JP2011503837A - ロードロック高速排気および通気 - Google Patents
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Abstract
Description
TGAS = T0 + (Tconvection - Tadiabatic) [1]
T0をガスの初期温度とすると、Tadiabatic(adiabatic:断熱)はガスの膨張による温度降下であり、Tconvection(convection:対流)はチャンバ壁からの伝熱による温度上昇である。断熱温度降下の変化率は次の式で表すことができる。
Claims (40)
- 基板処理ツールであって、
制御された雰囲気を保持するために少なくとも1つの隔離可能なチャンバを形成するフレームと、
前記少なくとも1つの隔離可能なチャンバのそれぞれに位置する少なくとも2つの基板支持体であって、それぞれ上下に積層され、それぞれの基板を支えるために構成されている、少なくとも2つの基板支持体と、
前記少なくとも2つの基板支持体と連通可能に結合している冷却ユニットであって、前記少なくとも2つの基板支持体および前記冷却ユニットは、前記少なくとも2つの基板支持体上に位置する前記各基板のそれぞれに同時伝導冷却を与えるように構成されている、冷却ユニットと、を備えることを特徴とする、基板処理ツール。 - 前記少なくとも1つの隔離可能なチャンバは、それぞれ制御された雰囲気を保持するために構成された少なくとも2つの隔離可能なチャンバを有し、前記少なくとも2つの隔離可能なチャンバは上下に積層されていることを特徴とする、請求項1記載の基板処理ツール。
- 前記少なくとも2つの隔離可能なチャンバのうちの第1のチャンバが基板を第1の方向に搬送し、第2のチャンバが基板を第2の方向に搬送するように構成され、前記第1および第2の方向は互いに異なることを特徴とする、請求項2記載の基板処理ツール。
- 前記少なくとも2つの隔離可能なチャンバのそれぞれは双方向の基板搬送用に構成されていることを特徴とする、請求項2記載の基板処理ツール。
- 前記少なくとも1つの隔離可能なチャンバは通気ポートおよび真空ポートを有し、前記基板処理ツールはさらに、前記少なくとも1つの隔離可能なチャンバ内で制御された雰囲気の通気および/または排気を行う前記通気ポートおよび前記真空ポートと結合するために構成された雰囲気制御モジュールを備えることを特徴とする、請求項1記載の基板処理ツール。
- 前記少なくとも1つの隔離可能なチャンバは通気ポートを有し、前記基板処理ツールはさらに複数の相互に交換可能な通気モジュールを備え、前記複数の相互に交換可能な通気モジュールのそれぞれは前記通気ポートと結合するために構成され、前記複数の相互に交換可能な通気モジュールのそれぞれは互いに異なる通気形状を有することを特徴とする、請求項1記載の基板処理ツール。
- 前記少なくとも2つの基板支持体は、互いの間にある所定ピッチに応じて前記フレームに対して調節可能であることを特徴とする、請求項1記載の基板処理ツール。
- 前記少なくとも2つの基板支持体は、前記フレームにおいて静止型であることを特徴とする、請求項1記載の基板処理ツール。
- 半導体処理ツールであって、
開口部を有する少なくとも1つのチャンバを形成し、前記開口部の周辺に封止表面を有するフレームと、
前記開口部の封止用の前記封止表面と相互作用するように構成されたドアと、
前記フレーム上にあり、前記開口部を介して移送される基板の移送面に実質的に垂直である前記ドアの横に位置する、少なくとも1つの駆動装置であって、少なくとも部分的に前記封止表面の前にアクチュエータを有し、前記駆動アクチュエータは前記ドアを封止位置までの間を移動させるために前記ドアと結合していることを特徴とする、少なくとも1つの駆動装置と、を備え、
前記少なくとも1つの駆動装置は、前記開口部を介して基板をチャンバへ出入りさせるための基板移送域の外に位置していることを特徴とする、半導体処理ツール。 - 駆動リンクが前記ドアと前記アクチュエータとを結合させており、前記駆動リンクは前記封止表面の前に位置し、前記封止表面に実質的に平行であることを特徴とする、請求項9記載の半導体処理ツール。
- 前記アクチュエータは、前記フレームに着脱可能に装着するように構成されたモジュール式アセンブリを備えることを特徴とする、請求項9記載の半導体処理ツール。
- 前記アクチュエータは、1つまたは2つの動作の軸を備え、また、前記ドアを前記封止位置から移動させるために前記ドアを前記封止表面から離すように構成されていることを特徴とする、請求項9記載の半導体処理ツール。
- 前記ドアは大気ドアまたは真空スロット弁であることを特徴とする、請求項9記載の半導体処理ツール。
- 前記封止表面は前記フレームから着脱可能であることを特徴とする、請求項9記載の半導体処理ツール。
- 半導体処理ツールであって、
フレームであって、少なくとも1つのチャンバを形成し、凹部を有し、前記少なくとも1つのチャンバのそれぞれの1つにアクセスするための前記凹部内に少なくとも1つの間隙部を有するフレームと、
前記フレームに結合している着脱可能なインサートであって、前記凹部に嵌合するように構成されている外周部を有し、前記外周部と一体構造であり、前記少なくとも1つの間隙部に少なくとも部分的に嵌合するように構成されている内チャネル部を有するインサートと、
前記フレームに接続し、前記少なくとも1つの間隙部を覆うように構成されている少なくとも1つのドアであって、前記少なくとも1つの間隙部を封止するために前記外周部と相互作用するように構成されているドアシールを有する少なくとも1つのドアと、
前記凹部に位置し、前記少なくとも1つの間隙部のそれぞれを囲む少なくとも1つのインサートシールであって、前記インサートとは別個のものであり、前記インサートと相互作用して前記インサートと前記フレームとの間で封止を形成するように構成されている少なくとも1つのインサートシールと、を備えることを特徴とする、半導体処理ツール。 - 前記少なくとも1つのチャンバは制御された環境を保持するように構成され、前記インサートシールは前記制御された環境とは異なる外部環境から前記制御された環境を封止するように構成されていることを特徴とする、請求項15記載の半導体処理ツール。
- 前記外周部が前記少なくとも1つのドアの周辺を超えて延びていることを特徴とする、請求項15記載の半導体処理ツール。
- 前記少なくとも1つの間隙部は、少なくとも1つの基板の通過および前記少なくとも1つの基板を搬送する搬送機の少なくとも部分的な通過に必要な最小限の隙間を提供する大きさであることを特徴とする、請求項15記載の半導体処理ツール。
- 前記少なくとも1つのドアは、前記少なくとも1つの間隙部を介して基板を移送するための基板移送域の外に位置する、少なくとも1つのモジュール式駆動装置に結合していることを特徴とする、請求項15記載の半導体処理ツール。
- 前記少なくとも1つのモジュール式駆動装置は、少なくとも部分的には前記着脱可能なインサートのドアインターフェース面の前で、前記フレームに着脱可能に結合していることを特徴とする、請求項19記載の半導体処理ツール。
- 装置であって、
内部に第1の冷却面を有する第1のチャンバと、
前記第1のチャンバ内に固定装着され、第1の基板を保持するように構成されている第1の基板支持体と、
少なくとも部分的には前記第1のチャンバ内に位置する第1のチャックであって、前記第1の冷却面に実質的に反対側に位置する第2の冷却面、および従属する第2の基板支持体を有し、前記第2の基板支持体は第2の基板を保持するように構成されていることを特徴とする、第1のチャックと、を備え、
