裝置10的動作。
未處理的晶圓1從EFEM18朝負載鎖定室14a內移載，當該負載鎖定室14a內呈氣密時，則開放與搬送室12之間的閘閥(未以圖式顯示)。當負載鎖定室14a與搬送室12連通時，搬送室12內的機器人30將負載鎖定室14a內的基板支撐體20保持的晶圓1承接至上鑷子32a上及下鑷子32b上。機器人30將承接於各鑷子32a、32b上的兩片晶圓1朝向藉著閘閥35的開放而處於連通狀態的第一處理室群116內或第二處理室群117內之其中任一方搬送。例如朝向第1處理室群116內搬送的情況下，在該處理室群116內同時被搬送的兩片晶圓1之中的一片藉著機器人30而被載置於下處理室16a內的基板保持台36a上。與此同時，另一片晶圓1藉著基板搬送機40而被從機器人30移載並載置於下處理室16b內的基板保持台36a上。
之後，當位於處理室116a、116b的反應管52內閉塞成氣密時，基板保持台36a、36b上的晶圓1藉著加熱器37a、37b而被加熱，處理氣體從氣體導入口56導入反應管52內，並且，對高頻線圈54施加高頻電流。如此一來，在以反應管52構成的電漿產生室51產生電漿，藉著被活性化的處理氣體來處理晶圓1。在此，進行對殘留於晶圓1之抗蝕劑的剝離除去處理。
當電漿產生室51內的處理結束時，開放隔在第一處理室群116與搬送室12之間的閘閥35。接著，搬送室12內的機器人30將各鑷子32a、32b插入第1處理室群116內並接受兩片已處理完的晶圓1。亦即，機器人30將下處理室16a內的基板保持台36a上已處理完的晶圓1承接至鑷子32a、32b上，同時也藉由基板搬送機構40而承接在下處理室16b內之基板保持台36b上之已處理完的晶圓1。又，機器人30以旋轉軸作為軸而旋轉，以旋轉已處理完之晶圓1及各鑷子32a、32b。其次，機器人30將各鑷子32a、32b上所搭載的兩片已處理完晶圓1朝向負載鎖定室14b內空著狀態的基板保持體20上移載。處理後呈高溫的已處理完晶圓1在負載鎖定室14b內冷卻至既定的溫度。
反覆進行以上的處理動作，當負載鎖定室14b內的基板保持體20接受既定數量的已處理完晶圓1時，閉塞與搬送室12之間的閘閥(未以圖式顯示)，讓該負載鎖定室14b內開放於大氣下。之後，已處理完的晶圓1被從負載鎖定室14b內朝EFEM18移載，並藉著外部搬送裝置(未以圖式顯示)而被搬出至外部。
本例示的實施形態之基板處理裝置10進行以上的處理。因此，將該基板處理裝置10使用於半導體裝置的製造步驟時，係依順序執行基板供應步驟、處理步驟、基板排出步驟。基板供應步驟係機器人30朝處理室群116、117內搬入晶圓1。處理步驟係在處理室群116、117內處理晶圓1。基板排出步驟係機器人30從處理室群116、117內搬出晶圓1。於基板供應步驟與基板排出步驟之至少一方如將於後述的情況，作為搬送對象物之晶圓1的被支撐面藉著機器人30的各鑷子32a、32b而被支撐。
(3)搬送裝置的構造
其次，說明設置在搬送室12內之作為搬送裝置之機器人30的構造例。第5圖係本發明之例示的實施形態之搬送裝置的構成示意圖。
如第5圖所示，作為搬送裝置的機器人30具備有一對機械臂34a、34b作為搬送機構移動部。機械臂34a、34b分別個別建構成可朝水平方向(第5圖X1、X2方向)水平移動，可朝第5圖Y方向旋轉移動，可朝第5圖Z方向升降移動。
機械臂34a的前端設置有上鑷子32a作為以水平姿勢支撐晶圓1的基板搬送機構32。又，機械臂34b的前端同樣地設置有下鑷子32b作為基板搬送機構32。上鑷子32a及下鑷子32b分別形成相同的形狀，並於上下方向以既定的間隔分離著。各機械臂34a、34b係配置成不相互干擾且能個別地移動。亦即，建構成以上鑷子32a位於上方側而下鑷子32b位於下方側的狀態，分別相互不干擾而能個別地移動。
(4)基板搬送機構的構造
其次，說明基板搬送機構32的構造例。在此，由於上鑷子32a及下鑷子32b為相同形狀，所以僅將此等構件總稱為「鑷子」，並僅著眼於此等鑷子之其中一方進行以下的說明。
(參考例之鑷子的構造)
於此，在說明本例示的實施形態之鑷子32a及32b之前，先說明習知構造的鑷子來作為其成為比較對象的參考例。第6圖係顯示成為本發明之參考例之習知構造的鑷子之一例的立體圖。第7圖係顯示第6圖所示於鑷子之晶圓支撐狀態之概要的說明圖。
如第6圖所示，參考例之鑷子2係支撐例如Φ 300mm之相當於圓板狀基板的晶圓1者，所以，係具有雙岔叉子狀之板狀體的指孔板3所構成。於指孔板3上形成有從該指孔板3上面朝向晶圓1側突出成段差狀的支撐部4。支撐部4係配置在相對於晶圓1之載置中心呈對稱的四個地方的位置。配置於此等四個地方的支撐部4係建構成抵接於晶圓1的背面(被處理面的相反面)而支撐該晶圓1之外周端緣附近四個地方。晶圓1與支撐部4的抵接係在距離該晶圓1之外周端緣至2～3mm範圍內周側的領域部分進行。此領域部分係在製品構成時不使用的情況為主，而一般為受到損傷或附著異物等之影響少的地方。
作為搬送對象物的晶圓1係以矽(Si)形成以作為基材，可得知當進行伴隨著加熱的處理時，肇因於表裡面或面內等之溫度分布的產生樣態而導致翹曲或彎曲等變形的情形。
於晶圓1發生例如第7A圖所示變形時，若支撐部4支撐其外周端緣附近四個地方的鑷子2在該晶圓1的彎曲量超過一定量(約1mm[approximately 1 mm])時，則該晶圓1接觸到指孔板3的上面。如此的接觸如第7B圖所示，成為導致特別是在指孔板3的邊緣附近的地方(參考第7B圖的A部)的缺陷或粒子等的發生之要因。又，若例如當第7C圖所示的變形發生於晶圓1時，則與未發生該變形的情況比較，在支撐部4的基板保持力(晶圓1與支撐部4的變摩擦力)降低了(參考第7C圖的B部及C部)。因此，伴隨著由於晶圓1與支撐部4的摩擦變得易產生缺陷或粒子等，在晶圓1的外周端緣附近的背面(下面)所產生的粒子在表面(上面)側飛揚起來而附著於晶圓1上。而且，若基板保持力降低，為了防止晶圓1的滑動就必須抑制搬送速度，因而對該晶圓1的搬送能力(亦即，在基板處理裝置10之每一單位時間的處理能力)降低了。
