JPS60249329A - スパッタエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は真空処理装置におけるスパッタエツチング機構
に関し、特にほぼ同じ形状寸法の多数の板状基体を自動
的に処理する装置における基体のスパッタエツチング機
構に関するものである。

〔従来技術〕

たとえばシリコン製のモノリシック集積回路の薄膜製造
工程においては、直径約１２５順厚み約０，５■程度の
円形薄板状シリコンウェハの上に約１ミクロン程度の金
属薄膜や絶縁薄膜を形成することが必要とされる。作製
すべき薄膜に必要とされる電気的・機械的−物理的緒特
性は一般的に真空容器内の不純物ガス分圧が低いほどす
ぐれたものが得られるので、スパッタリングにより薄膜
作製を行々う処理室は可能な限り大気に晒らす時陽を短
かくすることが望ましい。また同じ目的から処理室には
不純物ガス発生の原因となる物体をできるだけ持ち込ま
ないようにする必要があり、ウェハの移送に最低限必要
な物体に限定することが望まれ、理想的には薄膜を作製
すべきウエノ・だけを処理室に持ち込む構造の装置が望
まれる。大量のウェハに均質な薄膜を能率よく作製する
ためにはウェハρ操作はできる限り作業者が直接手を触
れずに自動的に移送処理することが望ましい。一般に薄
膜作成前にシリコンウェハはイオン衝撃によりエツチン
グを行ない表面酸化層または表面汚染層を除去する過程
を経る。

このようなシリコンウェハの表面酸化層または表面汚染
層を除去するために用いられた従来のスパッタエツチン
グ機構はたとえば米国特許第４゜４０５．４３５号に示
される通り真空容器内に配置されたスパッタエツチング
ステージ上に、処理すべきシリコンウェハのような基体
を基体搬送機構の載置アーム上に載せて移動させ、つい
で前記スパッタエツチングステージ上に基体を載置した
後、スパッタエツチングを行なうようになっている。

しかしこの従来機構は基体を載置するアームおよびその
支持機構のすべてが金属材によって構成されており、こ
のためスパッタエツチングを行なうときにはこのアーム
をスパッタエツチングステージ上から排除しなければな
らない。

すなわち基体を載置するアームを金属材で構成すると、
スパッタエツチング処理時にこのアームにイオンが衝突
したときに飛び出す金属が基体表面を汚染して基体に好
ましくない影響を与えてしまう。

このため、通常はスパッタエツチングステージ上までア
ームを回転し、ついで下降させてステージ上にウェハを
載置した後、再びアームを上昇させ、回転させてスパッ
タエツチングに支障のない位置までアームを移動させて
いｆｃ。このようなアームの移動作業は再びアームをス
パッタエツチングステージ上に移動させ、その後スパッ
タエツチング処理の行なわれた基体をつぎの工程に搬送
する工程を必要とし、基体搬送機構の制御回路にこの機
能を付加しなければならず真空処理装置のコストアップ
の要因ともなっている。

〔発明の目的および構成〕

それ故、本発明の主目的はスパッタエツチング処理時に
も基体を載置するアームをスパッタエツチングステージ
上から排除する必要のない改善された真空処理装置にお
けるスパッタエツチング機構を提供するにある。

本発明の他の目的は、ウェハに汚染をもたらしにくい構
造の真空処理装置におけるスパッタエツチング機構を提
供することである。

本発明の別の目的は、生産性の高い自動的なウェハ搬送
系と結合した真空処理装置におけるスパッタエツチング
機構を提供することである。

本発明の別の目的は、多数のウェハを再現性よくエツチ
ングできるような、安定した放電を行なうことのできる
真空処理装置におけるスパッタエツチング機構を提供す
るものでおる。

このような目的を達成するために、載置アームの基体を
載置する基体サポート部分を絶縁物によって構成し、こ
れにより基体サポート部分に基体を載置した状態でスパ
ッタエツチング処理を行なうようにしたものである。

以下図面により本発明の具体的実施例を説明する。

〔実施例〕

第１図は本発明による真空処理装置におけるスパッタエ
ツチング機構の一実施例を示し、特にスパッタ装置に適
用した場合を示す。同図においてスパッタ装置は４個の
連結してはいるが相互にパルプを介在することにより独
立して排気することのできる４個の真空室、即ちロード
ロック室１０．バッファー室２０．エツチング処理室３
０．およびスパッタ室４０で構成され、それぞれの真空
室は図示されていない真空ポンプにより排気することが
できる。

