JP5106331B2 - 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム - Google Patents
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Description
前記基板搬送装置を介して、前記第1の基板載置台と、基板を冷却するための第2の基板載置台との間で、基板の移載を繰返すことにより、前記第1の基板載置台の熱を前記第2の基板載置台に伝熱させて前記第1の基板載置台を降温させることを特徴とする。
前記制御プログラムは、実行時に、
基板を加熱する加熱機構を備えた第1の基板載置台が内部に配設され、該第1の基板載置台に基板を載置した状態で所定の処理を行う一つ以上の処理室と、前記処理室へ基板の搬送を行なう基板搬送装置を備えた搬送室と、を備えた基板処理システムにおいて前記第1の基板載置台を降温する際に、前記基板搬送装置を介して、前記第1の基板載置台と、基板を冷却するための第2の基板載置台との間で、基板の移載を繰返すことにより、前記第1の基板載置台の熱を前記第2の基板載置台に伝熱させて前記第1の基板載置台を降温させるように前記基板処理システムを制御するものであることを特徴とする。
前記処理室へ基板の搬送を行なう基板搬送装置を備えた搬送室と、
前記基板搬送装置を介して、前記第1の基板載置台と、基板を冷却するための第2の基板載置台との間で、基板の移載を繰返すことにより、前記第1の基板載置台の熱を前記第2の基板載置台に伝熱させて前記第1の基板載置台を降温させるような制御を実行する制御部と、
を備えている。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図1および図2を参照して本発明の実施の形態に係る基板処理システムについて説明を行う。図1は、例えば基板としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記す)Wに対し、例えば成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行なうように構成された基板処理システム100を示す概略構成図である。
次に、図6を参照しながら、本発明の基板載置台の降温方法の第2の実施の形態について説明する。第1の実施の形態では、処理室1bの処理ステージ2bとロードロック室5aの待機ステージ6aとの間でウエハWの移載を行ったが、本実施の形態では、ウエハWの冷却を行う「第2の基板載置台」としてのウエハ冷却用ステージ39を搬送室3内に配設し、処理室1bの処理ステージ2bとウエハ冷却用ステージ39との間でウエハWの移載を行う。以下、その手順について説明する。
次に、図7を参照しながら、本発明の第3の実施の形態にかかる載置台の降温方法について説明する。本実施の形態では、ウエハWの冷却を行う専用の冷却用チャンバ1eを搬送室3に隣接して配設し、この冷却用チャンバ1e内に「第2の基板載置台」としてのウエハ冷却用ステージ2eを配設した。以下、その手順について説明する。
次に、本発明の効果を確認した実験データについて説明する。図1と同様の構成の基板処理システム100において、処理室内の載置台の温度を、650℃から200℃以下まで降温する場合に、本発明の降温方法を適用した場合と、適用しない場合との降温時間を比較した。図8は、降温処理の対象となった載置台の温度変化を計測した結果を示すグラフである。図8中、縦軸はヒーター温度またはヒーターパワーを示し、横軸は降温処理を開始してからの経過時間を示している。また、図8中、曲線C1は、本発明方法を適用しない比較例の結果を示し、曲線C2は本発明の降温方法を適用した場合の結果を示している。なお、曲線C3は、載置台に埋設された抵抗加熱ヒーターのパワー変化を示している。
Claims (10)
- 基板を加熱する加熱機構を備えた第1の基板載置台が内部に配設され、該第1の基板載置台に基板を載置した状態で所定の処理を行う一つ以上の処理室と、前記処理室へ基板の搬送を行なう基板搬送装置を備えた搬送室と、を備えた基板処理システムにおいて前記第1の基板載置台を降温する基板載置台の降温方法であって、
前記基板搬送装置を介して、前記第1の基板載置台と、基板を冷却するための第2の基板載置台との間で、基板の移載を繰返すことにより、前記第1の基板載置台の熱を前記第2の基板載置台に伝熱させて前記第1の基板載置台を降温させることを特徴とする基板載置台の降温方法。 - 前記第2の基板載置台は、基板を冷却する冷却機構を備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板載置台の降温方法。
- 前記基板処理システムは、前記搬送室に隣接して真空準備室であるロードロック室を備えており、該ロードロック室の載置台が前記第2の基板載置台を兼ねていることを特徴とする、請求項1に記載の基板載置台の降温方法。
- 前記第2の基板載置台が前記搬送室内に配設されていることを特徴とする、請求項1に記載の基板載置台の降温方法。
- 前記第2の基板載置台が前記基板処理システムに設けられた専用の基板冷却室内に配設されていることを特徴とする、請求項1に記載の基板載置台の降温方法。
- 前記第1の基板載置台の降温は、一定の速度に制御されて降温を行う第1の降温過程と、前記第1の降温過程よりも低い温度帯で自然降温を行う第2の降温過程と、を含んでおり、基板の移載を繰返すことにより実行される降温処理が、前記第2の降温過程のみに適用されるものであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板載置台の降温方法。
- 真空条件の下で行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板載置台の降温方法。
- 前記基板として、前記第1の載置台との接触面積が大きく、かつ表面積の大きな放熱構造を有する降温処理専用基板を用いることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板載置台の降温方法。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、
基板を加熱する加熱機構を備えた第1の基板載置台が内部に配設され、該第1の基板載置台に基板を載置した状態で所定の処理を行う一つ以上の処理室と、前記処理室へ基板の搬送を行なう基板搬送装置を備えた搬送室と、を備えた基板処理システムにおいて前記第1の基板載置台を降温する際に、前記基板搬送装置を介して、前記第1の基板載置台と、基板を冷却するための第2の基板載置台との間で、基板の移載を繰返すことにより、前記第1の基板載置台の熱を前記第2の基板載置台に伝熱させて前記第1の基板載置台を降温させるように前記基板処理システムを制御するものであることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 基板を加熱する加熱機構を備えた第1の基板載置台が内部に配設され、該第1の基板載置台に基板を載置した状態で所定の処理を行う一つ以上の処理室と、
前記処理室へ基板の搬送を行なう基板搬送装置を備えた搬送室と、
前記基板搬送装置を介して、前記第1の基板載置台と、基板を冷却するための第2の基板載置台との間で、基板の移載を繰返すことにより、前記第1の基板載置台の熱を前記第2の基板載置台に伝熱させて前記第1の基板載置台を降温させるような制御を実行する制御部と、
を備えた基板処理システム。
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