JP2009212174A - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板Wを搬入及び搬出する搬入出機構34を備え、大気圧状態で被処理基板Wを搬入及び搬出する搬入出室31aと、被処理基板搬送機構24を備え、減圧状態で被処理基板Wを搬送する搬送室21aと、大気圧状態で搬入出室31aと被処理基板Wの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室21aと被処理基板Wの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室42aと、減圧状態で搬送室21aと被処理基板Wの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Wに対して処理を行う複数の処理室22、23と、を備え、搬送室21a内に、被処理基板Wを冷却する冷却部6を設ける。
【選択図】図1
【解決手段】 被処理基板Wを搬入及び搬出する搬入出機構34を備え、大気圧状態で被処理基板Wを搬入及び搬出する搬入出室31aと、被処理基板搬送機構24を備え、減圧状態で被処理基板Wを搬送する搬送室21aと、大気圧状態で搬入出室31aと被処理基板Wの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室21aと被処理基板Wの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室42aと、減圧状態で搬送室21aと被処理基板Wの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Wに対して処理を行う複数の処理室22、23と、を備え、搬送室21a内に、被処理基板Wを冷却する冷却部6を設ける。
【選択図】図1
Description
この発明は、搬送室に複数の処理室を配してなり、半導体ウエハ等の被処理基板に処理を行う基板処理装置と、その基板処理方法、並びに基板処理装置を制御するプログラムが格納された記憶媒体に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)に、コンタクト構造や配線構造を形成するために、複数の金属又は金属化合物膜を成膜するプロセスが行われる。このような成膜処理は、減圧状態、例えば、真空に保持された処理室内で行われるが、最近では、処理の効率化の観点、および酸化やコンタミネーション等の汚染を抑制する観点から、複数の処理室を、減圧状態、例えば、真空に保持される搬送室に連結し、この搬送室に設けられた搬送機構により各処理室に、例えば、真空に保持したままウエハを搬送可能としたクラスターツール型のマルチチャンバシステムが注目されている(例えば特許文献1)。このようなマルチチャンバシステムでは、ウエハを大気に曝すことなく連続して複数の膜を成膜することができるので、極めて効率的でスループットの良い処理を行うことができる。
特許文献1に記載された半導体製造装置(基板処理装置)はウエハを冷却するための冷却用のチャンバを備えているが、一般的には、ウエハは、減圧状態と大気圧状態とを切り換え可能なロードロック室へ搬入して冷却される。
特開平9−283590号公報
ウエハを、ロードロック室へ搬入して冷却する装置においては、装置の稼働状況によっては処理室から搬出したウエハを、すぐにロードロック室へ搬入できないことがある。この場合には、ウエハは搬送室内の搬送機構上でウエハが停滞する。搬送室は、減圧状態であるからウエハから熱を奪う冷却媒体がない。このため、ウエハの温度が下がり難い。ウエハは、ロードロック室に搬入されてからでないと効率的に冷却されない。マルチチャンバシステムは複数の処理室を備えているので本来スループットが良いが、効率的な冷却が行えないことから、スループットの向上が妨げられている。
この発明は、被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置と、その基板処理方法、並びにその基板処理方法を実行するプログラムが格納された記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明の第1の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を搬入及び搬出する搬入出機構を備え、大気圧状態で被処理基板を搬入及び搬出する搬入出室と、被処理基板搬送機構を備え、減圧状態で前記被処理基板を搬送する搬送室と、大気圧状態で前記搬入出室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室と、減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記被処理基板に対して処理を行う複数の処理室と、を備え、前記搬送室内に、前記被処理基板を冷却する冷却部を設ける。