ロードロック室１０は、図示されていない扉からウェハ
を収容したカセット１１を挿入しその内部に設置するこ
とができ、またウェハへの膜付処理終了後、扉からウェ
ハを収容したカセット１１を取出すことができる。バッ
ファ室２０には２個のウェハ収容棚２１およ・び２２が
設けられロードロック室１０の未処理ウェハＡは矢印１
０１に示す如く水平に搬送され未処理ウェハ収容棚２１
の位置Ｂに移送される。また処理済ウェハ収容棚２２の
位置Ｊのウェハは、矢印１０９に示す如く移送してロー
ドロック室１０内のカセット１１に移送することができ
る。バッファ室２０とロードロック室１０の接続口にゲ
ートバルブ１２が設けられている。ロードロック室１０
の図示されていない扉を開き大気圧にしてロードロック
室１０に未処理ウニ八人りカセットを挿入したり、ある
いは処理済ウェハ入りカセットをロードロック室１０か
ら取出すときには、ゲートパルプ１２は閉じられ、ロー
ドロック室１０とバッファ室２０が共に真空状態になり
ウェハを矢印１０１あるいは１０９に示す如く移送する
ときは、ゲートバルブ１２が開いている。

エツチング処理室３０は、スパッタエツチングステージ
３１及び加熱ステージ３２と、本発明によって特徴ずけ
られ後述する基体載置アームを備えた基体搬送機構を備
えている。またバッファ室２０とエツチング処理室３０
の接続口にはゲートバルブ２３が、エツチング処理室３
０とスパッタ室４０との接続口にはゲートバルブ３３が
それぞれ設けられ、それぞれ独立に開閉できるように構
成されている。バッファ室２０の未処理ウエノ）Ｂは、
矢印１０２に従って反時計方向に搬送されてエツチング
ステージ３１に載置され、スパッタエツチング処理が打
力われる。このスパッタエツチング処理が終ると、つき
゛に矢印１０３に従ってスパック室４０に搬送され、ウ
ェハホルダ４１に取付けられてＤの位置に移される。ま
たスパッタ室４０において膜付処理されたウェハは、矢
印１０７に従いエツチング処理室３０の加熱ステージ３
２に移送される。加熱ステージ３２において、ウェハＨ
は膜付後加熱処理されることもあるが、加熱はしないで
放置冷却されることもある。更に処理済みウェハは、矢
印１０８に従いバッファ室２０の処理済みウェハ棚２２
に移送される。エツチング処理室３０におけるウェハの
搬送は本発明の特徴とするところであり、後に更に詳細
な説明を行なう。

スパッタエツチングを行なう場合には、図示していない
ガス導入系により、一般にアルゴンガスをエツチング処
理室３０に導入し１０−”Ｔｏｒｒないし１Ｏ−２Ｔｏ
ｒｒの範囲のある特定の圧力を維持しながら、スパッタ
エツチングステージ３１の高周波電極とアース電位の真
空容器壁の間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生せ
しめ、エツチングテーブル上のウェハにアルゴンイオン
を衝撃せしめてスパッタエツチングを行なう。この場合
、必要力らは逆にエツチングテーブルをアース電位にし
て別にこれと対向する位置に高周波電極を設けてもよい
。絶対必要な訳ではないが、通常ロードロック室１０と
バッファ室２０の間の接続口が開いて両者の間でウェハ
の相互移送が行なわれているときには、ゲートバルブ２
３を閉じることが、スパッタエツチング処理室３０の真
空の質を良好に維持する上で望ましい。また同様に、エ
ツチング処理室３０から汚染されたガスがスパッタ室４
０へ拡散して浸入するのを抑制するために、絶対必要で
はないが、エツチング処理をしている時間内はゲートバ
ルブ３３を閉じて、エツチング処理を行なっていない時
間内にゲートバルブ３３を開き、エツチング処理室３０
とスパッタ室４００間のウェハの相互移送を行なうこと
が望ましい。

