JPH0260055B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、真空処理装置におけるスパツタエツ
チング装置に関し、特にほぼ同じ形状寸法の多数
の板状基体を自動的に処理する装置における基体
のスパツタエツチング機構に関するものである。

〔従来技術〕

たとえばシリコン製のモノリシツク集積回路の
薄膜製造工程においては、直径約125mm厚み約0.5
mm程度の円形薄板状シリコンウエハの上に約１ミ
クロン程度の金属薄膜や絶縁薄膜を形成すること
が必要とされる。作成すべき薄膜に必要とされる
電気的・機械的・物理的諸特性は一般的に真空容
器内の不純物ガス分圧が低いほどすぐれたものが
得られるので、スパツタリングにより薄膜作製を
行なう処理室は可能な限り大気に晒らす時間を短
かくすることが望ましい。また同じ目的から処理
室には不純物ガス発生の原因となる物体をできる
だけ持ち込まないようにする必要があり、ウエハ
の移送に最低限必要な物体に限定することが望ま
れ、理想的には薄膜を作成すべくウエハだけを処
理室に持ち込む構造の装置が望まれる。大量のウ
エハに均質な薄膜を能率よく作成するためにはウ
エハの操作はできる限り作業者が直接手を触れず
に自動的に移送処理することが望ましい。一般に
薄膜作成前にシリコンウエハはイオン衝撃により
エツチングを行ない表面酸化層または表面汚染層
を除去する過程を経る。

このようなシリコンウエハの表面酸化層または
表面汚染層を除去するために用いられた従来のス
パツタエツチング機構はたとえば米国特許第
4405435号に示される通り真空器内に配置された
スパツタエツチングステージ上に、処理すべきシ
リコンウエハのような基体を基体搬送機構の載置
アーム上に載せて移動させ、ついで前記スパツタ
エツチングステージ上に基体を載置した後、スパ
ツタエツチングを行なうようになつている。しか
しこの従来機構は基体を載置するアームおよびそ
の支持機構のすべてが金属材によつて構成されて
おり、このためスパツタエツチングを行なうとき
にはこのアームをスパツタエツチングステージ上
から排除しなければならない。

すなわち基体を載置するアームを金属材で構成
すると、スパツタエツチング処理時にこのアーム
にイオンが衝突したときに飛び出す金属が基体表
面を汚染して基体に好ましくない影響を与えてし
まう。

このため、通常はスパツタエツチングステージ
上までアームを回転し、ついで下降させてステー
ジ上にウエハを載置した後、再びアームを上昇さ
せ、回転させてスパツタエツチングに支障のない
位置までアームを移動させていた。このようなア
ームの移動作業は再びアームをスパツタエツチン
グステージ上に移動させ、その後スパツタエツチ
ング処理の行なわれた基体をつぎの工程に搬送す
る工程を必要とし、基体搬送機構の制御回路にこ
の機能を付加しなければならず真空処理装置のコ
ストアツプの要因ともなつている。

〔発明の目的および構成〕

それ故、本発明の主目的はスパツタエツチング
処理時にの基体を載置するアームをスパツタエツ
チングステージ上から排除する必要のない改善さ
れたスパツタエツチング装置を提供するにある。

本発明の他の目的は、ウエハに汚染をもたらし
にくい構造のスパツタエツチング装置を提供する
ことである。

本発明の別の目的は、生産性の高い自動的なウ
エハ搬送系と結合したスパツタエツチング装置を
提供することである。

本発明の別の目的は、多数のウエハを再現性よ
くエツチングできるような、安定した放電を行な
うことのできるスパツタエツチング装置を提供す
るものである。

このような目的を達成するために、真空容器内
に収容されたスパツタエツチングステージと、処
理すべき基体を載置する形状の載置アームを持つ
た基体搬送機構とを備え、載置アーム上に載置し
た基体をスパツタエツチングステージ上に位置さ
せてスパツタエツチングを行なうようにし、この
スパツタエツチングステージを、高周波電極と、
この高周波電極の表面をおおうように設けられた
石英製下板と、この石英製下板上に固定され石英
製下板の外周線より少なくとも一部の外周線が内
側になるように配置された石英製上と、これら石
英製上板および石英製下板にかん合して表面が平
坦なエツチングテーブルの一部を構成する石英製
の前記載置アームとにより構成し、これによりツ
チングテーブルに基体を載置した状態でスパツタ
エツチング処理を行なうようにしたものである。

