TWI416643B - Vacuum isolation device and treatment method - Google Patents

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TWI416643B
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Description

真空隔絕裝置及處理方法
本發明關於處理基板之處理系統等使用之真空隔絕裝置及處理方法。
例如於LCD基板等之製程，使用具備多數基板處理裝置的所謂多腔室型處理系統，可於減壓環境下對基板施予成膜(膜形成)、蝕刻、去灰等特定處理(例如專利文獻1)。此種處理系統具備：搬送室，其具備基板搬送裝置用於搬送基板；及處理部，其具有設於周圍的多數基板處理裝置。藉由基板搬送裝置之搬送臂，可對各基板處理裝置進行基板之搬出入。又，於此種處理系統具備搬出入部用於對外部進行基板之搬出入，於搬出入部與處理部間具備真空隔絕裝置。搬入於搬出入部的基板，係介由真空隔絕裝置被搬入處理部，於處理部處理後再度介由真空隔絕裝置搬出至搬出入部。
該真空隔絕裝置習知者有，在真空隔絕裝置內具備對基板進行預熱的加熱用板(例如專利文獻2)。又，揭示有具備：加熱用板與冷卻用板，當基板由搬出入部搬入處理部時可藉由加熱用板加熱基板，當基板由處理部搬入至搬出入部時可藉由冷卻用板冷卻基板(例如專利文獻1)。
真空隔絕裝置等使用之加熱用板之構造可為，在例如 不銹鋼合金或鋁(Al)合金等金屬製之板本體內部，內藏鞘(sheath)加熱器等之發熱體，由發熱體傳導熱至板本體，藉由加熱後之板本體放射之熱對基板進行加熱。冷卻用板之構造可為，在例如不銹鋼合金或鋁(Al)合金等金屬製之板本體內部，內藏使水通過的冷卻水送水路，藉由冷卻水冷卻板本體，藉由冷卻後之板本體之冷熱對基板進行冷卻。另外，藉由供給氮(N2 )或氦(He)等惰性氣體至基板而冷卻基板的方法亦被揭示(例如專利文獻1)。
專利文獻1：特表2004-523880號公報
專利文獻2：特開2001-239144號公報
但是，加熱用板之板本體由不銹鋼合金形成時，熱傳導率不佳，難以均勻加熱板本體，基板有可能產生加熱不均勻。因此，有可能產生熱應力之影響使基板變形，或處理部之基板處理誤差等問題。另外，基板有可能產生金屬污染附著之問題。又，加熱用板之板本體由鋁合金形成時，耐高溫特性不足，基板僅能加熱至最高約400℃之問題存在。另外，僅輻射熱之加熱存在效率不佳之問題。
又，冷卻用板之板本體由不銹鋼合金形成時，因為不銹鋼合金之熱傳導率不佳，難以均勻冷卻板本體，基板有可能產生冷卻不均勻。因此，有可能產生熱應力之影響使 基板變形等問題。另外，對基板供給氣體而冷卻時，對基板難以供給均勻之氣體，基板有可能產生冷卻不均勻之問題。
本發明目的在於提供可以適當調整基板溫度的真空隔絕裝置及處理方法。
為解決上述問題，本發明提供之真空隔絕裝置，係具備：搬入口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬出口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備：加熱用板，用於加熱被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述加熱用板具備：板本體，由多孔質材構成；及加熱用氣體供給路，對上述板本體供給加熱後之加熱用氣體；上述加熱用氣體，係通過上述板本體中，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。依該構成，可由板本體對基板均勻地供給加熱用氣體。依此則，可均勻加熱基板。
又，本發明提供之真空隔絕裝置，係具備：搬入口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬出口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備：加熱用板，用於加熱被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述加熱用板具備：板本體，由多孔質材構成；發熱體，設於上述板本體內；及氣體供給路，對上述板本體供給氣體；上述氣體，係在通過經由上述發熱體被加熱的上述板本體中之時被加熱，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。
