JPH11102951A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH11102951A JPH11102951A JP27986697A JP27986697A JPH11102951A JP H11102951 A JPH11102951 A JP H11102951A JP 27986697 A JP27986697 A JP 27986697A JP 27986697 A JP27986697 A JP 27986697A JP H11102951 A JPH11102951 A JP H11102951A
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- cassette
- vacuum
- wafer
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空雰囲気の移載室に予備真空室及びＣＶＤ
などの熱処理を行う真空処理室を接続し、移載室内の移
載機により予備真空室内の半導体ウエハを取り出して真
空処理室に移載する処理装置において、熱処理後のウエ
ハＷをカセットに戻す前に冷却する必要があるが、この
冷却に伴うスループットの低下を抑え、またコストアッ
プを抑えること。 【解決手段】 予備真空室４Ａ、４Ｂの外に例えばクロ
ーズ型カセット６の載置部６０を設けると共に、予備真
空室４Ａ、４Ｂに１カセット分に相当する１３枚のウエ
ハＷを収納できる保持具を設け、熱処理後のウエハＷを
保持具に受け渡し、１３枚のウエハＷを全て保持具７に
戻した後に、予備真空室４Ａ、４Ｂ内を大気復帰させな
がらウエハＷを冷却し、こうして専用の冷却室を不要と
した。
などの熱処理を行う真空処理室を接続し、移載室内の移
載機により予備真空室内の半導体ウエハを取り出して真
空処理室に移載する処理装置において、熱処理後のウエ
ハＷをカセットに戻す前に冷却する必要があるが、この
冷却に伴うスループットの低下を抑え、またコストアッ
プを抑えること。 【解決手段】 予備真空室４Ａ、４Ｂの外に例えばクロ
ーズ型カセット６の載置部６０を設けると共に、予備真
空室４Ａ、４Ｂに１カセット分に相当する１３枚のウエ
ハＷを収納できる保持具を設け、熱処理後のウエハＷを
保持具に受け渡し、１３枚のウエハＷを全て保持具７に
戻した後に、予備真空室４Ａ、４Ｂ内を大気復帰させな
がらウエハＷを冷却し、こうして専用の冷却室を不要と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハなどの基板に対して、真空雰囲気中で処理を行う処理
装置に関する。
ハなどの基板に対して、真空雰囲気中で処理を行う処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）
を真空雰囲気の下で処理する装置の一つとして、一枚ず
つ処理を行う枚葉式処理装置があるが、クリーンルーム
の有効利用、スループットの向上といった要請から、図
９に示すように複数の真空処理室を共通の移載室に接続
したクラスタツールなどと呼ばれる装置が開発されてい
る。
を真空雰囲気の下で処理する装置の一つとして、一枚ず
つ処理を行う枚葉式処理装置があるが、クリーンルーム
の有効利用、スループットの向上といった要請から、図
９に示すように複数の真空処理室を共通の移載室に接続
したクラスタツールなどと呼ばれる装置が開発されてい
る。
【０００３】この装置は、移載機１を備えた移載室１１
に、真空処理室１２、冷却室１３及び予備真空室１４が
例えば２個ずつ気密に接続されて構成されている。また
移載室１１内には、ウエハのオリフラあるいはノッチを
合わせて結晶の方向性を合わせるウエハ位置合わせ機構
１０が設けられている。一方ウエハは例えば２５枚収納
できる搬送容器をなす樹脂製のウエハカセット（以下
「カセット」という）に保持されて管理されており、図
９の装置ではウエハＷは予備真空室１４内にカセット１
５単位で搬入される。その後予備真空室１４内が真空引
きされ、移載機１によってカセット１５からウエハＷが
１枚ずつ取り出されて真空処理室１２に移載され、ウエ
ハＷに対してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの熱処理が行われる。
に、真空処理室１２、冷却室１３及び予備真空室１４が
例えば２個ずつ気密に接続されて構成されている。また
移載室１１内には、ウエハのオリフラあるいはノッチを
合わせて結晶の方向性を合わせるウエハ位置合わせ機構
１０が設けられている。一方ウエハは例えば２５枚収納
できる搬送容器をなす樹脂製のウエハカセット（以下
「カセット」という）に保持されて管理されており、図
９の装置ではウエハＷは予備真空室１４内にカセット１
５単位で搬入される。その後予備真空室１４内が真空引
きされ、移載機１によってカセット１５からウエハＷが
１枚ずつ取り出されて真空処理室１２に移載され、ウエ
ハＷに対してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの熱処理が行われる。
【０００４】真空処理室１２から取り出されたウエハＷ
は、処理温度によっても異なるが例えば２００℃以上に
もなっており、そのままカセット１５に戻されるとカセ
ット１５がその熱で変形してしまう。ここで真空雰囲気