以上所述的缺陷或粒子等成為令使用晶圓1所構成之製品的製成率降低的要因之一，所以，應極力抑制其發生。又，對該晶圓1的搬送能力降低關係著基板處理裝置10的生產效率降低，對半導體裝置的製造步驟造成不良影響。
(本例示的實施形態之鑷子的構造)
本例示的實施形態之鑷子32a、32b係鑑於以上所述參考例之鑷子2的問題點，而如以下的方式來構成。第8圖係顯示本發明之例示的實施形態之基板搬送機構(鑷子)之一例的立體圖。第9A圖及第9B圖係顯示第8圖所示之鑷子之晶圓支撐狀態之概要的說明圖。
(指孔板)
如第8圖所示，鑷子32a及32b係由支撐例如Φ 300mm之圓板狀基板之晶圓1的支撐基體有著切去中央部分以作為雙岔叉子狀之板狀體的指孔板321所構成。指孔板321係以例如氧化物類的陶瓷材料(氧化鋁陶瓷等)形成且具有一對帶形狀部分321a而形成雙岔叉子狀。各帶形狀部分321a在鑷子32a及32b支撐著晶圓1的狀態下，以與該晶圓1的一部分重疊的方式配置，且前端延伸至比該晶圓1的外周端緣還外側的位置。
於指孔板321上，設置有基板支撐部，該基板支撐部係指孔板312的面上之複數個凸部配置於比晶圓1之直徑還小的圓周上而成者。亦即，於指孔板321上且以導引側壁324所包圍的領域內形成有第一支撐部322與第二支撐部323。第一支撐部322係由指孔板321上面朝向晶圓1側突出之複數個凸部所構成。第二支撐部323係於與第一支撐部322不同的位置配置有複數個凸部所構成。主要是藉著第一支撐部322及第二支撐部323構成本例示的實施形態之基板支撐部。第一支撐部322及第二支撐部323均以與指孔板321同材料所形成，且建構成以突出的頂面抵接於晶圓1的背面(被處理面的相反面)的狀態來支撐該晶圓1。
(第一支撐部)
第一支撐部322在指孔板321的面上配置成圓周狀態。在此，所謂「圓周狀態」係指存在於描繪圓周的位置，不一定必須是繞該圓周而連續存在，包含於該位置上隔著間隔分散存在的情況。而且，第一支撐部322係在鑷子32a及32b支撐著晶圓1的狀態下，配置於與該晶圓1之平面中心點的距離為一定的位置。此情況乃意味著第一支撐部322係在指孔板321的面上位於一個圓周上，且其圓周的中心點與晶圓1的平面中心點一致。
又，第一支撐部322於指孔板321面上的一個圓周上分散配置於將晶圓均等地支撐的複數處。所謂可均等支撐的複數處，乃可舉出有例如以晶圓1的平面中心點為基準的情況下呈點對稱的複數處或以通過晶圓1之中心點的線段為基準的情況下呈線對稱的複數處(左右均等的複數處等)。更具體而言，第一支撐部322於指孔板321面上的一個圓周上分散配置於該圓周上之相互分離的四個地方。根據以此方式對四個地方的分散配置，使於一個圓周上存在有四個第一支撐部322，各個第一支撐部322均等地支撐晶圓1之外周端緣附近四個地方。藉著此等四個第一支撐部322構成對晶圓1的第一支撐位置。又，於此係舉出了朝四個地方分散配置的例子，惟，並不限定於此例子，即使是朝未達四個地方或五個地方以上分散配置也能實現。又，構成第一支撐部322之複數的凸部之中，位於對稱位置的凸部係對晶圓1的支撐面積相互相等地構成。
第一支撐部322所存在的圓周的大小係依據晶圓1的徑向的大小而設定。亦即，從圓周及晶圓1的中心點至第一支撐部322的距離(亦即配置有第一支撐部322之圓周的半徑)，係依據該中心點與晶圓1之外周端緣之間的距離(亦即圓板狀基板之晶圓1的半徑)而設定。較好的形態是為了藉著第一支撐部322支撐晶圓1的外周端緣附近，至第一支撐部322的距離係在不超過晶圓1之半徑的範圍內儘量設定為大。
然而，儘量大地設定以上所述距離的情況下，必須考量以下要點。第一支撐部322不配置於與晶圓1之外周端緣重疊的位置，而係配置於距該外周端緣既定距離內周側的位置。亦即，第一支撐部322非支撐晶圓1的外周端緣，而係以支撐晶圓1之外周端緣的附近且係比外周端緣還內側的方式來形成。具體上，第一支撐部322係以在距晶圓1之外周端緣3～5mm範圍內周側的位置，從指孔板321的面上突出的突出部分連續於環形方向而具有平面圓弧狀的頂面的方式形成著。同此方法，於第一支撐部322與導引側壁324之間形成底面與指孔板321的上面一致的凹形狀部分。
從以上的說明，第一支撐部322所存在之圓周的大小例如若是晶圓1的外徑為Φ 300mm，則將該第一支撐部322之突出部分外周側設為Φ 290mm～Φ 294mm範圍，而將該第一支撐部322之突出部分內周側設為Φ 280mm～Φ 284mm。
(第二支撐部)
第二支撐部323配置於與指孔板321之面上的第一支撐部322不同的位置，更詳細地說是配置於該第一支撐部322的周內，亦即，配置於該第一支撐部322所存在之圓周的內側。第二支撐部323也與第一支撐部322同樣在指孔板321的面上配置成圓周狀態。而且，第二支撐部323係在鑷子32a、32b支撐著晶圓1的狀態下，配置於距該晶圓1之平面中心點的距離呈一定的位置。此等情況乃意味著第一支撐部322與第二支撐部323在指孔板321的面上配置於同心圓周上。在此，所謂同心圓係共有中心之兩個以上的圓的意思。因此，從此等支撐部配置於同心圓周上的情況，第二支撐部323係位於與第一支撐部322不同徑的一個圓周上，且係配置於與第一支撐部322的間隔呈一定的位置。