上述多孔質材可為多孔質碳。多孔質碳具有良好之熱傳導率，可有效加熱基板。另外，於高溫亦具有良好耐熱性，可將基板加熱至高溫。
於上述板本體表面可設置具有通氣性之保護膜。上述加熱用板可構成為對基板相對地接近及遠離。又，於上述加熱用板可具備靜電吸附用電極用於靜電吸附基板。
又，亦可構成為，具備上述加熱用板與第2加熱用板，上述加熱用板與第2加熱用板之其中一方配置於基板表面側，另一方配置於基板背面側。依此則，更能有效、均勻地加熱基板。
另外，本發明提供之真空隔絕裝置，係具備：搬入口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬出口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備冷卻用板，用於冷卻被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述冷卻用板具備：板本體，由多孔質材構成；及冷卻用氣體供給路，對上述板本體供給冷卻後之冷卻用氣體；上述冷卻用氣體，係通過上述板本體中，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。依該構成，可由板本體對基板均勻地供給冷卻用氣體。依此則，可均勻冷卻基板。
又，本發明提供之真空隔絕裝置，係具備：搬入口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬出口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為具備：冷卻用板，用於冷卻被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述冷卻用板具備：板本體，由多孔質材構成；冷卻水送水路，設於 上述板本體內；及氣體供給路，對上述板本體供給氣體；上述氣體，係在通過經由上述冷卻水送水路被冷卻的板本體中之時，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。
上述多孔質材可為多孔質碳。於上述板本體表面可設置具有通氣性之保護膜。上述冷卻用板可構成為，對基板相對地接近及遠離。另外，於上述冷卻用板可具備靜電吸附用電極可以靜電吸附基板。
又，亦可構成為，具備上述冷卻用板與第2冷卻用板；上述冷卻用板與第2冷卻用板之其中一方配置於基板表面側，另一方配置於基板背面側。依此則，更能有效、均勻地冷卻基板。
又，本發明提供之真空隔絕裝置，其特徵為具備上述申請專利範圍第1至7項中任一項之真空隔絕裝置，與上述申請專利範圍第8至14項中任一項之真空隔絕裝置者。
又，本發明提供之真空隔絕裝置，其特徵為具備將申請專利範圍第1至7項中任一項之真空隔絕裝置，與申請專利範圍第8至14項中任一項之真空隔絕裝置以上下堆疊而成者。
又，本發明提供之處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬入口，將由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內， 關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的加熱用板接近基板表面或背面，使加熱後之加熱用氣體通過上述板本體，由上述板本體供給至基板，對基板進行加熱，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部。
一種處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬入口，將由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的加熱用板接近基板表面或背面，使加熱後之加熱用氣體通過上述板本體，由上述板本體供給至基板，對基板進行加熱，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部。