中ではウエハＷの放熱が遅く、移載室１１及び予備真空
室１４内の真空度は１０-4Ｔｏｒｒオーダもの高真空に
なっていることから、ウエハＷを冷却室１３内に移載し
た後、放熱を早くするために冷却室１３内の真空度を低
くして（圧力を高くして）冷却板などにより強制的に冷
却し、ウエハＷの温度がカセット１５の熱変形温度以下
になるようにしている。そしてウエハＷを冷却した後冷
却室１３内の真空度を高くし、当該ウエハＷを予備真空
室１４内のカセット１５に戻している。
は、処理温度によっても異なるが例えば２００℃以上に
もなっており、そのままカセット１５に戻されるとカセ
ット１５がその熱で変形してしまう。ここで真空雰囲気
中ではウエハＷの放熱が遅く、移載室１１及び予備真空
室１４内の真空度は１０-4Ｔｏｒｒオーダもの高真空に
なっていることから、ウエハＷを冷却室１３内に移載し
た後、放熱を早くするために冷却室１３内の真空度を低
くして（圧力を高くして）冷却板などにより強制的に冷
却し、ウエハＷの温度がカセット１５の熱変形温度以下
になるようにしている。そしてウエハＷを冷却した後冷
却室１３内の真空度を高くし、当該ウエハＷを予備真空
室１４内のカセット１５に戻している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の装
置では、ウエハＷを冷却するための専用の冷却室１３が
必要であり、コストアップにつながるという問題があ
る。またウエハＷを冷却室１３に対して搬入出する時
間、ウエハＷを冷却する時間及び冷却室１３内の真空度
を調整する時間の加算分が冷却時間となり、この冷却時
間が、カセット１５を装置内に搬入してから搬出するま
での時間内に組み込まれるため、スループット向上の妨
げの一つになっていた。
置では、ウエハＷを冷却するための専用の冷却室１３が
必要であり、コストアップにつながるという問題があ
る。またウエハＷを冷却室１３に対して搬入出する時
間、ウエハＷを冷却する時間及び冷却室１３内の真空度
を調整する時間の加算分が冷却時間となり、この冷却時
間が、カセット１５を装置内に搬入してから搬出するま
での時間内に組み込まれるため、スループット向上の妨
げの一つになっていた。
【０００６】一方ウエハのパーティクル汚染を抑えるた
めに従来のオープン型カセットに対して、密閉型のカセ
ット（以下「クローズ型カセット」という）が検討され
ている（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
１９９７年 １月号等参照）。このクローズ型カセッ
トはウエハを例えば１３枚収納するカセット本体と、こ
のカセット本体のウエハの取り出し口を気密に塞ぐため
の蓋体とを備えている。しかしながらクローズ型カセッ
トを用いる場合、蓋体の開閉のための時間が処理全体の
時間内に入ってくるため、上述の処理装置にクローズ型
カセットを用いる場合には、いかにしてスループットの
向上を図るかという工夫が要請される。
めに従来のオープン型カセットに対して、密閉型のカセ
ット（以下「クローズ型カセット」という）が検討され
ている（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
１９９７年 １月号等参照）。このクローズ型カセッ
トはウエハを例えば１３枚収納するカセット本体と、こ
のカセット本体のウエハの取り出し口を気密に塞ぐため
の蓋体とを備えている。しかしながらクローズ型カセッ
トを用いる場合、蓋体の開閉のための時間が処理全体の
時間内に入ってくるため、上述の処理装置にクローズ型
カセットを用いる場合には、いかにしてスループットの
向上を図るかという工夫が要請される。
【０００７】本発明はこのような背景の下になされたも
のであり、移載室に予備真空室及び真空処理室を接続し
てなる処理装置において、コストアップを抑え、スルー
プットの向上を図ることのできる装置を提供することに
ある。
のであり、移載室に予備真空室及び真空処理室を接続し
てなる処理装置において、コストアップを抑え、スルー
プットの向上を図ることのできる装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の処理装置は、真
空雰囲気の移載室と、この移載室に気密に接続され、基
板を真空雰囲気中で処理するための真空処理室と、前記
移載室に気密に接続された予備真空室と、前記真空処理
室と予備真空室との間で基板を移載するために前記移載
室に設けられた第１の移載機と、処理後の基板を冷却す
るために前記予備真空室に設けられた冷却手段と、前記
予備真空室の外部である大気雰囲気に設けられた基板カ
セットの載置部と、前記予備真空室と前記載置部に載置
された基板カセットとの間で基板を移載するための第２
の移載機と、を備え、前記真空処理室内で処理された基
板を予備真空室内にて前記冷却手段により基板カセット
の熱変形温度以下に冷却することを特徴とする。
空雰囲気の移載室と、この移載室に気密に接続され、基
板を真空雰囲気中で処理するための真空処理室と、前記
移載室に気密に接続された予備真空室と、前記真空処理
室と予備真空室との間で基板を移載するために前記移載
室に設けられた第１の移載機と、処理後の基板を冷却す
るために前記予備真空室に設けられた冷却手段と、前記
予備真空室の外部である大気雰囲気に設けられた基板カ
セットの載置部と、前記予備真空室と前記載置部に載置