前記第1のチャックはロード位置と冷却位置との間で移動可能であり、前記冷却位置にある場合は、前記第2の冷却面は前記第1の基板の1つの面に実質的に接触しており、前記第1の冷却面は前記第2の基板の1つの面に実質的に接触していることを特徴とする、装置。 - 請求項21記載の装置であって、さらに第2のチャンバを備え、前記第2のチャンバは、
前記第2のチャンバ内の第3の冷却面と、
前記第2のチャンバ内に固定装着され、第3の基板を保持するように構成されている第3の基板支持体と、
少なくとも部分的には前記第2のチャンバ内に位置する第2のチャックであって、前記第3の冷却面に実質的に反対側に位置する第4の冷却面、および従属する第4の基板支持体を有し、前記第4の基板支持体は第4の基板を保持するように構成されていることを特徴とする、第2のチャックと、を備え、
前記第2のチャックはロード位置と冷却位置との間で移動可能であり、前記冷却位置にある場合は、前記第4の冷却面は前記第3の基板の1つの面に実質的に接触しており、前記第3の冷却面は前記第4の基板の1つの面に実質的に接触していることを特徴とする、装置。 - 前記第1および第2のチャンバは、前記第1および第2のチャックが実質的に互いに対向するように構成されていることを特徴とする、請求項22記載の装置。
- 前記第1および第2のチャックは互いに独立して可動であることを特徴とする、請求項22記載の装置。
- 前記第1および第2のチャンバは互いから隔離可能であることを特徴とする、請求項22記載の装置。
- 前記第1の基板支持体は、前記第2の冷却面と前記第2の基板支持体との間に位置することを特徴とする、請求項21記載の装置。
- 前記第1のチャンバ内に、前記第1のチャックに係合して前記第1の基板から熱を伝達するように構成されている冷却インターフェースをさらに備えることを特徴とする、請求項21記載の装置。
- 前記第1のチャックおよび前記第1の冷却面は、冷却流体が第1のチャックおよび前記第1の冷却面のそれぞれの1つを通って通過するように構成されている流体流路を備え、前記冷却流体は前記第1および第2の基板のそれぞれの1つから熱を伝達するように構成されていることを特徴とする、請求項21記載の装置。
- 前記第1および第2の冷却面は、前記第1および第2の基板のそれぞれの1つを伝導的に冷却するように構成されていることを特徴とする、請求項21記載の装置。
- 前記第1および第2の基板支持体の間に実質的に位置する流体流路をさらに備え、前記流体流路は前記第1および第2の基板の間で流体の流れを起こすように構成され、前記流体の流れは前記第1および第2の基板の間の対流伝熱に熱障壁を与えるように構成されていることを特徴とする、請求項21記載の装置。
- 前記流体流路は前記第1の基板支持体内で形成されていることを特徴とする、請求項10記載の装置。
- 装置であって、
隔離可能なチャンバを形成するフレームであって、前記隔離可能なチャンバは少なくとも1つの基板を保持するように構成され、チャンバ壁を有することを特徴とするフレームと、
前記チャンバ壁を加熱するように構成され、前記チャンバ壁と一体化している少なくとも1つの発熱体と、を備え、
前記チャンバ壁は、隔絶可能なチャンバの容積に対するチャンバ壁表面の比率が最大限であり、前記隔離可能なチャンバ内で前記チャンバ壁とガスとの間で最大限の伝熱が発生するように構成されていることを特徴とする、装置。 - 前記隔離可能なチャンバの壁は基板と前記壁との間の最小限の隙間で、前記隔離可能なチャンバを介して、前記基板の経路を追うように輪郭付けられていることを特徴とする、請求項32記載の装置。
- 前記壁はさらに、ポンプダウン(真空排気)サイクルで前記隔離可能なチャンバ内のガスの初期温度を維持するように構成され、前記隔離可能なチャンバ内でのパーティクル形成を最小限に抑えるために、ポンプダウン中の断熱膨張からのガス温度の低下が常に所定値より上にあるように構成されていることを特徴とする、請求項32記載の装置。
- 前記隔離可能なチャンバをポンプダウンするように構成されている真空システムをさらに備えることを特徴とする、請求項32記載の装置。
- 前記隔離可能なチャンバへのガスの体積流量を最大限にするように構成されている少なくとも1つの通気弁をさらに備え、前記ガスの体積流量は均一かつ低いガス流速を有し、前記隔離可能なチャンバの通気サイクル時のパーティクル形成を最小限に抑えることを特徴とする、請求項32記載の装置。
- 前記隔離可能なチャンバに接続している処理モジュール内で基板を処理する時間内にポンプダウンサイクルおよび通気サイクルが起きるように、前記隔離可能なチャンバが構成されていることを特徴とする、請求項36記載の装置。
- 前記隔離可能なチャンバの内部容積が、前記隔離可能なチャンバの通気のサイクルタイムを最小限に抑えるように構成されていることを特徴とする、請求項32記載の装置。
- 前記隔離可能なチャンバ内に基板処理装置をさらに備えることを特徴とする、請求項32記載の装置。
- 前記ガスを前記隔離可能なチャンバに導入する前に、前記ガスを所定の温度まで加熱するように構成されている通気ガスソースをさらに備えることを特徴とする、請求項32記載の装置。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014073460A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却部材、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014511575A (ja) * | 2011-03-01 | 2014-05-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアルロードロック構成内の除害及びストリップ処理チャンバ |
JP2016525281A (ja) * | 2013-07-08 | 2016-08-22 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | オンザフライ基板センタリングを含む処理装置 |
JP2017500755A (ja) * | 2013-11-04 | 2017-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法 |
JP2020510319A (ja) * | 2017-03-17 | 2020-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板を加熱し、ロードロック内の汚染を低減するための電子デバイス製造システム、方法、及び装置 |
JP2020174219A (ja) * | 2013-01-22 | 2020-10-22 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 基板搬送部 |
JP2021524159A (ja) * | 2018-05-18 | 2021-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | デュアルロードロックチャンバ |
JP2023536549A (ja) * | 2020-09-25 | 2023-08-25 | 北京北方華創微電子装備有限公司 | プリロードチャンバおよび半導体プロセスプラットフォーム |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6918731B2 (en) | 2001-07-02 | 2005-07-19 | Brooks Automation, Incorporated | Fast swap dual substrate transport for load lock |