又，本發明提供之處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬入口，將由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的加熱用板接近基板表面或背面，使設於上述板本體內部之發熱體 發熱之同時，使氣體通過上述板本體，藉由上述發熱體加熱後之板本體加熱上述氣體，使上述加熱後之氣體由上述板本體供給至基板，對基板進行加熱，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部。
又，亦可設定為，上述處理部較上述搬出入部被減壓，在將基板搬入上述真空隔絕裝置之後，關閉上述搬入口，設定上述真空隔絕裝置為密閉狀態，減壓上述真空隔絕裝置內至特定壓力之後，打開上述搬出口，由上述真空隔絕裝置將基板搬出至處理部。
又，本發明提供之處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬入口，將由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的冷卻用板接近基板表面或背面，使冷卻後之冷卻用氣體通過上述板本體，由上述板本體供給至基板，對基板進行冷卻，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部。
又，本發明提供之處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側 的搬入口，將由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的冷卻用板接近基板表面或背面，使冷卻水通過設於上述板本體內部之冷卻水送水路之同時，使氣體通過上述板本體，藉由上述冷卻水送水路冷卻後之板本體冷卻上述氣體，使上述冷卻後之氣體由上述板本體供給至基板，對基板進行冷卻，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部。
又，亦可設定為，上述處理部較上述搬出入部被減壓，在將基板搬入上述真空隔絕裝置之後，關閉上述搬入口，設定上述真空隔絕裝置為密閉狀態，加壓上述真空隔絕裝置內至特定壓力之後，打開上述搬出口，由上述真空隔絕裝置將基板搬出至搬出入部。
以下針對作為基板之一例的LCD(Liquid crystal Display，液晶顯示裝置)用玻璃基板G，藉由電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)處理進行薄膜形成工程之處理系統，說明本發明第1實施形態。圖1為本發明實施形態之處理系統1之概略構成之平面圖。圖1之處理系統1，係所謂多腔室型處理系統，具備：對處理系統1之外部進行基板G之搬出入的搬出入部2，及對基板G進行CVD處理之處理部3。於搬出入部2與處理部3之間設置真空隔絕裝置5。
於搬出入部2設有載置台11用於載置收納部C俾收納多數片基板G；及第1搬送裝置12用於搬送基板G。於載置台11上，於圖1沿著大略水平方向之X軸方向並列多數收納部C。如圖2所示，於載置台11上之收納部C內，大略長方形之薄板狀基板G以大略水平姿勢多數片上下並排被收納。
搬送裝置12，係於水平方向之Y軸方向，於載置台11之後方(圖11為右方)被具備。又，搬送裝置12具備沿設於X軸方向的軌條13，及沿軌條13可移動於水平方向的搬送機構14。搬送機構14具備搬送臂15可將1片基板G保持於大略水平，搬送臂15構成為可於Z軸方向(垂直方向)伸區及於大略水平面內旋動，亦即，藉由搬送臂15對載置台11上之各收納部C之正面設置的開口16之動作，可取出、收納1片片基板G。又，相對於挾持搬送裝置12和載置台11呈對向之側(於Y軸方向在搬送裝置12之後方)所設置之真空隔絕裝置5，藉由搬送臂15之動作，可進行1片片基板G之搬入及搬出。
如圖2所示，真空隔絕裝置5由一對真空隔絕裝置、亦即由第1真空隔絕裝置21及第2真空隔絕裝置22構成。第1真空隔絕裝置21與第2真空隔絕裝置22為上下堆疊。於圖示之例，於第1真空隔絕裝置21之上設置第2真空隔絕裝置22。又，於Y軸方向在真空隔絕裝置21之前側(圖2為左側)，設置柵閥25用於開/關後述之真空隔絕裝置21之搬入口63，於Y軸方向在真空隔絕裝 置21之後側設置柵閥26用於開/關後述之真空隔絕裝置21之搬出口64。於Y軸方向在真空隔絕裝置22之後側，設置柵閥27用於開/關後述之真空隔絕裝置22之搬入口103，於Y軸方向在真空隔絕裝置22之前側設置柵閥28用於開/關後述之真空隔絕裝置22之搬出口104。於該構成，藉由關閉各柵閥25、28可切斷搬出入部2之環境與真空隔絕裝置21、22內之環境。又，藉由關閉各柵閥26、27可切斷處理部3之環境與真空隔絕裝置21、22內之環境。各真空隔絕裝置21、22之構造詳細如後述。