された基板カセットとの間で基板を移載するための第２
の移載機と、を備え、前記真空処理室内で処理された基
板を予備真空室内にて前記冷却手段により基板カセット
の熱変形温度以下に冷却することを特徴とする。
【０００９】この発明では、具体的には例えば次のよう
に構成することができる。予備真空室内には、ｎ（ｎは
１以上の整数）個のカセット分の基板あるいは１カセッ
ト分の基板を分割した数の基板が収納される。また移載
室には、複数の真空処理室が接続される。更に移載室に
は第１の予備真空室および第２の予備真空室が接続さ
れ、一方の予備真空室にて基板を冷却している間に他方
の予備真空室内の基板の熱処理が行われる。基板カセッ
トは、例えばカセット本体とこのカセット本体の開口部
を塞ぐ蓋体とを備えたクロ−ズ型カセットが用いられ
る。
に構成することができる。予備真空室内には、ｎ（ｎは
１以上の整数）個のカセット分の基板あるいは１カセッ
ト分の基板を分割した数の基板が収納される。また移載
室には、複数の真空処理室が接続される。更に移載室に
は第１の予備真空室および第２の予備真空室が接続さ
れ、一方の予備真空室にて基板を冷却している間に他方
の予備真空室内の基板の熱処理が行われる。基板カセッ
トは、例えばカセット本体とこのカセット本体の開口部
を塞ぐ蓋体とを備えたクロ−ズ型カセットが用いられ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明の処理装置
の実施の形態を示す図である。この実施の形態はウエハ
Ｗ移載のための第１の移載機２が配置された移載室（ト
ランスファチャンバ）３と、この移載室３に夫々図示し
ないゲートバルブを介して気密に接続された２個の予備
真空室（ロードロックチャンバ）４Ａ、４Ｂ及び真空処
理室５Ａ、５Ｂと、ウエハのオリフラあるいはノッチを
合わせるウエハ位置合わせ機構１０と、予備真空室４
Ａ、４Ｂの外側に設けられた基板カセットであるクロー
ズ型カセット６の載置部６０と、を備えている。
の実施の形態を示す図である。この実施の形態はウエハ
Ｗ移載のための第１の移載機２が配置された移載室（ト
ランスファチャンバ）３と、この移載室３に夫々図示し
ないゲートバルブを介して気密に接続された２個の予備
真空室（ロードロックチャンバ）４Ａ、４Ｂ及び真空処
理室５Ａ、５Ｂと、ウエハのオリフラあるいはノッチを
合わせるウエハ位置合わせ機構１０と、予備真空室４
Ａ、４Ｂの外側に設けられた基板カセットであるクロー
ズ型カセット６の載置部６０と、を備えている。
【００１１】前記予備真空室４Ａ、４Ｂは、図３に示す
ように移載室３側の壁部に、ウエハＷを１枚ずつ受け渡
すための受け渡し口４１が、また大気雰囲気側の壁部
に、例えば１３枚のウエハＷを一括して受け渡すための
受け渡し口４２が夫々形成されており、これら受け渡し
口４１、４２は夫々ゲートバルブ４３及びゲートドア４
４により開閉されるようになっている。また予備真空室
４Ａ、４Ｂには、例えば窒素ガスなどの不活性ガスを導
入するためのガス導入管４５が設けられると共に、図示
しない真空ポンプにより真空排気するための排気管４６
が接続されている。
ように移載室３側の壁部に、ウエハＷを１枚ずつ受け渡
すための受け渡し口４１が、また大気雰囲気側の壁部
に、例えば１３枚のウエハＷを一括して受け渡すための
受け渡し口４２が夫々形成されており、これら受け渡し
口４１、４２は夫々ゲートバルブ４３及びゲートドア４
４により開閉されるようになっている。また予備真空室
４Ａ、４Ｂには、例えば窒素ガスなどの不活性ガスを導
入するためのガス導入管４５が設けられると共に、図示
しない真空ポンプにより真空排気するための排気管４６
が接続されている。
【００１２】前記第１の移載機２は、例えば多関節アー
ムからなり、予備真空室４Ａ、４Ｂと真空処理室５Ａ、
５Ｂとウエハ位置合わせ機構１０との間でウエハＷを移
載する役割をもつ。真空処理室５Ａ、５Ｂは例えばいず
れもＥＣＲプラズマによるＣＶＤ処理を行うためのもの
であり、例えば４００℃の処理温度でＳｉＯＦ膜がウエ
ハＷ上に形成される。
ムからなり、予備真空室４Ａ、４Ｂと真空処理室５Ａ、
５Ｂとウエハ位置合わせ機構１０との間でウエハＷを移
載する役割をもつ。真空処理室５Ａ、５Ｂは例えばいず
れもＥＣＲプラズマによるＣＶＤ処理を行うためのもの
であり、例えば４００℃の処理温度でＳｉＯＦ膜がウエ
ハＷ上に形成される。
【００１３】前記予備真空室４Ａ、４Ｂ内には、図３及
び図４に示すように、例えば１３枚のウエハＷを棚状に
保持する保持具７が設けられており、この保持具７はク
ローズ型カセット６内のウエハＷを取り出し、またクロ
ーズ型カセット６内にウエハＷを受け渡すための第２の
移載機を兼用している。前記第２の移載機（保持具）７
は、１３枚のトレー７１が各々水平に上下に間隔をおい
て配列されており、各トレー７１は支持部材７２を介し
て支柱７３に支持されている。各トレー７１の上面には
例えば４本のピン７４が突出して設けられている。
び図４に示すように、例えば１３枚のウエハＷを棚状に
保持する保持具７が設けられており、この保持具７はク
ローズ型カセット６内のウエハＷを取り出し、またクロ
ーズ型カセット６内にウエハＷを受け渡すための第２の
移載機を兼用している。前記第２の移載機（保持具）７
は、１３枚のトレー７１が各々水平に上下に間隔をおい
て配列されており、各トレー７１は支持部材７２を介し
