JP7106681B2 - デュアルロードロックチャンバ - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は、概して、基板処理システムに関し、より詳細には、マルチチャンバ処理システムのための方法及び装置に関する。
例えば、共有移送チャンバに結合された複数の処理チャンバを有するクラスタツールなどの処理システムは、システム及び製造コストを削減し、プロセススループットを改善するために利用される。１つ以上のロードロックチャンバは、ファクトリインターフェースと共有移送チャンバとの間の基板の往来を容易にする。
しかしながら、従来のロードロックチャンバは、各ステーションにおけるクラスタツールマルチチャンバシステムのスループットを低下させる可能性がある（例えば、デュアル又はクアッドチャンバ）。このようなシステムでは、共有移送チャンバ内の移送ロボットは、マルチチャンバシステムの内外への基板の移送を容易にするために、ロードロックチャンバと各マルチチャンバシステムとの間で何度も行程をこなす必要がありうることから、ロードロックはボトルネックとして作用する可能性がある。
したがって、本発明者らは、マルチチャンバ処理システムで使用するための改良されたロードロックチャンバを提供する。
マルチチャンバ処理システムで使用するためのデュアルロードロックチャンバが本明細書に開示される。幾つかの実施形態では、デュアルロードロックチャンバは、第１の内部容積と、該第１の内部容積内に配置された第１の基板支持体とを有する第１のロードロックチャンバであって、第１の基板支持体が、対応する第１の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第１の複数の支持面を備えており、該第１の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離だけ離間される、第１のロードロックチャンバ；第１の基板支持体内に配置されて第１の複数の基板を加熱又は冷却する、少なくとも１つの伝熱装置；並びに、第１のロードロックチャンバに隣接して配置され、かつ第２の内部容積と、該第２の内部容積内に配置された第２の基板支持体とを有する第２のロードロックチャンバであって、第２の基板支持体が、対応する第２の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第２の複数の支持面を含み、該第２の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離より短い第２の所定の距離だけ離間される、第２のロードロックチャンバを備えている。
幾つかの実施形態では、処理システムは、ファクトリインターフェース；基板移送チャンバ；該基板移送チャンバに結合した１つ以上のマルチチャンバ処理システム；ファクトリインターフェースを基板移送チャンバに結合するデュアルロードロックチャンバ；及び、基板移送チャンバ内に配置され、デュアルロードロックチャンバと１つ以上のマルチチャンバ処理システムとの間で基板を移送するように構成された真空ロボットを備えている。デュアルロードロックチャンバは、第１の内部容積と、該第１の内部容積内に配置された第１の基板支持体とを有する第１のロードロックチャンバであって、第１の基板支持体が、対応する第１の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第１の複数の支持面を備えており、該第１の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離だけ離間される、第１のロードロックチャンバ；第１の基板支持体内に配置されて第１の複数の基板を加熱又は冷却する、少なくとも１つの伝熱装置；並びに、第１のロードロックチャンバに隣接して配置され、かつ第２の内部容積と、該第２の内部容積内に配置された第２の基板支持体とを有する第２のロードロックチャンバであって、第２の基板支持体が、対応する第２の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第２の複数の支持面を含み、該第２の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離より短い第２の所定の距離だけ離間される、第２のロードロックチャンバを備えている。