又，第二支撐部323與第一支撐部322同樣在指孔板321面上的一個圓周上(與第一支撐部322同心異徑的圓周上)，分散配置於將晶圓1均等地支撐的複數處。而且，第二支撐部323與第一支撐部322同樣分散配置於圓周上相互分離的四個地方。藉著此等四個第二支撐部323構成對晶圓1的第二支撐位置。又，對於第二支撐部323也與第一支撐部322同樣不限定於分散配置於四個地方，即使是朝未達四個地方或五個地方以上分散配置也能實現。又，構成第二支撐部323之複數的凸部之中，位於對稱位置的凸部係對晶圓1的支撐面積相互相等地構成。
第二支撐部323所存在之圓周的大小係依據第一支撐部322所存在的圓周的大小及指孔板321的平面形狀而設定。較好的是設定在滿足以下事項的位置。第一，設為與第一支撐部322所存在的圓周同心異徑的圓周。第二，滿足在指孔板321之各帶形狀部分321a的上面形成第二支撐部323時之限制條件的範圍內，設定在可將第二支撐部323配置在最內周側(亦即離開第一支撐部322最遠側)的位置。與第一支撐部322的間隔大者在要獲得後述之效果上為適合。
然而，關於第二支撐部323的位置，於朝最內周側配置的情況下，必須滿足以下的限制條件。第二支撐部323係略均等地分散配置於指孔板321上的四個地方，於該指孔板321之一方的帶形狀部分321a上存在兩個，而於另一方的帶形狀部分321a上存在剩餘的兩個。所以，在個別的帶形狀部分321a上，兩個第二支撐部323相互分離配置。第二支撐部323所存在的圓周的大小必須是可確保用以達到以上說明之分離的間隔。此為第一限制條件內容。
又，如後述的理由，在各帶形狀部分321a上，第二支撐部323以橫亙該帶形狀部分321a全幅而連續的方式配置為佳。亦即，在各帶形狀部分321a上，該帶形狀部分321a上的兩個第二支撐部323之中至少一者(例如位於帶形狀部分321a的前端側者)從該帶形狀部分321a之一方的端緣位置連續配置至另一方的端緣位置。以第二支撐部323存在於可如此配置之大小的圓周上為佳。此為第二限制條件內容。
鑒於上述第一及第二限制條件內容與將於後述之晶圓1的變形容限量，第二支撐部323所存在之圓周的大小，係例如晶圓1的外徑若為Φ 300mm時，將該第二支撐部323的突出部分內周側設為Φ 230mm，該第二支撐部323的突出部分外周側設為Φ 240mm。
(導引側壁)
於各帶形狀部分321a的前端部分設置有與晶圓1之外周形狀對應的圓弧狀之導引側壁324。此外，於指孔板321且在與各帶形狀部分321a的前端部分對向之側(亦即，鑷子32a、32b的根基側)也設置有與晶圓1之外周形狀對應的圓弧狀之導引側壁324。此等導引側壁324分別形成比構成第一支撐部322及第二支撐部323之凸部還高。
(本例示的實施形態之鑷子的功能)
本例示的實施形態之鑷子32a、32b係以配置於圓周上所構成之基板支撐部，亦即，以配置成同心圓狀的第一支撐部322及第二支撐部323支撐晶圓1。如此一來，不論晶圓1的變形方向而能以良好再現性支撐晶圓1。如以上所述，晶圓1被加熱而變形，而晶圓1的變形方向因晶圓1的特性或形成於晶圓1之電路配置或種別等而不同。因此，假設基板支撐部配置於非圓周上(例如平行線狀或四角形狀等)，則因晶圓1的變形方向而使晶圓1的姿勢變動或高度變動的量大幅地改變。相對於此，若是依據本例示的實施形態，由於基板支撐部配置於圓周上，所以，本例示的實施形態不論晶圓1的變形方向，能以良好再現性支撐晶圓1。亦即，即使晶圓1朝任何方向變形，晶圓1的姿勢變動或高度變動的量也能經常抑制在一定的範圍內。
又，本例示的實施形態係藉由基板支撐部(第一支撐部322及第二支撐部323)配置於圓周上，能有效地抑制搬送時晶圓1的偏移。如以上所述，使鑷子32a、32b移動的機械臂34建構成以延伸於垂直方向之旋轉軸作為軸而旋轉，且朝水平方向移動。亦即，晶圓1於搬送時力量從所有的方向作用。此時，假設基板保持部配置於非圓周上(例如平行線狀或四角形狀等)時，晶圓1的保持力因方向而大幅不同(例如，雖然對旋轉移動的保持力強，但是對水平移動的保持力弱等)。非圓周上之構造的情況下，在鑷子32a、32b上的晶圓會偏移、掉落等。相對於此，若是依據本例示的實施形態，基板支撐部配置於圓周上，因此，晶圓1的保持力不取決於方向而能均等化。所以，本例示的實施形態能有效地抑制搬送時之晶圓1的偏移。又，如此一來，本例示的實施形態能增大晶圓1的搬送速度，能使基板處理的生產性提升。
又，本例示的實施形態中，構成第一支撐部322之複數個凸部係以晶圓1之平面中心點作為基準而呈點對稱或以通過晶圓1之中心點的線段作為基準而呈線對稱的方式配置。又，同樣地，構成第二支撐部323之複數個凸部係以晶圓1之平面中心點作為基準而呈點對稱或以通過晶圓1之中心點的線段作為基準而呈線對稱的方式配置。藉此，本例示的實施形態不論方向而能使晶圓1的保持力均等化。其結果，能更有效地抑制搬送時晶圓1的偏移。再者，假設凸部未對稱地配置時，晶圓1的保持力會因方向而不同。其結果在使晶圓1旋轉或水平移動時，在鑷子32a、32b上的晶圓1會偏移、掉落等。
又，本例示的實施形態中，構成第一支撐部322的複數個凸部之中，位於對稱位置的凸部係對晶圓1的支撐面積相互相等地構成。又，同樣地，構成第二支撐部323的複數個凸部之中，位於對稱位置的凸部係對晶圓1的支撐面積也相互相等地構成。藉此，本例示的實施形態不論方向而能使晶圓1的保持力均等化。其結果，能有效地抑制搬送時晶圓1的偏移。再者，假設位於對稱位置的凸部對晶圓1的支撐面積非相互相等地構成時，晶圓1的保持力因方向而不同。其結果，搬送晶圓1時，在鑷子32a、32b上的晶圓會偏移、掉落等。