EP1903157A3 (de) * | 2006-09-19 | 2008-05-14 | Integrated Dynamics Engineering GmbH | Umgebungslärmabschirmvorrichtung |
KR20100000146A (ko) * | 2008-06-24 | 2010-01-06 | 주성엔지니어링(주) | 챔버리드를 포함하는 기판처리를 위한 진공챔버 |
JP5037551B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板交換機構及び基板交換方法 |
US20100301236A1 (en) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Shih-Yung Shieh | Shorten Temperature Recovery Time of Low Temperature Ion Implantation |
FR2954583B1 (fr) | 2009-12-18 | 2017-11-24 | Alcatel Lucent | Procede et dispositif de pilotage de fabrication de semi conducteurs par mesure de contamination |
JP5511536B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-06-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
FR2961946B1 (fr) * | 2010-06-29 | 2012-08-03 | Alcatel Lucent | Dispositif de traitement pour boites de transport et de stockage |
US8616821B2 (en) * | 2010-08-26 | 2013-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability |
DE102010048043A1 (de) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Ev Group Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern |
EP2444993A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-25 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber, substrate processing system and method for venting |
US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
WO2012148568A1 (en) | 2011-03-01 | 2012-11-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement |
US20120288355A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Ming-Teng Hsieh | Method for storing wafers |
US8833383B2 (en) | 2011-07-20 | 2014-09-16 | Ferrotec (Usa) Corporation | Multi-vane throttle valve |
JP6106176B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2017-03-29 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | ロードステーション |
KR101271794B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2013-06-07 | 박호현 | 로드락 챔버 |
JP2013131543A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
WO2013130191A1 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration |
US10115608B2 (en) * | 2012-05-25 | 2018-10-30 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for rapid pump-down of a high-vacuum loadlock |
EP2740979A1 (de) | 2012-12-05 | 2014-06-11 | VAT Holding AG | Vakuumventil |
US9842757B2 (en) * | 2013-06-05 | 2017-12-12 | Persimmon Technologies Corporation | Robot and adaptive placement system and method |
CN103400789B (zh) * | 2013-08-01 | 2018-01-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 设备平台系统及其晶圆传输方法 |
US9435025B2 (en) * | 2013-09-25 | 2016-09-06 | Applied Materials, Inc. | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
US9673071B2 (en) * | 2014-10-23 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates |
CN107112275B (zh) * | 2014-12-19 | 2020-10-30 | 应用材料公司 | 用于基板处理腔室的边缘环 |
KR101642919B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2016-07-26 | 코스텍시스템(주) | 웨이퍼 이송 장치 및 이송 방법 |
KR20230145534A (ko) * | 2015-07-13 | 2023-10-17 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 온 더 플라이 자동 웨이퍼 센터링 방법 및 장치 |
KR101725894B1 (ko) * | 2016-01-26 | 2017-04-11 | 주식회사 더셀머트리얼즈 | 로드락 챔버 |
JP6800237B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2020-12-16 | エヴァテック・アーゲー | 基板を脱ガスするためのチャンバ |
