JP4619854B2 - ロードロック装置及び処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は，基板を処理する処理システム等に用いられるロードロック装置及び処理方法に関する。
例えばＬＣＤ基板等の製造工程においては，減圧雰囲気下で基板に成膜，エッチング，アッシング等の所定の処理を施す基板処理装置を複数備えた，いわゆるマルチチャンバー型の処理システムが使用されている（例えば，特許文献１参照）。このような処理システムには，基板を搬送する基板搬送装置を備えた搬送室と，その周囲に設けられた複数の基板処理装置とを有する処理部が備えられている。そして，基板搬送装置の搬送アームにより，基板が各基板処理装置に対して搬入出されるようになっている。また，かような処理システムには，外部に対して基板を搬入出させる搬入出部が備えられており，搬入出部と処理部との間には，ロードロック装置が備えられる。搬入出部に搬入された基板は，ロードロック装置を介して処理部に搬入され，処理部で処理された後，再びロードロック装置を介して搬入出部に搬出される。
かかるロードロック装置としては，ロードロック装置内で基板を予備加熱するための加熱用プレートを備えたものが知られている（例えば，特許文献２参照。）。また，加熱用プレートと冷却用プレートとを備え，基板を搬入出部から処理部に搬入するときは，加熱用プレートによって基板を加熱し，基板を処理部から搬入出部に搬出するときは，冷却用プレートによって基板を冷却できるようにしたものが提案されている（例えば，特許文献１参照）。
ロードロック装置等において用いられる加熱用プレートとしては，例えばステンレス合金又はアルミニウム（Ａｌ）合金等の金属製のプレート本体の内部に，シーズヒータ等の発熱体を内蔵した構造とし，発熱体からプレート本体に熱を伝導させ，加熱されたプレート本体から放射される熱によって，基板を加熱する構成が考えられる。冷却用プレートとしては，例えばステンレス合金又はアルミニウム合金等の金属製のプレート本体の内部に，冷却水を通過させる冷却水送水路を内蔵した構造とし，冷却水によってプレート本体を冷却させ，冷却されたプレート本体の冷熱によって，基板を冷却する構成が考えられる。また，基板に窒素（Ｎ２）やヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスを供給することにより，基板を冷却する方法も提案されている（例えば，特許文献１参照）。
特表２００４−５２３８８０号公報 特開２００１−２３９１４４号公報
しかしながら，加熱用プレートのプレート本体をステンレス合金によって形成すると，熱伝導率が悪く，プレート本体を均一に加熱することが難しいので，基板に加熱むらが生じるおそれがあった。そのため，熱応力の影響により基板が変形したり，処理部における基板処理にむらが生じたりするおそれがあった。さらに，基板にメタルコンタミネーションが付着するおそれがあった。また，加熱用プレートのプレート本体をアルミニウム合金によって形成した場合，高温に対する耐熱性が不足し，基板を最高約４００℃程度までしか加熱することができない問題があった。また，輻射熱のみの加熱では効率が悪い問題があった。
一方，冷却用プレートのプレート本体をステンレス合金で形成した場合も，ステンレス合金の熱伝導率が悪く，プレート本体を均一に冷却することが難しいので，基板に冷却むらが生じるおそれがあった。そのため，熱応力の影響により基板が変形するおそれがあった。また，基板にガスを供給して冷却する場合，基板に対してガスを均一に供給することが難しく，基板に冷却むらが生じるおそれがあった。
本発明の目的は，基板の温度を好適に調節できるロードロック装置及び処理方法を提供することにある。
上記課題を解決するため，本発明によれば，外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，基板を処理する処理部側に設けた搬出口とを備えたロードロック装置であって，ロードロック装置内に搬入した基板を加熱する加熱用プレートを備え，前記加熱用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体に加熱した加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，前記加熱用ガスは，前記プレート本体中を通過し，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置が提供される。かかる構成によれば，プレート本体から基板に対して加熱用ガスを均一に供給することができる。これにより，基板を均一に加熱することができる。
また，本発明によれば，外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，基板を処理する処理部側に設けた搬出口とを備えたロードロック装置であって，ロードロック装置内に搬入した基板を加熱する加熱用プレートを備え，前記加熱用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体内に設けられた発熱体と，前記プレート本体にガスを供給するガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，前記ガスは，前記発熱体によって加熱された前記プレート本体中を通過する際に加熱され，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置が提供される。
前記多孔質材は，多孔質カーボンであっても良い。多孔質カーボンは熱伝導率が良いので，基板を効率的に加熱することができる。また，高温でも耐熱性が良いので，基板を高温に加熱することが可能である。
前記プレート本体の表面に，通気性を有する保護膜を設けても良い。前記加熱用プレートは，基板に対して相対的に近接及び離隔することが可能な構成としても良い。
また，ロードロック装置内に搬入した基板を加熱する第二の加熱用プレートを基板の裏面側に備えても良い。そうすれば，基板をさらに効率的に，均一に加熱することができる。前記プレート本体は上下に分割され，上部板と下部板との間に隙間が形成され，前記下部板の上面に複数の溝が設けられた構成としても良い。
さらに，本発明によれば，外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，基板を処理する処理部側に設けた搬入口とを備えたロードロック装置であって，ロードロック装置内に搬入された基板を冷却する冷却用プレートを備え，前記冷却用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体に冷却された冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，前記冷却用ガスは，前記プレート本体中を通過し，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置が提供される。かかる構成によれば，プレート本体から基板に対して冷却用ガスを均一に供給することができる。従って，基板を均一に冷却することができる。
また，本発明によれば，外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，基板を処理する処理部側に設けた搬入口とを備えたロードロック装置であって，ロードロック装置内に搬入された基板を冷却する冷却用プレートを備え，前記冷却用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体内に設けられた冷却水送水路と，前記プレート本体にガスを供給するガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，前記ガスは，前記冷却水送水路によって冷却されたプレート本体中を通過する際に冷却され，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置が提供される。
前記多孔質材は，多孔質カーボンであっても良い。前記プレート本体の表面には，通気性を有する保護膜を設けても良い。また，前記冷却用プレートは，基板に対して相対的に近接及び離隔することが可能な構成としても良い。
また，ロードロック装置内に搬入した基板を冷却する第二の冷却用プレートを基板の裏面側に備えても良い。そうすれば，基板をさらに効率的に，均一に冷却することができる。前記プレート本体は上下に分割され，上部板と下部板との間に隙間が形成され，前記下部板の上面に複数の溝が設けられた構成としても良い。
さらに本発明によれば，上記請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置と，上記請求項８〜１４のいずれかに記載のロードロック装置とを備えたことを特徴とする，ロードロック装置が提供される。
また，請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置と，請求項８〜１４のいずれかに記載のロードロック装置とを，上下に積み重ねて備えたことを特徴とする，ロードロック装置が提供される。
また，本発明によれば，搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する加熱用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，加熱した加熱用ガスを前記プレート本体に通過させて，前記プレート本体から基板に供給して，基板を加熱し，前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて処理部に基板を搬入し，前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法が提供される。
さらに，本発明によれば，搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する加熱用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，前記プレート本体の内部に設けられた発熱体を発熱させるとともに，前記プレート本体にガスを通過させて，前記発熱体によって加熱されたプレート本体によって前記ガスを加熱し，前記加熱したガスを前記プレート本体から基板に供給して，基板を加熱し，前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて処理部に基板を搬入し，前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法が提供される。
前記処理部は前記搬入出部よりも減圧されており，前記ロードロック装置に基板を搬入した後，前記搬入口を閉じ，前記ロードロック装置内を密閉状態とし，前記ロードロック装置内を所定の圧力まで減圧してから，前記搬出口を開き，前記ロードロック装置から処理部に基板を搬出することとしても良い。
また，本発明によれば，搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する冷却用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，冷却した冷却用ガスを前記プレート本体に通過させて，前記プレート本体から基板に供給して，基板を冷却し，前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて前記搬入出部に基板を搬出し，前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法が提供される。
さらに，本発明によれば，搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する冷却用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，前記プレート本体の内部に設けられた冷却水送水路に冷却水を通過させるとともに，前記プレート本体にガスを通過させて，前記冷却水送水路によって冷却されたプレート本体によって前記ガスを冷却し，前記冷却したガスを前記プレート本体から基板に供給して，基板を冷却し，前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて前記搬入出部に基板を搬出し，前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法が提供される。
前記処理部は前記搬入出部よりも減圧されており，前記ロードロック装置に基板を搬入した後，前記搬入口を閉じ，前記ロードロック装置内を密閉状態とし，前記ロードロック装置内を所定の圧力まで加圧してから，前記搬出口を開き，前記ロードロック装置から搬入出部に基板を搬出することとしても良い。