幾つかの実施形態では、デュアルロードロックチャンバは、第１の内部容積と、該第１の内部容積内に配置された第１の基板支持体とを有する第１のロードロックチャンバであって、第１の基板支持体が、対応する第１の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第１の複数の支持面を備えており、該第１の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離だけ離間されている、第１のロードロックチャンバ；第１の複数の支持面のうちの最下部の支持面に隣接して配置されて、第１の複数の支持面のうちの最下部の支持面の上に配置された第１の複数の基板のうちの１つを加熱又は冷却する、第１の伝熱装置；第１の複数の支持面のうちの最上部の支持面の上に配置された第１の複数の基板のうちの別の１つを加熱又は冷却するように第１の複数の支持面のうちの最上部の支持面に隣接して配置された、第２の伝熱装置；並びに、第１のロードロックチャンバに隣接して配置され、かつ第２の内部容積と、該第２の内部容積内に配置された第２の基板支持体とを有する第２のロードロックチャンバであって、第２の基板支持体が、対応する第２の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第２の複数の支持面を含み、該第２の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離より短い第２の所定の距離だけ離間される、第２のロードロックチャンバを備えている。
本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態について以下に説明する。
上記で簡潔に要約し、下記でより詳細に述べる本開示の実施形態は、添付の図面に示される本開示の例示的な実施形態を参照することにより、理解することができる。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容しうることから、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、従って、本開示の範囲を限定していると見なされるべきではない。
本開示の幾つかの実施形態による処理システムの概略的な上面図を示す。 本開示の幾つかの実施形態によるデュアルロードロックチャンバの断面図を示す。 本開示の幾つかの実施形態によるデュアルロードロックチャンバの断面図を示す。 本開示の幾つかの実施形態によるデュアルロードロックチャンバ内に配置された基板支持体の上面図を示す。 本開示の幾つかの実施形態による処理システムで使用するための多基板移送ロボットの概略的な側面図を示す。
理解を容易にするため、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が用いられる。図は縮尺どおりには描かれておらず、分かり易くするために簡略化されることがある。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込むことができる。
マルチチャンバ処理システムのためのデュアルロードロックチャンバが本明細書に開示される。本発明にかかるデュアルロードロックチャンバは、多基板移送ロボットによって１回の行程で、２つ以上の基板がデュアルロードロックチャンバからアンロードされ、また、２つ以上の基板がデュアルロードロックチャンバにロードされうるように構成される。結果として、マルチチャンバ処理システムのスループットは有利に改善される。
本明細書に開示されるマルチチャンバ処理システムは、例えば、図１に示される処理システム１００などの幾つかのマルチチャンバ処理システムが結合されたクラスタツールの一部でありうる。図１に戻ると、幾つかの実施形態では、処理システム１００は、概して、真空気密処理プラットフォーム１０４、ファクトリインターフェース１０２、１つ以上のマルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１、及びシステムコントローラ１４４を含みうる。本明細書で提供される教示に従って適切に修正することができる処理システムの非限定的な例には、ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）統合処理システム、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）ラインの処理システムの１つ（ＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）ＧＴ（商標）など）、ＥＮＤＵＲＡ（商標）処理システム、ＣＥＮＴＲＩＳ（登録商標）処理システム、又は米国カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販される他の適切な処理システムが含まれる。あるいは、マルチチャンバ処理システムは、例えば並んでなど、互いに隣接して配置された、単一基板処理チャンバなどの２つの処理チャンバを含むことができる。他の処理システム（他の製造業者からのものを含む）もまた、本開示から利益を得るように適合させることができる。