US10559483B2 (en) * | 2016-08-10 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Platform architecture to improve system productivity |
US11581186B2 (en) * | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
GB2570510A (en) * | 2018-01-30 | 2019-07-31 | Pragmatic Printing Ltd | System and method for manufacturing plurality of integrated circuits |
KR102132422B1 (ko) | 2018-03-14 | 2020-08-05 | 우범제 | 이에프이엠 |
KR102592920B1 (ko) | 2018-07-16 | 2023-10-23 | 삼성전자주식회사 | 로드락 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
CN113287194A (zh) * | 2019-01-16 | 2021-08-20 | 应用材料公司 | 基板处理系统、用于真空处理系统的基板腔室以及冷却基板的方法 |
US20200395232A1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Brooks Automation, Inc. | Substrate process apparatus |
WO2021044622A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | ロードロック装置 |
DE102019124484A1 (de) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Ventilanordnung, Vakuumanordnung und Verfahren |
JP7451436B2 (ja) * | 2020-02-14 | 2024-03-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置及び成膜装置の水分除去方法 |
US20210325278A1 (en) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | RPM Industries, LLC | Modular container and system including same |
KR102432994B1 (ko) * | 2020-10-16 | 2022-08-16 | 최환혁 | 기판 예열 장치 |
CN113066742B (zh) * | 2021-03-18 | 2023-11-10 | 浙江芯能光伏科技股份有限公司 | 一种生产太阳能多晶硅片的自动传送设备 |
KR102625678B1 (ko) * | 2021-11-05 | 2024-01-17 | 프리시스 주식회사 | 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
US20240145270A1 (en) * | 2022-10-31 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Workpiece handling architecture for high workpiece throughput |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246363A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Nec Corp | 半導体基板の冷却装置 |
JP2001526316A (ja) * | 1997-10-14 | 2001-12-18 | エーケーティー株式会社 | 基板加熱冷却を改良した真空処理装置 |
JP2006100743A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 昇温ユニット及び昇降温ユニット |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4715921A (en) * | 1986-10-24 | 1987-12-29 | General Signal Corporation | Quad processor |
FR2617952B1 (fr) * | 1987-07-07 | 1989-11-24 | Sari | Installation de traitement d'air, destinee a la ventilation et a la climatisation d'une pluralite de salles, et module de traitement d'air destine a une telle installation |
DE3833232A1 (de) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von bei raumtemperatur fluessigen monomeren |
US5000682A (en) | 1990-01-22 | 1991-03-19 | Semitherm | Vertical thermal processor for semiconductor wafers |
JP2525284B2 (ja) | 1990-10-22 | 1996-08-14 | ティーディーケイ株式会社 | クリ―ン搬送方法及び装置 |
US5199483A (en) * | 1991-05-15 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling wafers |
US5314541A (en) | 1991-05-28 | 1994-05-24 | Tokyo Electron Limited | Reduced pressure processing system and reduced pressure processing method |
JP2886404B2 (ja) | 1993-01-25 | 1999-04-26 | シャープ株式会社 | 電子レンジ |
US5466082A (en) * | 1993-11-30 | 1995-11-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture | In-line safety shackle |
TW295677B (ja) * | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP4227623B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2009-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置 |
US5751003A (en) | 1996-02-16 | 1998-05-12 | Eaton Corporation | Loadlock assembly for an ion implantation system |