て支柱７３に支持されている。各トレー７１の上面には
例えば４本のピン７４が突出して設けられている。
【００１４】最下段７１のトレー７１は、例えば３本の
アームからなる多関節アーム７５の最上段のアームを兼
用し、この多関節アーム７５は駆動機構７６により受け
渡し口４２を介して予備真空室４Ａ、４Ｂの外部との間
で進退できるようにかつ回転軸７７を中心に回転できる
ように構成されている。また駆動機構７６は、昇降部７
８によって昇降される昇降プレート７９の上に置かれて
おり、各トレー７１上のウエハＷが順次受け渡し口４１
と対向するように移載機７が昇降する。
アームからなる多関節アーム７５の最上段のアームを兼
用し、この多関節アーム７５は駆動機構７６により受け
渡し口４２を介して予備真空室４Ａ、４Ｂの外部との間
で進退できるようにかつ回転軸７７を中心に回転できる
ように構成されている。また駆動機構７６は、昇降部７
８によって昇降される昇降プレート７９の上に置かれて
おり、各トレー７１上のウエハＷが順次受け渡し口４１
と対向するように移載機７が昇降する。
【００１５】前記クローズ型カセット６は、図５に示す
ように前面がウエハの取り出し口をなす開口部６１とし
て形成された樹脂製の箱型のカセット本体６２と、前記
開口部６１を気密に閉じる蓋体６３とからなる。
ように前面がウエハの取り出し口をなす開口部６１とし
て形成された樹脂製の箱型のカセット本体６２と、前記
開口部６１を気密に閉じる蓋体６３とからなる。
【００１６】前記蓋体６３には例えば２か所に鍵穴６４
が形成されており、この鍵穴６４にキー６５を挿入して
回すことにより蓋体６３の上端及び下端から図示しない
ロックピンが突出して、カセット本体６２に蓋体６３が
固定されるようになっている。前記キー６５は、図示し
ないキー操作機構と共に基体６６に組合わせて設けられ
ており、キー６５を操作してキー６５を介して基体６６
により蓋体６３が開かれる。
が形成されており、この鍵穴６４にキー６５を挿入して
回すことにより蓋体６３の上端及び下端から図示しない
ロックピンが突出して、カセット本体６２に蓋体６３が
固定されるようになっている。前記キー６５は、図示し
ないキー操作機構と共に基体６６に組合わせて設けられ
ており、キー６５を操作してキー６５を介して基体６６
により蓋体６３が開かれる。
【００１７】次に上述実施の形態の作用について述べ
る。先ず作業者が予備真空室４Ａ（４Ｂ）の前の載置部
６０の上に、処理前の基板例えばウエハＷを収納したク
ローズ型カセット６を置き、蓋体６３を開いた後予備真
空室４Ａ（４Ｂ）内の第２の移載機７によりクローズ型
カセット６内の例えば１３枚のウエハＷを一括して取り
出し、予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に収納する。この移載
は、第２の移載機７を支柱７３がクローズ型カセット６
とは反対側に位置するように向け、トレー７１をクロー
ズ型カセット６内に進入させた後上昇させ、ピン７４に
よりウエハＷを受け取った後、トレー７１を後退させる
ことによって行われる。
る。先ず作業者が予備真空室４Ａ（４Ｂ）の前の載置部
６０の上に、処理前の基板例えばウエハＷを収納したク
ローズ型カセット６を置き、蓋体６３を開いた後予備真
空室４Ａ（４Ｂ）内の第２の移載機７によりクローズ型
カセット６内の例えば１３枚のウエハＷを一括して取り
出し、予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に収納する。この移載
は、第２の移載機７を支柱７３がクローズ型カセット６
とは反対側に位置するように向け、トレー７１をクロー
ズ型カセット６内に進入させた後上昇させ、ピン７４に
よりウエハＷを受け取った後、トレー７１を後退させる
ことによって行われる。
【００１８】続いてゲートドア４４を閉じ、予備真空室
４Ａ（４Ｂ）内を例えば１０-4Ｔｏｒｒ程度まで真空引
きし、ゲートバルブ４３を開いて第１の移載機２により
第２の移載機７のトレー７１上のウエハＷを取り出す。
この移載は、第２の移載機７を１８０度回転させた後、
第１の移載機２のアームをウエハＷとトレー７１との間
に進入させ、第２の移載機７を下降して前記アーム上に
ウエハＷを受け渡すことによって行われる。次に移載室
３内に設けられているウエハ位置合わせ機構１０にウエ
ハＷを載置し、ここでウエハＷの中心位置とオリフラま
たはノッチの方向を修正する。その方法をより詳細に述
べると、ウエハＷを１回転させ、ウエハＷのエッジを光
学センサにより検知することによりウエハＷの位置ずれ
量及びノッチまたはオリフラの位置、方向を検知し、修
正する。続いて第１の移載機２により当該ウエハＷを真
空処理室５Ａ（５Ｂ）内に移載する。
４Ａ（４Ｂ）内を例えば１０-4Ｔｏｒｒ程度まで真空引
きし、ゲートバルブ４３を開いて第１の移載機２により
第２の移載機７のトレー７１上のウエハＷを取り出す。
この移載は、第２の移載機７を１８０度回転させた後、
第１の移載機２のアームをウエハＷとトレー７１との間
に進入させ、第２の移載機７を下降して前記アーム上に
ウエハＷを受け渡すことによって行われる。次に移載室
３内に設けられているウエハ位置合わせ機構１０にウエ
ハＷを載置し、ここでウエハＷの中心位置とオリフラま
たはノッチの方向を修正する。その方法をより詳細に述
べると、ウエハＷを１回転させ、ウエハＷのエッジを光