本発明によれば，加熱用プレートのプレート本体を多孔質材としたことにより，プレート本体中の細孔に加熱用ガスを通過させることができる。プレート本体の表面から加熱用ガスを均一に噴出させ，基板の表面又は裏面全体に加熱用ガスを均等に吹き付けることができる。そのため，基板の表面又は裏面を加熱用ガスによって効率的かつ均一に加熱することができる。また，発熱体によってプレート本体を加熱しながら，プレート本体中を通過するガスを加熱して，加熱したガスを基板に吹き付けることにより，基板を効率的に加熱することができる。
また，本発明によれば，冷却用プレートのプレート本体を多孔質材としたことにより，プレート本体中の細孔に冷却用ガスを通過させることができる。プレート本体の表面から冷却用ガスを均一に噴出させ，基板の表面又は裏面全体に冷却用ガスを均等に吹き付けることができる。そのため，基板の表面又は裏面を冷却用ガスによって効率的かつ均一に冷却することができる。また，冷却水送水路によってプレート本体を冷却しながら，プレート本体中を通過するガスを冷却して，冷却したガスを基板に吹き付けることにより，基板を効率的に冷却することができる。
以下，本発明の第一の実施の形態を，基板の一例としてのＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；液晶表示装置）用のガラス基板Ｇに対して，プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理により薄膜を成膜する工程を実施する処理システムに基づいて説明する。図１は，本発明の実施の形態にかかる処理システム１の概略的な構成を示した平面図である。図１に示す処理システム１は，いわゆるマルチチャンバー型の処理システムであり，処理システム１の外部に対して基板Ｇを搬入出させる搬入出部２と，基板ＧのＣＶＤ処理を行う処理部３とを備えている。搬入出部２と処理部３との間には，ロードロック装置５が設置されている。
搬入出部２には，複数枚の基板Ｇを収納したカセットＣを載置する載置台１１と，基板Ｇを搬送する第一の搬送装置１２とが設けられている。載置台１１上には，図１において略水平方向のＸ軸方向に沿って，複数のカセットＣが並べられる。図２に示すように，載置台１１上のカセットＣ内には，略長方形の薄板状の基板Ｇが，略水平な姿勢で複数枚上下に並べて収納されている。
搬送装置１２は，水平方向のＹ軸方向において載置台１１の後方（図１においては右方）に備えられている。また，搬送装置１２は，Ｘ軸方向に沿って延設されたレール１３と，レール１３に沿って水平方向に移動可能な搬送機構１４とを備えている。搬送機構１４は，一枚の基板Ｇを略水平に保持する搬送アーム１５を備えており，搬送アーム１５は，Ｚ軸方向（鉛直方向）に屈伸及び略水平面内で旋回可能に構成されている。即ち，載置台１１上の各カセットＣの正面に設けられた開口１６に搬送アーム１５をアクセスさせて，基板Ｇを一枚ずつ取り出したり収納したりすることができる構成になっている。また，搬送装置１２を挟んで載置台１１と対向する側（Ｙ軸方向において搬送装置１２の後方）に設けられたロードロック装置５に対して，搬送アーム１５をアクセスさせ，基板Ｇを一枚ずつ搬入及び搬出させることができる。
図２に示すように，ロードロック装置５は，一対のロードロック装置，即ち，第一のロードロック装置２１及び第二のロードロック装置２２によって構成されている。第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は，上下に積み重ねて備えられており，図示の例では，第一のロードロック装置２１の上に第二のロードロック装置２２が設けられている。また，Ｙ軸方向においてロードロック装置２１の前側（図２においては左側）には，後述するロードロック装置２１の搬入口６３を開閉するゲートバルブ２５が設けられており，Ｙ軸方向においてロードロック装置２１の後側には，後述するロードロック装置２１の搬出口６４を開閉するゲートバルブ２６が設けられている。Ｙ軸方向においてロードロック装置２２の後側には，後述するロードロック装置２２の搬入口１０３を開閉するゲートバルブ２７が設けられており，Ｙ軸方向においてロードロック装置２２の前側には，後述するロードロック装置２２の搬出口１０４を開閉するゲートバルブ２８が設けられている。かかる構成において，各ゲートバルブ２５，２８を閉じることにより，搬入出部２の雰囲気とロードロック装置２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また，各ゲートバルブ２６，２７を閉じることにより，処理部３の雰囲気とロードロック装置２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。各ロードロック装置２１，２２の構造については，後に詳細に説明する。
図１に示すように，処理部３には，基板Ｇを収納してプラズマＣＶＤ処理を施す複数，例えば５つの基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ，及び，ロードロック装置５と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅとの間で基板Ｇを搬送する第二の搬送装置３１が備えられている。第二の搬送装置３１は，密閉構造のチャンバ３２内に設けられた搬送室３３に格納されている。チャンバ３２は，Ｙ軸方向においてロードロック装置５の後方に設けられている。また，ロードロック装置５，及び，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅは，チャンバ３２の周囲を囲むように配置されている。
搬送室３３とロードロック装置２１，２２の間には，前述したゲートバルブ２６，２７がそれぞれ設けられており，各ゲートバルブ２６，２７によって搬送室３３内の雰囲気とロードロック装置２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。搬送室３３と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅとの間には，それぞれゲートバルブ３５が設けられており，各ゲートバルブ３５によって基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅの開口を気密に閉塞し，搬送室３３内の雰囲気と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また，図２に示すように，搬送室３３内を強制排気して減圧させるための排気路３６が設けられている。処理システム１における処理時，処理部３の搬送室３３，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ内は，搬入出部２よりも減圧雰囲気にされ，例えば真空状態にされる。
第二の搬送装置３１は，例えば多関節の搬送アーム５１を備えている。搬送アーム５１は，一枚又は複数枚の基板Ｇを略水平に保持することができ，Ｚ軸方向に屈伸及び略水平面内で旋回可能に構成されている。そして，各ロードロック装置２１，２２，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅに，各ゲートバルブ２６，２７，３５を介して搬送アーム５１をアクセスさせて，基板Ｇを一枚ずつ搬入及び搬出させることができるように構成されている。
次に，前述したロードロック装置２１の構成について詳細に説明する。図３に示すように，ロードロック装置２１は，密閉構造のチャンバ６１を備えている。チャンバ６１の内部は，基板Ｇを収納するロードロック室６２となっている。
チャンバ６１の搬入出部２側，即ち，Ｙ軸方向において前側には，ロードロック室６２に基板Ｇを搬入するための搬入口６３が設けられている。搬入口６３には，前述したゲートバルブ２５が設けられており，ゲートバルブ２５によって気密に閉塞可能になっている。チャンバ６１の処理部３側，即ち，Ｙ軸方向において後側には，ロードロック室６２から基板Ｇを搬出するための搬出口６４が設けられている。搬出口６４には，前述したゲートバルブ２６が設けられており，ゲートバルブ２６によって気密に閉塞可能になっている。
ロードロック室６２内には，基板Ｇを支持する複数の保持部材７０が備えられている。各保持部材７０は略棒状をなし，チャンバ６１の底部から上方に突出するように設けられており，各保持部材７０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより，基板Ｇを略水平に支持するようになっている。
さらに，ロードロック室６２内には，保持部材７０に支持された基板Ｇを加熱する第一の加熱用プレートとしての上面加熱用プレート７１，及び，第二の加熱用プレートとしての下面加熱用プレート７２が備えられている。
上面加熱用プレート７１は，保持部材７０に支持される基板Ｇの上面（例えばデバイスが形成される表面）側に配置され，チャンバ６１に対して固定されている。図４に示すように，上面加熱用プレート７１は，多孔質（ｐｏｒｏｕｓ）の基材からなり通気性を有するプレート本体７５と，プレート本体７５中に通過させる加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路７６とを備えている。
プレート本体７５は，厚みを有する略長方形板状に形成されており，チャンバ６１の天井に沿って略水平に備えられている。また，保持部材７０に支持された基板Ｇの上面に対して略平行な姿勢で対向するようになっている。プレート本体７５の下面の面積は，基板Ｇの上面の面積とほぼ同じ，又は，基板Ｇの上面の面積より大きくなっており，基板Ｇの上面全体を覆うようにして加熱できるようになっている。また，プレート本体７５は上下に２分割されており，上部板７５ａと下部板７５ｂとの間に，略均一な幅の略水平方向に広がる隙間７５ｃが形成された構造になっている。隙間７５ｃに対向する下部板７５ｂの上面には，下に向かって凹状に窪んだ複数の溝７５ｄが設けられている。溝７５ｄは，例えばＸ軸方向に延設され，Ｙ軸方向において所定間隔を空けて，下部板７５ｂの上面全体に渡って設けられている。また，隙間７５ｃには，チャンバ６１の外部において加熱された加熱用ガスを供給する供給管７７が接続されている。供給管７７は，例えばチャンバ６１の天井部及び上部板７５ａを貫通するように設けられ，上部板７５ａの下面において隙間７５ｃに向かって開口している。加熱用ガスとしては，例えばＮ２（窒素）ガスやＨｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスを用いることが好ましい。本実施の形態において，加熱用ガス供給路７６は，供給管７７の内部流路，隙間７５ｃ，溝７５ｄによって構成されている。
保持部材７０に支持された基板Ｇの上面に対向するプレート本体７５の下面（即ち，下部板７５ｂの下面）は，通気性を有する保護膜８１によって覆われている。通気性保護膜８１は，略均一な厚さでプレート本体７５の下面全体に形成されている。また，プレート本体７５の上面（即ち，上部板７５ａの上面）は，非通気性の薄板状の保護材８２によって覆われている。プレート本体７５の外側面も，上部板７５ａから下部板７５ｂに渡って，薄板状の非通気性保護材８２によって覆われている。隙間７５ｃの周縁部も非通気性保護材８２によって覆われ，閉塞されている。プレート本体７５は，非通気性保護材８２を介してチャンバ６１に固定されている。このように通気性保護膜８１や非通気性保護材８２によってプレート本体７５の多孔質材の外面を被覆することにより，多孔質材を好適に保護し，多孔質材が損傷するのを防ぐことができる。なお，非通気性保護材８２は，プレート本体７５の下面及び通気性保護膜８１よりも下方まで延びるように設けても良い。そうすれば，基板Ｇを加熱する際，基板Ｇの周縁部より外側を非通気性保護材８２によって囲むことができ，後述するようにプレート本体７５の下面から供給された加熱用ガスが，非通気性保護材８２の外側に逃げることを抑制して，基板Ｇの上面に集中して向かうようにすることができる。従って，加熱用ガスによる加熱効率を向上させることができる。
かかるプレート本体７５を構成する多孔質材は，基質材の中に互いに連通した多数の細孔が形成された構造になっており，細孔同士の間で流体が流通可能である。そのため，加熱用ガス供給路７６に加熱用ガスを供給すると，プレート本体７５中に加熱用ガスを浸透させることができる。プレート本体７５の上面及び外側面は非通気性保護材８２によって覆われているので，供給管７７から隙間７５ｃに導入された加熱用ガスは，プレート本体７５の下面に向かい，通気性保護膜８１を通過して，下方に噴き出すようになっている。このようにプレート本体７５の下面から加熱用ガスを吹き付けることによって，また，通過する加熱用ガスによって加熱されたプレート本体７５から放射される熱によって，基板Ｇが加熱されるようになっている。なお，下部板７５ｂに複数の溝７５ｄが形成されていることにより，隙間７５ｃ内の加熱用ガスが溝７５ｄから下部板７５ｂ中の細孔に流入しやすい構造になっている。