処理プラットフォーム１０４は、１つ以上のマルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１（図１に示される６つ）を含む。幾つかの実施形態では、各マルチチャンバ処理システムは、４つの処理チャンバ（例えば、１１１～１１４、１３１～１３４、１５１～１５４、１７１～１７４、１９１～１９４、及び１９５～１９８）を含む。しかしながら、各マルチチャンバ処理システムは、より少ない又はより多い処理チャンバ（例えば、２つ、３つ、５つなど）を備えていてもよい。プラットフォームは、真空で基板移送チャンバ１３６に結合された、図２に関して以下に示され、より詳細に説明される、少なくとも１つのデュアルロードロックチャンバ１２２（図１には２つ示されている）をさらに含む。ファクトリインターフェース１０２は、デュアルロードロックチャンバ１２２を介して移送チャンバ１３６に結合される。
各マルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１は、互いに分離することができる独立した処理容積を含む。各マルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１は、マルチチャンバ処理システムの各処理チャンバ間でリソース（例えば、プロセスガス供給源、真空ポンプなど）を共有するように構成することができる。
ファクトリインターフェース１０２は、基板の移送を容易にするために、少なくとも１つのドッキングステーション１０８及び少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット１１０（図１には２つ示されている）を備えることができる。ドッキングステーション１０８は、１つ以上の（図１には２つ示されている）前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ）１０６Ａ～Ｂを受け入れるように構成することができる。ファクトリインターフェースロボット１１０は、デュアルロードロックチャンバ１２２を介して、ファクトリインターフェース１０２から処理プラットフォーム１０４へと基板を処理のために移送するように構成された、ファクトリインターフェースロボット１１０の一端に配置されたブレード１１６を備えることができる。任意選択的に、１つ以上の計測ステーション１１８を、ＦＯＵＰ１０６Ａ～Ｂからの基板の測定を容易にするためにファクトリインターフェース１０２の端子１２７に接続することができる。
デュアルロードロックチャンバ１２２の各々は、ファクトリインターフェース１０２に結合した第１の側１２３と、移送チャンバ１３６に結合した第２の側１２５とを含みうる。デュアルロードロックチャンバ１２２は、該デュアルロードロックチャンバ１２２をポンプダウン及びベントして、移送チャンバ１３６の真空環境とファクトリインターフェース１０２の実質的に周囲（例えば、大気）環境との間の基板の通過を容易にする、圧力制御システム（図示せず）に結合することができる。
移送チャンバ１３６は、該チャンバ内に配置された真空ロボット１３０を有する。真空ロボット１３０は、可動アーム１３３に結合した１つ以上の移送ブレード１３５を有しうる。例えば、幾つかの実施形態では、示されているようにマルチチャンバ処理システムが移送チャンバ１３６に結合されている場合、真空ロボット１３０は、該真空ロボット１３０が、デュアルロードロックチャンバ１２２の１つと、マルチチャンバ処理システムの処理チャンバ、例えば、マルチチャンバ処理システム１０１の処理チャンバ１１２、１１４との間で２つの基板を同時に移送することができるように構成された、３つ以上の平行な移送ブレード１３５を有しうる。
各マルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１の処理チャンバ（例えば、１１１～１１４、１３１～１３４、１５１～１５４、１７１～１７４、１９１～１９４、及び１９５～１９８）は、例えば、エッチングチャンバ、堆積チャンバなど、基板処理に利用される任意のタイプの処理チャンバでありうる。幾つかの実施形態では、各マルチチャンバ処理システム、例えばマルチチャンバ処理システム１０１の処理チャンバ、例えば処理チャンバ１１２、１１４は、同じ機能、例えばエッチング用に構成される。例えば、マルチチャンバ処理システムの各処理チャンバがエッチングチャンバである実施形態では、各処理チャンバは、例えば、誘導結合又は容量結合プラズマ源、遠隔プラズマ源などのプラズマ源を含みうる。さらには、マルチチャンバ処理システムの各処理チャンバは、例えば、共有ガスパネルによって提供されるハロゲン含有ガスを使用して、その中に配置された基板をエッチングすることができる。ハロゲン含有ガスの例には、臭化水素（ＨＢｒ）、塩素（Ｃｌ２）、四フッ化炭素（ＣＦ４）などが含まれる。例えば、基板のエッチング後に、ハロゲン含有残留物が基板表面に残る可能性がある。ハロゲン含有残留物は、ロードロックチャンバ１２２内の熱処理プロセスによって、又は他の適切な手段によって除去することができる。