KR100218269B1 (ko) | 1996-05-30 | 1999-09-01 | 윤종용 | 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법 |
US5746434A (en) | 1996-07-09 | 1998-05-05 | Lam Research Corporation | Chamber interfacing O-rings and method for implementing same |
DE19633798A1 (de) | 1996-08-22 | 1998-02-26 | Vat Holding Ag | Einrichtung zum Verschließen einer Öffnung in einem Behälter oder in einer Rohrleitung |
JP3947761B2 (ja) * | 1996-09-26 | 2007-07-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法 |
US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
US5902088A (en) | 1996-11-18 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Single loadlock chamber with wafer cooling function |
US5961269A (en) | 1996-11-18 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Three chamber load lock apparatus |
US5914493A (en) | 1997-02-21 | 1999-06-22 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam exposure apparatus and methods with substrate-temperature control |
JPH113861A (ja) | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
US6045620A (en) * | 1997-07-11 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Two-piece slit valve insert for vacuum processing system |
US6089543A (en) | 1997-07-11 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Two-piece slit valve door with molded-in-place seal for a vacuum processing system |
US5975492A (en) * | 1997-07-14 | 1999-11-02 | Brenes; Arthur | Bellows driver slot valve |
JPH11135600A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-05-21 | Shibaura Mechatronics Corp | ロボット装置および処理装置 |
DE19746241C2 (de) | 1997-10-20 | 2000-05-31 | Vat Holding Ag Haag | Einrichtung zum Verschließen einer Öffnung |
EP2099061A3 (en) * | 1997-11-28 | 2013-06-12 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for low contamination, high throughput handling of workpieces for vacuum processing |
US6042623A (en) * | 1998-01-12 | 2000-03-28 | Tokyo Electron Limited | Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor |
US6122566A (en) | 1998-03-03 | 2000-09-19 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system |
JP4067633B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2008-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US20080209758A9 (en) | 2005-06-27 | 2008-09-04 | Dominique Thifault | Pocket ventilator |
US6016611A (en) | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Gas flow control in a substrate processing system |
US6110232A (en) | 1998-10-01 | 2000-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for preventing corrosion in load-lock chambers |
US6488262B1 (en) | 1999-06-02 | 2002-12-03 | Tokyo Electron Limited | Gate valve for semiconductor processing system |
DE60012428T2 (de) * | 1999-06-14 | 2005-07-28 | Smc K.K. | Schieber |
JP2001015571A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Tokyo Electron Ltd | ゲートバルブ |
US6318945B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot |
JP2000323549A (ja) | 1999-10-21 | 2000-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
US6558509B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Dual wafer load lock |
TW484170B (en) * | 1999-11-30 | 2002-04-21 | Applied Materials Inc | Integrated modular processing platform |
JP2001230312A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JP2001319885A (ja) | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