スパッタ室４０においては、エツチング処理室３０から
搬送されたウェハは図示されていない機構によりウェハ
ホルダ４１に垂直に取付けられる。

スパッタ室４０の壁で、エツチング処理室３０との境界
壁を除く３つの垂直な壁の内側には、加熱機構４２．ス
パッタ電極４３および４４がそれぞれ設けられている。

ウェハホルダ４１はその中心軸のまわりに約９０°間隔
で回転して静止することができる。エツチング処理室３
０から移送され、ウェハホルダ４１に自動的に挿通され
たウェハＤは、矢印１０４に従いＥの位置に移送され、
ランプ４２１と反射板４２２で構成される加熱機構によ
り、その表面から加熱される。ついで矢印１０５に従い
位置Ｆに移送され、ここでターゲット４３１から放出さ
れるスパンぞ原子の付着が行なわれる。更に反時計方向
の矢印１０６に従い位置Ｇに移送され、ここでターゲッ
ト４４１から放出されるスパッタ原子の付着が行なわれ
る。そして矢印１０７に従い、ウェハは位置りを経てス
パッタ室４０からエツチング処理室３０に移送される。

これまでの説明において、各室内及び各室相互間のウェ
ハ移送はすべて二枚に着目しておこなわれたが、実際に
は、これらの搬送は時間的に同時進行して行なわれる。

従って例えはスパッタ室において、ウェハホルダ４１に
は同時に４枚のウェハＤ、Ｅ、Ｆ、Ｇが挿着されている
し、また一方でスパッタエツチング処理中のウェハＣ１
処理済みウェハＨ等もすべての調和をとりながら同時に
搬送される。

第２図は、第１図に示されるエツチング処理室３０を中
心に本発明の特徴とするスパッタエツチング機構をより
具体的に示している。なお同図において真空容器壁及び
パルプは断面をハツチングで示している。バッファ室２
０とエツチング処理室３０の閣のウェハの相互水平搬送
は、ベルト機構２３Ａおよび３５によって行なわれる。

またエツチング処理室３０とスパッタ室４０の間のウェ
ハの相互水平搬送は、ベルト機構３６および４５によっ
て行なわれる。エツチング処理室３０のｔｔぼ中央部に
、回転中心軸３４０をもつ基体搬送機構３４が設けられ
ている。基体搬送機構３４０回転・上下運動を行々う駆
動軸３４１には、はぼ水平に張り出した基体載置アーム
の基体サポート部３４２゜３４３　、３４５　、３４６
が取付けられている。ウェハの搬送とエツチング処理を
効率よく行ない、装置全体の単位時間当りウェハ処理数
を充分多くするためには、基体載置アームの数は複数で
あることが必要で、この図には４個の組合わせ例が示さ
れている。図の状態において第１の基体サポート部３４
２は、ベルト機構２３Ａおよび３５を経由してバッファ
室２０より搬送された未処理ウェハを、二点鎖線で外周
を示す位置Ｋに保持することができ、また既に処理され
たウェハＫを載せている場合には、ここからベルト機構
３５および２３Ａを経由してバッファ室２０に処理済み
ウェハを搬送することができる。第１の基体サポート部
３４２とベルト機構３５の間のウェハの受け渡しについ
ては、後に第３図により詳細に説明を行なう。第２の基
体サポート部３４３は未処理ウェハＣを保持したままス
パッタエツチングステージ３１の一部を構成し、この場
所においてウェハのスパッタエツチング処理が所定の時
間性なわれる。スパッタエツチングステージ３１の構成
については後に第４図ないし第７図により詳細な説明を
行彦う。第３の基体サポート部３４５に載せられたスパ
ッタエツチング処理済みウェハＬは、ベルト機構３６お
よび４５を経由して、スパッタ膜をその光面に付着する
ためにスパッタ室４０に搬送され、またスパッタ室４０
からベルト機構４５および３６を経由して搬送されてく
る、スパッタ膜が付着したウェハを、外周を示す二点鎖
線りの位置に受取ることができる。

第３の基体サポート部３４５とベルト機構３６の間のウ
ェハの受け渡しについては、後に第３図により詳細な説
明を行なう。第４の基体サポート部３４６は、処理済み
ウェハＨを保持して加熱ステージ３２上にあり、こ゛こ
でウェハの加熱処理を行なう。必要に応じて加熱のかわ
りに放置冷却を行なうこともできる。しかしこの図の状
態における第４の基体サポート部３４６の上に載せられ
たウェハの処理は、本発明の要旨とは直接関連しないの
でこれ以上の説明は省略する。