以下の説明は、図２Ａから２Ｃを参照して行われる。図２Ａ及び２Ｂは、本開示の幾つかの実施形態によるデュアルロードロックチャンバ２００の断面図を示している。デュアルロードロックチャンバ２００は、図１に関して上で論じたデュアルロードロックチャンバ１２２として利用することができる。デュアルロードロックチャンバ２００は、第１のロードロックチャンバ２０２と第２のロードロックチャンバ２０３とを含む。第１及び第２のロードロックチャンバ２０２、２０３は、互いに隣接して配置される。例えば、第１及び第２のロードロックチャンバ２０２、２０３は、図２Ａに示されるように、垂直に積み重ねることができ、あるいは、第１及び第２のロードロックチャンバ２０２、２０３は、並べて配置することができる。第１のロードロックチャンバ２０２は第１の内部容積２０４を含む。幾つかの実施形態では、ガス供給源２４０は、第１のロードロックチャンバ２０２に結合して第１の内部容積２０４にガスを供給することができる。幾つかの実施形態では、ガスは希ガスなどの不活性ガスである。
第１のロードロックチャンバ２０２は、第１の内部容積２０４内に配置された第１の基板支持体２０６を含む。第１の基板支持体２０６は、対応する第１の複数の支持面２０８ａ、２０８ｂ上に第１の複数の基板２０７ａ、ｂ（例えば、図２には２つ示されている）を支持するように構成される。第１の複数の支持面２０８ａ、２０８ｂのうちの隣接する支持面は、第１の所定の距離２１０だけ垂直方向に離間される。
第１のロードロックチャンバ２０２は、第１の複数の基板２０７ａ、ｂを加熱又は冷却するように第１の基板支持体２０６内に配置された少なくとも１つの伝熱装置（例えば、ヒータ又は冷却装置）をさらに含む。幾つかの実施形態では、図２Ａに示されるように、少なくとも１つの伝熱装置は、例えば、抵抗ヒータなどのヒータ２１２である。このような実施形態では、ヒータ電源２５０をヒータ２１２に結合して、その動作を制御することができる。幾つかの実施形態では、図２Ｂに示されるように、少なくとも１つの伝熱装置は、例えば、第１の基板支持体２０６を通って形成され、冷却剤源２５２からの冷却剤などの伝熱流体を流すことができる１つ以上の通路を含む、冷却プレートなどの冷却装置２５４である。
幾つかの実施形態では、少なくとも１つの伝熱装置は、第１の複数の支持面のうちの最下部の支持面（例えば、支持面２０８ｂ）に隣接して配置される。幾つかの実施形態では、第１のロードチャンバは、第１の複数の支持面のうちの最上部の支持面（例えば、支持面２０８ａ）に隣接して配置された第２の伝熱装置を含む。第２の伝熱装置は第１の伝熱装置と同様である。第２の伝熱装置は、第１の伝熱装置と同じタイプの伝熱装置でありうる。例えば、図２Ａに示されるように、第１の伝熱装置はヒータ２１２（例えば、第１のヒータ）であり、第２の伝熱装置はヒータ２１３（例えば、第２のヒータ）である。図２Ｂに示されるように、第１の伝熱装置は冷却装置２５４（例えば、第１の冷却装置）であり、第２の伝熱装置は冷却装置２５５（例えば、第２の冷却装置）である。
幾つかの実施形態では、第１の基板支持体２０６は、熱伝導体内に埋め込まれた少なくとも１つの伝熱装置（例えば、ヒータ２１２又は冷却装置２５４）を有する熱伝導体（例えば、アルミニウム）から形成される。幾つかの実施形態では、第１の基板支持体２０６は、第１の複数の支持面の上に配置された基板を加熱又は冷却するように複数の第１の複数の支持面（例えば、支持面２０８ａ、２０８ｂ）に対応する複数の伝熱装置を備えていてもよい。幾つかの実施形態では、複数の伝熱装置は、抵抗加熱素子（例えば、ヒータ２１２、２１３）などのヒータでありうる。幾つかの実施形態では、複数の伝熱装置は、冷却装置（例えば、冷却装置２５４、２５５）でありうる。
幾つかの実施形態では、使用において、第１のロードロックチャンバ２０２は、処理チャンバ内で基板を処理する前に第１の複数の基板２０７ａ，ｂから水分を除去するために使用することができる。幾つかの実施形態では、使用において、第１のロードロックチャンバ２０２は、処理チャンバ内で基板を処理した後に第１の複数の基板２０７ａ，ｂを冷却するために使用することができる。
図２Ｃは、本開示の幾つかの実施形態による基板支持体の上面図を示している。幾つかの実施形態では、第１のロードロックチャンバ２０２は、矢印２３０で示されるように、第１の複数の支持面２０８ａ，ｂから離すようにまたは第１の複数の支持面２０８ａ，ｂ上に載せるように、第１の複数の基板２０７ａ，ｂを昇降させるように構成されたリフトアセンブリ２０９をさらに含む。幾つかの実施形態では、リフトアセンブリ２０９は、２つ以上のリフト要素２３４に結合したモータ２３２を含む。幾つかの実施形態では、図２Ｃに示されるように、２つ以上のリフト要素２３４の各々は、２つの対向するリフト要素２３４ａ，ｂを含み、各々が第１の複数の支持面２０８ａ，ｂの対応する箇所に形成された溝２３８の対応する対に延びる一対のプロング２３６を有する。リフト要素２３４は、第１の複数の支持面２０８ａ，ｂより上方に上昇して、第１の複数の基板２０７ａ，ｂを受ける。その後、リフト要素２３４は、第１の複数の基板２０７ａ，ｂが第１の複数の支持面２０８ａ，ｂの対応する箇所の上に載るように、下降する。第１の複数の基板２０７ａ，ｂが加熱されて基板から水分が除去された後、リフト要素２３４は、ロボット（例えば、真空ロボット１３０）が第１のロードロックチャンバ２０２から第１の複数の基板２０７ａ，ｂを取り出し、該基板を処理チャンバに移送することができるように、再び上昇する。