以下図面により本発明の具体的実施例を説明す
る。

〔実施例〕

第１図は本発明によるスパツタエツチング装置
の一実施例を示し、特にスパツタ装置に適用した
場合を示す。同図においてスパツタ装置は４個の
連結してはいるが相互にバルブを介在することに
より独立して排気することのできる４個の真空
室、即ちロードロツク室１０、バツフアー室２
０、エツチング処理室３０、およびスパツタ室４
０で構成され、それぞれの真空室は図示されてい
ない真空ポンプにより排気することができる。

ロードロツク室１０は、図示されていない扉か
らウエハを収容したカセツト１１を挿入しその内
部に設置することができ、またウエハへの膜付処
理終了後、扉からウエハを収容したカセツト１１
を取出すことができる。バツフア室２０には２個
のウエハ収容棚２１および２２が設けられロード
ロツク室１０の未処理ウエハＡは矢印１０１に示
す如く水平に搬送され末処理ウエハ収容棚２１の
位置Ｂに移送される。また処理済ウエハ収容棚２
２の位置Ｊのウエハは、矢印１０９に示す如く移
送してロードロツク室１０内のカセツト１１に移
送することができる。バツフア室２０とロードロ
ツク室１０の接続口ゲートバルブ１２が設けられ
ている。ロードロツク室１０の図示されていない
扉を開き大気圧にしてロードロツク室１０に末処
理ウエハ入りカセツトを挿入したり、あるいは処
理済ウエハ入りカセツトをロードロツク室１０か
ら取出すときには、ゲートバルブ１２は閉じら
れ、ロードロツク室１０とバツフア室２０が共に
真空状態となりウエハを矢印１０１あるいは１０
９に示す如く移送するときには、ゲートバルブ１
２が開いている。

エツチング処理室３０は、スパツタエツチング
ステージ３１及び加熱ステージ３２と、本発明に
よつて特徴ずけられ後述する基体載置アームを備
えた基体搬送機構を備えている。またバツフア室
２０とエツチング処理室３０の接続口にはゲート
バルブ２３が、エツチング処理室３０とスパツタ
室４０との接続口にはゲートバルブ３３がそれぞ
れ設けられ、それぞれ独立に開閉できるように構
成されている。バツフア室２０の末処理ウエハＢ
は、矢印１０２に従つて反時計方向に搬送されて
エツチングステージ３１に載置され、スパツタエ
ツチング処理が行なわれる。このスパツタエツチ
ング処理が終ると、つぎに矢印１０３に従つてス
パツタ室４０に搬送され、ウエハホルダ４１に取
付けられてＤの位置に移される。またスパツタ室
４０において膜付処理されたウエハは、矢印１０
７に従いエツチング処理室３０の加熱ステージ３
２に移送される。加熱ステージ３２において、ウ
エハＨは膜付後加熱処理されることもあるが、加
熱はしないで放置冷却されることもある。更に処
理済みウエハは、矢印１０８に従いバツフア室２
０の処理済みウエハ棚２２に移送される。エツチ
ング処理室３０におけるウエハの搬送は本発明の
特徴とするところであり、後に更に詳細な説明を
行なう。スパツタエツチングを行なう場合には、
図示していないガス導入系により、一般にアルゴ
ンガスをエツチング処理室３０に導入し
10^-3Torrないし10^-2Torrの範囲のある特定の圧
力を維持しながら、スパツタエツチングステージ
３１の高周波電極とアース電位の真空容器壁の間
に高周波電圧を印加し、プラズマを発生せしめ、
エツチングテーブル上のウエハにアルゴンイオン
を衝撃せしめてスパツタエツチングを行なう。こ
の場合、必要ならばエツチングテーブルをアース
電位にして別にこれと対向する位置に高周波電極
を設けてもよい。絶対必要な訳ではないが、通常
ロードロツク室１０とバツフア室２０の間の接続
口が開いて両者の間でウエハの相互移送が行なわ
れているときには、ゲートバルブ２３を閉じるこ
とが、スパツタエツチング処理室３０の真空の質
を良好に維持する上で望ましい。また同様に、エ
ツチング処理室３０から汚染されたガスがスパツ
タ室４０へ拡散して浸入するのを抑制するため
に、絶対必要ではないが、エツチング処理をして
いる時間内はゲートバルブ３３を閉じて、エツチ
ング処理を行なつていない時間内にゲートバルブ
３３を開き、エツチング処理室３０とスパツタ室
４０の間のウエハの相互移送を行なうことが望ま
しい。