学センサにより検知することによりウエハＷの位置ずれ
量及びノッチまたはオリフラの位置、方向を検知し、修
正する。続いて第１の移載機２により当該ウエハＷを真
空処理室５Ａ（５Ｂ）内に移載する。
【００１９】そして真空処理室５Ａ（５Ｂ）内にてウエ
ハＷの熱処理例えばＣＶＤが終了すると、第１の移載機
２により当該ウエハＷを真空処理室５Ａ（５Ｂ）から取
り出して予備真空室４Ａ（４Ｂ）内の前記トレー７１上
に移載する。このような移載及び熱処理を、予備真空室
４Ａ（４Ｂ）内の１３枚のウエハＷについて行い、全て
のウエハＷが熱処理を終えて予備真空室４Ａ（４Ｂ）内
に戻った後、ゲートバルブ４３を閉じ、ガス導入部４５
から例えば窒素ガスを予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に導入
して予備真空室４Ａ（４Ｂ）内を大気圧雰囲気に復帰さ
せる。
ハＷの熱処理例えばＣＶＤが終了すると、第１の移載機
２により当該ウエハＷを真空処理室５Ａ（５Ｂ）から取
り出して予備真空室４Ａ（４Ｂ）内の前記トレー７１上
に移載する。このような移載及び熱処理を、予備真空室
４Ａ（４Ｂ）内の１３枚のウエハＷについて行い、全て
のウエハＷが熱処理を終えて予備真空室４Ａ（４Ｂ）内
に戻った後、ゲートバルブ４３を閉じ、ガス導入部４５
から例えば窒素ガスを予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に導入
して予備真空室４Ａ（４Ｂ）内を大気圧雰囲気に復帰さ
せる。
【００２０】ここで例えば４００℃の処理温度であれ
ば、トレー７１上に移載されたウエハＷの温度は２００
℃程度であり、このままウエハＷをクローズ型カセット
６に移載するとクローズ型カセット６が熱変形してしま
う。そこで予備真空室４Ａ（４Ｂ）内が大気雰囲気に復
帰した後も窒素ガスを流し続け、クローズ型カセット６
が熱変形する温度以下までウエハＷを冷却する。ウエハ
Ｗの冷却温度の一例を挙げると、カセットの材質がポリ
プロピレンであれば６０〜７０℃程度であり、テフロン
であれば１２０〜１３０℃程度である。
ば、トレー７１上に移載されたウエハＷの温度は２００
℃程度であり、このままウエハＷをクローズ型カセット
６に移載するとクローズ型カセット６が熱変形してしま
う。そこで予備真空室４Ａ（４Ｂ）内が大気雰囲気に復
帰した後も窒素ガスを流し続け、クローズ型カセット６
が熱変形する温度以下までウエハＷを冷却する。ウエハ
Ｗの冷却温度の一例を挙げると、カセットの材質がポリ
プロピレンであれば６０〜７０℃程度であり、テフロン
であれば１２０〜１３０℃程度である。
【００２１】こうしてウエハＷを所定温度まで冷却した
後、ゲートドア４４を開き、第２の移載機７をクローズ
型カセット６内に進入させて１３枚のウエハＷを一括し
てクローズ型カセット６内に戻し、クローズ型カセット
６の蓋体６３を閉じて作業者がクローズ型カセット６を
搬出する。またクローズ型カセット６から予備真空室４
ＢへのウエハＷの搬入は、例えばクローズ型カセット６
から予備真空室４ＡへウエハＷを搬入しているときに並
行して行われるか、あるいは予備真空室４Ａ内のウエハ
Ｗが熱処理を行っているときに行われ、予備真空室４Ａ
内のウエハＷの熱処理が終了した後、続いて予備真空室
４Ｂ内のウエハＷが真空処理室５Ａ（５Ｂ）に搬入され
る。従って予備真空室４Ａ内のウエハＷが冷却されてい
る間に予備真空室４Ｂ内のウエハＷの熱処理が行われ
る。
後、ゲートドア４４を開き、第２の移載機７をクローズ
型カセット６内に進入させて１３枚のウエハＷを一括し
てクローズ型カセット６内に戻し、クローズ型カセット
６の蓋体６３を閉じて作業者がクローズ型カセット６を
搬出する。またクローズ型カセット６から予備真空室４
ＢへのウエハＷの搬入は、例えばクローズ型カセット６
から予備真空室４ＡへウエハＷを搬入しているときに並
行して行われるか、あるいは予備真空室４Ａ内のウエハ
Ｗが熱処理を行っているときに行われ、予備真空室４Ａ
内のウエハＷの熱処理が終了した後、続いて予備真空室
４Ｂ内のウエハＷが真空処理室５Ａ（５Ｂ）に搬入され
る。従って予備真空室４Ａ内のウエハＷが冷却されてい
る間に予備真空室４Ｂ内のウエハＷの熱処理が行われ
る。
【００２２】上述実施の形態によれば、クローズ型カセ
ット６を予備真空室４Ａ（４Ｂ）の外に置き、熱処理後
のウエハＷを予備真空室４Ａ（４Ｂ）に戻して、ここで
大気雰囲気への復帰とウエハＷの冷却とを行うようにし
ているため、専用の冷却室が不要であり、装置のコスト
を抑えることができる。そして専用の冷却室を設けた場
合には、冷却室へのウエハＷの搬入、搬出の時間がスル
ープットに影響するし、またあるカセットにおける最後
のウエハＷの熱処理が終了すると、当該ウエハＷの冷却
時間がスループットに効いてくるが、予備真空室４Ａ
（４Ｂ）内でウエハＷの冷却を行えば、冷却室へのいわ
ば寄り道がない分ウエハＷの移載時間が短く、しかも冷
却時間の一部が大気雰囲気への復帰時間とオーバラップ
しているため、スループットの向上を図ることができ
る。また一方の予備真空室４Ａ（４Ｂ）にてウエハＷを
冷却している間に、他方の予備真空室４Ｂ（４Ａ）内の
ウエハＷの熱処理を開始するため、この点からもスルー
プットが高い。
ット６を予備真空室４Ａ（４Ｂ）の外に置き、熱処理後
のウエハＷを予備真空室４Ａ（４Ｂ）に戻して、ここで