再者，本例示之實施形態的鑷子32a、32b不僅具有第一支撐部322，且具有第二支撐部323，此等第一支撐部322及第二支撐部323的各頂面抵接於晶圓1的背面(被處理面的相反面)來支撐該晶圓1。亦即，在以第一支撐部322所構成的第一支撐位置及以第二支撐部323所構成的第二支撐位置的雙方，從晶圓1背面支撐晶圓1。所以，與參考例的情況(僅支撐晶圓1之外周端緣附近四個地方之構造的情況)相比較，本例示之實施形態可達到支撐晶圓1時之負荷的分散化。藉此，本例示之實施形態能分別降低在各支撐位置的負荷，能抑制晶圓1與第一支撐部322及第二支撐部323因摩擦而使晶圓1的背面造成缺陷或產生粒子。
即使是以第一支撐位置與第二支撐位置之雙方支撐晶圓1，也因係支撐該晶圓1的背面側，故不會直接對該晶圓1的被處理面造成不良影響。
若是以第一支撐位置與第二支撐位置之雙方支撐晶圓1，與參考例的情況(僅支撐晶圓1之外周端緣附近四個地方的構造)相比較，設置有第二支撐位置的情況可實現對該晶圓1的支撐面積增大，亦即，可容易實現對該晶圓1之基板保持力(支撐時的摩擦力)的增大。從另一面看，相對於參考例，本例示的實施形態不會導致全體的基板保持力的降低，減少第一支撐部322及第二支撐部323之各個的支撐面積，而也能實現不會不必要地接觸晶圓1。
本例示的實施形態以達到支撐晶圓1時之負荷的分散化，不論該晶圓1的狀態(亦即，即使在該晶圓1發生變形的情況)，而能實現以如下所述方式適切地支撐該晶圓1。
例如，於晶圓1發生第9A圖的變形時，較第一支撐部322還內周側的第二支撐部323會支撐該晶圓1。所以，與參考例那般僅支撐外周端圓附近的情況相比較，本例示的實施形態能抑制晶圓1接觸指孔板321的上面。具體上，參考例的情況下，晶圓1的彎曲量超過約1mm時會發生接觸。但是，對於例如Φ 300mm的晶圓1，且於Φ 230mm程度的圓周上配置有第二支撐部323的構造的情況，本例示的實施形態對晶圓1之彎曲的變形容限量可增大至2mm程度。換言之，要對Φ 300mm的晶圓1的變形容限量達到約2mm程度，只要將第二支撐部323配置於Φ 230mm程度的圓周上即可。又，指孔板321上不僅有第二支撐部323且也存在第一支撐部322。所以，也不會發生晶圓1的外周端緣附近向下方側垂下的變形。
又，例如針對於晶圓1發生第9B圖之變形的情況，與不發生該變形的情況相比較，在第一支撐部322的基板保持力(晶圓1與第一支撐部322的摩擦力)會降低(參考第9B圖的D部及E部)。然而，針對在第二支撐部323的基板保持力(晶圓1與第二支撐部323的摩擦力)，係保持著面接觸而不會降低(參考第9B圖的D部及F部)。亦即，本例示的實施形態即使晶圓1發生變形的情況下，也能藉著支撐位置的分散化(支撐處增加)而使若干個支撐位置保持著面接觸，因此得以避免所有的支撐位置呈線接觸化。所以，本例示的實施形態能抑制對該晶圓1之基板保持力的降低。
若是能抑制基板保持力降低，則於支撐著晶圓1的狀態進行搬送時，就不須為了防止該晶圓1滑動而減慢搬送速度。所以，本例示的實施形態與參考例的情況相比較，可容易實現提升對晶圓1的搬送能力(亦即，在基板處理裝置10之每一單位的處理能力)。具體上，針對成為晶圓處理能力基準的搬送生產量(throughput)，參考例的情況係例如130wph(每一小時的晶圓搬送片數)。相對於此，本例示的實施形態則能提升到180wph。又，本例示的實施形態與參考例的情況相比較，可改善粒子對晶圓1的影響。所以，本例示的實施形態於開始時的搬送位置調整作業中也能抑制回復步驟。
再者，本例示的實施形態於第一支撐部322與導引側壁324之間形成有凹形狀部分。因此，例如於晶圓1發生第9B圖所示的變形時，即使在晶圓端緣附近的背面(下面)側發生粒子，也因所發生的粒子被封入凹形狀部分與晶圓端緣所構成的空間內，而能抑制粒子往表面(上面)側飛揚。亦即，本例示的實施形態即使在發生粒子的情況下，也因使其存在凹形狀部分而能減少該粒子往晶圓1飛揚。用以形成如此凹形狀部分的第一支撐部322的位置，係以設在距晶圓1的外周端緣3～5mm程度之內周側的情形為妥當。當此位置過於靠近內周側時，因穩定性降低而無法獲得充分的效果。
本例示的實施形態之第一支撐部322並非支撐晶圓1的外周端緣(邊緣部)，而係以支撐晶圓1的外周端緣的附近且係支撐較外周端緣還內側的方式來形成。亦即，第一支撐部322係以不接觸晶圓1的外周端緣的方式來構成。藉此，本例示的實施形態能有效地抑制位於晶圓端緣附近發生粒子。於晶圓端附近，在之前的基板處理步驟(例如CVD處理步驟)中，形成在晶圓1表面的薄膜也同時形成於晶圓1的外周端緣。所以，一旦第一支撐部322接觸到晶圓1的外周端緣，則所形成的薄膜會發生剝離等情形而產生粒子。相對於此，由於本例示的實施形態之第一支撐部322不接觸晶圓1的外周端緣，所以能有效地抑制粒子的產生。
依據本例示的實施形態，能抑制粒子附著於利用下鑷子32b搬送的晶圓1上。亦即，若是將兩片鑷子32a、32b以既定的間隔分離配置於上下方向的構造，在利用上鑷子32a搬送的晶圓1產生的粒子易落下並累積於利用下鑷子32b搬送的晶圓1上。相對於此，若是本例示的實施形態，則能如以上方式抑制粒子的產生或擴散。由此可知，本例示的實施形態能有效地抑制粒子附著於利用下鑷子32b搬送的晶圓1，能提升基板處理的品質。
依據本例示的實施形態，於各帶形狀部分321a的前端部分或與各帶形狀部分321a的前端部分對向之側(亦即，鑷子32a、32b的根基側)設置有與晶圓1的外周形狀對應之圓弧狀的導引側壁324。導引側壁324形成較構成第一支撐部322及第二支撐部323的凸部還高。導引側壁324具有將晶圓1載置於鑷子32a、32b上時作為導引的功能。此外，導引側壁324具有防止搬送時的晶圓1偏移或落下的功能。
本例示的實施形態的鑷子32a、32b安裝於機械臂34a、34b的構造可想為與作為參考例所說明之習知構造的情況相同的構造。如此一來，對於半導體製造步驟所使用之已有的基板處理裝置，就不須大幅地變更即能應用本例示的實施形態的鑷子32a、32b，且在作為用以提升該基板處理裝置之能力的手段上成為有效的手段。