スパツタ室４０においては、エツチング処理室
３０から搬送されたウエハは図示されていない機
構によりウエハホルダ４１に垂直に取付けられ
る。スパツタ室４０の壁で、エツチング処理室３
０との境界壁を除く３つの垂直な壁の内側には、
加熱機構４２、スパツタ電極４３および４４がそ
れぞれ設けられている。ウエハホルダ４１はその
中心軸のまわりに約90゜間隔で回転して静止する
ことができる。エツチング処理室３０から移送さ
れ、ウエハホルダ４１に自動的に挿通されたウエ
ハＤは、矢印１０４に従いＥの位置に移送され、
ランプ４２１と反射板４２２で構成される加熱気
構により、その表面から加熱される。ついで矢印
１０５に従い位置Ｆに移送され、ここでターゲツ
ト４３１から放出されるスパツタ原子の付着が行
なわれる。更に反時計方向の矢印１０６に従い位
置Ｇに移送され、ここでターゲツト４４１から放
出されるスパツタ原子の付着が行なわれる。そし
て矢印１０７に従い、ウエハは位置Ｄを経てスパ
ツタ室４０からエツチング処理室３０に移送され
る。

これまでの説明において、各室内及び各室相互
間のウエハ移送はすべて一枚に着目しておこなわ
れたが、実際には、これらの搬送は時間的に同時
進行して行なわれる。従つて例えばスパツタ室に
おいて、ウエハホルダ４１には同時に４枚のウエ
ハＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇが挿入されているし、また一方
でスパツタエツチング処理中のウエハＣ、処理済
みウエハＨ等もすべての調和をとりながら同時に
搬送される。

第２図は、第１図に示されるエツチング処理室
３０を中心に本発明の特徴とするスパツタエツチ
ング装置をより具体的に示している。なお同図に
おいて真空容器壁及びバルブは断面をハツチング
で示している。バツフア室２０とエツチング処理
室３０の間のウエハの相互水平搬送は、ベルト機
構２３Ａおよび３５によつて行なわれる。またエ
ツチング処理室３０とスパツタ室４０の間のウエ
ハの相互水平搬送は、ベルト機構３６および４５
によつて行なわれる。エツチング処理室３０のほ
ぼ中央部に、回転中心軸３４０をもつ基体搬送機
構３４が設けられている。基体搬送機構３４の回
転・上下運動を行なう駆動軸３４１には、ほぼ水
平に張り出した基体載置アームの基体サポート部
３４２，３４３，３４５，３４６が取付けられて
いる。ウエハの搬送とエツチング処理を効率よく
行ない、装置全体の単位時間当りウエハ処理数を
充分多くするためには、基体載置アームの数は複
数であることが必要で、この図には４個の組合わ
せ例が示されている。図の状態において第１の基
体ポート部３４２は、ベルト機構２３Ａおよび３
５を経由してバツフア室２０より搬送された未処
理ウエハを、二点鎖線で示す位置Ｋに保持するこ
とができ、また既に処理されたウエハＫを載せて
いる場合には、ここからベルト機構３５および２
３Ａを経由してバツフア室２０に処理済みウエハ
を搬送することができる。第１の基体サポート部
３４２とベルト機構３５の間のウエハの受け渡し
については、後に第３図により詳細に説明を行な
う。第２の基体サボート部３４３は未処理ウエハ
Ｃを保持したままスパツタエツチングステージ３
１の一部を構成し、この場所においてスパツタエ
ツチング処理が所定の時間行なわれる。スパツタ
エツチングステージ３１の構成については後に第
４図ないし第７図により詳細な説明を行なう。第
３の基本サポート部３４５に載せられたスパツタ
エツチング処理済みウエハＬには、ベルト機構３
６および４５を経由して、スパツタ膜をその表面
に付着するためにスパツタ室４０に搬送され、ま
たスパツタ室４０からベルト機構４５および３６
を経由して搬送されてくる、スパツタ膜が付着し
たウエハを、外周を示す二点鎖線Ｌの位置に受取
ることができる。第３の基体サポート部３４５と
ベルト機構３６の間のウエハの受け渡しについて
は、後に第３図により詳細な説明を行なう。第４
の基体サポート部３４６は、処理済みウエハＨを
保持して加熱ステージ３２上にあり、ここでウエ
ハの加熱処理を行なう。必要応じて加熱のかわり
に放置冷却を行なうこともできる。しかしこの図
の状態における第４の基体サポート部３４６の上
に載せられたウエハの処理は、本発明の要旨とは
直接関連しないのでこれ以上の説明は省略する。