大気雰囲気への復帰とウエハＷの冷却とを行うようにし
ているため、専用の冷却室が不要であり、装置のコスト
を抑えることができる。そして専用の冷却室を設けた場
合には、冷却室へのウエハＷの搬入、搬出の時間がスル
ープットに影響するし、またあるカセットにおける最後
のウエハＷの熱処理が終了すると、当該ウエハＷの冷却
時間がスループットに効いてくるが、予備真空室４Ａ
（４Ｂ）内でウエハＷの冷却を行えば、冷却室へのいわ
ば寄り道がない分ウエハＷの移載時間が短く、しかも冷
却時間の一部が大気雰囲気への復帰時間とオーバラップ
しているため、スループットの向上を図ることができ
る。また一方の予備真空室４Ａ（４Ｂ）にてウエハＷを
冷却している間に、他方の予備真空室４Ｂ（４Ａ）内の
ウエハＷの熱処理を開始するため、この点からもスルー
プットが高い。
【００２３】更に本発明の他の実施の形態について図６
〜図８を参照しながら説明する。この実施の形態が先の
実施の形態と異なる点は、予備真空室４Ａ、４Ｂ内のウ
エハの保持具が移載機を兼用せず、第２の移載機が予備
真空室４Ａ、４Ｂの外に設けられていること及び保持具
が冷却機能を有していることにある。
〜図８を参照しながら説明する。この実施の形態が先の
実施の形態と異なる点は、予備真空室４Ａ、４Ｂ内のウ
エハの保持具が移載機を兼用せず、第２の移載機が予備
真空室４Ａ、４Ｂの外に設けられていること及び保持具
が冷却機能を有していることにある。
【００２４】保持具８は、円形の冷却プレート８１の周
縁部に、周方向に間隔をおいてホルダー８２を設けてな
るトレー８３を、例えば２本の支柱８４、８４の間に１
３段配列し、駆動機構８０により昇降自在、回転自在に
構成されている。ホルダー８２は、上面がウエハＷの周
縁部を載置する載置面をなすものであり、ウエハＷの下
面と冷却プレート８１との間にわずかの隙間例えば０．
２ｍｍの隙間が形成されるように構成される。なおトレ
ー８３の平面形状は便宜上円形で示してあるが、実際に
はウエハＷには例えばオリフラ（オリエンテーションフ
ラット）またはノッチが形成されており、ウエハＷの形
状に適合した形状となっている。またトレー８３には、
後述の移載機のアームによりウエハＷを受け渡すことが
できるように、アームが通り抜ける切り欠き８５が形成
されている。
縁部に、周方向に間隔をおいてホルダー８２を設けてな
るトレー８３を、例えば２本の支柱８４、８４の間に１
３段配列し、駆動機構８０により昇降自在、回転自在に
構成されている。ホルダー８２は、上面がウエハＷの周
縁部を載置する載置面をなすものであり、ウエハＷの下
面と冷却プレート８１との間にわずかの隙間例えば０．
２ｍｍの隙間が形成されるように構成される。なおトレ
ー８３の平面形状は便宜上円形で示してあるが、実際に
はウエハＷには例えばオリフラ（オリエンテーションフ
ラット）またはノッチが形成されており、ウエハＷの形
状に適合した形状となっている。またトレー８３には、
後述の移載機のアームによりウエハＷを受け渡すことが
できるように、アームが通り抜ける切り欠き８５が形成
されている。
【００２５】冷却プレート８１は例えば冷却水流路を内
蔵していて表面が例えば３０℃付近に維持されている。
従って図６には示していないガス導入管から例えば窒素
ガスを予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に導入すると、ウエハ
Ｗと冷却プレート８１との間の窒素ガスが熱媒体となっ
て、ウエハＷの熱が冷却プレート８１に放熱される。
蔵していて表面が例えば３０℃付近に維持されている。
従って図６には示していないガス導入管から例えば窒素
ガスを予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に導入すると、ウエハ
Ｗと冷却プレート８１との間の窒素ガスが熱媒体となっ
て、ウエハＷの熱が冷却プレート８１に放熱される。
【００２６】予備真空室４Ａ（４Ｂ）の外側には、ゲー
トドア４４に臨む位置に昇降、回転、進退自在な例えば
１３枚のアームを備えた第２の移載機９Ａ（９Ｂ）が設
けられており、この第２の移載機９Ａ（９Ｂ）によって
１３枚のウエハＷが、クローズ型カセット６と予備真空
室４Ａ（４Ｂ）との間で一括して移載される。
トドア４４に臨む位置に昇降、回転、進退自在な例えば
１３枚のアームを備えた第２の移載機９Ａ（９Ｂ）が設
けられており、この第２の移載機９Ａ（９Ｂ）によって
１３枚のウエハＷが、クローズ型カセット６と予備真空
室４Ａ（４Ｂ）との間で一括して移載される。
【００２７】このような実施の形態によれば、ウエハＷ
の熱が窒素ガスを通じて冷却プレート８１に伝熱される
ので、高い冷却効率が得られ、短時間でウエハＷを所定
温度まで冷却することができる。
の熱が窒素ガスを通じて冷却プレート８１に伝熱される
ので、高い冷却効率が得られ、短時間でウエハＷを所定
温度まで冷却することができる。
【００２８】以上において予備真空室４Ａ（４Ｂ）とク
ローズ型カセット６との間のウエハＷの受け渡しは、１
枚ずつ行ってもよいし、予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に収
納するウエハＷの枚数は１カセット分（上述の例では１
３枚）でなくとも２カセット分以上であってもよいし、
あるいは１カセット分のウエハの枚数を分割した枚数の