図２Ａ～２Ｂに戻ると、幾つかの実施形態では、第２のロードロックチャンバ２０３は、第１のロードロックチャンバ２０２の上に配置され、第２の内部容積２１４と該第２の内部容積２１４内に配置された第２の基板支持体２１６とを備えている。第２の基板支持体２１６は、第２の所定の距離２２０だけ垂直方向に離間された対応する第２の複数の支持面２１８ａ，ｂ上に第２の複数の基板２１７ａ，ｂ（例えば、図２Ａ～２Ｂには２つ示されている）を支持するように構成されている。幾つかの実施形態では、第２の基板支持体２１６は、上述のリフト要素２３４ａ，ｂと類似の支持要素２５６を含む。幾つかの例示的な使用では、第２のロードロックチャンバ２０３は、基板の処理が完了した後に第２の複数の基板２１７ａ，ｂを受け取り、ドッキングステーション１０８に結合したＦＯＵＰ上にロードするために使用することができる。
幾つかの実施形態では、第１の基板支持体２０６は、上述したように、第１の複数の基板２０７ａ，ｂを加熱するように構成された追加の要素を含むのに対し、第２の基板支持体２１６は、もっぱら第２の複数の基板２１７ａ，ｂを保持するように構成される。このような実施形態では、第２の基板支持体２１６は第１の基板支持体２０６よりも複雑でないため、第２の所定の距離２２０は第１の所定の距離２１０より短い。幾つかの実施形態では、第２の所定の距離２２０は第１の所定の距離２１０の半分である。幾つかの実施形態では、第２の所定の距離２２０は第１の所定の距離２１０の半分である。幾つかの実施形態では、第１の所定の距離は約１４ｍｍであり、第２の所定の距離２２０は約２８ｍｍである。幾つかの実施形態では、第１及び第２の所定の距離２１０、２２０は、基板移送ロボット（例えば、真空ロボット１３０）の隣接するブレード間の垂直距離に対応しうる。
図３を参照すると、デュアルロードロック１２２と処理チャンバとの間で基板を移送するための基板移送ロボット（例えば、真空ロボット１３０）は、前腕部３０４を介してモータアセンブリ３０３に結合した複数のブレード（例えば、図３に示される第１のブレード３０２ａ、第２のブレード３０２ｂ、及び第３のブレード３０２ｃ）を備えている。モータアセンブリ３０３は、第１の軸３０５を中心に前腕部３０４を回転させ、かつ、前腕部内に配置されたプーリ（図示せず）を介して第２の軸３０７を中心に複数のブレード（例えば、第１のブレード３０２ａ、第２のブレード３０２ｂ、及び第３のブレード３０２ｃ）を独立して回転させるように構成される。第１のブレード３０２ａは、第２のブレード３０２ｂから第１の垂直距離３０６ａだけ離間されている。第２のブレード３０２ｂは、第３のブレード３０２Ｃから第２の垂直距離３０６ｂだけ離間されている。幾つかの実施形態では、第１及び第２の垂直距離３０６ａ，ｂは等しい。幾つかの実施形態では、第１及び第２の垂直距離３０６ａ，ｂは異なる。
幾つかの実施形態では、第１の所定の距離２１０は、第１のブレード３０２ａと第３のブレード３０２ｃとの間の垂直距離に等しい。このような間隔は、２つのブレード（第１及び第３のブレード３０２ａ，ｃ）を第１のロードロックに挿入して、例えば水分を除去するために加熱された、２つの基板を同時に取り出し、該基板をマルチチャンバ処理システム（例えば、１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１）に移送することを可能にする。ブレードの１つ（例えば、第２のブレード３０２ｂ）が空であるため、この空のブレードは、加熱された基板が処理システムへと移送される前に、処理された基板をマルチチャンバ処理システムから取り出すことができる。例えば、マルチチャンバ処理システムへの一行程中に、処理された基板がマルチチャンバ処理システムから取り出され、加熱された基板のうちの１つがマルチチャンバ処理システムへと移送され、別の処理された基板がマルチチャンバ処理システムから取り出され、加熱された基板の他の１つがマルチチャンバ処理システムに移送される。第２のブレード３０２ｂは処理された基板を保持し、第１又は第３のブレード３０２ａ，ｃの一方は別の処理された基板を保持することから、基板移送ロボットによって保持される２つの処理された基板間の垂直距離は、３０６ａか３０６ｂのいずれかである。このように、幾つかの実施形態では、第２の所定の距離２２０は、２つの隣接するブレード（３０６ａ又は３０６ｂ）間の垂直距離に等しい。ブレードの数、隣接するブレード間の垂直方向の間隔、及びデュアルロードロック内の基板支持体の支持面の対応する垂直方向の間隔の結果として、デュアルロードロック１２２とマルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１のうちの１つとの間で基板を移送するために必要とされる行程の数が減少し、したがって処理システム１００のスループットが増加する。