前述した４個の基体サポート部におけるウェハの受け渡
し、スパッタエツチング処理、加熱あるいは放置冷却は
、いずれも別々の場所でほぼ同時に行なわれる。駆動軸
３４１は矢印３４１１の方向に回転することができ、第
１の基体サポート部３４５は、ウェハを載せたまま約９
０°回転して、第２の基体サポート部が以前に存在して
いた場所に移動し停止することができ、次の約９０°の
回転により、第３の基体サポート部が以前存在していた
場所に移動して停止し、更に約９０°の回転により、第
４の基体サポート部が以前存在していた場所に移動して
停止し、もう一度約９０°回転して最初の位置に戻る。

第３図は第２図の１−１線方向からみた装置の縦断面を
示す。パンファ室２０とエツチング処理室３０の間のウ
ェハの相互移送は、ベルト２３３とブＩＪ　−２３１、
２３２からなるベルト機構２３Ａおよびベルト３５３と
プリー３５１　、３５２からなるベルト機構３５によっ
て、ベルト上にウェハをほぼ水平に配置して行なわれる
。またエツチング室３０とスパッタ室４０の間のウニへ
の相互移送は、ベルト３６３とプリー３６１　、３６２
からなるベルト機構３６およびベルト４５３とプリー４
５１　、４５２からなるベルト機構４５によって、ベル
ト上にウェハをほぼ水平に配置して行なわれる。ウェハ
Ｋ及びＬをそれぞれ載せた基体サポート部３４２および
３４５は、駆動軸３４１に取付けられたまま、駆動源３
７により軸３４０のまわりに回転することと、矢印３４
１２および３４１３に示す方向に上昇あるいは下降の運
動をそれぞれ独立に行なうことができる。本図の状態に
おいて駆動軸３４１は上昇して上限に停止しているが、
このまま回転ができる。また駆動軸３４１を下降して下
限に位置するとウェハＫ及びＬはそれぞれベルト３５３
および３６３の上に載り、グリ−の駆動により基体サポ
ート部３４２および３４５からそれぞれ移動することが
できる。ウェハの基体サポート部への受け渡しも同様に
して行なうことができる。なお図示されていないスパッ
タエツチングステージ３１および加熱または放置冷却ス
テージ３２へのウェハの載置をすることは、駆動軸３４
１を下降して下限に停止した状態でなされる。

またこの基体搬送機構の上述した上下および回転運動を
行々わせる機構は公知であり、ここでは省略されている
。

第４図は、第２図のＩＶ−Ｐｉ線方向がらみたときのス
パッタエツチングステージ３１の縦断面構造を示す。図
において、真空容器の壁１に高周波電極３１１が円柱状
絶縁部材３１６を介して取付けられ、エツチング処理室
３ｏに組込１れている。真空容器壁１と高周波電極３１
１の間の気密シールは２本のＱ　ＩＪング３１７および
３１８によってなされ、高周波電極３１１はねじ２によ
り絶縁体３を介して真空容器壁１の内側に押しつけるカ
を与えられている。

また高周波電極３１１には冷却水の導入管３１２および
排水管３１４が設けられ、矢印３１４に示す方向に冷却
水を流すことができ、高周波電力の投入により電極全体
の過度の温度上昇が抑制される。高周波電極３１１の外
周側面３１１１はほぼ円筒状をしておシ、これを包囲す
るように円筒状のアース７−ルド３１９が配置され、こ
のアースシールド３１９の内周面３１９１とエツチング
用高周波電極３１１の外周側面３１１１との間に間隙が
設けられている。この間隙は、この空間において放電を
生じないよう充分狭い間隔に定められる。高周波電極３
１１の表面は円筒状になっており、その上に石英製下板
３２０、石英製上板３３Ｇおよび石英製の基体サポート
部３４３で構成される石英製エツチングテーブルが載置
され、更にこの上にエツチングすべきウェハＣが載置さ
れる。エツチングテーブルはほぼ水平状に配置されるの
で、エツチングすべきウェハＣは自身の重量で動かずに
静止している。エツチングテーブルを構成する要素につ
いては後に第５図ないし第７図により説明する。真空容
器内ｉ。