この発明の第2の態様に係る基板処理方法は、被処理基板を搬入及び搬出する搬入出機構を備え、大気圧状態で被処理基板を搬入及び搬出する搬入出室と、被処理基板搬送機構を備え、減圧状態で前記被処理基板を搬送する搬送室と、大気圧状態で前記搬入出室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室と、減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記被処理基板に対して処理を行う複数の処理室と、前記搬送室内に設けられたガス放出部と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記ガス放出部から前記搬送室内に放出されるガスを利用して、前記被処理基板を冷却する。
この発明の第3の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、基板処理を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムが、実行時に、第2の態様に係る基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる。
この発明によれば、被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置と、その基板処理方法、並びにその基板処理方法を実行するプログラムが格納された記憶媒体を提供できる。
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。この説明においては、この発明を半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)を処理する基板処理装置に適用した場合について示す。
(第1の実施形態)
図1はこの発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図である。
図1はこの発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図である。
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置1aは、処理部2、搬入出部3、処理部2と搬入出部3とを接続するロードロック部4、及び制御部5とを備えている。第1の基板処理装置は、1aはマルチチャンバタイプである。
処理部2は、搬送モジュール(TM)21と、搬送モジュール21に接続された二つの処理モジュール(PM1、PM2)22、23とを有する。
搬送モジュール21は、内部を所定の真空度に減圧可能な搬送室21aを備えている。本例の搬送室21aの平面形状は八角形であり、八角形の二辺に対して上記処理モジュール22、23が接続される。
処理モジュール22、23は各々、内部を所定の真空度に減圧可能な処理室(処理チャンバ)22a、23aを備えている。本例の処理室22a、23aは、ウエハWに処理を行う箇所であり、例えば、CVD処理等が行われる。CVD処理を行うときの処理室22a、23aにおける所定の真空度は、例えば、1×101〜1×103Pa(約1×10−1〜1×101Torr)程度とされる。このときの搬送室21aにおける所定の真空度も、処理室22a、23aと同等の圧力、即ち1×101〜1×103Pa(約1×10−1〜1×101Torr)程度とされる。処理室22a、23aは各々、ゲートバルブG1、G2を介して搬送室21aに接続される。処理室22a、23aは各々、対応するゲートバルブG1、又はG2を開放することにより搬送室21aと連通され、対応するゲートバルブG1、又はG2を閉じることにより搬送室21aから遮断される。
搬入出部3は、搬入出モジュール(LM)31と、ポート32と、オリエンタ33とを有している。
搬入出モジュール31は、内部を大気圧、又はほぼ大気圧、例えば、外部の大気圧に対してわずかに陽圧とされる搬入出室31aを有している。本例の搬入出室31aの平面形状は矩形であり、矩形の一辺に対して上記ポート32が接続され、他の一辺に対してオリエンタ33が接続される。
ポート32は複数のウエハWを収容し、搬送するキャリアCが取り付けられる箇所である。本例では三つのポート32a、32b、32cを備え、それぞれが搬入出室31aの一辺に接続されている。ポート32a乃至32cには各々、図示せぬシャッターが設けられており、ポート32a乃至32cにウエハWを収容、又は空のキャリアCが取り付けられ、その際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ、キャリアCの内部と搬入出室31aとが連通するようになっている。
オリエンタ33は搬入出室31a内に搬入されたウエハWのアライメント、例えば、ウエハWの向きのアライメントを行う。
ロードロック部4は、二つのロードロックモジュール(LLM1、LLM2)41、42を有している。
ロードロックモジュール41、42は各々、内部を所定の真空度、及び大気圧、もしくはほぼ大気圧に切り換え可能なロードロック室41a、42aを備えている。ロードロック室41a、42aは各々、ゲートバルブG3、G4を介して搬入出室31aのポート32a乃至32cが接続された一辺に対向する一辺に接続され、ゲートバルブG5、G6を介して搬送室21aの処理室22a、23aが接続された二辺以外の二辺に接続される。ロードロック室41a、42aは各々、対応するゲートバルブG3、又はG4を開放することにより搬入出室31aと連通され、対応するゲートバルブG3、又はG4を閉じることにより搬入出室31aから遮断される。また、対応するゲートバルブG5、又はG6を開放することにより搬送室21aと連通され、対応するゲートバルブG5、又はG6を閉じることにより搬送室21aから遮断される。