ウエハ（例えば６枚や７枚など）であってもよい。更に
ウエハカセットとしては、クローズ型カセットに限らず
オープン型カセットであってもよい。なお予備真空室と
真空処理室との間に介在する移載室とは、１個の真空チ
ャンバよりなるものに限られるものではなく、２個以上
の真空チャンバが組み合わさって、例えば夫々に移載ア
ームが収納されているものなども含まれる。
ローズ型カセット６との間のウエハＷの受け渡しは、１
枚ずつ行ってもよいし、予備真空室４Ａ（４Ｂ）内に収
納するウエハＷの枚数は１カセット分（上述の例では１
３枚）でなくとも２カセット分以上であってもよいし、
あるいは１カセット分のウエハの枚数を分割した枚数の
ウエハ（例えば６枚や７枚など）であってもよい。更に
ウエハカセットとしては、クローズ型カセットに限らず
オープン型カセットであってもよい。なお予備真空室と
真空処理室との間に介在する移載室とは、１個の真空チ
ャンバよりなるものに限られるものではなく、２個以上
の真空チャンバが組み合わさって、例えば夫々に移載ア
ームが収納されているものなども含まれる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば移載室に予備真空室及び
真空処理室を接続してなる処理装置において、コストア
ップを抑え、スループットの向上を図ることができる。
真空処理室を接続してなる処理装置において、コストア
ップを抑え、スループットの向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る処理装置を示す斜視
図である。
図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る処理装置を示す概略
平面図である。
平面図である。
【図３】上記処理装置に用いられる予備真空室を示す縦
断側面図である。
断側面図である。
【図４】上記処理装置に用いられる第２の移載機（保持
具）を示す斜視図である。
具）を示す斜視図である。
【図５】クローズ型カセットを示す分解斜視図である。
【図６】本発明の他の実施の形態における予備真空室内
のウエハの保持具を示す断面図である。
のウエハの保持具を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態における予備真空室内
のウエハの保持具を示す平面図である。
のウエハの保持具を示す平面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る処理装置を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図９】従来の処理装置を示す概略平面図である。
２ 第１の移載機 ３ 移載室 ４Ａ、４Ｂ 予備真空室 ４５ ガス導入管 ４６ 排気管 ５Ａ、５Ｂ 真空処理室 ６ クローズ型カセット ６０ クローズ型カセットの載置部 ７ 第２の移載（保持具） ７１ トレー ７５ 多関節アーム ８ 保持具 ８１ 冷却プレート ８２ リング体 ８３ トレー ９Ａ、９Ｂ 第２の移載機
Claims (6)
- 【請求項１】 真空雰囲気の移載室と、 この移載室に気密に接続され、基板を真空雰囲気中で処
理するための真空処理室と、 前記移載室に気密に接続された予備真空室と、 前記真空処理室と予備真空室との間で基板を移載するた
めに前記移載室に設けられた第１の移載機と、 処理後の基板を冷却するために前記予備真空室に設けら
れた冷却手段と、 前記予備真空室の外部である大気雰囲気に設けられた基
板カセットの載置部と、 前記予備真空室と前記載置部に載置された基板カセット
との間で基板を移載するための第２の移載機と、を備
え、 前記真空処理室内で処理された基板を予備真空室内にて
前記冷却手段により基板カセットの熱変形温度以下に冷
却することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 予備真空室内には、ｎ（ｎは１以上の整
数）個のカセット分の基板が収納されることを特徴とす
る請求項１記載の処理装置。 - 【請求項３】 予備真空室内には、１カセット分の基板
を分割した数の基板が収納されることを特徴とする請求
項１記載の処理装置。 - 【請求項４】 移載室には、複数の真空処理室が接続さ
れていることを特徴とする請求項１、２または３記載の
処理装置。 - 【請求項５】 移載室には第１の予備真空室および第２
の予備真空室が接続され、一方の予備真空室にて基板を
冷却している間に他方の予備真空室内の基板の処理を行
うことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の処
理装置。 - 【請求項６】 基板カセットは、カセット本体とこのカ
セット本体の開口部を塞ぐ蓋体とを備えたクロ−ズ型カ
セットであることを特徴とする請求項１、２、３、４ま