上記プレート本体７５を構成する多孔質材としては，比較的熱伝導性，熱放射率が良い材質，例えば多孔質カーボン（Ｃ）等を用いると良い。この場合，プレート本体７５を効率的に加熱することができ，加熱用ガスによって容易に加熱できる。また，プレート本体７５における温度分布の均一性を良好にすることができるので，プレート本体７５の下面から熱が均等に放射され，基板Ｇの加熱むらも防止できる。さらに，耐熱性が強く，高温下でも安定で，十分な耐久性を得ることができるので，基板Ｇを高温に加熱することができる。なお，通気性保護膜８１や非通気性保護材８２によって多孔質カーボンを被覆することにより，カーボンが酸化によって消耗されたり，基板Ｇにパーティクルが付着したりすることを防止できる。また，加熱用ガスとして不活性ガスを使用すれば，カーボンが酸化によって消耗されることを防止でき，優れた耐久性が発揮される。また，例えば多孔質アルミニウム（Ａｌ）合金，多孔質ニッケル（Ｎｉ）合金等の多孔質金属を用いても良い。
通気性保護膜８１の材質としては，耐熱性を有し，熱放射率が高く，プレート本体７５の多孔質材と熱膨張率が近いものを使用することが好ましく，例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスを使用しても良い。これにより，高温下においても，プレート本体７５の多孔質材を確実に保護することができる。また，通気性保護膜８１の材質として，熱放射率が高い材質，例えばアルミナを使用すれば，通気性保護膜８１から基板Ｇに対して効率的に熱が放射されるので，基板Ｇの加熱を促進することができる。さらに，通気性保護膜８１から熱が均等に放射されるので，基板Ｇに加熱むらが発生することを防止できる。また，通気性保護膜８１は，例えば溶射によって形成しても良い。これにより，多数の気孔を有し通気性を備えた膜を好適に形成することができる。なお，プレート本体７５の多孔質材として多孔質アルミニウム合金を用いる場合は，通気性保護膜８１は，表面をアルマイト処理（酸化処理）することにより形成しても良い。
非通気性保護材８２の材質としては，耐熱性を有するもの，例えばセラミックス等を使用しても良い。これにより，高温下においても，プレート本体７５の多孔質材を確実に保護することができる。また，非通気性保護材８２の材質は，断熱性が比較的高いものを使用すると良い。そうすれば，プレート本体７５中の熱がプレート本体７５の上面や外側面から逃げることを防止でき，プレート本体７５下面の通気性保護膜８１から集中的に熱が放射するようになる。従って，基板Ｇの加熱効率の向上を図ることができる。
図３に示すように，下面加熱用プレート７２は，厚みを有する略長方形板状をなし，チャンバ６１の底面に沿って略水平に備えられており，保持部材７０に支持された基板Ｇの下面（例えばデバイスが形成されない裏面）側に配置される。前述した保持部材７０は，下面加熱用プレート７２に形成された複数の孔８５内にそれぞれ配置されている。下面加熱用プレート７２は，保持部材７０によって保持された基板Ｇの下面に対して略平行な姿勢で対向する。なお，下面加熱用プレート７２の上面の面積は，基板Ｇの下面の面積とほぼ同じ，又は，基板Ｇの下面の面積より大きくなっており，基板Ｇの下面全体を覆うようにして加熱することができる。
下面加熱用プレート７２の内部には，例えばシーズヒータ等の発熱体８６が内蔵されている。発熱体８６は，チャンバ６１の外部に設けられた交流電源８７に接続されている。即ち，交流電源８７から供給される電力によって発熱体８６の抵抗熱が発生し，発熱体８６からの伝熱によって下面加熱用プレート７２が昇温されるようになっている。
また，下面加熱用プレート７２は昇降可能になっている。例えば図３に示すように，チャンバ６１の下方に昇降機構としてのシリンダ９１が設けられており，シリンダ９１に接続されたロット９２が，チャンバ６１の底部を上下に貫通するように設けられている。下面加熱用プレート７２は，ロット９２の下端部に取り付けられている。そして，シリンダ９１の駆動によって，ロット９２がＺ軸方向に昇降することにより，下面加熱用プレート７２がロット９２と一体的に，各孔８５をそれぞれ保持部材７０に沿って移動させながら昇降するようになっている。
さらに，下面加熱用プレート７２の上面には，加熱時に基板Ｇを支持するための複数の支持部材９３が設けられている。下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１に下降させたとき，支持部材９３は，保持部材７０の上端部より下方に位置する。そのため，保持部材７０に基板Ｇが保持されていても，支持部材９３は基板Ｇに接触しないようになっている。一方，下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１から上昇させることにより，保持部材７０に保持された基板Ｇを，支持部材９３によって持ち上げ，前述した上面加熱用プレート７１に近接させることができる。即ち，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２は，両者の間に収納された基板Ｇに対して，それぞれ相対的に近接及び離隔可能な構成となっている。このように，下面加熱用プレート７２を昇降させる構成とすれば，基板Ｇを保持部材７０に受け渡す際に下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１に下降させることで，余裕を持って受け渡しを行うことができ，基板Ｇの加熱時には加熱処理位置Ｐ２に上昇させることで，基板Ｇを効率的に加熱することができる。
また，チャンバ６２には，ロードロック室６２内に例えばＮ２（窒素）ガスやＨｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスを供給するガス供給路９４，及び，ロードロック室６２内を強制排気する排気路９５が接続されている。即ち，ガス供給路９４からのガス供給と排気路９５による強制排気により，ロードロック室６２内の圧力を調節することができる。
次に，前述したロードロック装置２２の構成について詳細に説明する。図３に示すように，ロードロック装置２２は，密閉構造のチャンバ１０１を備えている。図示の例では，チャンバ１０１は下段のロードロック装置２１のチャンバ６１の上面に載せられている。チャンバ１０１の内部は，基板Ｇを収納するロードロック室１０２となっている。
チャンバ１０１の処理部３側，即ち，Ｙ軸方向において後側には，ロードロック室１０２に基板Ｇを搬入するための搬入口１０３が設けられている。搬入口１０３には，前述したゲートバルブ２７が設けられており，ゲートバルブ２７によって気密に閉塞可能になっている。チャンバ１０１の搬入出部２側，即ち，Ｙ軸方向において前側には，ロードロック室１０２から基板Ｇを搬出するための搬出口１０４が設けられている。搬出口１０４には，前述したゲートバルブ２８が設けられており，ゲートバルブ２８によって気密に閉塞可能になっている。
ロードロック室１０２内には，基板Ｇを保持するための複数の支持部材１１０が備えられている。各支持部材１１０は略棒状をなし，チャンバ１０１の底部から上方に突出するように設けられており，各支持部材１１０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより，基板Ｇを略水平に保持するようになっている。
さらに，ロードロック室１０２内には，基板Ｇを冷却する第一の冷却用プレートとしての上面冷却用プレート１１１，及び，第二の冷却用プレートとしての下面冷却用プレート１１２が備えられている。
図５に示すように，上面冷却用プレート１１１は，支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面（例えばデバイスが形成される表面）側に配置されている。上面冷却用プレート１１１は，多孔質材からなり通気性を有するプレート本体１１５と，プレート本体１１５中に通過させる冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路１１６とを備えている。
プレート本体１１５は，厚みを有する略長方形板状に形成されており，チャンバ１０１の天井に沿って略水平に備えられている。また，支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面に対して略平行な姿勢で対向するようになっている。プレート本体１１５の下面の面積は，基板Ｇの上面の面積とほぼ同じ，又は，基板Ｇの上面の面積より大きくなっており，基板Ｇの上面全体を覆うようにして加熱できるようになっている。また，プレート本体１１５は上下に２分割されており，上部板１１５ａと下部板１１５ｂとの間に，略均一な幅の略水平方向に広がる隙間１１５ｃが形成された構造になっている。隙間１１５ｃに対向する下部板１１５ｂの上面には，下に向かって凹状に窪んだ複数の溝１１５ｄが設けられている。溝１１５ｄは，例えばＸ軸方向に延設され，Ｙ軸方向において所定間隔を空けて，下部板１１５ｂの上面全体に渡って設けられている。また，隙間１１５ｃには，チャンバ１０１の外部において冷却された冷却用ガスを供給する供給管１１７が接続されている。供給管１１７は，例えば後述する上面冷却用プレート１１１を支持するロット１２６，及び，上部板１１５ａを貫通するように設けられ，上部板１１５ａの下面において隙間１１５ｃに向かって開口している。冷却用ガスとしては，例えばＮ２（窒素）ガスやＨｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスを用いることが好ましい。本実施の形態において，冷却用ガス供給路１１６は，供給管１１７の内部流路，隙間１１５ｃ，溝１１５ｄによって構成されている。
支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面に対向するプレート本体１１５の下面（即ち，下部板１１５ｂの下面）は，通気性を有する保護膜１２１によって覆われている。通気性保護膜１２１は，略均一な厚さでプレート本体１１５の下面全体に形成されている。また，プレート本体１１５の上面（即ち，上部板１１５ａの上面）は，非通気性の薄板状の保護材１２２によって覆われている。プレート本体１１５の外側面も，上部板１１５ａから下部板１１５ｂに渡って，薄板状の非通気性保護材１２２によって覆われている。隙間１１５ｃの周縁部も非通気性保護材１２２によって覆われ，閉塞されている。プレート本体１１５は，非通気性保護材８２を介して，チャンバ１０１に固定されている。このように通気性保護膜１２１や非通気性保護材１２２によってプレート本体１１５の多孔質材の外面を被覆することにより，多孔質材を好適に保護し，多孔質材が損傷するのを防ぐことができる。なお，非通気性保護材１２２は，プレート本体１１５の下面及び通気性保護膜１２１よりも下方まで延びるように設けても良い。そうすれば，基板Ｇを冷却する際，基板Ｇの周縁部より外側を非通気性保護材１２２によって囲むことができ，後述するようにプレート本体１１５の下面から供給された冷却用ガスが，非通気性保護材１２２の外側に逃げることを抑制して，基板Ｇの上面に集中して向かうようにすることができる。従って，冷却用ガスによる冷却効率を向上させることができる。
かかるプレート本体１１５を構成する多孔質材は，基質材の中に互いに連通した多数の細孔が形成された構造になっており，細孔同士の間で流体が流通可能である。そのため，冷却用ガス供給路１１６に冷却用ガスを供給すると，プレート本体１１５中に冷却用ガスを浸透させることができる。プレート本体１１５の上面及び外側面は非通気性保護材１２２によって覆われているので，供給管１１７から隙間１１５ｃに導入された冷却用ガスは，プレート本体１１５の下面に向かい，通気性保護膜１２１を通過して，下方に噴き出すようになっている。このようにプレート本体１１５の下面から冷却用ガスを吹き付けることによって，また，通過する冷却用ガスによって冷却されたプレート本体１１５の冷熱によって，基板Ｇが冷却されるようになっている。なお，下部板１１５ｂに複数の溝１１５ｄが形成されていることにより，隙間１１５ｃ内の冷却用ガスが溝１１５ｄから下部板１１５ｂ中の細孔に流入しやすい構造になっている。
上記プレート本体１１５を構成する多孔質材としては，比較的熱伝導性，熱放射率が良い材質，例えば多孔質アルミニウム合金等の多孔質金属を用いても良い。また，多孔質ニッケル合金，多孔質カーボン等を用いても良い。このような熱伝導性が良い多孔質材を用いることにより，プレート本体１１５を効率的に冷却することができ，冷却用ガスによって容易に冷却できる。また，プレート本体１１５における温度分布の均一性を良好にすることができるので，プレート本体１１５の下面から冷熱が均等に供給され，基板Ｇの冷却むらも防止できる。
通気性保護膜１２１の材質としては，熱放射率が高いもの，また，プレート本体７５の多孔質材と熱膨張率が近いものを使用することが好ましく，セラミックス，例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等を使用しても良い。これにより，プレート本体７５の多孔質材を確実に保護することができる。また，通気性保護膜１２１は，例えば溶射によって形成しても良い。これにより，多数の気孔を有し通気性を備えた膜を好適に形成することができる。なお，プレート本体１１５の多孔質材として多孔質アルミニウム合金を用いる場合は，通気性保護膜１２１は，表面をアルマイト処理（酸化処理）することにより形成しても良い。
非通気性保護材１２２の材質としては，例えばセラミックス等を使用しても良い。これにより，プレート本体１１５の多孔質材を確実に保護することができる。また，非通気性保護材１２２の材質は，断熱性が比較的高いものを使用すると良い。そうすれば，プレート本体１１５中の冷熱がプレート本体７５の上面や外側面から逃げることを防止でき，プレート本体１１５下面の通気性保護膜１２１が集中的に冷却されるようになる。従って，基板Ｇの冷却効率の向上を図ることができる。
また，上面冷却用プレート１１１は昇降可能に構成されており，支持部材１１０に支持された基板Ｇに対して近接及び離隔することができる。例えば図３に示すように，チャンバ１０１の上方に昇降機構としてのシリンダ１２５が設けられており，シリンダ１２５に接続されたロット１２６が，チャンバ１０１の天井を上下に貫通するように設けられている。上面冷却用プレート１１１は，ロット１２６の下端部に取り付けられている。そして，シリンダ１２５の駆動によって，ロット１２６がＺ軸方向に昇降することにより，上面冷却用プレート１１１がロット１２６と一体的に昇降するようになっている。上面冷却用プレート１１１は，例えば支持部材１１０に支持された基板Ｇから離隔する上方の待機位置Ｐ３と，基板Ｇに近接する下方の冷却処理位置Ｐ４とに移動する。このように，上面冷却用プレート１１１を昇降させる構成とすれば，基板Ｇを支持部材１１０に受け渡す際に上面冷却用プレート１１１を待機位置Ｐ３に上昇させることで，余裕を持って受け渡しを行うことができ，基板Ｇの冷却時には冷却処理位置Ｐ４に下降させることで，基板Ｇを効率的に冷却することができる。なお，上面冷却用プレート１１１は多孔質材が使用されているので，軽量であり，少ない駆動力で容易に昇降させることができる。
下面冷却用プレート１１２は，厚みを有する略長方形板状をなし，チャンバ６１の底面に沿って略水平に備えられており，支持部材１１０に支持された基板Ｇの下面（例えばデバイスが形成されない裏面）側に配置され，チャンバ１０１に対して固定されている。前述した支持部材１１０は，下面冷却用プレート１１２に形成された複数の孔１２８内にそれぞれ配置されている。下面冷却用プレート１１２は，支持部材１１０によって支持された基板Ｇの下面に対して略平行な姿勢で対向する。下面冷却用プレート１１２の上面の面積は，基板Ｇの下面の面積とほぼ同じ，又は，基板Ｇの下面の面積より大きくなっており，基板Ｇの下面全体を覆うようにして冷却することができる。
下面冷却用プレート１１２の内部には，冷却水を通過させる冷却水送水路１３０が内蔵されている。冷却水送水路１３０は，チャンバ１０１の外部に設けられた図示しない冷却水供給源に接続されている。冷却水は，冷却水供給源から供給され，下面冷却用プレート１１２内の冷却水送水路１３０を循環して，下面冷却用プレート１１２を冷却した後，下面冷却用プレート１１２の外に回収されるようになっている。
また，チャンバ１０２には，ロードロック室１０２内に例えばＮ２（窒素）ガスやＨｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスを供給するガス供給路１３１，及び，ロードロック室１０２内を強制排気する排気路１３２が接続されている。即ち，ガス供給路１３１からのガス供給と排気路１３２による強制排気により，ロードロック室１０２内の圧力を調節することができる。
次に，以上のように構成された処理システム１における基板Ｇの処理工程について説明する。先ず，複数枚の基板Ｇが収納されたキャリアＣが，開口１６を搬送装置１２側に向けた状態で載置台１１上に載置される。そして，搬送装置１２の搬送アーム１５が開口１６に進入させられ，一枚の基板Ｇが取り出される。基板Ｇを保持した搬送アーム１５は，下段に配置されたロードロック装置２１のゲートバルブ２５の前方に対向する位置に移動させられる。
一方，ロードロック装置２１では，ゲートバルブ２５，２６によって搬入口６３，搬出口６４がそれぞれ閉塞されており，ロードロック室６２が密閉されている。ロードロック装置２２では，ゲートバルブ２７，２８によって搬入口１０３，搬出口１０４が閉塞されており，ロードロック室１０２が密閉されている。従って，搬入出部２の雰囲気と処理部３の搬送室３３内の雰囲気とは，ロードロック装置２１，２２を介して互いに遮断された状態となっている。搬入出部２は例えば大気圧となっているのに対して，搬送室３３内は真空引きされている。
ロードロック装置２１においては，先ず，ロードロック装置２１内を所定の圧力，即ち搬入出部２と略同一の略大気圧にした状態で，搬出口６４をゲートバルブ２６によって閉じたまま，ゲートバルブ２５を開放状態にして，搬入口６３を開口させる。搬入口６３を開口させている間も，搬出口６４をゲートバルブ２６によって閉塞することにより，搬送室３３内の真空状態を維持することができる。また，下面加熱用プレート７２は待機位置Ｐ１に下降させておく。この状態で基板Ｇを保持した搬送アーム１５を搬入口６３を介してロードロック室６２内に進入させ，搬送アーム１５から保持部材７０上に基板Ｇを受け渡す。
このようにして基板Ｇが搬入口６３を通じて搬入され，搬送アーム１５がロードロック室６２から退出したら，ゲートバルブ２５を閉じ，ロードロック室６２を密閉状態にして，ロードロック室６２内を排気路９５によって強制排気することにより，ロードロック室６２内を所定の圧力，即ち，搬送室３３内と略同圧の真空状態に減圧する。
一方，基板Ｇは上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２とによって両面から加熱される。先ず，下面加熱用プレート７２が待機位置Ｐ１から上昇させられる。すると，下面加熱用プレート７２が上昇する途中で，基板Ｇは支持部材９３によって保持部材７０から持ち上げられ，支持部材９３によって支持された状態になる。基板Ｇは，各支持部材９３の上端部に載せられ略水平に支持され，下面加熱用プレート７２と一体的に上昇して，上面加熱用プレート７１に近接させられる。こうして，下面加熱用プレート７２が加熱処理位置Ｐ２に配置され，基板Ｇの上面全体に上面加熱用プレート７１の下面が近接させられ，下面全体には下面加熱用プレート７２の上面が近接させられた状態になる。基板Ｇの下面と下面加熱用プレート７２の上面との間，及び，基板Ｇの上面と上面加熱用プレート７１の下面との間には，それぞれ略均一な幅の隙間が形成される。また，上面加熱用プレート７１の下面周縁部から突出するように設けられた非通気性保護材８２の下縁部は，図４に示すように下面加熱用プレート７２の上面周縁部に近接し，基板Ｇを囲むように配置される。
下面加熱用プレート７２の上面は，発熱体８６からの伝熱により均一に昇温され，基板Ｇの下面は，下面加熱用プレート７２の上面からの輻射熱によって均一に加熱される。一方，上面加熱用プレート７１においては，供給管７７から隙間７５ｃに加熱用ガスが供給される。隙間７５ｃに導入された加熱用ガスは，下部板７５ｂ中の細孔に流入する。そして，下部板７５ｂ内に拡散しながら下面に向かい，通気性保護膜８１の細孔を通過して，通気性保護膜８１から下方に噴き出し，基板Ｇの上面に向かって吐出される。こうして，基板Ｇに加熱用ガスが接触することにより，基板Ｇが効率的に加熱される。プレート本体７５から基板Ｇの上面に供給された加熱用ガスは，基板Ｇの上面に沿って基板Ｇの周縁部側に流れ，非通気性保護材８２の下縁部と下面加熱用プレート７２の上面周縁部との間の隙間から，外側に流出し，排気路９５によって排気される。
なお，供給管７７から隙間７５ｃに導入された加熱用ガスは，基板Ｇの面積より大きく広がった隙間７５ｃ全体に広がり，隙間７５ｃから下部板７５ｂの上面全体に，均等に浸透する。隙間７５ｃから下部板７５ｂに浸透する際には，下部板７５ｂに形成された複数の溝７５ｄからそれぞれ均等に流入しやすくなっている。従って，下部板７５ｂ全体に均等に加熱用ガスが通過し，通気性保護膜８１の下面の細孔全体から，加熱用ガスが均等な流量で噴き出すので，基板Ｇの上面全体を均等に加熱することができる。また，上述した隙間７５ｃ内の加熱用ガスは上部板７５ａにも浸透，拡散し，プレート本体７５全体を昇温させる。そして，基板Ｇは，加熱されたプレート本体７５からの輻射熱によっても加熱される。上述のように，下部板７５ｂには全体に均等に加熱用ガスが通過することにより，下部板７５ｂ全体が加熱用ガスによって均等に加熱される。従って，プレート本体７５の下面から輻射熱が均等に放射され，輻射熱による基板Ｇの加熱も均一に行うことができる。また，基板Ｇの周囲には非通気性保護材８２の下縁部が配置されているので，加熱用ガス及び輻射熱は基板Ｇの上面に向かって集中的に供給される。従って，基板Ｇをさらに効率的に加熱できる。また，非通気性保護材８２の下縁部により，基板Ｇが上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２の間からずれることを防止できる。
このように，基板Ｇを両面から加熱することにより，基板Ｇを均一に加熱することができ，また，短時間で効率的に加熱することができる。なお，基板Ｇの片面のみに加熱用プレートを近接させ片面のみから加熱する場合，加熱される側の面とその反対側の面との間で温度差が生じ，熱応力の影響により基板Ｇが反り返ってしまう心配があるが，上記のように，基板Ｇを両面から加熱することにより，基板Ｇに温度差が生じることを防止して，基板Ｇが反り返ることを防止できる。
基板Ｇの加熱が終了し，ロードロック室６２が略真空状態になったら，搬入口６３をゲートバルブ２５によって閉じたまま，ゲートバルブ２６を開放状態にして，搬出口６４を開口させる。搬出口６４を開口させている間も，搬入口６３をゲートバルブ２５によって閉塞することにより，ロードロック室６２及び搬送室３３内の真空状態を維持することができる。また，下面加熱用プレート７２は下降させ，待機位置Ｐ１に戻す。すると，下面加熱用プレート７２が下降する途中で，基板Ｇの下面に保持部材７０が当接し，基板Ｇが支持部材９３から保持部材７０に受け渡され，基板Ｇが上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２から離隔した状態になる。この状態で，第二の搬送装置３１の搬送アーム５１を搬出口６４を介してロードロック室６２内に進入させる。そして，搬送アーム５１によって保持部材７０から基板Ｇを受け取り，基板Ｇを保持した搬送アーム５１をロードロック室６２から退出させる。こうして，基板Ｇがロードロック室６２から搬出口６４を通じて搬出され，処理部３の搬送室３３に搬入される。
搬送室３３に搬入された基板Ｇは，搬送アーム５１によって搬送室３３から基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅのいずれかに搬入され，所定のプラズマＣＶＤ処理による成膜が行われる。基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおいては，減圧雰囲気下で基板Ｇが加熱されるとともに，処理室内に反応ガスが供給され，マイクロ波のエネルギによって反応ガスがプラズマ化される。これにより，基板Ｇの表面上に所定の薄膜が形成される。ここで，搬入された基板Ｇはロードロック室６２において予備加熱されているので，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおける基板Ｇの加熱時間を短くすることができ，効率的に処理することができる。
基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおいて基板Ｇの処理が終了したら，搬送アーム５１によって基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅから基板Ｇを取り出し，搬送室３３に搬出させる。このとき，基板Ｇは高温状態となっている。
一方，ロードロック装置２２は，閉塞状態のゲートバルブ２７，２８によって，搬入口１０３，搬出口１０４をそれぞれ気密に封じ，ロードロック室１０２を密閉した状態にしておく。また，排気路１３２の強制排気によって，ロードロック室１０２内を所定の圧力，即ち搬送室３３と略同一の真空状態に減圧しておく。この状態で，搬出口１０４をゲートバルブ２８によって閉じたまま，ゲートバルブ２７を開放状態にして，搬入口１０３を開口させる。搬入口１０３を開口させている間も，搬出口１０４をゲートバルブ２８によって閉塞することにより，ロードロック室１０２及び搬送室３３内の真空状態を維持することができる。また，上面冷却用プレート１１１は待機位置Ｐ３に待機させる。そして，基板Ｇを保持した搬送アーム５１を搬入口１０３を介してロードロック室１０２内に進入させ，基板Ｇを搬送アーム５１から支持部材１１０上に受け渡す。
基板Ｇが搬入口１０３通じて搬入され，搬送アーム５１がロードロック室１０２から退出したら，ゲートバルブ２７を閉じ，ロードロック室１０２を密閉状態にする。そして，ロードロック室１０２内にガス供給路１３１から不活性ガスを供給して，ロードロック装置２１内が所定の圧力，即ち搬入出部２と略同一の略大気圧になるまで加圧する。
一方，基板Ｇは上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２とによって両面から冷却される。冷却時は，上面冷却用プレート１１１を下降させて冷却処理位置Ｐ４に配置させる。即ち，基板Ｇの上面全体に上面冷却用プレート１１１の下面を近接させ，下面全体に下面冷却用プレート１１２の上面を近接させた状態にする。上面冷却用プレート１１１と基板Ｇとの間，下面冷却用プレート１１２と基板Ｇとの間には，それぞれ略均一な幅の隙間が形成される。上面冷却用プレート１１１の下面周縁部から突出するように設けられた非通気性保護材１２２２の下縁部は，図５に示すように下面冷却用プレート１１２の上面周縁部に近接し，基板Ｇを囲むように配置される。
下面冷却用プレート１１２の上面は，冷却水送水路１３０を通過する冷却水の冷熱により均一に冷却され，基板Ｇの下面は，下面冷却用プレート１１２の上面の冷熱によって均一に冷却される。一方，上面冷却用プレート１１１においては，供給管１１７から隙間１１５ｃに冷却用ガスが供給される。隙間１１５ｃに導入された冷却用ガスは，下部板１１５ｂ中の細孔に流入する。そして，下部板１１５ｂ内に拡散しながら下面に向かい，通気性保護膜１２１を通過して，通気性保護膜１２１から下方に噴き出し，基板Ｇの上面に向かって吐出される。こうして，基板Ｇに冷却用ガスが接触することにより，基板Ｇが効率的に冷却される。プレート本体１１５から基板Ｇの上面に供給された冷却用ガスは，基板Ｇの上面に沿って基板Ｇの周縁部側に流れ，非通気性保護材１２２の下縁部と下面冷却用プレート１１２の上面周縁部との間の隙間から，外側に流出し，排気路１３２によって排気される。
なお，供給管１１７から隙間１１５ｃに導入された冷却用ガスは，基板Ｇの面積より大きく広がった隙間１１５ｃ全体に広がり，隙間１１５ｃから下部板１１５ｂの上面全体に，均等に浸透する。隙間１１５ｃから下部板１１５ｂに浸透する際には，下部板１１５ｂに形成された複数の溝１１５ｄからそれぞれ均等に流入しやすくなっている。従って，下部板７５ｂ全体に均等に冷却用ガスが通過し，通気性保護膜１２１の下面の細孔全体から，冷却用ガスが均等な流量で噴き出すので，基板Ｇの上面全体を均等に冷却することができる。また，上述した隙間１１５ｃ内の冷却用ガスは上部板１１５ａにも浸透，拡散し，プレート本体１１５全体を冷却させる。基板Ｇは，冷却されたプレート本体１１５の冷熱によっても冷却される。上述のように，下部板１１５ｂには全体に均等に冷却用ガスが通過することにより，下部板１１５ｂ全体が冷却用ガスによって均等に冷却される。従って，プレート本体１１５の冷熱による基板Ｇの冷却も均一に行うことができる。また，基板Ｇの周囲には非通気性保護材１２２の下縁部が配置されているので，冷却用ガス及び冷熱は基板Ｇの上面に向かって集中的に供給される。従って，基板Ｇをさらに効率的に冷却できる。また，非通気性保護材１２２の下縁部により，基板Ｇが上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２の間からずれることを防止できる。
このように，基板Ｇを上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２とによって両面から冷却することにより，基板Ｇを均一に冷却することができ，また，短時間で効率的に冷却することができる。なお，基板Ｇの片面のみに冷却用プレートを近接させ片面のみから冷却する場合，冷却される側の面とその反対側の面との間で温度差が生じ，熱応力の影響により基板Ｇが反り返ってしまう心配があるが，上記のように，基板Ｇを両面から均等に冷却することにより，基板Ｇに温度差が生じることを防止して，基板Ｇが反り返ることを防止できる。
基板Ｇの冷却が終了し，ロードロック室１０２が略大気圧状態になったら，搬入口１０３をゲートバルブ２７によって閉じたまま，ゲートバルブ２８を開放状態にして，搬出口１０４を開口させる。搬出口１０４を開口させている間も，搬入口１０３をゲートバルブ２７によって閉塞することにより，搬送室３３内の真空状態を維持することができる。上面冷却用プレート１１１は待機位置Ｐ３に戻す。そして，搬送装置１２の搬送アーム１５を搬出口１０４を介してロードロック室１０２内に進入させ，搬送アーム１５によって支持部材１１０から基板Ｇを受け取り，基板Ｇを保持した搬送アーム１５をロードロック室１０２から退出させる。こうして，基板Ｇは，搬送アーム１５によってロードロック室１０２から搬出口１０４を通じて搬入出部２に搬出され，載置台１１上のキャリアＣに戻される。以上のようにして，処理システム１における一連の処理工程が終了する。
かかる処理システム１によれば，上面加熱用プレート７１のプレート本体７５を多孔質材としたことにより，プレート本体７５中の細孔に加熱用ガスを通過させることができる。プレート本体７５の表面から加熱用ガスを均一に噴出させ，基板Ｇの表面全体に加熱用ガスを均等に吹き付けることができる。そのため，基板Ｇを加熱用ガスによって効率的かつ均一に加熱でき，基板Ｇの温度を好適に調節できる。基板Ｇを均一に予備加熱することにより，基板Ｇの反り変形を防止でき，また，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおける処理むらを防止できる。上面加熱用プレート７１に軽量の多孔質材を使用することで，装置の軽量化を図ることができる。
また，上面冷却用プレート１１１のプレート本体１１５を多孔質材としたことにより，プレート本体１１５中の細孔に冷却用ガスを通過させることができる。プレート本体１１５の表面から冷却用ガスを均一に噴出させ，基板Ｇの表面全体に冷却用ガスを均等に吹き付けることができる。そのため，基板Ｇを冷却用ガスによって効率的かつ均一に冷却でき，基板Ｇの温度を好適に調節できる。基板Ｇを均一に冷却することにより，基板Ｇの反り変形を防止できる。上面冷却用プレート１１１に軽量の多孔質材を使用することで，装置の軽量化を図ることができる。
以上，本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
以上の実施形態では，加熱用のロードロック装置２１を１台設けることとしたが，かかるロードロック装置２１は，２台以上設けても良い。また，冷却用のロードロック装置２２を１台設けることとしたが，かかるロードロック装置２２は，２台以上設けても良い。また，加熱用のロードロック装置２１と冷却用のロードロック装置２２は，上下に積み重ねるものに限定されず，例えば横に並べて設けるようにしても良く，離隔した位置に設けても良い。
以上の実施形態で示したロードロック装置２１において，上面加熱用プレート７１では，供給管７７からプレート本体７５の内部に設けた隙間７５ｃに加熱用ガスが供給される構成としたが，加熱用ガス供給路７６の形態は，かかるものに限定されない。例えば図６に示すように，プレート本体７５の上面と非通気性保護材８２との間に，隙間１４０を設け，供給管７７から隙間１４０に加熱用ガスを供給し，プレート本体７５全体において加熱用ガスが下方に流れるようにしても良い。
以上の実施形態では，上面加熱用プレート７１には予め加熱された加熱用ガスが供給され，プレート本体７５と基板Ｇが加熱用ガスによって加熱される構成としたが，図７に示すように，プレート本体７５内に例えばシーズヒータ等の発熱体を備え，プレート本体７５及びプレート本体７５中を通過するガスを発熱体によって加熱できる構成にしても良い。図７に示す例では，発熱体１５０は細線状に形成されており，プレート本体７５の複数の溝７５ｄ内に沿って設けられている。発熱体１５０には，チャンバ６１の外部に設けられた交流電源１５１が接続されており，交流電源１５１から供給される電力により抵抗熱が発生するようになっている。また，供給管７７からは，例えばＮ２ガスやＨｅガス等の不活性ガスが供給されるようになっている。即ち，供給管７７，隙間７５ｃからなるガス供給路１５２が構成されている。
かかる構成において，プレート本体７５は，発熱体１５０から伝導する熱によって加熱される。ガス供給路１５２から供給されたガスは，プレート本体７５の下部板７５ｂに流入する際に，発熱体１５０によって加熱され，さらに，プレート本体７５を通過する間に，プレート本体７５の熱によって加熱される。こうして，発熱体１５０及びプレート本体７５によって加熱されたガスが，プレート本体７５の表面から噴き出て，基板Ｇの表面又は裏面に供給されるようになっている。従って，ガスを予め加熱しなくても，発熱体１５０とプレート本体７５によって十分加熱することができ，十分に加熱されたガスを基板Ｇに吹き付けることができる。また，ガスがプレート本体７５を通過する際に，発熱体１５０の熱がガスによってプレート本体７５中に運ばれるので，ガスの流れによってプレート本体７５の加熱が促進される。ガスがプレート本体７５中に均一に流れることにより，プレート本体７５の温度分布の均一性が良好になる。従って，プレート本体７５の下面が効率的かつ均一に加熱され，プレート本体７５の下面からの輻射熱が，均一に放射される。従って，基板Ｇを効率的かつ均一に加熱できる。
また，以上の実施形態では，下面加熱用プレート７２を昇降可能とし，さらに，下面加熱用プレート７２上の支持部材９３によって保持部材７０から基板Ｇを受け取る構成としたが，基板Ｇを受け取らず，保持部材７０（この場合は，加熱時に基板を支持する支持部材として機能）に支持された基板Ｇに単に近接する構成としても良い。また，上面加熱用プレート７１を昇降可能とし，上面加熱用プレート７１自体の昇降移動により，上面加熱用プレート７１を基板Ｇに近接及び離隔させることが可能な構成にしても良い。上面加熱用プレート７１は多孔質材が使用されているので，軽量であり，少ない駆動力で容易に昇降させることができる。また，以上の実施形態では，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２をそれぞれ基板Ｇに対して隙間を空けて近接させた状態で加熱を行うこととしたが，上面加熱用プレート７１又は下面加熱用プレート７２を基板Ｇに接触させた状態で加熱するようにしても良い。
以上の実施形態では，上面加熱用プレート７１を多孔質材からなるプレート本体７５及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えることとしたが，上面加熱用プレート７１に代えて下面加熱用プレート７２を，多孔質材からなるプレート本体及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えるものとしても良い。そうすれば，基板Ｇの裏面に加熱用ガスを均一に吹き付けて，基板Ｇの裏面を効率的かつ均一に加熱することができる。また，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２の両方を，いずれも多孔質材からなるプレート本体及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えるものにしても良い。
また，上面加熱用プレート７１又は下面加熱用プレート７２の表面に静電吸着用電極を備え，基板Ｇを静電吸着させるようにしても良い。図８は，加熱用ガスを噴き出す構成を備えた下面加熱用プレートにおいて，静電吸着用電極を備えた場合の一例を示している。図８において，下面加熱用プレート１６０は，多孔質材からなり通気性を有するプレート本体１６１と，プレート本体１６１に加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路１６２とを備えている。プレート本体１６１は，プレート本体７５と同様に，上部板１６１ａと下部板１６１ｂとの間に略均一な幅の略水平方向に広がる隙間１６１ｃが形成された構造になっている。上部板１６１ａの下面には，上に向かって凹状に窪んだ複数の溝１６１ｄが設けられている。加熱用ガス供給路１６２は，隙間１６１ｃに接続された供給管１６３の内部流路，隙間１６１ｃ，溝１６１ｄによって構成されている。プレート本体１６１の上面には，通気性保護膜１７１が形成され，プレート本体１６１の下面及び外側面は，非通気性保護材１７２によって覆われている。また，通気性保護膜１７１の内部に，薄い層状の導体からなる静電吸着用電極１７３が内蔵されている。静電吸着用電極１７３は通気性を有し，また，通気性保護膜１７１によって全体が覆われ，保護されている。この場合における通気性保護膜１７１の材質としては，絶縁性を有する材質，例えばアルミナ等のセラミックス等が使用される。また，静電吸着用電極１７３は，チャンバ６１の外部に設けられた直流電源１７５に接続されている。なお，静電吸着用電極１７３は，溶射等によって形成しても良い。例えばプレート本体１６１の表面に，通気性保護膜１７１，静電吸着用電極１７３，通気性保護膜１７１の順に溶射を行い，層状に形成すればよい。また，保持部材７０は，下面加熱用プレート１６０を上下に貫通するように形成された複数の孔１７６内にそれぞれ配置されており，下面加熱用プレート１６０は，各孔１７６を保持部材７０に沿って移動させながら昇降できる構成になっている。
かかる構成において，基板Ｇは，下面加熱用プレート１６０の上面において通気性保護膜１７１の表面に発生する静電気力により，通気性保護膜１７１の表面に吸着される。従って，基板Ｇは下面加熱用プレート１６０に密着した状態で確実に保持される。なお，基板Ｇを受け取るときは，先ず下面加熱用プレート１６０を待機位置に下降させておき，保持部材７０に基板を受け渡した後，下面加熱用プレート１６０を上昇させ，下面加熱用プレート１６０によって基板Ｇを保持部材７０から持ち上げ，静電吸着させるようにすれば良い。一方，加熱用ガスは，プレート本体１６１，通気性保護膜１７１，静電吸着用電極１７３，通気性保護膜１７１を順に通過して，静電吸着された基板Ｇの下面全体に供給される。これにより，基板Ｇを効率的かつ均一に加熱することができる。なお，かかる下面加熱用プレート１６０においても，図７に示した上面加熱用プレート７１と同様に，プレート本体１６１内に発熱体を設け，プレート本体１６１及びプレート本体１６１中を通過するガスを発熱体によって加熱できる構成にしても良い。
また，以上の実施形態で示したロードロック装置２２において，上面冷却用プレート１１１では，供給管１１７からプレート本体１１５の内部に設けた隙間１１５ｃに冷却用ガスが供給される構成としたが，冷却用ガス供給路１１６の形態は，かかるものに限定されない。例えば図９に示すように，プレート本体１１５の上面と非通気性保護材１２２との間に，隙間１７０を設け，供給管１１７から隙間１７０に冷却用ガスを供給し，プレート本体１１５全体において冷却用ガスが下方に流れるようにしても良い。
以上の実施形態では，上面冷却用プレート１１１には予め冷却された冷却用ガスが供給され，プレート本体１１５と基板Ｇが冷却用ガスによって冷却される構成としたが，図１０に示すように，プレート本体１１５内に例えば冷却水を送水する冷却水送水路を設け，プレート本体１１５及びプレート本体１１５中を通過するガスを冷却水送水路によって冷却できる構成にしても良い。図１０に示す例では，冷却水送水路１８０は細管状に形成されており，プレート本体１１５の複数の溝１１５ｄ内に沿って設けられている。また，冷却水送水路１８０は，チャンバ１０１の外部に設けられた図示しない冷却水供給源に接続されている。一方，供給管１１７からは，例えばＮ２ガスやＨｅガス等の不活性ガスが供給されるようになっている。即ち，供給管１１７，隙間１１５ｃからなるガス供給路１８１が構成されている。
かかる構成において，プレート本体１１５は，冷却水送水路１８０内を通る冷却水の冷熱によって冷却される。ガス供給路１８１から供給されたガスは，プレート本体１１５の下部板１１５ｂに流入する際に，冷却水送水路１８０によって冷却され，さらに，プレート本体１１５を通過する間に，プレート本体１１５の冷熱によって冷却される。こうして，冷却水送水路１８０及びプレート本体１１５によって冷却されたガスが，プレート本体１１５の表面から噴き出て，基板Ｇの表面又は裏面に供給されるようになっている。従って，ガスを予め冷却しなくても，冷却水送水路１８０とプレート本体１１５によって十分冷却することができ，十分に冷却されたガスを基板Ｇに吹き付けることができる。また，ガスがプレート本体１１５を通過する際に，冷却水送水路１８０の冷熱がガスによってプレート本体１１５中に運ばれるので，ガスの流れによってプレート本体１１５の冷却が促進される。ガスがプレート本体１１５中に均一に流れることにより，プレート本体１１５の温度分布の均一性が良好になる。従って，プレート本体１１５の下面が効率的かつ均一に冷却され，プレート本体１１５の下面から冷熱が均一に供給される。従って，基板Ｇを効率的かつ均一に冷却できる。
また，以上の実施形態では，上面冷却用プレート１１１をチャンバ１０１に対して昇降可能とし，基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成とし，下面冷却用プレート１１２をチャンバ１０１に対して固定させた構成としたが，勿論，下面冷却用プレート１１２も基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成としても良い。また，例えばロードロック装置２１における下面加熱用プレート７２と同様に，下面冷却用プレート１１２の上面に，基板Ｇを支持するための支持部材を設け，基板Ｇの冷却時に支持部材１１０から基板Ｇを受け取る構成としても良い。この場合，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２を，両者の間に収納された基板Ｇに対して，それぞれ相対的に近接及び離隔可能な構成にすることができる。また，以上の実施形態では，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２をそれぞれ基板Ｇに対して隙間を空けて近接させた状態で冷却を行うこととしたが，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２を基板Ｇに接触させた状態で冷却するようにしても良い。
以上の実施形態では，上面冷却用プレート１１１を多孔質材からなるプレート本体１１５及び冷却用ガスを噴き出す構成を備えることとしたが，上面冷却用プレート１１１に代えて下面冷却用プレート１１２を，多孔質材からなるプレート本体及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えるものとしても良い。そうすれば，基板Ｇの裏面に冷却用ガスを均一に吹き付けて，基板Ｇの裏面を効率的かつ均一に冷却することができる。また，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２の両方を，いずれも多孔質材からなるプレート本体及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えるものにしても良い。
また，上面冷却用プレート１１１又は下面冷却用プレート１１２の表面に静電吸着用電極を備え，基板Ｇを静電吸着させるようにしても良い。図１１は，冷却用ガスを噴き出す構成を備えた下面冷却用プレートにおいて，静電吸着用電極を備えた場合の一例を示している。図１１において，下面冷却用プレート１９０は，多孔質材からなり通気性を有するプレート本体１９１と，プレート本体１９１に冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路１９２とを備えている。プレート本体１９１は，プレート本体１１５と同様に，上部板１９１ａと下部板１９１ｂとの間に略均一な幅の略水平方向に広がる隙間１９１ｃが形成された構造になっている。上部板１９１ａの下面には，上に向かって凹状に窪んだ複数の溝１９１ｄが設けられている。冷却用ガス供給路１９２は，隙間１６１ｃに接続された供給管１９３の内部空間，隙間１９１ｃ，溝１９１ｄによって構成されている。プレート本体１９１の上面には，通気性保護膜２０１が形成され，プレート本体１９１の下面及び外側面は，非通気性保護材２０２によって覆われている。また，通気性保護膜２０１の内部に，薄い層状の導体からなる静電吸着用電極２０３が内蔵されている。静電吸着用電極２０３は通気性を有し，また，通気性保護膜２０１によって全体が覆われ，保護されている。この場合における通気性保護膜２０１の材質としては，絶縁性を有する材質，例えばアルミナ等のセラミックス等が使用される。また，静電吸着用電極２０３は，チャンバ６１の外部に設けられた直流電源２０５に接続されている。なお，静電吸着用電極２０３は，溶射等によって形成しても良い。例えばプレート本体１９１の表面に，通気性保護膜２０１，静電吸着用電極２０３，通気性保護膜２０１の順に溶射を行い，層状に形成すればよい。かかる構成において，基板Ｇは，下面冷却用プレート１９０の上面において通気性保護膜２０１の表面に発生する静電気力により，通気性保護膜２０１の表面に吸着される。従って，基板Ｇは下面冷却用プレート１９０に密着した状態で確実に保持される。また，冷却用ガスは，プレート本体１９１，通気性保護膜２０１，静電吸着用電極２０３，通気性保護膜２０１を順に通過して，基板Ｇの下面全体に供給される。これにより，基板Ｇを効率的かつ均一に冷却することができる。なお，かかる下面冷却用プレート１９０においても，図１０に示した上面冷却用プレート１１１と同様に，プレート本体１９１内に例えば冷却水を送水する冷却水送水路を設け，プレート本体１９１及びプレート本体１９１中を通過するガスを冷却水送水路によって冷却できる構成にしても良い。
処理システムは，複数の基板処理装置を備えたマルチチャンバー型のものには限定されない。また，以上の実施形態では，処理部３においてプラズマＣＶＤ処理を行う処理システム１について説明したが，処理部で行われる処理は他の処理であっても良い。本発明は，その他の減圧雰囲気下で行う処理，例えば熱ＣＶＤ処理，エッチング処理，アッシング処理等を処理部において行う処理システムに適用することもできる。また，以上の実施形態では，ＬＣＤ用基板Ｇを処理する場合について説明したが，基板は他のもの，例えば半導体ウェハ等であっても良い。
本発明は，例えば基板のＣＶＤ処理等を行う処理システムに備えられるロードロック装置，該処理システムにおける処理方法に適用できる。
処理システムの構成を説明する概略平面図である。 処理システムの構成を説明する概略側面図である。 ロードロック装置の概略縦断面図である。 上面加熱プレート及び下面加熱プレートの縦断面図である。 上面冷却プレート及び下面冷却プレートの縦断面図である。 別の実施形態にかかる上面加熱プレートの縦断面図である。 別の実施形態にかかる上面加熱プレートの縦断面図である。 別の実施形態にかかる下面加熱プレートの縦断面図である。 別の実施形態にかかる上面冷却プレートの縦断面図である。 別の実施形態にかかる上面冷却プレートの縦断面図である。 別の実施形態にかかる下面冷却プレートの縦断面図である。
符号の説明
Ｇ 基板
１ 処理システム
２ 搬入出部
３ 処理部
５ ロードロック装置
２１ 第一のロードロック装置
２２ 第二のロードロック装置
３０Ａ〜３０Ｅ 基板処理装置
３１ 搬送装置
６１ ロードロック室
６３ 搬入口
６４ 搬出口
７１ 上面加熱用プレート
７２ 下面加熱用プレート
７５ プレート本体
７６ 加熱用ガス供給路
８１ 通気性保護膜
８２ 非通気性保護材
１０２ ロードロック室
１０３ 搬入口
１０４ 搬出口
１１１ 上面冷却用プレート
１１２ 下面冷却用プレート
１１５ プレート本体
１１６ 冷却用ガス供給路
１２１ 通気性保護膜
１２２ 非通気性保護材

Claims (22)

  1. 外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，基板を処理する処理部側に設けた搬出口とを備えたロードロック装置であって，
    ロードロック装置内に搬入した基板を加熱する加熱用プレートを備え，
    前記加熱用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体に加熱した加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，
    前記加熱用ガスは，前記プレート本体中を通過し，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置。
  2. 外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，基板を処理する処理部側に設けた搬出口とを備えたロードロック装置であって，
    ロードロック装置内に搬入した基板を加熱する加熱用プレートを備え，
    前記加熱用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体内に設けられた発熱体と，前記プレート本体にガスを供給するガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，
    前記ガスは，前記発熱体によって加熱された前記プレート本体中を通過する際に加熱され，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置。
  3. 前記多孔質材は，多孔質カーボンであることを特徴とする，請求項１又は２に記載のロードロック装置。
  4. 前記プレート本体の表面に，通気性を有する保護膜を設けたことを特徴とする，請求項１，２又は３に記載のロードロック装置。
  5. 前記加熱用プレートは，基板に対して相対的に近接及び離隔することが可能なことを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のロードロック装置。
  6. ロードロック装置内に搬入した基板を加熱する第二の加熱用プレートを基板の裏面側に備えたことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載のロードロック装置。
  7. 前記プレート本体は上下に分割され，上部板と下部板との間に隙間が形成され，前記下部板の上面に複数の溝が設けられたことを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載のロードロック装置。
  8. 外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，基板を処理する処理部側に設けた搬入口とを備えたロードロック装置であって，
    ロードロック装置内に搬入された基板を冷却する冷却用プレートを備え，
    前記冷却用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体に冷却された冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，
    前記冷却用ガスは，前記プレート本体中を通過し，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置。
  9. 外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，基板を処理する処理部側に設けた搬入口とを備えたロードロック装置であって，
    ロードロック装置内に搬入された基板を冷却する冷却用プレートを備え，
    前記冷却用プレートは，多孔質材からなるプレート本体と，前記プレート本体内に設けられた冷却水送水路と，前記プレート本体にガスを供給するガス供給路と，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられ，
    前記ガスは，前記冷却水送水路によって冷却されたプレート本体中を通過する際に冷却され，前記プレート本体の表面から噴き出て，基板に供給されることを特徴とする，ロードロック装置。
  10. 前記多孔質材は，多孔質カーボンであることを特徴とする，請求項８又は９に記載のロードロック装置。
  11. 前記プレート本体の表面に，通気性を有する保護膜を設けたことを特徴とする，請求項８，９又は１０に記載のロードロック装置。
  12. 前記冷却用プレートは，基板に対して相対的に近接及び離隔することが可能なことを特徴とする，請求項８〜１１のいずれかに記載のロードロック装置。
  13. ロードロック装置内に搬入した基板を冷却する第二の冷却用プレートを基板の裏面側に備えたことを特徴とする，請求項８〜１２のいずれかに記載のロードロック装置。
  14. 前記プレート本体は上下に分割され，上部板と下部板との間に隙間が形成され，前記下部板の上面に複数の溝が設けられたことを特徴とする，請求項８〜１３のいずれかに記載のロードロック装置。
  15. 請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置と，請求項８〜１４のいずれかに記載のロードロック装置とを備えたことを特徴とする，ロードロック装置。
  16. 請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置と，請求項８〜１４のいずれかに記載のロードロック装置とを，上下に積み重ねて備えたことを特徴とする，ロードロック装置。
  17. 搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，
    前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，
    前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する加熱用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，加熱した加熱用ガスを前記プレート本体に通過させて，前記プレート本体から基板に供給して，基板を加熱し，
    前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて処理部に基板を搬入し，
    前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法。
  18. 搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，
    前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，
    前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する加熱用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，前記プレート本体の内部に設けられた発熱体を発熱させるとともに，前記プレート本体にガスを通過させて，前記発熱体によって加熱されたプレート本体によって前記ガスを加熱し，前記加熱したガスを前記プレート本体から基板に供給して，基板を加熱し，
    前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて処理部に基板を搬入し，
    前記加熱用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法。
  19. 前記処理部は前記搬入出部よりも減圧されており，
    前記ロードロック装置に基板を搬入した後，前記搬入口を閉じ，前記ロードロック装置内を密閉状態とし，
    前記ロードロック装置内を所定の圧力まで減圧してから，前記搬出口を開き，前記ロードロック装置から処理部に基板を搬出することを特徴とする，請求項１７又は１８に記載の処理方法。
  20. 搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，
    前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，
    前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する冷却用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，冷却した冷却用ガスを前記プレート本体に通過させて，前記プレート本体から基板に供給して，基板を冷却し，
    前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて前記搬入出部に基板を搬出し，
    前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法。
  21. 搬入出部からロードロック装置を介して処理部に基板を搬入し，前記処理部において基板を処理する方法であって，
    前記ロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記ロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，前記搬入口を通じてロードロック装置内に基板を搬入し，
    前記搬入口を閉じ，多孔質材からなるプレート本体を有する冷却用プレートを基板の表面又は裏面に近接させ，前記プレート本体の内部に設けられた冷却水送水路に冷却水を通過させるとともに，前記プレート本体にガスを通過させて，前記冷却水送水路によって冷却されたプレート本体によって前記ガスを冷却し，前記冷却したガスを前記プレート本体から基板に供給して，基板を冷却し，
    前記搬入口を閉じたまま前記搬出口を開き，前記搬出口を通じて前記搬入出部に基板を搬出し，
    前記冷却用プレートは，前記基板の表面側に配置され，前記プレート本体の外側面を覆う非通気性保護材を備え，
    前記非通気性保護材は，前記プレート本体の下面よりも下方まで延びるように設けられたことを特徴とする，処理方法。
  22. 前記処理部は前記搬入出部よりも減圧されており，
    前記ロードロック装置に基板を搬入した後，前記搬入口を閉じ，前記ロードロック装置内を密閉状態とし，
    前記ロードロック装置内を所定の圧力まで加圧してから，前記搬出口を開き，前記ロードロック装置から搬入出部に基板を搬出することを特徴とする，請求項２０又は２１に記載の処理方法。
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US11/404,086 US7624772B2 (en) 2005-04-18 2006-04-14 Load lock apparatus, processing system and substrate processing method
TW095113673A TWI416643B (zh) 2005-04-18 2006-04-17 Vacuum isolation device and treatment method
KR1020060035099A KR100880049B1 (ko) 2005-04-18 2006-04-18 로드록 장치, 로드록 장치 조립체 및 기판 처리 방법
KR1020070113408A KR101118362B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-07 로드록 장치 및 처리 방법
US12/605,216 US8196619B2 (en) 2005-04-18 2009-10-23 Load lock apparatus, processing system and substrate processing method

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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3910791B2 (ja) * 2000-09-19 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
US7652227B2 (en) * 2006-05-18 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Heating and cooling plate for a vacuum chamber
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
JP4801522B2 (ja) * 2006-07-21 2011-10-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置及びプラズマ処理方法
KR101522324B1 (ko) 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
US10541157B2 (en) 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
CN101311786B (zh) * 2007-05-25 2010-09-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板制造方法及干燥装置
US8232352B2 (en) * 2007-06-11 2012-07-31 Bridgestone Corporation Rubber composition and tire using the same
KR100905488B1 (ko) * 2007-06-25 2009-07-01 (주)에티스 반도체 제조용 히팅 장치
KR100965413B1 (ko) * 2008-04-18 2010-06-25 엘아이지에이디피 주식회사 기판 처리용 클러스터 장치 및 클러스터 장치의 기판 처리방법
KR20100000146A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 주성엔지니어링(주) 챔버리드를 포함하는 기판처리를 위한 진공챔버
JP4249252B1 (ja) * 2008-08-05 2009-04-02 株式会社幸和 加熱機能を備えたコンベア
KR20120023656A (ko) * 2009-05-15 2012-03-13 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 표면파 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 성막 방법
JP5562189B2 (ja) * 2010-09-22 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN103201633B (zh) * 2010-11-08 2014-10-08 株式会社日立高新技术 反应板组件、反应板及核酸分析装置
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
KR101895307B1 (ko) 2011-03-01 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
JP6054314B2 (ja) 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
JP5854741B2 (ja) * 2011-10-04 2016-02-09 株式会社アルバック 基板処理装置
DE102012100927A1 (de) * 2012-02-06 2013-08-08 Roth & Rau Ag Prozessmodul
KR101680950B1 (ko) * 2012-02-16 2016-11-29 쌩-고벵 글래스 프랑스 코팅된 기판을 처리하기 위한 처리 박스, 장치 및 방법
KR102068186B1 (ko) 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
US20130340939A1 (en) * 2012-06-21 2013-12-26 Tel Solar Ag System for substrate handling and processing
JP6241777B2 (ja) * 2012-07-20 2017-12-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9111971B2 (en) * 2012-07-30 2015-08-18 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for temperature control of a semiconductor wafer
WO2014143846A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc Multi-position batch load lock apparatus and systems and methods including same
JP2014204018A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 シンフォニアテクノロジー株式会社 被処理体の冷却ユニット
JP2014204017A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 シンフォニアテクノロジー株式会社 被処理体の受容装置
JP6218526B2 (ja) * 2013-09-20 2017-10-25 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断方法
CN108695213B (zh) 2013-09-26 2022-03-18 应用材料公司 用于基板处理的混合平台式设备、系统以及方法
CN104681402B (zh) * 2015-03-16 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法
US20160314997A1 (en) * 2015-04-22 2016-10-27 Applied Materials, Inc. Loadlock apparatus, cooling plate assembly, and electronic device processing systems and methods
US9929029B2 (en) * 2015-10-15 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
CN107275250A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 上海新昇半导体科技有限公司 降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置
JP6747220B2 (ja) * 2016-09-28 2020-08-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN110600453B (zh) * 2018-06-12 2021-07-27 欣兴电子股份有限公司 封装载板
CN108645640B (zh) * 2018-06-21 2020-08-04 南方电网科学研究院有限责任公司 一种加热板装置及散热测试系统
KR20210022068A (ko) 2018-07-17 2021-03-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 입자 빔 검사 장치
US20200126826A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Applied Materials, Inc. Load lock body portions, load lock apparatus, and methods for manufacturing the same
CN111430268B (zh) * 2019-01-10 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 处理装置
TW202107528A (zh) * 2019-04-30 2021-02-16 美商得昇科技股份有限公司 氫氣輔助的大氣自由基氧化
JP7394554B2 (ja) * 2019-08-07 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
WO2021044622A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
US11557496B2 (en) * 2020-03-23 2023-01-17 Applied Materials, Inc. Load lock with integrated features
WO2023169766A1 (en) * 2022-03-11 2023-09-14 Asml Netherlands B.V. Vacuum chamber system including temperature conditioning plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09249471A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Sumitomo Sitix Corp 半導体製造装置の耐熱用具及びその製造方法
JPH11307513A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Sony Corp 絶縁体基板対応プラズマ処理装置
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
JP2002158273A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Anelva Corp 真空処理装置
JP2002222849A (ja) * 2001-01-23 2002-08-09 Anelva Corp 基板温度制御機構及び真空処理装置
JP2004221197A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1615878A (en) * 1920-11-02 1927-02-01 Henry L Doherty Door-closing device
JPS53139872A (en) * 1977-05-10 1978-12-06 Toray Industries Porous body comprising metal coated carbon fiber
US4307753A (en) * 1980-07-29 1981-12-29 Greer Hydraulics, Incorporated Wide frequency pulsation dampener device
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
US4734998A (en) * 1986-01-06 1988-04-05 Jimmy Wells Needham Method and apparatus for dehydrating toxic chemical sludge
JPH0333058Y2 (ja) * 1987-06-26 1991-07-12
ES2163388T3 (es) * 1988-05-24 2002-02-01 Unaxis Balzers Ag Instalacion de vacio.
US5007590A (en) * 1990-01-23 1991-04-16 Itex Enterprises, Inc. Apparatus and method for mixing solid or semi-solid wastes with additives
US5617963A (en) * 1995-06-14 1997-04-08 Unique Concepts Inc. Apparatus for mounting an appliance at an opening
KR100218724B1 (ko) * 1996-10-30 1999-09-01 노승민 티에프티 엘씨디용 글라스의 자동 에칭장치 및 에칭방법
US6086362A (en) * 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
SE515785C2 (sv) * 2000-02-23 2001-10-08 Obducat Ab Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen
KR20070037517A (ko) 2000-09-15 2007-04-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
JP4493863B2 (ja) * 2001-01-25 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法
US6840982B2 (en) * 2001-03-13 2005-01-11 American Moxie, Llc Storage device utilizing a differentially permeable membrane to control gaseous content
JP2003007682A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用の電極部材
JP4695297B2 (ja) * 2001-06-26 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー
US20030047282A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Yasumi Sago Surface processing apparatus
JP2003231970A (ja) * 2002-02-08 2003-08-19 Hitachi Zosen Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP3856125B2 (ja) * 2002-05-10 2006-12-13 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP4048242B2 (ja) * 2002-05-29 2008-02-20 エスペック株式会社 熱処理装置
JP4540953B2 (ja) * 2003-08-28 2010-09-08 キヤノンアネルバ株式会社 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4350695B2 (ja) * 2004-12-01 2009-10-21 株式会社フューチャービジョン 処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09249471A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Sumitomo Sitix Corp 半導体製造装置の耐熱用具及びその製造方法
JPH11307513A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Sony Corp 絶縁体基板対応プラズマ処理装置
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
JP2002158273A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Anelva Corp 真空処理装置
JP2002222849A (ja) * 2001-01-23 2002-08-09 Anelva Corp 基板温度制御機構及び真空処理装置
JP2004221197A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置

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