搬入出室31a内には、キャリアCに対するウエハWの搬入出、及びロードロック室41a、42aに対する半導体ウエハWの搬入出を行う搬入出用搬送機構34が設けられている。搬入出用搬送機構34は、例えば、2つの多関節アーム34a、34bを有しており、キャリアCの配列方向に沿って延びるレール34c上を走行可能となっていて、それぞれの先端のハンド34d、34eにウエハWを載せてその搬送を行うようになっている。
搬送室21a内には、処理室22a、23a、ロードロック室41a、42aに対してウエハWの搬入出を行う搬送機構24が設けられている。搬送機構24は、搬送室21aの略中央に配設されている。搬送機構24は、回転、及び伸縮可能な回転・伸縮部24aを備え、回転・伸縮部24aの先端にウエハWを支持する2つの支持アーム24b、24cが互いに反対方向を向くように取り付けられている。
制御部5は、基板処理装置1aの各構成部を制御する。制御部5は、各構成部の制御を実行するマイクロプロセッサ(コンピュータ)からなるプロセスコントローラ51と、オペレータが基板処理装置1aを管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置1aの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース52と、基板処理装置1aで実行される各種処理をプロセスコントローラ51の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、および処理条件に応じて処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ちレシピを記憶する記憶部53と、を備えている。ユーザーインターフェース52、及び記憶部53はプロセスコントローラ51に接続されている。レシピは記憶部53内の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば、専用回線を介して記憶媒体にレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピは、必要に応じてユーザーインターフェース52からの指示にて記憶部53から呼び出し、プロセスコントローラ51に実行させることで、基板処理装置1aは、プロセスコントローラ51の制御下で所望の基板処理を行う。
図2Aは図1中の搬送モジュール21を拡大して示す平面図、図2Bは図2A中の2B−2B線に沿う断面図である。
図2A及び図2Bに示すように、さらに、第1の実施形態に係る基板処理装置1aは、搬送室21a内に、ウエハWを冷却する冷却部6を備えている。
冷却部6はガス放出部を有する。本例ではガス放出部として、真空破壊及び調圧に利用する気流制御フィルタ6aを利用した。気流制御フィルタ6aの一例は、多孔質セラミックを用いた多孔質セラミックフィルタである。
本例では、気流制御フィルタ6aはウエハWの搬送面よりも高い位置に設置されている。このため、ウエハWは、ウエハWの搬入出を行う搬送機構24を用いることで、気流制御フィルタ6aの直下に搬送することが可能となっている。ウエハWを、気流制御フィルタ6aの直下に搬送し、搬送機構24に保持された状態で、気流制御フィルタからガスを放出すると、ガスがウエハWにあたる。
このように、第1の実施形態では、気流制御フィルタ6aを利用し、気流制御フィルタ6aから放出されるガスをウエハWにあてる。この構成を備えることにより、ウエハWを真空環境に放置するだけに比較して空冷効果を期待でき、ウエハWの冷却効率を高めることができる。
気流制御フィルタ6aが放出するガスの一例は窒素であるが、窒素に限られるものではない。清浄空気でも良いし、窒素と同じような不活性なガスでも良い。不活性なガスとしては、窒素の他、例えば、アルゴン、ヘリウム等を挙げることができる。
また、冷却部6とは別に、ロードロック室、例えば、ロードロック室42a内に、ウエハWを冷却する冷却機能7を備えるようにしても良い。ロードロック室42a内に備えられる冷却機能7としては、ロードロック室42内の温度を調温する調温装置や、ウエハWを直接に冷却するウエハ冷却装置であっても良い。
冷却部6とは別に、例えば、ロードロック室42a内に、ウエハWを冷却する冷却機能7を備えている場合には、ウエハWがロードロック室42a内で冷却されているとき、これとは別のウエハWを冷却する必要があるときに、搬送室21a内の冷却部6を利用するようにすると良い。
このように、ロードロック室42a内の冷却機能7と、冷却部6とを併用することで、ウエハWの冷却待ち時間を軽減することができ、スループットの向上に寄与する。
また、例えば、ロードロック室42a内に、ウエハWを冷却する冷却機能7を備えている場合には、ウエハWがロードロック室42aに搬送される前に、搬送室21a内の冷却部6を利用して、ウエハWの事前冷却を行うようにしても良い。
この場合には、ロードロック室42a内におけるウエハWの冷却時間を短縮でき、上記同様に、スループットの向上に寄与する。