(5)有關本例示的實施形態的效果
依據本例示的實施形態，可達到以下所示的一個或複數個效果。
依據本例示的實施形態，基板支撐部(第一支撐部322及第二支撐部323)係配置於圓周上。因此，本例示的實施形態不論晶圓1的變形方向，而能以良好再現性支撐晶圓1。亦即，即便是晶圓1朝任何方向變形，本例示的實施形態也能將晶圓1的姿勢變動或高度變動的量抑制在一定範圍內。又，由於基板支撐部(第一支撐部322及第二支撐部323)係配置於圓周上，所以本例示的實施形態不論方向而能使對於晶圓1的保持力均等化。藉此，本例示的實施形態能有效地抑制搬送時晶圓1的偏移，可使晶圓1的搬送速度加大而能提升基板處理的生產性。
又，依據本例示的實施形態，構成第一支撐部322及第二支撐部323之複數個凸部，分別以晶圓1的平面中心點為基準呈點對稱或以通過晶圓1之中心點的線段為基準呈線對稱的方式配置。藉此，本例示的實施形態能不論方向而使晶圓1的保持力均等化。於是，本例示的實施形態能有效地抑制搬送時晶圓1的偏移，可使晶圓1的搬送速度增加而能提升基板處理的生產性。
又，依據本例示的實施形態，構成第一支撐部322及第二支撐部323之複數個凸部之中，位於對稱位置的凸部之相對於晶圓1的支撐面積係相互相等地構成。藉此，本例示的實施形態能不論方向而使晶圓1的保持力更加均等化。於是，本例示的實施形態能有效地抑制搬送時晶圓1的偏移，可使晶圓1的搬送速度增加而能提升基板處理的生產性。
又，有關本例示的實施形態之鑷子32a、32b，係在指孔板321上且於第一支撐部322的圓周內配置有第二支撐部323，藉由此等構造可達到支撐晶圓1時之負荷的分散化。因此，本例示的實施形態即使在晶圓1發生變形的情況下，也能抑制晶圓1接觸到指孔板321。又，本例示的實施形態也能抑制肇因於對晶圓1的基板保持力降低所造成的摩擦等。所以，本例示的實施形態可極力抑制在晶圓1產生缺陷或粒子等，能排除使用該晶圓1所構成之製品的製造良率降低之主要因素之一。而且，本例示的實施形態能抑制因伴隨著晶圓1的變形所造成基板保持力降低，因此，可實現搬送該晶圓1時穩定的高速搬送，可避免導致基板處理裝置10的生產效率降低，可避免對半導體裝置的製造步驟造成不良影響。
又，有關本例示的實施形態之鑷子32a、32b，係第一支撐部322與第二支撐部323配置於同心圓周上。所以，本例示的實施形態於晶圓1發生的變形即使是在圓板狀基板特有者也能適切地對應。具體上，即使發生例如第9A圖所示之變形時，晶圓1也一定為第二支撐部323所支撐。所以，藉著如此地配置於同心圓周上，本例示的實施形態在支撐作為圓板狀基板之晶圓1的技術上為適合的實施形態，能確實抑制該晶圓1發生缺陷或粒子或是對該晶圓1的基板保持力降低。
特別是，如本例示的實施形態所說明，針對第一支撐部322與第二支撐部323係分散配置於均等地支撐晶圓1之複數個地方的情況，更詳細者為分散配置於圓周上相互分離之四個地方的情形下，支撐晶圓1時的負荷係均等地分散於第一支撐部322與第二支撐部323。所以，本例示的實施形態藉著負荷均等的分散，不僅能抑制缺陷或粒子的產生，且能有效地抑制晶圓1本身的變形。又，本例示的實施形態雖例舉第一支撐部322與第二支撐部323之雙方分別均等地分散配置的情況，然而，若第一支撐部322與第二支撐部323之至少一方均等地分散配置，即可獲得晶圓1之支撐負荷之均等的分散化所產生的效果。
再者，本例示的實施形態中，第一支撐部322及第二支撐部323分別配置於距晶圓1之平面中心點一定距離的位置，此等第一支撐部322與第二支撐部323之相互的間隔呈一定。亦即，第一支撐部322與第二支撐部323係配置於具有與晶圓1之平面中心點一致之中心點的同心圓周上。以此方式，若是使第一支撐部322與第二支撐部323存在的同心圓的中心點與晶圓1之平面中心點一致，則更進一步確實以上所述支撐負荷之均等的分散化所產生的效果。在此情形下，若是從晶圓1之平面中心點至第一支撐部322的距離係依據該平面中心點與晶圓1之外周端緣之間的距離而設定，則能實現將第一支撐部322極力接近該外周端緣配置。所以，第一支撐部322可確實支撐晶圓1的外周端緣附近。又，若是從晶圓1之平面中心點至第二支撐部323的距離係在滿足第二支撐部323配置於指孔板321之帶形狀部分321a上時之限制條件的範圍內，且是設定在距第一支撐部322最遠離的大小距離，則能實現極力擴大第一支撐部322與第二支撐部323的間隔。若是第一支撐部322與第二支撐部323的間隔設定得大，則能適當地進行晶圓1之支撐負荷的分散化，能有效地增進對該晶圓1的變形容限量的增大或抑制基板保持力的降低。
再者，有關本例示的實施形態的鑷子32a、32b，係第一支撐部322在距晶圓1之外周端緣既定距離內周側的位置連續於周圍方向，而該第一支撐部322與導引側壁324之間形成有凹形狀部分。所以，本例示的實施形態即使在晶圓1之外周端緣附近的背面(下面)側產生粒子，也能抑制所產生的粒子朝晶圓1的表面(上面)側飛揚，能降低該粒子朝晶圓1上飛揚的危險。
又，有關本例示的實施形態的鑷子32a、32b，係以至少一個第二支撐部323橫亙該帶形狀部分321a全幅且連續的方式配置於指孔板321的帶形狀部分321a上。因此，於帶形狀部分321a的兩邊緣位置一定存在著從該帶形狀部分321a的面上突出的第二支撐部323，所以，本例示的實施形態能確實避免特別是在易產生缺陷或粒子等邊緣附近處(參考第7B圖)，晶圓1接觸到帶形狀部分321a的邊緣位置。又，本例示的實施形態例舉指孔板321為雙岔叉子狀且具有一對帶形狀部分321a的情況。然而，帶形狀部分321a也可僅有一個也可有三個以上。此情況下也只要是第二支撐部323橫亙全幅連續配置，就能有效地抑制邊緣附近處產生缺陷或粒子等。