に図示していない手段によりアルゴンガスを導入し、１
０−３ないし１，０−１Ｔｏｒｒの圧力に設定し、高周
波電源４０より整合回路４１を経由してアース電位との
間に電力を投入すると、エッチングテープルの表面に接
する空間近傍でプラズマが発生し、アルゴンイオンが発
生し、シリコンウエノＳＣの表面が衝撃を受け、クリー
ニングが行なわれる。通常１回のクリーニングでエツチ
ングされるウェハ表面層の厚みは約１００オングストロ
ームのごくわずかな量であるが、何回か繰返すと、エツ
チングされた試料から飛出した物質は真空容器の内壁面
および内部構造物の表面に付着して薄膜を形成する。エ
ツチングを何回も繰返すに従い前記薄膜が厚くなり、付
着面から剥離して塵埃となり落下するが、この内の一部
は高周波電極３１１とアースシールド３１９の間の空隙
に入り込み、高周波電極とアース電位の間の絶縁耐圧を
劣化させる原因となる。本発明においてはそれらの危険
性を最小限に抑制するために、高周波電極３１１の表面
３１１２はアースシールド円筒３１９の端部３１９２よ
り上の高い位置に設置され、かつエツチングテーブルを
構成する部材３２０　、３３０および基体サポート部３
４３が作る円の外周側面３２０１の直径は、アースシー
ルド３１９の内周面３１９１の直径より大きくしである
。またエツチングテーブルと接する高周波電極３１１の
表面には、ピン３１５ａおよび３１５ｂを挿入して石英
製エツチングテーブルの裏面に設けられた陥没部にはめ
あいせしめ、両者の相対的位置関係を固定している。

このような構造により、スパッタエツチング処理による
ウェハのクリーニングを多数回繰返し行なって、真空容
器内壁面および内部構造物の表面に付着した不要薄膜が
剥離して落下してきても、これが高周波電極３１１とア
ースシールド３１９の間の空隙に入り込む確率は極めて
少なくなり、従って長期間にわたり安定かつ再現性よく
スパッタエツチング処理を行なうことができる。

第５図はエツチングテーブルを構成する石英製下板３２
０と石英製上板３３０の相対的位置関係を示す。石英製
下板３２０はほぼ完全な円形の平板であり、石英製上板
３３０はそれより直径の小さい円形平板２箇所を切り欠
いた形状をとり、２本の直線３３０１　、３３０２と２
本の円弧３３０３　、３３０４　からなる外周を持って
いる。

第６図は、基体載置アームの基体サポート部３４３の更
に詳細力構造と、そこに載せられるウェハＣを、第７図
は第６図の■−■線方向の断面を示す。アームの円周は
、第５図の石英製上板３３０の外周よりわずかに広く、
エツチングステージ３１の上で若干の間隙を隔てて、そ
の内側に石英製上板３３０を包囲するように配置するこ
とができる。

その際に基体サポート部３４３の内周辺３４３６．３４
３７と内周円弧３４３８は、狭い間隙を隔てて石英製上
板３３０の外周辺３３０１　、３３０２と外周辺円弧３
３０３にそれぞれ対向し、また基体サポート部３４３の
外周円弧３４３９ａおよび３４３９ｂは、石英製上板３
３０の外周辺円弧３３０４とほぼ連続した同じ直径の１
つの円弧を形成する。基体サポート部３４３の底面は２
段階になっており、一対の棚３４３２ａおよび３４３２
ｂを有し、これらの棚でウェハＣの裏面を支持してウェ
ハの搬送を行なうが、エツチングステージ３１上ではこ
れらの棚３４３２ａおよび３４３２ｂの高さは石英製上
板３３０の表面の高さより極めてわずかに低くなり、ウ
ェハＣの裏面は第４図に示すように石英製上板３３０の
表面に接して支持され、棚３４３２ａおよび３４３２ｂ
　には接するか、非常に狭い間隔で隔てられるかのいず
れかの状態をとる。