前述した４個の基体サポート部におけるウエハ
の受け渡し、スパツタエツチング処理、加熱ある
いは放置冷却は、いずれも別々の場所でほぼ同時
に行なわれる。駆動軸３４１は矢印３４１１の方
向に回転することができ、第１の基体サポート部
３４５は、ウエハを載せたまま約90゜回転して、
第２の基体サポート部が以前に存在していた場所
に移動し停止することができ、次の約90゜の転に
より、第３の基体サポート部が以前存在していた
場所に移動して停止し、更に約90゜の回転により、
第４の基体サポート部が以前存在していた場所に
移動して停止し、もう一度約90゜回転して最初の
位置に戻る。

第３図は第２図の−線方向からみた装置の
縦断面を示す。バツフア室２０とエツチング処理
室３０の間のウエハの相互移送は、ベルト２３３
とプリー２３１，２３２からなるベルト機構２３
Ａおよびベルト３５３とプリー３５１，３５２か
らなるベルト機構３５によつて、ベルト上にウエ
ハをほぼ水平に配置して行なわれる。またエツチ
ング室３０とスパツタ室４０の間のウエハの相互
移送は、ベルト３６３とプリー３６１，３６２か
らなるベルト機構３６およびベルト４５３とプリ
ー４５１，４５２からなるベルト機構４５によつ
て、ベルト上にウエハをほぼ水平に配置して行な
われる。ウエハＫ及びＬをそれぞれ載せた基体サ
ポート部３４２および３４５は、駆動軸３４１に
取付けられたまま、駆動源３７により軸３４０の
まわりに回転することと、矢印３４１２および３
４１３に示す方向に上昇あるいは下降の運動をそ
れぞれ独立に行なうことができる。本図の状態に
おいて駆動軸３４１は上昇して上限に停止してい
るが、このまま回転ができる。また駆動軸３４１
を下降して下限に位置するとウエハＫ及びＬはそ
れぞれベルト３５３および３６３の上に載り、プ
リーの駆動により基体サポート部３４２および３
４５からそれぞれ移動することができる。ウエハ
の基体サポートの部の受け渡しも同様にして行な
うことができる。なお図示されていないスパツタ
エツチングステージ３１および加熱または放置冷
却ステージ３２へのウエハの載置をすることは、
駆動軸３４１を下降して下限に停止した状態でな
される。またこの基体搬送機構の上述した上下お
よび回転運動を行なわせる機構は公知であり、こ
こでは省略されている。

第４図は、第２図の−線方向からみたとき
のスパツタエツチングステージ３１の縦断面構造
を示す。図において、真空容器の壁１に高周波電
極３１１が円柱状絶縁部材３１６を介して取付け
られ、エツチング処理室３０に組込まれている。
真空容器壁１と高周波電極３１１の間の気密シー
ルは２本のＯリング３１７および３１８によつて
なされ、高周波電極３１１はねじ２により絶縁体
３を介して真空容器壁１の内側に押しつける力を
与えられている。また高周波電極３１１には冷却
水の導入管３１２および排水管３１４が設けら
れ、矢印３１４に示す方向に冷却水を流すことが
でき、高周波電力の投入により電極全体の過度の
温度上昇が抑制される。高周波電極３１１の外周
には外周側面３１１１はほぼ円筒状をしており、
これを包囲するように円筒状のアースシールド３
１９が配置され、このアースシード３１９の内周
面３１９１とエツチング用高周波電極３１１の外
周側面３１１１との間に間隙が設けられている。
この間隙は、この空間において放電を生じないよ
う充分狭い間隔に定められる。高周波電極３１１
の表面は円筒状になつており、その上に石英製下
板３２０、石英製上板３３０および石英板の基体
サポート部３４３で構成される石英製エツチング
テーブルが載置され、更にこの上のエツチングす
べきウエハＣが載置される。エツチングテーブル
はほぼ水平状に配置されるので、エツチングすべ
きウエハＣは自身の重量で動かずに静止してい
る。エツチングテーブルを構成する要素について
は後に第５図ないし第７図により説明する。真空
容器内１０に図示していない手段によりアルゴン
ガスを導入し、10^-3ないし10^-1Torrの圧力に設
定し、高周波電源４０より整合回路４１を経由し
てアース電位との間に電力を投入すると、エツチ
ングテーブルの表面に接する空間近傍でプラズマ
が発生し、アルゴンイオンが発生し、シリコンウ
エハＣの表面が衝撃を受け、クリーニングが行な
われる。通常１回でクリーニングでエツチングさ
れるウエハ表面層の厚みは約100オングストロー
ムのごくわずかな量であるが、何回か繰返すと、
エツチングされた試料から飛出した物質は真空容
器の内壁面および内部構造物の表面に付着して薄
膜を形成する。エツチングを何回も繰返すに従い
前記薄膜が厚くなり、付着面から剥離して塵埃と
なり落下するが、この内の一部は高周波電極３１
１とアースシールド３１９の間の空隙に入り込
み、高周波電極とアース電位の間の絶縁耐圧を劣
化させる原因となる。本発明いおいてはそれらの
危険性を最小限に抑制するために、高周波電極３
１１の表面３１１２はアースシールド円筒３１９
の端部３１９２より上の高い位置に設置され、か
つエツチングテーブルを構成する部材３２０，３
３０，および基体サポート部３４３が作る円の外
周側面３２０１の直径は、アースシールド３１９
の内周面３１９１の直型より大きくしてある。ま
たエツチングテーブルと接する高周波電極３１１
の表面には、ピン３１５ａおよび３１５ｂを挿入
して石英製エツチングテーブルの裏面に設けられ
た陥没部にはめあいせしめ、両者の相対的位置関
係も固定している。

このような構造により、スパツタエツチング処
理によるウエハのクリーニングを多数回繰返し行
なつて、真空容器内壁面および内部構造物の表面
に付着した不要薄膜が剥離して落下してきても、
これが高周波電極３１１とアースシールド３１９
の間の空隙に入り込む確率は極めて少なくなり、
従つて長期間にわたり安定かつ再現性よくスパツ
タエツチング処理を行なうことができる。

第５図はエツチングテーブルを構成する石英製
下板３２０と石英製上板３３０の相対的位置関係
を示す。石英製下板３２０はほぼ完全な円形の平
板であり、石英製上板３３０はそれより直径の小
さい円形平板２箇所を切り欠いた形状をとり、２
本の直線３３０１，３３０２と２本の円弧３３０
３，３３０４からなる外周を持つている。

第６図は、基体載置アームの基体サポート部３
４３の更に詳細な構造と、そこに載せられるウエ
ハＣを、第７図は第６図の−線方向の断面を
示す。アームの円周は、第５図の石英製上板３３
０の外周よりわずかに広く、エツチングステージ
３１の上で若干の間隙を隔てて、その内側に石英
製上板３３０を包囲するように配置することがで
きる。その際に基体サポート部３４３の内周辺３
４３６，３４３７と内周円弧３４３８は、狭い間
隙を隔てて石英製上板３３０の外周辺３３０１，
３３０２と外周辺円弧３３０３にそれぞれ対向
し、また基体サポート部３４３の外周円弧３４３
９ａおよび３４３９ｂは、石英製上板３３０の外
周辺円弧３３０４とほぼ連続した同じ直径の１つ
の円弧を形成する。基体サポート部３４３の表面
は２段階になつおり、一対の棚３４３２ａおよび
３４３２ｂを有し、これらの棚でウエハＣの裏面
を支持してウエハの搬送を行なうが、エツチング
ステージ３１上ではこれらの棚３４３２ａおよび
３４３２ｂの高さは石英製上板３３０表面の高さ
より極めてわずかに低くなり、ウエハＣの裏面は
第４図に示すように石英製上板３３０の表面に接
して支持され、棚３４３２ａおよび３４３２ｂに
接するか、非常に狭い間隔で隔てられるかのいず
れかの状態をとる。基体サポート部３４３は、基
体載置アームの接続部３４３４によつて駆動軸３
４１に固定され、接続部３４３４と基体サポート
部本体３４３１は、ピン３４３５によつて固定さ
れ、これにより駆動軸３４１と連動せしめられ
る。駆動軸３４１および接続部３４３４は一般に
金属製であり、かつアース電位であるために、ウ
エハに触れる部分のエツチングテーブル３１を構
成する各材質は絶縁物であることが望ましく、実
用的には石英ガラスが最も利用しやすい。したが
つて、石英アーム３４３１、石英製上板３３０、
石英製下板３２０の３個の物体は、円形表面３１
１２をもつ高周波電極３１１の上にほぼ円形平板
上の絶縁物エツチングテーブルを構成し、自動的
にウエハをこの上に移送し、またこの上から別の
場所へ移送することができる。石英製下板３２０
は、石英製上板３３０の外周と石英アーム３４３
１の内周の間に生ずる間隙を通過して高周波電極
に加速されるイオンが、直接、金属電極３１１の
表面３１１２を衝撃して汚染を発生することを防
止する役割を果すものである。なお、エツチング
テーブルを構成する各部材ま基体よりもエツチン
グ速度の遅い絶縁材料であればよく、たとえば基
体としてシリコンを用いる場合には石英ガラス、
アルミナ等をあげることができる。