また、事前冷却は、ウエハWのロードロック室42aへの搬送待ち時間、例えば、ロードロック室42aの内部の圧力を、搬送室21aの圧力と同等の圧力まで下げている時間を利用して行うようにしても良い。
この場合には、処理ルーチン内に、事前冷却のための事前冷却プロセスを新たに設定せずに済む。これもまた、上記同様に、スループットの向上に寄与する。
以上、第1の実施形態に係る基板処理装置によれば、被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を得ることができる。
(第2の実施形態)
図3Aは第2の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図、図3Bは図3A中の3B−3B線に沿う断面図である。
図3Aは第2の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図、図3Bは図3A中の3B−3B線に沿う断面図である。
図3A及び図3Bに示すように、第2の実施形態に係る基板処理装置1bが、第1の実施形態に係る基板処理装置1aと異なるところは、搬送室21a内の冷却部6が、搬送室21aとロードロック室、例えば、ロードロック室42aとを接続するゲートバルブG6に隣接して設けられていることである。本例では、冷却部6が、ゲートバルブG6の前に設けられている。本例においても、冷却部6はガス放出部を有しており、ガス放出部として、真空破壊及び調圧に利用する気流制御フィルタ6aが利用されている。
第2の実施形態のように、冷却部6を搬送室21aとロードロック室、例えば、ロードロック室42aとを接続するゲートバルブG6に隣接、例えば、ゲートバルブG6の前に設けることで、ウエハWを、冷却部6からロードロック室42aへ搬送する搬送時間を短縮することができる。よって、冷却部6がゲートバルブG6に隣接して設けられていない基板処理装置に比較して、スループットを向上させることができる。
なお、第2の実施形態の構成は、以下に説明する第3、第4の実施形態にも適用することができる。
(第3の実施形態)
図4Aは第3の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図、図4Bは図4A中の4B−4B線に沿う断面図である。
図4Aは第3の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図、図4Bは図4A中の4B−4B線に沿う断面図である。
図4A及び図4Bに示すように、第3の実施形態に係る基板処理装置1cが、第1の実施形態に係る基板処理装置1aと異なるところは、冷却部6のガス放出部6bの被処理基板に対向する面の平面形状を、被処理基板の平面形状と同形状としたことである。本例では、被処理基板がウエハWである。このため、ガス放出部6bのウエハWに対向する面の平面形状を、円形としている。
第3の実施形態のように、ガス放出部6bの平面形状を、被処理基板の平面形状と同形状とすることで、同形状でない場合に比較して、被処理基板の平面全体に対して、効率良くガスをあてることができる。よって、第3の実施形態に係る基板処理装置1cは、空冷効果をより高めることができ、スループットの更なる向上に寄与する。
(第4の実施形態)
図5は第4の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図である。
図5は第4の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図である。
図5に示すように、第4の実施形態に係る基板処理装置1dが、第3の実施形態に係る基板処理装置1cと異なるところは、冷却部6に利用されるガス放出部6cと、真空破壊及び調圧に利用する気流制御フィルタ6aとの双方を備えていることにある。なお、本例では、ガス放出部6cは、第3の実施形態と同様に、平面形状が、被処理基板の平面形状と同形状とされているが、第1、第2の実施形態のように、ガス放出部6cの平面形状が、被処理基板の平面形状と異なっていてももちろん良い。
このように、冷却部6に利用されるガス放出部6cは、上記実施形態において説明したように気流制御フィルタ6aを利用することも可能であるし、気流制御フィルタ6aとは別に、冷却部6の専用に設けることも可能である。
また、冷却部6の専用にガス放出部6cを設けた場合には、ガスを、より効率よく被処理基板にあたるように、ガス放出のための開孔の形状等を工夫することも可能である。
以上、この発明をいくつかの実施形態により説明したが、この発明は上記いくつかの実施形態に限定されることなく種々変形可能である。
例えば、上記実施形態では、基板処理装置として、半導体ウエハを処理する基板処理装置を例示したが、例えば、液晶表示装置(LCD)用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板等を処理する基板処理装置にも適用可能であることは言うまでもない。
1a、1b、1c、1d…基板処理装置、2…処理部、3…搬入出部、4…ロードロック部、5…制御部、6…冷却部、6a…気流制御フィルタ、6b、6c…ガス放出部、21…搬送モジュール、21a…搬送室、22、23…処理モジュール、24…搬送機構、31…搬入出モジュール、34…搬入出用搬送機構、41、42…ロードロックモジュール、41a、42a…ロードロック室。