US6323463B1 (en) | 2000-03-29 | 2001-11-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing contamination in a wafer loadlock of a semiconductor wafer processing system |
JP4669257B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2011-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
US6609877B1 (en) | 2000-10-04 | 2003-08-26 | The Boc Group, Inc. | Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism |
KR20020071393A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
US6684123B2 (en) | 2001-06-26 | 2004-01-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for accessing a multiple chamber semiconductor wafer processing system |
US6918731B2 (en) * | 2001-07-02 | 2005-07-19 | Brooks Automation, Incorporated | Fast swap dual substrate transport for load lock |
US6663333B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-12-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer transport apparatus |
JP2003031639A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置 |
JP2003045947A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | 基板処理装置及び露光装置 |
US6672864B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas |
DE10149481A1 (de) | 2001-10-08 | 2003-04-30 | Siemens Ag | System und Verfahren zur Datenausgabe eines Geräts, insbesondere eines Automatisierungsgerät über eine standardisierte Schnittstelle mit Variablenersetzung über einen Echoserver |
US6764265B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-07-20 | Applied Materials Inc. | Erosion resistant slit valve |
JP2003234391A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Jeol Ltd | ガス導入機構及びロード・ロック室 |
KR101120497B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2012-02-29 | 외를리콘 솔라 아게, 트뤼프바흐 | 2차원 확장 기판의 진공처리용 장치 및 그기판의 제조방법 |
US6885206B2 (en) | 2003-02-11 | 2005-04-26 | Strasbaugh | Device for supporting thin semiconductor wafers |
JP2004244207A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hitachi Displays Ltd | 搬送装置 |
JP4319434B2 (ja) | 2003-03-11 | 2009-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ及び真空容器 |
US6916009B2 (en) * | 2003-07-14 | 2005-07-12 | Vat Holding Ag | Load-lock device for introducing substrates into a vacuum chamber |
US7100892B2 (en) * | 2003-08-26 | 2006-09-05 | Kitz Sct Corporation | Non-rubbing gate valve for semiconductor fabrication apparatus |
JP4602019B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2010-12-22 | 株式会社キッツエスシーティー | ゲートバルブ |
US7207766B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
JP2005191494A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2005277049A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理システム及び熱処理方法 |
US7162881B2 (en) | 2004-04-07 | 2007-01-16 | Nikon Corporation | Thermophoretic wand to protect front and back surfaces of an object |
KR100716041B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2007-05-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버를 밀봉하기 위한 방법 및 장치 |
US20060045668A1 (en) * | 2004-07-19 | 2006-03-02 | Grabowski Al W | System for handling of wafers within a process tool |
JP4798981B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法,基板処理装置,基板処理装置の制御を行うプログラム |
JP4860167B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置,処理システム及び処理方法 |
JP4619854B2 (ja) | 2005-04-18 | 2011-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置及び処理方法 |
US20070209593A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Ravinder Aggarwal | Semiconductor wafer cooling device |