前述した第２図の説明において、４個の基体サ
ポート部３４２，３４３，３４５，３４６には特
別に差異を設けなかつた。しかし第１図に示すよ
うな構成のスパツタ装置において最も効率よく生
産を行なうためには、第２図における４個の基体
載置アームの基体サポート部を、未処理ウエハ搬
送用と処理済みウエハ搬送用に区別をつけること
が有益である。以下再び第２図に戻り第８図Ａな
いし第８図Ｄを併用して説明する。図において、
第１および第３の基体サポート部３４２，３４５
は処理済みウエハ搬送専用に、第２および第４の
基体サポート部３４３，３４６は未処理ウエハ搬
送専用にすることができる。第８図Ａの状態にお
いて第１の基体サポート部３４２は、処理済みウ
エハＫを搬送してきてベルト機構３５，２３Ａと
連動し、バツフア室２０へ移送する。同時に第２
の基体サポート部３４３は、末処理ウエハＣを移
してきてエツチングステージ３１上でスパツタエ
ツチング処理を行なう。また同時に第３の基体サ
ポート部３４５は、スパツタ室２０において膜付
処理されたウエハＬをベルト機構４５，３６と連
動して受けとる。つぎに、前述の駆動軸３４１の
上昇および約90゜の回転運動と、それに続く駆動
軸の下降運動を経て第８図Ｂの状態に移行する。
ここで第４の基体サポート部３４６は、ベルト機
構２３Ａ，３５と連動して未処理ウエハK′を受
け取り、他方第２の基体サポート部３４３からス
パツタエツチング処理が施されたウエハＣが、ベ
ルト機構３６，４５と連動して送り出される。ま
た第３の基体サポート部３４５は処理済みウエハ
Ｌの加熱または冷却を行なう。更に再び駆動軸３
４１の運動により第８図Ｃの状態に移行する。こ
こで第３の基体サポート部３４５の処理済みウエ
ハＬはバツフア室２０に移送され、同時に第１の
基体サポート部３４２はスパツタ室４０から処理
済みウエハL′を受け取り、また第４の基体サポー
ト部３４６に載せられたウエハK′はエツチング
ステージ３１でスパツタエツチングを施される。
ついで繰返される駆動軸３４１の運動により第８
図Ｄの状態に移行し、第２の基体サポート部３４
３は未処理ウエハK″を受けとり、第４の基体サ
ポート部３４６の未処理ウエハK′はスパツタ室
２０へ移送され、同時に第１の基体サポート部３
４２の処理済みウエハL′が加熱または冷却され
る。このようにして駆動軸３４１を約90゜ステツ
プで回転することを繰返し、未処理ウエハと処理
済みウエハの搬送用基体サポート部を区別して用
いることにより、搬送のための基体サポート部と
ベルト機構との相互間のウエハの受け渡しと、エ
ツチングステージ３１および加熱または冷却ステ
ージにおける処理の時間の配分を適切に調整し
て、生産性をあげることができる。この場合に
は、未処理ウエハを搬送する第２、第４の基体サ
ポート部３４３，３４６は、エツチングステージ
３１で高周波スパツタエツチング処理に関与し、
処理済みウエハを搬送する第１、第２の基体サポ
ート部３４２，３４５はスパツタエツチング処理
に関与しない。従つて４個の基体載置アームの基
体サポート部のうち、相対向する２本の基体サポ
ート部は石英製とし、他の相対向する２本の基体
サポート部は金属製としておけばよい。