如圖1所示，於處理部3具備：收納基板G施予電漿CVD處理的多數、例如5個基板處理裝置30A~30E，及在真空隔絕裝置5與基板處理裝置30A~30E之間搬送基板G的第2搬送裝置31。第2搬送裝置31遲存於密閉構造之腔室內設置之搬送室33。腔室32，係於Y軸方向設置在真空隔絕裝置5之後方，又，真空隔絕裝置5及基板處理裝置30A~30E配置成為包圍腔室32之周圍。
於搬送室33與真空隔絕裝置21、22之間分別設有上述柵閥26、27，藉由關閉各柵閥26、27可切斷處理部3內之環境與真空隔絕裝置21、22內之環境。於搬送室33與各基板處理裝置30A~30E之間分別設有柵閥35，藉由柵閥35可以氣密關閉基板處理裝置30A~30E之開口，可切斷處理部3內之環境與各基板處理裝置30A~30E內之環境。又，如圖2所示，設有對搬送室33內強制排氣 減壓用的排氣路36。於處理系統1之處理時，處理部3之搬送室33、基板處理裝置30A~30E內設為較搬出入部2減壓之環境，例如設為真空狀態。
第2搬送裝置31具備例如多關節搬送臂51。搬送臂51可將1片或多數片基板G保持於大略水平，可於Z軸方向伸屈及於大略水平面內旋動。於各真空隔絕裝置21、22、基板處理裝置30A~30E，介由各柵閥26、27、35動作搬送臂51，可進行1片片基板G之搬入及搬出。
以下說明真空隔絕裝置21之構成。如圖3所示，真空隔絕裝置21具備密閉構造之腔室61。腔室61之內部成為收納基板G的真空隔絕室62。
於腔室61之搬出入部2側、亦即Y軸方向之前側設有對真空隔絕室62進行基板G之搬入的搬入口63。於搬入口63設有柵閥25，藉由柵閥25可關閉為氣密。於腔室61之處理部3側、亦即Y軸方向之後側設有由真空隔絕室62進行基板G之搬出的搬出口64。於搬出口64設有柵閥26，藉由柵閥26可關閉為氣密。
於真空隔絕室62內具備支撐基板G的多數保持構件70，各保持構件70構成大略棒狀，設為由腔室61底部朝上方突出，使基板G之下面載置於各保持構件70之上端部，而將基板G支撐於大略水平。
於真空隔絕室62內具備：對保持構件70支撐之基板G加熱的作為第1加熱用板之上面加熱用板71，及作為第2加熱用板之上面加熱用板72。
上面加熱用板71配置於保持構件70支撐之基板G之上面(例如元件被形成的表面)側，對腔室61被固定。如圖4所示，上面加熱用板71具備，由多孔質(porous)基材構成、具有通氣性的板本體75，及供給通過板本體75中之加熱用氣體的加熱用氣體供給路76。
板本體75形成為具有厚度之大略長方形板狀，沿腔室61之天井保持大略水平。又，對於保持構件70支撐之基板G之上面以大略平行姿勢呈對向。板本體75之下面之面積為大略相同於基板G之上面面積，或大於上面之面積，可覆蓋基板G之上面全體施予加熱。又板本體75被上下2分割，於上部板75a與下部板75b之間，形成大略均勻寬度之朝大略水平方向擴大之間隙75c。於和間隙75c呈對向之下部板75b之上面，設有朝下之凹形狀之多數溝75d。溝75d，例如沿設於X軸方向，於Y軸方向隔開特定間隔，橫跨下部板75b之上面全體而設置。又，於間隙75c連接供給在腔室61外部被加熱之加熱用氣體的供給管77。供給管77設為例如貫穿腔室61之天井部及上部板75a。於上部板75a之下面朝間隙75c設有開口。加熱用氣體較好是使用例如N2 氣體或He氣體等惰性氣體。本實施形態中，加熱用氣體供給路76由供給管77之內部流路、間隙75c及溝75d構成。
和保持構件70支撐之基板G之上面呈對向的板本體75之下面(亦即下部板75b之下面)，係被具有通氣性之保護膜81覆蓋。通氣性保護膜81，以大略均勻之厚度 形成於板本體75之下面全體。又，板本體75之上面(亦即上部板75a之上面)，係被非通氣性之薄板狀保護構件82覆蓋。通氣性保護膜81，以大略均勻之厚度形成於板本體75之下面全體。板本體75之外側面，被由橫跨上部板75a至下部板75b的非通氣性之薄板狀保護構件82覆蓋。間隙75c之周緣部亦被非通氣性保護構件82覆蓋、密閉。板本體115介由非通氣性保護構件82固定於腔室61。如上述說明，藉由通氣性保護膜81或非通氣性保護構件82覆蓋板本體75之多孔質材外面，可以保護多孔質材，不會損傷多孔質材。又，非通氣性保護構件82，可設為較板本體75之下面及通氣性保護膜81更朝下方延伸。如此則，加熱基板時可藉由非通氣性保護構件82包圍基板G之周緣部之更外側，如後述說明，可抑制供給之加熱用氣體由板本體75之下面逃離至非通氣性保護構件82外側，可集中於基板G之上面，可提升加熱用氣體之加熱效率。