又，本例示的實施形態的第一支撐部322並非形成於晶圓1的外周端緣，而係形成於晶圓1的外周端緣附近，且係以支撐較外周端緣還內側的方式來形成。亦即，第一支撐部322係以不接觸有形成薄膜之晶圓1的外周端緣的方式來構成。因此，本例示的實施形態能有效地抑制粒子的產生。
又依據本例示的實施形態，如以上所述能抑制粒子的產生或擴散。如此一來，本例示的實施形態能有效地抑制例如在利用上鑷子32a搬送的晶圓1產生的粒子朝利用下鑷子32b搬送的晶圓1附著，能提升基板處理的品質。
又，在本例示之實施形態的鑷子32a、32b上，於各帶形狀部分321a的前端部分或根基側，設置有形成較構成第一支撐部322及第二支撐部323之凸部還高之圓弧狀的導引側壁324。藉此，本例示的實施形態能導引(定位)該載置於鑷子32a、32b上的晶圓1，能防止搬送時晶圓1的偏移或掉落。
又，依據有關本例示的實施形態的基板處理裝置10，搬送室12內的機器人30搬送晶圓1時，即使該晶圓1發生變形，也能抑制粒子等的產生。所以，有關本例示的實施形態的基板處理裝置10能排除使用該晶圓1所構成之製品的製造良率降低之主要因素之一。而且，本例示之實施形態的基板處理裝置10也能抑制對晶圓1的基板保持力降低，因此，可實現搬送該晶圓1時穩定的高速搬送。
若是使用以上的有關本例示的實施形態的基板處理裝置10製造半導體裝置，就能以高效率進行半導體裝置的製造。
＜本發明之其他例示的實施形態＞
上述例示的實施形態中，例舉了基板處理裝置10為灰化裝置的情況。但本發明不限定於該等形態。亦即，本發明不論在處理室內的處理內容，只要是對該處理室進行基板搬送的構成都可適用，例如也可適用於進行成膜處理、蝕刻處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、退火處理等其他處理的裝置。
又，上述例示的實施形態中，例舉了作為搬送對象物的基板為晶圓1的情況。然而，本發明不限定於該等形態。亦即，於本發明中成為搬送對象物的基板也可為光罩或印刷配線基板、液晶面板、光碟或磁碟等。
又，上述例示的實施形態中，說明了對基板的支撐位置係配置於雙重同心圓周上的情況。然而，即使例如配置於三重同心圓周上的情況也完全同樣能實現。
如以上所述，本發明能以各種的形態來實施而獲得，所以，本發明的技術範圍不限定於以上所述例示的實施形態。例如以上所述例示的實施形態所說明的基板處理裝置10的構造(例如處理室群116、117等構造)不過是一個具體例而已，當然在不脫離其宗旨的範圍內可作各種的變更。
＜本發明之較佳形態＞
以下附記本發明的較佳形態。
依據本發明之一樣態，提供一種基板搬送裝置，其包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的基板之支撐基體；第一支撐部，係於前述板狀體之面上配置成圓周狀態以支撐前述基板；及第二支撐部，係配置於前述面上之前述第一支撐部的周內以支撐前述基板。
較佳的樣態是：前述第一支撐部與前述第二支撐部配置於前述面上且係同心圓周上。
較佳的樣態是：前述第一支撐部與前述第二支撐部之至少一方分散地配置於均等地支撐前述基板的複數處。
較佳的樣態是：前述第一支撐部與前述第二支撐部之至少一方分散地配置於圓周上之相互分離的四個地方。
較佳的樣態是：前述第一支撐部配置於距前述基板之平面中心點一定距離的位置。
較佳的樣態是：前述平面中心點至前述第一支撐部的距離係依據該平面中心點與前述基板之外周端緣之間的距離而設定。
較佳的樣態是：前述第二支撐部配置於距前述基板之平面中心點一定距離的位置。
較佳的樣態是：前述平面中心點至前述第二支撐部的距離係設定在滿足於前述板狀體的面上配置該第二支撐部時之限制條件的範圍內，且最遠離前述第一支撐部。
較佳的樣態是：前述第一支撐部與前述第二支撐部配置於相互的間隔為一定的位置。
較佳的樣態是：前述第一支撐部係以從前述板狀體的面上突出的突出部分，在距前述基板的外周端緣既定距離內周側的位置連續於環形方向，且以該突出部分的頂面支撐前述基板。
較佳的樣態是：前述板狀體具有與前述基板的一部分重疊的帶形狀部分；前述第二支撐部係以橫亙前述帶形狀部分之全幅並連續的方式配置。
依據本發明之其他樣態，係提供一種基板處理裝置，其包含：負載鎖定室，係保持基板；搬送室，係構成可與前述負載鎖定室連通；及處理室，係構成可與前述搬送室連通且處理前述基板；於前述搬送室內，且在前述負載鎖定室與前述處理室之間設置有搬送前述基板的搬送裝置；前述搬送裝置包含：基板搬送機構，係支撐前述基板；及搬送機構移動部，係使前述基板搬送機構移動；前述搬送機構包含：板狀體，係成為前述基板之支撐基體；及第一支撐部，係設置於前述板狀體之面上且支撐前述基板；第二支撐部，係設置於與前述面上之前述第一支撐部不同的位置且支撐前述基板；前述第一支撐部與前述第二支撐部在前述面上且配置於同心圓周上。
依據本發明之另一其他樣態，係提供一種基板搬送裝置之製造方法，係使用基板處理裝置而進行的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置包含：負載鎖定室，係保持基板；搬送室，係構成可與前述負載鎖定室連通；及處理室，係構成可與前述搬送室連通且處理前述基板；且在前述負載鎖定室與前述處理室之間搬送前述基板的搬送裝置設置於前述搬送室內；該半導體裝置之製造方法包含有：基板供應步驟，係前述搬送裝置從前述負載鎖定室內朝前述處理室內搬入前述基板；處理步驟，係在前述處理室內處理前述基板；及基板排出步驟，係前述搬送裝置從前述處理室內朝前述負載鎖定室內搬出前述基板；且前述基板供應步驟與前述基板搬出步驟之至少一者，係以在面內配置於同心圓周上的第一支撐部及第二支撐部的雙方支撐作為搬送對象物之前述基板的被支撐面。
依據本發明之另一其他樣態，係提供一種基板搬送機構，其包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的基板之支撐基體；及基板支撐部，係於比前述基板之直徑還小的圓周上配置有設置於前述板狀體之面上的複數個凸部而成。
依據本發明之另一其他樣態，係提供一種基板搬送機構，其包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的基板之支撐基體；第一支撐部，係於前述板狀體之面上配置有複數個凸部而成；第二支撐部，係於與前述面上之前述第一支撐部不同的位置配置有複數個凸部而成；及前述第一支撐部與前述第二支撐部係在前述面上配置成同心圓狀。
較佳的樣態是：前述基板支撐部係以支撐前述基板之較外周內緣還內側的方式配置。
較佳的樣態是：於前述板狀體的面上且於較前述基板支撐部還外側配置有形成比構成前述基板支撐部之凸部還高的側壁。
較佳的樣態是：構成前述基板支撐部之複數個凸部係以前述基板之平面中心點作為基準呈點對稱或以通過前述基板之中心點的線段作為基準呈線對稱的方式配置；在複數個前述凸部之中，位於對稱位置的前述凸部係對前述基板的支撐面積相互相等地構成。
依據本發明之另一其他樣態，係提供一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理基板；及搬送裝置，係進行對前述處理室搬送前述基板；前述搬送裝置具備：基板搬送機構，係支撐前述基板；及搬送機構移動部，係使前述基板搬送機構移動；前述搬送機構包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的前述基板之支撐基體；及基板支撐部，係於比前述基板之直徑還小的圓周上配置有設置於前述板狀體之面上的複數個凸部而成。
較佳的樣態是：前述基板搬送機構具有複數片前述板狀體；複數個前述板狀體於垂直方向隔著既定的間隔相互分離配置。
較佳的樣態是：前述搬送機構移動部係建構成以沿伸於垂直方向之旋轉軸作為軸而自由旋轉，且建構成朝水平方向自由移動。
較佳的樣態是：前述基板處理裝置具有將已搬送至前述處理室內的前述基板加熱的加熱部。
前述基板搬送機構包含：第一支撐部，係於前述板狀體之面上配置有複數個凸部而成；第二支撐部，係於與前述面上之前述第一支撐部不同的位置配置有複數個凸部而成；及前述第一支撐部與前述第二支撐部係在前述面上配置成同心圓狀。
較佳的樣態是：構成前述基板支撐部之複數個凸部係以前述基板之平面中心點作為基準呈點對稱或以通過前述基板之中心點的線段作為基準呈線對稱的方式配置；在複數個前述凸部之中，位於對稱位置的前述凸部係對前述基板的支撐面積相互相等地構成。
依據本發明之另一其他樣態，係提供一種半導體裝置之製造方法，係使用基板處理裝置而進行的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備處理基板的處理室與對該處理室進行前述基板之搬送而構成，該半導體裝置之製造方法包含：基板供應步驟，係前述搬送裝置朝前述處理室內搬入前述基板；處理步驟，係在前述處理室內處理前述基板；及基板搬出步驟，係前述搬送裝置從前述處理室內搬出前述基板；在前述基板供應步驟與前述基板搬出步驟之至少一者，係以基板支撐部支撐作為搬送對象之前述基板的被支撐面，該基板支撐部係於比前述基板之直徑還小之圓周上配置有複數個凸部而成。
依據本發明之另一其他樣態，係提供一種半導體裝置之製造方法，係使用基板處理裝置而進行的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備處理基板的處理室與對該處理室進行前述基板之搬送而構成，該半導體裝置之製造方法包含：基板供應步驟，係前述搬送裝置朝前述處理室內搬入前述基板；處理步驟，係在前述處理室內處理前述基板；及基板搬出步驟，係前述搬送裝置從前述處理室內搬出前述基板；前述基板供應步驟與前述基板搬出步驟藉著於垂直方向以既定的間隔相互分離之複數個板狀板分別支撐作為搬送對象的基板。
在前述基板供應步驟與前述基板搬出步驟之至少一者，係以基板支撐部支撐作為搬送對象之前述基板的被支撐面，該基板支撐部係於前述板狀體的面上且於比前述基板之直徑還小之圓周上配置有複數個凸部而成。
1．．．晶圓
2．．．鑷子
3．．．指孔板
4．．．支撐部
10．．．基板處理裝置
11．．．筐體
12．．．搬送室
14a、14b．．．負載鎖定室
16a、16b．．．下處理室
17a、17b．．．下處理室
18．．．設備前端模組(EFEM)
20．．．基板支撐體
22．．．上部板
24．．．下部板
26．．．支柱
28．．．載置部
30．．．機器人
32．．．基板搬送機構
32a．．．上鑷子
32b．．．下鑷子
34．．．機械臂
34a、34b．．．機械臂
35．．．閘閥
36a、36b．．．基板保持台
37a、37b．．．加熱器
39b．．．基板保持銷
40．．．基板搬送機
44b．．．氣體導入部
45a、45b．．．上處理室
48．．．連接空間
51．．．電漿產生室
52．．．反應管
53．．．線圈包扎層
54．．．高頻線圈
55．．．反應管天花板
56．．．氣體導入口
57．．．擋板
59．．．高頻電源
64．．．升降基板
65．．．升降旋轉軸
66．．．排氣口
84．．．控制器
92b．．．O型環
116．．．第一處理室群
116a、116b．．．處理室
117．．．第二處理室群
321．．．指孔板
321a．．．帶形狀部分
322．．．第一支撐部
323．．．第二支撐部
324．．．導引側壁
第1圖係有關本發明之一例示之實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。
第2圖係第1圖所示之基板處理裝置之一部分垂直剖面圖。
第3圖係第1圖所示之基板處理裝置之處理室群內的垂直剖面圖。
第4圖係第1圖所示之基板處理裝置之上處理室與下處理室的垂直剖面圖。
第5圖係有關本發明之一例示之實施形態之基板搬送裝置的概略構成圖。
第6圖係顯示本發明之參考例之習知構造的鑷子之一例的立體圖。
第7A圖係顯示於第6圖所示之鑷子上，晶圓發生變形狀態之一具體例的圖式。
第7B圖係顯示於第6圖所示之鑷子上，粒子發生狀態之一具體例的圖式。
第7C圖係顯示於第6圖所示之鑷子上，晶圓發生變形狀態之另一具體例的圖式。
第8圖係有關本發明之一例示之實施形態之基板搬送機構(鑷子)之一例的立體圖。
第9A圖係顯示於第8圖所示之鑷子上，晶圓發生變形狀態之一具體例的圖式。
第9B圖係顯示於第8圖所示之鑷子上，晶圓發生變形狀態之另一具體例的圖式。
1．．．晶圓
32a．．．上鑷子
32b．．．下鑷子
321．．．指孔板
321a．．．帶形狀部分
322．．．第一支撐部
323．．．第二支撐部
324．．．導引側壁

Claims (7)

  1. 一種基板搬送機構，係使用在基板處理裝置中的基板搬送裝置，該基板處理裝置具有處理基板的處理室及將該基板對該處理室進行搬送的該搬送裝置，該基板搬送機構包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的基板之支撐基體；第一支撐部，係於前述板狀體之面上配置複數個圓弧狀凸部而成，用以支撐前述基板外周端緣的內側；第二支撐部，係於比前述面上之前述第一支撐部還靠內側的位置配置複數個圓弧狀凸部而成；及前述第一支撐部與前述第二支撐部係在前述面上配置於同心圓上，形成比構成前述第一支撐部及前述第二支撐部之凸部高且和前述第一支撐部之間形成凹形狀部分的側壁係以和前述面上的所有前述第一支撐部對應的方式配置於前述板狀體之面上且比前述第一支撐部還靠外側。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板搬送機構，其中，構成前述第一支撐部與前述第二支撐部之複數個凸部係以前述基板之平面中心點為基準呈點對稱或以通過前述基板之中心點的線段為基準呈線對稱的方式配置；複數個前述凸部之中的位於對稱位置的前述凸部係建構成對前述基板的支撐面積相互相等。
  3. 一種基板處理裝置，包含：處理室，係處理基板；及搬送裝置，係進行對前述處理室搬送前述基板；前述搬送裝置包含：基板搬送機構，係支撐前述基板；及搬送機構移動部，係使前述基板搬送機構移動；前述搬送機構包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的前述基板之支撐基體；第一支撐部，係於前述板狀體之面上配置複數個圓弧狀凸部而成，及第二支撐部，係於比前述面上之前述第一支撐部還靠內側的位置配置複數個圓弧狀凸部而成，前述第一支撐部與前述第二支撐部係在前述面上配置於同心圓上，形成比構成前述第一支撐部及前述第二支撐部之圓弧狀凸部高且和前述第一支撐部之間形成凹形狀部分的側壁係以和前述面上的所有前述第一支撐部對應的方式配置於前述板狀體之面上且比前述第一支撐部還靠外側。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述搬送機構移動部係建構成以延伸於垂直方向之旋轉軸為軸自由旋轉，且建構成朝水平方向自由移動。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，構成前述第一支撐部與前述第二支撐部之複數個凸部係以 前述基板之平面中心點為基準呈點對稱或以通過前述基板之中心點的線段為基準呈線對稱的方式配置；複數個前述凸部之中的位於對稱位置的前述凸部係建構成對前述基板的支撐面積相互相等。
  6. 一種半導體裝置之製造方法，係使用基板處理裝置而進行的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備處理基板的處理室與對該處理室進行前述基板之搬送的搬送裝置而構成，該半導體裝置之製造方法包含：基板供應步驟，係前述搬送裝置朝前述處理室內搬入前述基板；處理步驟，係在前述處理室內處理前述基板；及基板搬出步驟，係前述搬送裝置從前述處理室內搬出前述基板；在前述基板供應步驟與前述基板搬出步驟之至少一者，係以基板搬送機構支撐作為搬送對象之前述基板的被支撐面，藉由搬送機構移動部使該基板搬送機構移動，該基板搬送機構包含：板狀體，係成為作為搬送對象物的前述基板之支撐基體；第一支撐部，係於前述板狀體之面上配置複數個圓弧狀凸部而成，用以支撐前述基板外周端緣的內側；第二支撐部，係於比前述面上之前述第一支撐部還靠內側的位置配置複數個圓弧狀凸部而成；及前述第一支撐部與前述第二支撐部係在前述面上配置於同心圓上，且形成比構成前述第一支撐部及前述第二支撐部之凸部高且和前述第一支撐部之間形成凹形狀部分的側壁係 以和前述面上的所有前述第一支撐部對應的方式配置於前述板狀體之面上且比前述第一支撐部還靠外側。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體裝置之製造方法，其中，構成前述第一支撐部與前述第二支撐部之複數個凸部係以前述基板之平面中心點為基準呈點對稱或以通過前述基板之中心點的線段為基準呈線對稱的方式配置；複數個前述凸部之中的位於對稱位置的前述凸部係建構成對前述基板的支撐面積相互相等。
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