基体サポート部３４３は、基体載置アームの接続部３４
３４により駆動軸３４１に固定され、接続部３４３４と
基体サポート部本体３４３１は、ビン３４３５によって
固定され、これにより駆動軸３４１と連動せしめられる
。駆動軸３４１および接続部３４３４は一般に金属製で
あり、かつアース電位であるために、ウェハに触れる部
分のエツチングテーブル３１を構成する各材質は絶縁物
であることが望ましく、実用的には石英ガラスが最も利
用しやすい。したがって、石英アーム３４３１　、石英
製上板３３０１石英製下板３２０の３個の物体は、円形
表面３１１２をもつ高周波電極３１１の上にほぼ円形平
板上の絶縁物エツチングテーブルを構成し、自動的にウ
エノ）をこの上に移送し、またこの上から別の場所へ移
送することができる。石英製下板３２０は、石英製上板
３３０の外周と石英アーム３４３１の内周の間に生ずる
間隙を通過して高周波電極に加速されるイオンが、直接
、金属電極３１１の表面３１１２を衝撃して汚染を発生
することを防止する役割を果すものである。なお、エツ
チングテーブルを構成する各部材は基体よりもエツチン
グ速度の遅い絶縁材料であればよく、たとえば基体とし
てシリコンを用いる場合は石英ガラス、アルミナ等をあ
げることができる。

前述した第２図の説明において、４個の基体サポート部
３４２　、３４３　、３４５　、３４６には特別に差異
を設けなかった。しかし第１図に示すような構成のスパ
ッタ装置において最も効率よく生産を行なうためには、
第２図における４個の基体載置アームの基体サポート部
を、未処理ウェハ搬送用と処理済みウェハ搬送用に区別
をつけることが有益である。以下再び第２図に戻り第８
図（４）ないし第８図（ロ）を併用して説明する。図に
おいて、第１および第３の基体サポート部３４２　、３
４５は処理済みウェハ搬送専用に、第２および第４の基
体サポート部３４３　、３４６は未処理ウェハ搬送専用
にすることができる。第８図（Ｎの状態において第１の
基体サポート部３４２は、処理済みウェハＫを搬送して
きてベルト機構３５　、２３Ａと連動し、バッファ室２
０へ移送する。同時に第２の基体サポート部３４３は、
未処理ウェハＣを搬送してきてエツチングステージ３１
上でスパッタエツチング処理を行々う。また同時に第３
の基体サポート部３４５は、スパッタ室２０において膜
付処理されたウェハＬをベルト機構４５．３６と連動し
て受けとる。つぎに、前述の駆動軸３４１の上昇および
約９０°の回転運動と、それに続く駆動軸の下降運動を
経て第８図（功の状態に移行する。ここで第４の基体サ
ポート部３４６は、ベルト機構２３Ａ　、　３５と連動
して未処理ウェハに′を受け取り、他方箱２の基体サポ
ート部３４３からスパッタエツチング処理が施されたウ
ェハ〇が、ベルト機構３６．４５と連動して送り出され
る。また第３の基体サポート部３４５は処理済みウェハ
Ｌの加熱または放置冷却を行なう。更に再び駆動軸３４
１の運動により第８図（Ｑの状態に移行する。ここで第
３の基体サポート部３４５の処理済みウェハＬはバッフ
ァ室２０へ移送され、同時に第１の基体サポート部３４
２はスパッタ室４０から処理済みウェハＬ′を受け取り
、また第４の基体サポート部３４６に載せられたウェハ
に′はエツチングステージ３１でスパッタエツチングを
施される。ついで繰返される駆動軸３４１の運動により
第８図の）の状態に移行し、第２の基体サポート部３４
３は未処理ウェハＫ“を受けとり、第４の基体サポート
部３４６の未処理ウェハに′はスパッタ室２０へ移送さ
れ、同時に第１の基体サポート部３４２の処理済みウェ
ハＬ′が加熱または冷却される。このようにして駆動軸
３４１を約９０°ステツプで回転することを繰返し、未
処理ウェハと処理済みウエノ１の搬送用基体サポート部
を区別して用いることにより、搬送のための基体サポー
ト部とベルト機構との相互間のウェハの受け渡しと、エ
ツチングステージ３１および加熱または冷却ステージに
おける処理の時間の配分を適切に調整して、生産性をあ
げることができる。この場合には、未処理ウエノ・を搬
送する第２．第４の基体サポート部３４３　、３４６は
、エツチングステージ３１で高周波スパッタエツチング
処理に関与し、処理済みウェハを搬送する第１゜第２の
基体サポート部３４２　、３４５はスパッタエツチング
処理に関与しない。従って４個の基体載置アームの基体
サポート部のうち、相対向する２本の基体サポート部は
石英製とし、他の相対向する２本の基体サポート部は金
属製としておけばよい。

以上で本発明の具体的実施例を説明したが、エツチング
機構における基体載置アームの数は４個に限定されるも
のではない。

またＩＣ製造プロセスにおけるウェハを基体とする場合
の真空処理装置について説明したが、スパッタ装置と組
合されるスパッタエツチング機構に限定されるものでは
ない。

ング機構は以上説明した通りであって、多数の基体を自
動的に搬送し再現性よく汚染の危険性を低くしてスパッ
タエツチングをすることができる。

その生産性は極めて高く、本発明が半導体装置の製造等
に寄与するところは大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による真空処理装置におけるスパッタエ
ツチング機構が適用されるスパッタ装置の構成を示す図
、第２図は第１図におけるスパッタエツチング機構を示
す図、第３図は第２図の１−■線方向から見た縦断面図
、第４図はエツチングステージの縦断面図、第５図はエ
ツチングテーブルを構成する石英製下板と上板を示す図
、第６図は基体載置アームの基体サポート部の平面図、
第７図は基体サポート部の縦断面図、第８図（Ａ）。 （Ｂ）　、　（Ｃ）　、■は本発明の変形例を示す基体
ザボート部とウェハの搬送と停止状態の説明図である。 １０拳・ｅ・ロードロック室、２０＠・・・バッファ室
、３０・・・・エツチング処理室、４０・・・轡スパッ
タ室、２３Ａ、３５．３６．４５　・・・−ベルト機構
、３４・・・拳基体搬送機構、３４１・参・・駆動軸、
３４２　、３４３　、３４５　、３４６・・・・基体サ
ポート部、３１・・・・エツチングステージ、３１１・
・・・高周波電極、３２０・・・・エツチングテーブル
石英製下板、３３０−・０・エツチングテーブル石英製
上板、３１１１　・・・・高周波電極の外周側面、３１
１２・・φ・高周波電極のほぼ平坦な円形表面、３１２
・・・・水導入管、３１３・・・１水排出管、３１４・
―・・冷却水の流れの方向、３１５ａ、３１５ｂ・・・
・ビン、３１６−−−−絶縁体、３１７　、３１８・・
・・真空シール０リング、３１９・拳−・アースシール
ド、３４３１　・・―・基体サポート部本体、３４３２
ａ　＋　３４３２ｂ　・・・−棚、３４３４　＠・・・
接続部、３４３５・・・・ビン、Ａ。 Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｊ、に、に’、Ｋ”ｌ　
Ｌ　ＩＬ′　・＠＠台ウェハ。 特許出願人　日電アネルバ株式会社 代理人　山川政樹（ほか２名） 第５図 第７図 第８図 （Ａ）　（Ｂ）　（。） （Ｄ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空容器と該真空容器内に収容されたスパッタエツ
   チングステージと、処理すべき基体を載置する形状の載
   置アームを持った基体搬送機構とを備え、前記載置アー
   ム上に載置した基体を前記スパッタエツチングステージ
   上に位置させてスパッタエツチングを行なうようにした
   真空処理装置におけるスパッタエツチング機構において
   、前記載置アームの基体を載置する基体サポート部分は
   絶縁物によって構成され、これにより該基体サポート部
   分に基体を載置した状態でスパッタエツチング処理する
   ことを特徴とする真空処理装置におけるスパッタエツチ
   ング機構。 ２、該基体サポート部分は、基体よりもエツチング速度
   の遅い絶縁材料によって構成されることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のスパッタエツチング機構。 ３、該スパッタエツチングステージは、高周波電極と、
   この表面をおおう石英製下板と、この石英製下板上に固
   定され石英製下板の外周線より少なくとも一部の外周線
   が内側になるような配置の石英製上板と、石英製の前記
   基体サポート部を組合わせて前記高周波電極上に配置し
   た組合わせエツチングテーブルとなり、この組合わせエ
   ツチングテーブル上に載せられた基体をスパッタエツチ
   ングすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   スパッタエツチング機構。 ４、回転・上下運動を行なう前記基体搬送機構は、その
   回転中心軸のまわりに約９０°の間隔で配置された４個
   の石英製基体サポート部を有する基体載置アームを備え
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッ
   タエツチング機構。 ５、回転・上下運動を行々う前記基体搬送機構は、その
   回転中心軸のまわりに約９０’の間隔で配置された４個
   の基体サポート部を有する基体載置アームを備え、これ
   らの基体サポート部のうち向いあう２個は石英製であり
   別の向いあう２個は金属製であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載のスパッタエツチング機構。