US8398355B2 (en) * | 2006-05-26 | 2013-03-19 | Brooks Automation, Inc. | Linearly distributed semiconductor workpiece processing tool |
EP2031284B1 (en) * | 2006-06-19 | 2018-09-12 | Nippon Valqua Industries, Ltd. | Valve element portion and gate valve device |
US7822324B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with heater in tube |
JP5044366B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-10-10 | 株式会社ブイテックス | 真空ゲートバルブおよびこれを使用したゲート開閉方法 |
US8288288B1 (en) * | 2008-06-16 | 2012-10-16 | Novellus Systems, Inc. | Transferring heat in loadlocks |
-
2008
- 2008-05-19 US US12/123,365 patent/US8272825B2/en active Active
- 2008-05-19 WO PCT/US2008/064166 patent/WO2008144670A1/en active Application Filing
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-
2012
- 2012-09-24 US US13/625,704 patent/US8662812B2/en active Active
-
2013
- 2013-10-11 JP JP2013214185A patent/JP5956403B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-03 US US14/195,086 patent/US9478446B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-23 JP JP2015125256A patent/JP6113227B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-04 JP JP2016042596A patent/JP6420271B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-27 JP JP2018158802A patent/JP6907166B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-30 JP JP2020183300A patent/JP7132306B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246363A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Nec Corp | 半導体基板の冷却装置 |
JP2001526316A (ja) * | 1997-10-14 | 2001-12-18 | エーケーティー株式会社 | 基板加熱冷却を改良した真空処理装置 |
JP2006100743A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 昇温ユニット及び昇降温ユニット |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014511575A (ja) * | 2011-03-01 | 2014-05-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアルロードロック構成内の除害及びストリップ処理チャンバ |
WO2014073460A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却部材、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7263639B2 (ja) | 2013-01-22 | 2023-04-25 | ブルックス オートメーション ユーエス、エルエルシー | 基板搬送部 |
US11978648B2 (en) | 2013-01-22 | 2024-05-07 | Brooks Automation Us, Llc | Substrate transport |
US11658051B2 (en) | 2013-01-22 | 2023-05-23 | Brooks Automation Us, Llc | Substrate transport |
JP2020174219A (ja) * | 2013-01-22 | 2020-10-22 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 基板搬送部 |
JP2016525281A (ja) * | 2013-07-08 | 2016-08-22 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | オンザフライ基板センタリングを含む処理装置 |
US10971381B2 (en) | 2013-11-04 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods |
US11087998B2 (en) | 2013-11-04 | 2021-08-10 | Applied Materials, Inc. | Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods |
JP2017500755A (ja) * | 2013-11-04 | 2017-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法 |
JP2020510319A (ja) * | 2017-03-17 | 2020-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板を加熱し、ロードロック内の汚染を低減するための電子デバイス製造システム、方法、及び装置 |
JP2021524159A (ja) * | 2018-05-18 | 2021-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | デュアルロードロックチャンバ |
JP7106681B2 (ja) | 2018-05-18 | 2022-07-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアルロードロックチャンバ |
JP2023536549A (ja) * | 2020-09-25 | 2023-08-25 | 北京北方華創微電子装備有限公司 | プリロードチャンバおよび半導体プロセスプラットフォーム |
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