以上で本発明の具体的実施例を説明したが、エ
ツチング機構における基体載置アームの数は４個
に限定されるものではない。

またIC製造プロセスにおけるウエハを基体と
する場合の真空処理装置について説明したが、ス
パツタ装置と組合されるスパツタエツチング装置
に限定されるものではない。

〔発明の効果〕

本発明によるスパツタエツチング装置は以上説
明した通りであつて、多数の基体を自動的に搬送
し再現性よく汚染の危険性を低くしてスパツタエ
ツチングすることができる。その生産性は極めて
高く、本発明が半導体装置の製造等に寄与すると
ころは大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるスパツタエツチング装置
が適用されるスパツタ装置の構成を示す図、第２
図は第１図におけるスパツタエツチング装置を示
す図、第３図は第２図の−線方向から見た縦
断面図、第４図はエツチングステージの縦断面
図、第５図はエツチングテーブルを構成する石英
製下板と上板を示す図、第６図は基体載置アーム
の基体サポート部の平面図、第７図は基体サポー
ト部の縦断面図、第８図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは本発明
の変形例を示す基体サポート部とウエハの搬送と
停止状態の説明図である。 １０……ロードロツク室、２０……バツフア
室、３０……エツチング処理室、４０……スパツ
タ室、２３Ａ，３５，３６，４５……ベルト機
構、３４……基体搬送機構、３４１……駆動軸、
３４２，３４３，３４５，３４６……基体サポー
ト部、３１……エツチングステージ、３１１……
高周波電極、３２０……エツチングテーブル石英
製下板、３３０……エツチングテーブル石英製上
板、３１１１……高周波電極の外周側面、３１１
２……高周波電極のほぼ平坦な円形表面、３１２
……水導入管、３１３……水排出管、３１４……
冷却水の流れの方向、３１５ａ，３１５ｂ……ピ
ン、３１６……絶縁体、３１７，３１８……真空
シールＯリング、３１９……アースシールド、３
４３１……基体サポート部本体、３４３２ａ，３
４３２ｂ……棚、３４３４……接続部、３４３５
……ピン、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，
Ｊ，Ｋ，K′，K″，Ｌ，L′……ウエハ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 真空容器と該真空容器内に収容されたスパツ
   タエツチングステージと、処理すべき基体を載置
   する形状の載置アームを持つた基体運搬機構とを
   備え、前記載置アーム上に載置した基体を前記ス
   パツタエツチングステージ上に位置させてスパツ
   タエツチングを行なうようにしたスパツタエツチ
   ング装置において、 前記スパツタエツチングステージは、 高周波電極と、 この高周波電極の表面をおおうように設けられ
   た石英製下板と、 この石英製下板上に固定され石英製下板の外周
   線より少なくとも一部の外周線が内側になるよう
   に配置された石英製上板と、 これら石英製上板および石英製下板にかん合し
   て表面が平坦なエツチングテーブルの一部を構成
   する石英製の前記載置アームと からなることを特徴とするスパツタエツチング装
   置。 ２ 該基体サポート部分は、基体よりもエツチン
   グ速度の遅い絶縁材料によつて構成されることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパツタ
   エツチング装置。 ３ 回転・上下運動を行なう前記基体搬送機構
   は、その回転中心軸のまわりに約90゜の間隔で配
   置された４個の石英製基体サポート部を有する基
   体載置アームを備えたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のスパツタエツチング装置。 ４ 回転・上下運動を行なう前記基体搬送機構
   は、その回転中心軸のまわりに約90゜の間隔で配
   置された４個の基体サポート部を有する基体載置
   アームを備え、これらの基体サポート部のうち向
   いあう２個は石英製であり別の向いあう２個は金
   属性であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載のスパツタエツチング装置。