たは５記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27986697A JPH11102951A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27986697A JPH11102951A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102951A true JPH11102951A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17617045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27986697A Pending JPH11102951A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11102951A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280370A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の冷却ユニット、冷却方法、熱処理システム及び熱処理方法 |
| JP2005354025A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
| JP2009043943A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 処理治具用の収納ケース |
| JP2009212174A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
| WO2010067544A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板冷却装置および基板処理システム |
| WO2011040301A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
| US20120067521A1 (en) * | 2010-09-21 | 2012-03-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing system |
| JP2012146703A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| WO2014168006A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、記録媒体及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-25 JP JP27986697A patent/JPH11102951A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280370A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の冷却ユニット、冷却方法、熱処理システム及び熱処理方法 |
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| JP4623715B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構及び該基板搬送機構を備える基板搬送装置 |
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| KR20110098806A (ko) * | 2008-12-12 | 2011-09-01 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 냉각 장치 및 기판 처리 시스템 |
| WO2010067544A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板冷却装置および基板処理システム |
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| JP2011077399A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
| US20120067521A1 (en) * | 2010-09-21 | 2012-03-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing system |
| JP2012146703A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| WO2014168006A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、記録媒体及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2014168006A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2017-02-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法 |
| US9595460B2 (en) | 2013-04-10 | 2017-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, recording medium and method of manufacturing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |