SE515785C2 - Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen - Google Patents

Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen

Info

Publication number
SE515785C2
SE515785C2 SE0000574A SE0000574A SE515785C2 SE 515785 C2 SE515785 C2 SE 515785C2 SE 0000574 A SE0000574 A SE 0000574A SE 0000574 A SE0000574 A SE 0000574A SE 515785 C2 SE515785 C2 SE 515785C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
layer
energy
heating
homogeneous heating
absorbed
Prior art date
Application number
SE0000574A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0000574D0 (sv
SE0000574L (sv
Inventor
Lars Montelius
Babak Heidari
Original Assignee
Obducat Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Obducat Ab filed Critical Obducat Ab
Priority to SE0000574A priority Critical patent/SE515785C2/sv
Publication of SE0000574D0 publication Critical patent/SE0000574D0/sv
Priority to JP2001562261A priority patent/JP2003524304A/ja
Priority to CN01806997.5A priority patent/CN1215377C/zh
Priority to EP01906497A priority patent/EP1275030A1/en
Priority to AU2001234319A priority patent/AU2001234319A1/en
Priority to US10/204,631 priority patent/US20030141291A1/en
Priority to PCT/SE2001/000381 priority patent/WO2001063361A1/en
Publication of SE0000574L publication Critical patent/SE0000574L/sv
Publication of SE515785C2 publication Critical patent/SE515785C2/sv
Priority to US10/958,588 priority patent/US20050077285A1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/52—Heating or cooling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0083—Temperature control
    • B81B7/009—Maintaining a constant temperature by heating or cooling
    • B81B7/0096—Maintaining a constant temperature by heating or cooling by heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B29C2043/023—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves
    • B29C2043/025—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves forming a microstructure, i.e. fine patterning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/25—Solid
    • B29K2105/253—Preform
    • B29K2105/256—Sheets, plates, blanks or films
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Description

15 20 25 30 35 2 styras exakt till ett givet värde. Av produktionsskäl är det också önskvärt att värmningen av filmen sker snabbt.
För närvarande finns det ingen värmningsutrustning som fyller dessa behov.
Sammanfattning av uppfinningen Det är ett ändamål med uppfinningen att helt eller delvis uppfylla ovan identifierade behov. Närmare bestämt är det ett ändamål med föreliggande uppfinning att åstad- komma en anordning som medger homogen värmning av ett objekt.
Det är också ett ändamål med uppfinningen att åstad- komma en anordning som förmår homogent värma ett objekt exakt till en given temperatur.
Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en anordning som medger homogen värmning av ett objekt till en given temperatur på kort tid.
Ytterligare ett ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en anordning som medger homogen värmning av ett objekt och som är av enkel konstruktion.
Det är likaså ett ändamål med uppfinningen att åstadkomma en anordning som medger homogen värmning av ett objekt i vakuum.
Dessa och andra ändamål, sonfkommer att framgå av efterföljande beskrivning, har nu uppnåtts medelst en anordning enligt efterföljande patentkrav 1. Föredragna utföringsformer definieras i de underordnade kraven.
Tack vare att den i skiktet absorberade energin självreglerande fördelas jämnt i ytled kommer denna energi att avges mycket likformigt från skiktets yta till objektet. Således kan objektet homogent värmas till en given temperatur.
Enligt en utföringsform är skiktet av ett material vars absorption av den mottagna energin minskar med stigande temperatur. Därmed uppnås automatiskt en jämn fördelning av den absorberade energin i skiktet. Om temperaturen stiger i en del av skiktet minskar nämligen 10 15 20 25 30 35 LH ua tfl '~J 133 111 DJ absorptionen av energi automatiskt i denna del relativt övriga delar av skiktet.
Enligt en ytterligare utföringsform har skiktet en sådan tjocklek att transport av den mottagna energin huvudsakligen sker i ytled. Därmed tvingas den mottagna energin att fördela sig i ytled, varigenom en snabb energiutjämning uppnås över skiktets yta.
Enligt en föredragen utföringsform är skiktet anord- nat att mottaga elektrisk energi, vilken omvandlas till värmeenergi genom resistiva förluster i skiktet. Detta utförande medger en enkel och kompakt konstruktion av värmningsanordningen. Företrädesvis är skiktet tillverkat av ett elektriskt ledande material vars resistivitet ökar med stigande temperatur. Därmed uppnàs automatiskt en jämn fördelning av den bildade värmeenergin i skiktet. Om temperaturen stiger i en del av skiktet kommer nämligen den ström som tillförs skiktet fràn källan att främst ledas till skiktets övriga delar vars temperatur därmed stiger. Det är också föredraget att materialet har en hög elektrisk resistivitet, företrädesvis minst ca 50 pQcm (vid en referenstemperatur om 20°C), och helst minst ca 500 pQcm (vid en referenstemperatur om 20%U, sà att en stor del av den tillförda elektriska energin omvandlas till vàrmeenergi i skiktet. Därmed kan skiktets tjocklek hàllas nere, varigenom skiktet snabbt antar en i ytled över skiktet jämnt fördelad temperatur. Självfallet fàr_ materialet inte ha en så hög elektrisk resistivitet att det fungerar som en elektrisk isolator.
Enligt ytterligare ett föredraget utförande utgörs materialet av kol, företrädesvis grafit. Detta material kan enkelt formas till tunna skikt, samt har en hög smältpunkt och hög resistivitet. Dessutom är det obenäget att spontant bilda isolerande oxider. Det är föredraget att kollagrets tjocklek är mindre än ca 1 mm, företrädes- vis mindre än ca 0,1 mm. Dessa dimensioner har visat sig ge tillräcklig värmeutveckling, samtidigt som strömtrans- porten i skiktet huvudsakligen sker i ytled. lO 15 20 25 30 35 4 Enligt ett föredraget utförande är skiktet är anord- nat väsentligen parallellt med ansättningsytan, varigenom den i skiktet absorberade energin kan överföras likfor- migt till objektet.
Det är också föredraget att ett termiskt isolerande element är anordnat vid skiktets bort från ansättnings- ytan vända sida. Därmed riktas den fràn skiktet avgivna energin mot ansättningsytan, så att energiöverföringen till objektet optimeras.
Kort beskrivning av ritninqarna Uppfinningen och dess fördelar kommer att beskrivas närmare i det följande under hänvisning till bifogade schematiska ritning, som i exemplifierande syfte visar för närvarande föredragna utföringsformer av uppfin- ningen.
Pig l är en sidovy av en värmningsanordning enligt en första utföringsform av uppfinningen, vid vilken skiktet tillförs elektrisk energi.
Fig 2 är en sidovy av en värmningsanordning enligt en andra utföringsform av uppfinningen, vid vilken skiktet tillförs stràlningsenergi.
Beskrivning av föredragna utföringsformer I fig 1 visas en första utföringsform av en upp- finningsenlig värmningsanordning 1 som på en ansättnings- yta 2 uppbär ett objekt O som skall värmas. I de visade exemplen, som schematiskt illustrerar användningen av värmningsanordningen vid nanoimprintlitografi, består objektet O av ett substrat O1 av kisel/kiseldioxid och ett därpå applicerat polymerskikt O2. Anordningen l om- fattar ett värmningsskikt 3 av grafit, vilket är anslutet till en kraftkälla 4. Källan 4 bildar en elektrisk krets med värmningsskiktet 3 och är aktiverbar för matning av en elektrisk ström genom detta. Värmningsskiktet 3 har en ytstorlek som är minst lika stor som ansàttningsytan 2. I detta utförande har värmningsskiktet 3 en likformig tjocklek om ca 0,1 mm. Pà värmningsskiktets 3 mot ansätt- ningsytan 2 vända sida är en anbringat ett elektriskt 10 15 20 25 30 35 Qfl I* Én -1 (U (Ü 5 isolerande skikt 5, och utanpå detta en stel stödplatta 6 som bildar ansättningsytan 2 för objektet O och skyddar det elektriskt isolerande skiktet 5 och värmningsskiktet 3 mot àverkan. I det visade exemplet är stödplattan 6 tillverkad av aluminium, och det elektriskt isolerande skiktet 5 utgörs av ett pà stödplattan 6 bildat skikt av aluminiumdioxid. Pà värmningsskiktets 3 bort fràn ansätt- ningsytan 2 vända sida är det inrättat en termiskt isole- rande platta 7 av Nefalit, d V s en temperaturbeständig komposit bestående av aluminiumdioxid, keramiska fibrer och luft. En temperatursensor 8 avkänner temperaturen i värmningsskiktet 3, och temperaturinformation fràn sen- sorn 8 äterkopplas till kraftkàllan 4 för styrning av dess energitillförsel. Ö Eftersom grafit är ett material med en positiv temperaturkoefficient, d v s dess resistivitet ökar med ökande temperatur, kommer huvuddelen av den ström som matas till värmningsskiktet 3 fràn spänningskällan 4 att kontinuerligt och självreglerande att styras till de områden av värmningsskiktet 3 som har lägst temperatur.
Därmed uppnås en mycket jämn energifördelning, och dito temperaturfördelning, i ytled över värmningsskiktet 3.
Denna jämnt fördelade energi leds] via det elektriskt isolerande skiktet 5 och stödplattan 6, in i objektet O, vilket värms homogent. Uppvärmningen sker mycket snabbt tack vare vàrmningsskiktets 3 ringa massa. \ Tester har visat pà mycket goda resultat. I ett för- sök användes anordningen 1 för värmning av ett substrat av kisel/kiseldioxid med en tjocklek av 300 um. Ett fler- tal temperatursensorer (ej visade) var monterade i olika områden av substratets bort fràn ansättningsytan 2 vända sida för mätning av temperaturjämnheten hos substratet under och efter värmningsförloppet. Med den uppfinnings- enliga anordningen 1 värmdes substratet fràn 20°C till 200°C pà mindre än ca 10 sekunder och fràn 20°C till 1000°C pà mindre än ca en minut. Variationen i temperatur lO l5 20 25 30 35 , . . . . . 6 inom ett område av 50 mm var mindre än i1°C över substra- tets yta.
Självfallet kan andra material än grafit användas i värmningsskiktet 3, t ex någon lämplig metall eller metallkomposit med positiv temperaturkoefficient. Dock bör skiktmaterialets resisitivitet vara förhållandevis hög, så att tillräcklig värmeutveckling kan åstadkommas med skikttjocklekar av storleksordningen 1 mm eller mind- re. I alltför tjocka värmningsskikt 3 styrs inte strömmen huvudsakligen i ytled utan även i djupled, vilket resul- terar i en oönskat långsam temperaturutjämning i skiktet 3. En resisitivitet av minst ca 50 pQcm (vid en referens- temperatur om 20°C), och helst minst ca 500 ißlcm (vid en referenstemperatur om 20°C), torde vara lämplig.
Den termiskt isolerande plattan 7 utsätts för höga temperaturer och syftar till att reflektera tillbaka värmeenergi som avges från värmningsskiktet 3 och där- igenom styra i det närmaste all avgiven värmeenergi mot ansättningsytan 2. Fackmannen inser att det finns en uppsjö av lämpliga material, även om Nefalit för närva- rande har visat sig ge bäst resultat. Exempel på andra lämpliga material är aluminiumdioxid och olika keramer, t ex Macor. g Stödplattan 6, som kan undvaras, bör ha likformig tjocklek och medge hög värmetransport från skiktet 3 till ansättningsytan 2. Det elektriskt isolerande skiktet 5 kan vara utfört på godtyckligt vis, exempelvis i form av en direkt på värmningsskiktet 3 applicerad oxid. För att den från skiktet 3 avgivna värmeenergin skall överföras likformigt till objektet O bör dock värmningsskiktet 3, det elektriskt isolerande skiktet 5 och stödplattan 6 vara plana, inbördes parallella och anbringade mot varandra.
I fig 2 visas en alternativ utföringsform av en värmningsanordning 1' enligt uppfinningen. Delar med motsvarighet i ovanbeskrivna värmningsanordning l bär 10 15 20 25 30 35 m så šfl -.1 (Û (N 7 samma hänvisningsbeteckningar och beskrivs ej ytterligare i det följande.
Värmningsanordningen l' omfattar en inbyggd strål- ningskälla 4', t ex en IR-källa, som är anordnad att be- stråla värmningsskiktet 3 för inducering av värmeenergi i detsamma. I detta fall är värmningsskiktet 3 tillverkat av ett material vars absorption av den infallande strål- ningsenergin avtar med stigande temperatur. Därmed kan en mycket jämn energifördelning, och dito temperaturfördel- ning, uppnås i ytled över skiktet 3. Eftersom värmnings- skiktet 3 även i detta utförande bör vara tunt, är ett för strålningen transparent bärelement 10 inrättat mellan källan 4' och skiktet 3 för uppbärning av det sistnämnda.
I fallet med en källa 4' för avgivning av infraröd (IR) strålning kan bärelementet 10 exempelvis vara tillverkat av SiC, som har ett lämpligt bandgap i det aktuella strålningsområdet.
Den uppfinningsenliga anordningen 1, l' är synner- ligen väl lämpad för uppvärmning av ett på ett substrat applicerat polymerskikt vid nanoimprintlitografi, men är tillämplig vid all typ värmning där en hög grad av tempe- raturjàmnhet eftersträvas i det värmda objektet. Eftersom anordningen 1, 1' kan användas för värmning av ett objekt i vakuum, även i högvakuum, så torde den finna stor an- vändning vid framställning av mikro- och nanostrukturer, t ex för bakning av ett resistmaterial vid halvledartill- verkning, värmning av ett substrat vid epitaxi och värm- ning av ett substrat vid metallisering av detta. Dessutom är anordningen 1, 1' väl lämpad för ästadkommande av en beläggning på ett objekt, t ex genom applicering av ett smältbart material eller ett lösningsmedel på objektet och värmning av objektet sä att materialet/lösningsmedlet bildar nämnda beläggning på detta.
Slutligen bör understrykas att uppfinningen på intet vis är begränsad till ovan beskrivna utföringsformer och att åtskilliga modifieringar är tänkbara inom ramen för efterföljande patentkrav. Exempelvis kan anordningen 8 omfatta flera bredvid varandra och/eller pà varandra placerade värmningsskikt.

Claims (21)

10 15 20 25 30 35 9 PATENTKRAV
1. Anordning för homogen värmning av ett objekt (O), känne t e cknad av en ansàttningsyta (2) för upptagning av objektet (O), och ett vid ansättningsytan (2) anordnat skikt (3) från en källa (4) mottagen energi och som àtminstone som àtminstone delvis absorberar delvis avger den sålunda absorberade energin till det pà (O), (3) är av ett sàdant material att den av skiktet (3) ansättningsytan (2) upptagna objektet varvid skiktet absorberade energin självreglerande fördelas jämnt i ytled.
2. Anordning enligt krav 1, varvid materialet är sàdant att dess absorption av den mottagna energin mins- kar med stigande temperatur.
3. Anordning enligt krav 1 eller 2, varvid skiktet har en sådan tjocklek att transport av den mottagna energin huvudsakligen sker i ytled.
4. Anordning enligt något av kraven 1-3, varvid nämnda skikt (3) (4), varvid den absorberade energin omfattar (3) bildad är anordnat att mottaga elektrisk energi från källan genom resistiva förluster i nämnda skikt värmeenergi. °
5. Anordning enligt krav 4, varvid nämnda material är sàdant att dess resistivitet ökar med stigande tempe- ratur.
6. Anordning enligt krav 4 eller 5, varvid nämnda material har en hög elektrisk resistivitet, företrädesvis minst ca 50 uQcm, och helst minst ca 500 pQcm, vid en referenstemperatur om 20°C.
7. Anordning enligt nägot av kraven 1-3, varvid nämnda skikt (3) (4), av strälningsenergin i nämnda skikt (3) är anordnat att mottaga strälningsenergi fràn källan varvid den absorberade energin omfattar inducerad värme- energi. 10 15 20 25 30 35 lO
8. Anordning enligt krav 7, varvid nämnda material är sådant att dess absorptionskoefficient minskar med stigande temperatur.
9. Anordning enligt något av föregående krav, varvid skiktet (3) grafit. omfattar ett lager av kol, företrädesvis
10. Anordning enligt krav 9, varvid nämnda lager har en tjocklek som är mindre än ca 1 mm, företrädesvis mindre än ca 0,1 mm.
11. Anordning enligt något av föregående krav, varvid skiktet (3) är anordnat väsentligen parallellt med ansättningsytan (2).
12. Anordning enligt något av föregående krav, varvid ett termiskt isolerande element (7) är anordnat vid skiktets sida. (3) bort från ansättningsytan (2) vända
13. Anordning enligt något av föregående krav, varvid ett elektriskt isolerande element (5) är anordnat vid skiktets (3) mot ansättningsytan (2) vända sida.
14. Anordning enligt något av föregående krav, var- vid ett stelt skyddselement (6) är anordnat vid skiktets (3) mot ansättningsytan (2) vända sida.
15. Anordning enligt något av föregående krav, varvid skyddselementet (6) medger hög värmetransport från skiktet (3)
16. Användning av en anordning enligt något av till ansättningsytan (2). kraven 1-15 för homogen värmning av ett objekt (O).
17. Användning av en anordning enligt något av kraven 1-15 för homogen värmning av ett polymerskikt (O2) (oi)
18. Användning av en anordning enligt något av ovanpå ett substrat vid nanoimprintlitografi. kraven 1-15 för bakning av ett resistmaterial vid halv- ledartillverkning.
19. Användning av en anordning enligt något av kraven 1-15 för homogen värmning av ett substrat vid epitaxi. 111 -J- (JT -.1 ífi Lfl ll
20. Användning av en anordning enligt nägot av kraven 1-15 för homogen värmning av ett substrat vid metallisering av detsamma.
21. Användning av en anordning enligt något av kraven 1-15 för värmning av ett objekt och ett därpà applicerat smältbart material eller lösningsmedel för bildande av en beläggning pà nämnda objekt.
SE0000574A 2000-02-23 2000-02-23 Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen SE515785C2 (sv)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0000574A SE515785C2 (sv) 2000-02-23 2000-02-23 Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen
JP2001562261A JP2003524304A (ja) 2000-02-23 2001-02-21 物体を均一加熱する装置
CN01806997.5A CN1215377C (zh) 2000-02-23 2001-02-21 用于物体均匀加热的设备
EP01906497A EP1275030A1 (en) 2000-02-23 2001-02-21 Device for homogeneous heating of an object
AU2001234319A AU2001234319A1 (en) 2000-02-23 2001-02-21 Device for homogeneous heating of an object
US10/204,631 US20030141291A1 (en) 2000-02-23 2001-02-21 Device for homogeneous heating of an object
PCT/SE2001/000381 WO2001063361A1 (en) 2000-02-23 2001-02-21 Device for homogeneous heating of an object
US10/958,588 US20050077285A1 (en) 2000-02-23 2004-10-06 Device for homogeneous heating of an object

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0000574A SE515785C2 (sv) 2000-02-23 2000-02-23 Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0000574D0 SE0000574D0 (sv) 2000-02-23
SE0000574L SE0000574L (sv) 2001-08-24
SE515785C2 true SE515785C2 (sv) 2001-10-08

Family

ID=20278542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0000574A SE515785C2 (sv) 2000-02-23 2000-02-23 Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20030141291A1 (sv)
EP (1) EP1275030A1 (sv)
JP (1) JP2003524304A (sv)
CN (1) CN1215377C (sv)
AU (1) AU2001234319A1 (sv)
SE (1) SE515785C2 (sv)
WO (1) WO2001063361A1 (sv)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6696220B2 (en) 2000-10-12 2004-02-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography
CN1262883C (zh) 2000-07-17 2006-07-05 得克萨斯州大学系统董事会 影印用于平版印刷工艺中的自动化液体分配的方法和系统
DE20019210U1 (de) * 2000-11-11 2001-01-25 Schott Glas, 55122 Mainz Kochfeld
US20050146083A1 (en) * 2002-06-20 2005-07-07 Lennart Olsson Method and device for transferring a pattern
DE10343323A1 (de) * 2003-09-11 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Stempellithografieverfahren sowie Vorrichtung und Stempel für die Stempellithografie
JP4321213B2 (ja) * 2003-10-24 2009-08-26 ウシオ電機株式会社 加熱ユニット
US7730834B2 (en) * 2004-03-04 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Printing apparatus and device manufacturing method
TWI243796B (en) * 2004-06-08 2005-11-21 Ind Tech Res Inst Device of nano-structure imprint for pattern transfer and method of the same
CN1300635C (zh) * 2004-12-09 2007-02-14 上海交通大学 真空负压纳米压印方法
US7676088B2 (en) * 2004-12-23 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7686970B2 (en) * 2004-12-30 2010-03-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144274A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7490547B2 (en) * 2004-12-30 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144814A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7354698B2 (en) 2005-01-07 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7922474B2 (en) * 2005-02-17 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7523701B2 (en) 2005-03-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and apparatus
JP4619854B2 (ja) 2005-04-18 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び処理方法
US7762186B2 (en) * 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7442029B2 (en) * 2005-05-16 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7692771B2 (en) * 2005-05-27 2010-04-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060267231A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7708924B2 (en) * 2005-07-21 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7418902B2 (en) * 2005-05-31 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography including alignment
US7377764B2 (en) * 2005-06-13 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070023976A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7878791B2 (en) * 2005-11-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8011915B2 (en) 2005-11-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070138699A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7517211B2 (en) * 2005-12-21 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4657940B2 (ja) * 2006-02-10 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
US8850980B2 (en) 2006-04-03 2014-10-07 Canon Nanotechnologies, Inc. Tessellated patterns in imprint lithography
US8318253B2 (en) * 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8015939B2 (en) * 2006-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Imprintable medium dispenser
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
US7854877B2 (en) 2007-08-14 2010-12-21 Asml Netherlands B.V. Lithography meandering order
US8144309B2 (en) 2007-09-05 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
DE102008002579A1 (de) * 2008-06-23 2009-12-24 Robert Bosch Gmbh Mikro-elektromechanisches Sensorelement
EP2870511B1 (de) * 2012-09-18 2015-10-21 Ev Group E. Thallner GmbH Verfahren zum prägen
CN103837249B (zh) * 2012-11-20 2016-12-21 深南电路有限公司 热盘温度均匀性的测试方法及测试装置
WO2015030167A1 (ja) 2013-08-29 2015-03-05 株式会社ブリヂストン サセプタ
CN110798923B (zh) * 2019-10-29 2021-11-23 珠海格力绿色再生资源有限公司 加热面板及无火灶
CN111430836A (zh) * 2020-02-18 2020-07-17 蜂巢能源科技有限公司 自适应温度调节结构单元及其应用

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3277419A (en) * 1963-11-20 1966-10-04 Du Pont Laminated heating unit
US4567132A (en) * 1984-03-16 1986-01-28 International Business Machines Corporation Multi-level resist image reversal lithography process
IT1218221B (it) * 1988-04-15 1990-04-12 Bayer Ag Sistemi di riscaldamento ad alta temperatura e metodo per produrli
US5151871A (en) * 1989-06-16 1992-09-29 Tokyo Electron Limited Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same
JP2745438B2 (ja) * 1990-07-13 1998-04-28 株式会社荏原製作所 加熱用伝熱材料及び発熱体とそれを用いた加熱装置
US5106455A (en) * 1991-01-28 1992-04-21 Sarcos Group Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography
DE4219667C2 (de) * 1992-06-16 1994-12-01 Kernforschungsz Karlsruhe Werkzeug und Verfahren zur Herstellung einer mikrostrukturierten Kunststoffschicht
US5861609A (en) * 1995-10-02 1999-01-19 Kaltenbrunner; Guenter Method and apparatus for rapid thermal processing
DE19709498A1 (de) * 1996-03-07 1997-09-11 Norbert Koessinger Kg Verfahren zum Auftragen von Farbdekors oder -bildern auf einen Gegenstand, insbesondere einen keramischen Gegenstand
JPH11343571A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Ngk Insulators Ltd サセプター

Also Published As

Publication number Publication date
US20050077285A1 (en) 2005-04-14
EP1275030A1 (en) 2003-01-15
WO2001063361A1 (en) 2001-08-30
CN1215377C (zh) 2005-08-17
JP2003524304A (ja) 2003-08-12
CN1419661A (zh) 2003-05-21
SE0000574D0 (sv) 2000-02-23
SE0000574L (sv) 2001-08-24
US20030141291A1 (en) 2003-07-31
AU2001234319A1 (en) 2001-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE515785C2 (sv) Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen
US9721822B2 (en) Electrostatic chuck apparatus
US6534751B2 (en) Wafer heating apparatus and ceramic heater, and method for producing the same
JP5459907B2 (ja) 基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板
CN108886838A (zh) 红外线加热单元
JP5992388B2 (ja) セラミックヒーター
US8573836B2 (en) Apparatus and method for evaluating a substrate mounting device
KR20110093895A (ko) 센서가 부착된 기판 및 센서가 부착된 기판의 제조 방법
EP1463382A1 (en) Hot plate unit
CN1886820A (zh) 红外辐射元件和使用其的气敏传感器
JP2005142496A (ja) ヒータ機構付き静電チャック
US6946625B2 (en) Ceramic susceptor
RU2218631C2 (ru) Схема, управляемая инфракрасным излучением (варианты), датчик энергии инфракрасного излучения и способ использования инфракрасного излучения на основе sic
US6653604B2 (en) Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same
US7394043B2 (en) Ceramic susceptor
CN105706225B (zh) 辐射加热器布置
KR101464207B1 (ko) 평판 디스플레이 제조 장치 및 평판 디스플레이 제조에 사용되는 아이알 히터
US3367795A (en) Method for making a microelectronic circuit
RU2074520C1 (ru) Электронагревательное устройство и материал резистивного слоя для реализации устройства
US5901030A (en) Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling
JP2002190372A (ja) ホットプレートユニット
Mah et al. IMPACT OF TEMPERATURE, PRESSURE, AND CURRENT ON THERMAL RESISTANCE OF THERMAL INTERFACE MATERIAL IN OPTOELECTRONICS DEVICE
JP2003100818A (ja) 支持容器および半導体製造・検査装置
KR20180129070A (ko) 박막면상 발열체와 그 제조방법 및 이를 이용한 박막 면상 발열기기
JP2001345371A (ja) 支持容器および半導体製造・検査装置