Claims (13)
- 被処理基板を搬入及び搬出する搬入出機構を備え、大気圧状態で被処理基板を搬入及び搬出する搬入出室と、
被処理基板搬送機構を備え、減圧状態で前記被処理基板を搬送する搬送室と、
大気圧状態で前記搬入出室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室と、
減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記被処理基板に対して処理を行う複数の処理室と、を備え、
前記搬送室内に、前記被処理基板を冷却する冷却部を設けたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ロードロック室内に、前記被処理基板を冷却する冷却機能をさらに備え、
前記被処理基板が前記ロードロック室内の冷却機能を用いて冷却されているとき、前記ロードロック室内の被処理基板とは別の被処理基板が、前記搬送室内の前記冷却部において冷却されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ロードロック室内に、前記被処理基板を冷却する冷却機能をさらに備え、
前記ロードロック室に搬送される前に、前記被処理基板が前記搬送室内の前記冷却部において事前冷却されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記被処理基板の前記ロードロック室への搬送待ち時間中に、
前記被処理基板が前記搬送室内の前記冷却部において冷却されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記搬送室内の冷却部が、前記搬送室と前記ロードロック室とを接続するゲートバルブに隣接して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記搬送室内の前記冷却部にガス放出部をさらに備え、
前記ガス放出部が、前記被処理基板搬送機構の基板搬送面よりも上の位置にあり、
前記被処理基板が、前記ガス放出部から放出されたガスにより冷却されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ガス放出部が、前記搬送室の真空を破壊する、及び/又は前記搬送室内の圧力を調圧する気流制御フィルタであることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記気流制御フィルタが、多孔質セラミックフィルタであることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記被処理基板搬送機構が、前記被処理基板を前記ガス放出部の直下に搬送し、
前記被処理基板が、前記被処理基板搬送機構に保持された状態で、前記ガス放出部から放出されたガスにより冷却されることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記被処理基板搬送機構が、前記被処理基板を前記ガス放出部の直下に搬送し、
前記ガス放出部の前記被処理基板に対向する面の平面形状が、前記被処理基板の平面形状と同形状であることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記被処理基板搬送機構が、前記被処理基板を前記ガス放出部の直下に搬送し、
前記ガス放出部の前記被処理基板に対向する面の平面形状が、円形であることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 被処理基板を搬入及び搬出する搬入出機構を備え、大気圧状態で被処理基板を搬入及び搬出する搬入出室と、
被処理基板搬送機構を備え、減圧状態で前記被処理基板を搬送する搬送室と、
大気圧状態で前記搬入出室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室と、
減圧状態で前記搬送室と前記被処理基板の受け渡しを行い、減圧状態で前記被処理基板に対して処理を行う複数の処理室と、
前記搬送室内に設けられたガス放出部と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記ガス放出部から前記搬送室内に放出されるガスを利用して、前記被処理基板を冷却することを特徴とする基板処理方法。 - コンピュータ上で動作し、基板処理を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムが、実行時に、請求項12に記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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WO2014073460A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却部材、基板処理装置及び基板処理方法 |
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