加えて、本発明にかかる装置は、上述したものとは反対の方向に使用することができる。例えば、処理システムに入る基板を予熱する代わりに、装置はまた、複数の基板を、例えば処理システムを出る基板を冷却するための冷却プレートを備えたロードロックへと戻すために有利に使用することができる。このような実施形態では、ロードロックは、図２Ａに関して上述されたようなものであってよく、加熱プレートの代わりに冷却プレートを含むことができる。動作中、互いに近接した２つのブレード（例えば、最も内側のブレードと第１の最も外側のブレード）を使用して、処理システムに入る２つのインバウンド基板を３つのブレードロボットでピックアップすることができる。次に、自由な最も外側のブレード（例えば、第２の最も外側のブレード）を使用して、アウトバウンド基板を処理チャンバからピックアップすることができる。第１の最も外側のブレード上のインバウンド基板は、処理チャンバ内に配置することができる。第２の完成したアウトバウンド基板は、開いている第１の最も外側のブレードを使用してピックアップすることができる。最も内側のブレード上の残りのインバウンド基板は処理チャンバ内に配置することができる。２つの最も外側のブレード上に残っている２つのアウトバウンド基板は、２つの最も外側のブレード間の垂直距離に対して間隔を置いて配置された２つの冷却プレートを有するロードロック内に、同時に配置することができる。
各ロードロックチャンバ（２０２、２０４）内の２つの支持面及び３つのブレード（３０２ａ，ｂ，ｃ）に関して上記の説明がなされたが、ブレードの数が支持面の数より１だけ多くなる必要があることを除き、任意の数の支持面及びブレードが存在しうる。追加のブレードは、第１のロードロックチャンバ２０２内で加熱された基板の移送前に、処理された基板をマルチチャンバ処理システムから取り出すことを可能し、したがって、ロボットがロードロックとマルチチャンバ処理システムとの間を行き交う数を減らすことができる。
図１に戻ると、システムコントローラ１４４は処理システム１００に結合している。システムコントローラ１４４は、処理システム１００の処理チャンバ１１１～１１４、１３１～１３４、１５１～１５４、１７１～１７４、１９１～１９４、及び１９５～１９８の直接制御を使用して、あるいは、処理チャンバ１１１～１１４、１３１～１３４、１５１～１５４、１７１～１７４、１９１～１９４、及び１９５～１９８及び／又は各マルチチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１１、並びに処理システム１００に関連する個々のコントローラ（図示せず）を制御することによって、処理システム１００の動作を制御する。動作において、システムコントローラ１４４は、それぞれのチャンバ及びシステムコントローラ１４４からのデータ収集及びフィードバックを可能にし、処理システム１００の性能を最適化する。
システムコントローラ１４４は、概して、中央処理装置（ＣＰＵ）１３８、メモリ１４０、及び支援回路１４２を備えている。ＣＰＵ１３８は、産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つでありうる。支援回路１４２は、慣例的にＣＰＵ１３８に結合され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源などを含みうる。マルチチャンバ処理システムの各チャンバの減圧、ベント、又はパージなどの１つ以上のチャンバプロセスを制御するための、以下に説明する方法３００などのソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ１３８によって実行されると、ＣＰＵ１３８を特定の目的のコンピュータ（コントローラ）１４４に変換する。ソフトウェアルーチンはまた、処理システム１００から離れて配置された第２のコントローラ（図示せず）によって格納及び／又は実行させることができる。
以上述べたように、共有真空システムを有するマルチチャンバ処理システムのための方法及び装置を提供してきた。本発明にかかるマルチチャンバ処理システムは、残りのチャンバが正常に動作することを可能にしつつ、第１のチャンバを整備することを有利に可能にする。加えて、本発明にかかるマルチチャンバ処理システムは、第１の処理チャンバの整備後の残りの処理チャンバの汚染を有利に防止する。
上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。

Claims (15)

  1. 第１の内部容積と、該第１の内部容積内に配置された第１の基板支持体とを有する第１のロードロックチャンバであって、前記第１の基板支持体が、対応する第１の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第１の複数の支持面を含み、前記第１の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が第１の所定の距離だけ離間される、第１のロードロックチャンバ；
    前記第１の基板支持体内に配置されて、前記第１の複数の基板を加熱又は冷却する少なくとも１つの伝熱装置；及び
    前記第１のロードロックチャンバに隣接して配置され、かつ第２の内部容積と、該第２の内部容積内に配置された第２の基板支持体とを有する第２のロードロックチャンバであって、前記第２の基板支持体が、対応する第２の複数の基板を支持するように垂直方向に離間された第２の複数の支持面を含み、前記第２の複数の支持面のうちの隣接する支持面同士が、前記第１の所定の距離より短い第２の所定の距離だけ離間される、第２のロードロックチャンバ
    を備えている、デュアルロードロックチャンバ。
  2. 前記第２の所定の距離が前記第１の所定の距離の半分である、請求項１に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  3. 前記第１の複数の支持面が２つの第１の支持面であり、前記第２の複数の支持面が２つの第２の支持面である、請求項１に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  4. 前記少なくとも１つの伝熱装置が、前記第１の複数の支持面のうちの最下部の支持面に隣接して配置される、請求項３に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  5. 前記第１の複数の支持面のうちの最上部の支持面に隣接して配置された第２の伝熱装置をさらに含む、請求項４に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  6. 前記第１のロードロックチャンバが、前記第１の複数の支持面から離すようにまたは前記第１の複数の支持面上に載せるように、前記第１の複数の基板を昇降させるように構成されたリフトアセンブリをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  7. 前記少なくとも１つの伝熱装置が抵抗加熱素子である、請求項１から５のいずれか一項に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  8. 前記少なくとも１つの伝熱装置が冷却プレートである、請求項１から５のいずれか一項に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  9. 前記第１のロードロックチャンバに結合して前記第１の内部容積にガスを供給するガス供給源をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のデュアルロードロックチャンバ。
  10. ファクトリインターフェース；
    基板移送チャンバ；
    前記基板移送チャンバに結合した１つ以上のマルチチャンバ処理システム；
    前記ファクトリインターフェースを前記基板移送チャンバに結合するデュアルロードロックチャンバであって、請求項１から５のいずれか一項に記載のデュアルロードロックチャンバ；及び
    前記基板移送チャンバ内に配置され、前記デュアルロードロックチャンバと前記１つ以上のマルチチャンバ処理システムとの間で基板を移送するように構成された真空ロボット
    を備えている、処理システム。
  11. 前記真空ロボットが、複数のブレードを含み、前記複数のブレードの各々が、隣接するブレードから垂直距離だけ離間されている、請求項１０に記載の処理システム。
  12. 前記第２の所定の距離が前記垂直距離に等しい、請求項１１に記載の処理システム。
  13. 前記第１の所定の距離が前記垂直距離の２倍の大きさである、請求項１１に記載の処理システム。
  14. 前記少なくとも１つの伝熱装置が抵抗加熱素子又は冷却プレートのいずれかである、請求項１０に記載の処理システム。
  15. 前記第１のロードロックチャンバが、前記第１の複数の支持面から離すようにまたは前記第１の複数の支持面上に載せるように、前記第１の複数の基板を昇降させるように構成されたリフトアセンブリをさらに含む、請求項１０に記載の処理システム。
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