構成板本體75之多孔質材之構造為，於基材中形成有互相連通之多數細孔，於細孔彼此之間可流通流體。因此，對加熱用氣體供給路76供給加熱用氣體時，加熱用氣體可浸透於板本體75中。板本體75之上面及外側面被非通氣性保護構件82覆蓋，因此由供給管77導入間隙75c之加熱用氣體，朝板本體75之下面通過通氣性保護膜81朝下方噴出。如上述說明，藉由從板本體75之下面噴著加熱用氣體，或藉由通過之加熱用氣體加熱之板本體 75放射之熱使基板G被加熱。又，藉由在下部板75b形成多數溝75d，間隙75c內之加熱用氣體可以容易由溝75d流入下部板75b中之細孔。
作為構成板本體75之多孔質材，可使用熱傳導率、熱放射率良好的材質，例如多孔質碳。此情況下，可有效加熱板本體75，可藉由加熱用氣體容易加熱。又，板本體75之溫度分布均勻性可以良好，可由板本體75之下面均勻放射熱，可防止基板G之加熱不均勻。另外，耐熱性強、高溫下亦可以穩定，可獲得充分之耐久性，基板G可加熱至高溫。又，藉由通氣性保護膜81或非通氣性保護構件82覆蓋多孔質碳，可防止碳被氧化而消耗或者微粒子之附著於基板G。又，使用惰性氣體作為加熱用氣體時，可防止碳被氧化而消耗，可發揮較佳之耐久性。又，亦可使用例如多孔質鋁合金、多孔質鎳合金等之多孔質金屬。
通氣性保護膜81之材質較好是使用具有耐熱性、較高之熱放射率、熱膨脹率和板本體75之多孔質材接近者，例如可使用AL2 O3 等之陶瓷。依此則，即使高溫下，亦可確實保護板本體75之多孔質材。又，通氣性保護膜81之材質使用熱放射率高之材質，例如使用AL2 O3 ，則可由通氣性保護膜81對基板G有效放射熱，可促進基板G之加熱。另外，可由通氣性保護膜81均勻放射熱，可防止基板G之加熱不均勻之發生。又，通氣性保護膜81可藉由例如溶射形成。依此則，可形成具有多數氣孔、具 必通氣性之膜。又，使用多孔質鋁(Al)合金作為板本體75之多孔質材時，通氣性保護膜81可藉由表面施予氧化處理而形成。
非通氣性保護構件82之材質可使用具有耐熱性之例如陶瓷等。依此則，高溫下亦可確實保護板本體75之多孔質材。又，非通氣性保護構件82之材質可使用斷熱性高者，依此則，可防止板本體75中之熱由板本體75之上面或外側面逃離。熱可集中由板本體75之下面之通氣性保護膜81放射。因此，可實現基板之加熱效率之提升。
如圖3所示，下面加熱用板72形成為具有厚度之大略長方形板狀，沿腔室61之底面呈大略水平，設置於保持構件70支撐之基板G之下面(例如未形成元件之背面)。保持構件70分別配置於下面加熱用板72上形成之多數孔85內。下面加熱用板72，對於保持構件70支撐之基板G之下面以大略平行姿勢呈對向。下面加熱用板72之上面之面積為大略相同於基板G之下面面積，或大於基板G之下面之面積，可覆蓋基板G之下面全體施予加熱。
於下面加熱用板72內部內藏有例如鞘加熱器等之發熱體86。發熱體86連接於設於腔室61外部的交流電源87。亦即，藉由交流電源87供給之電力產生發熱體86之電阻熱，藉由發熱體86之傳熱使下面加熱用板72昇溫。
又，下面加熱用板72可昇降，例如圖3所示，於腔室61下方設有升降機構之汽缸91，連接於汽缸91的桿 92，以上下貫穿腔室61底部之方式被設置。下面加熱用板72安裝於桿92之下端部。藉由汽缸91之驅動使桿92於Z軸方向升降，以下面加熱用板72和桿92呈一體方式，使各孔85分別沿著保持構件70移動而升降。
又，於下面加熱用板72之上面設有加熱時支撐基板G用的多數支撐構件93。下面加熱用板72下降至待機位置P1時，支撐構件93位於較保持構件70之上端部更下方之位置。因此，即使保持構件70保持基板G時，支撐構件93亦不會接觸基板G。另外，使下面加熱用板72由待機位置P1上升而使保持構件70保持之基板G藉由支撐構件93往上推，可使接近上面加熱用板71。亦即，上面加熱用板71與下面加熱用板72，係相對於兩者間收納之基板G可以分別接近及遠離。如上述說明，構成為使下面加熱用板72升降，則基板G於保持構件70之傳送/接受時藉由下面加熱用板72之下降至待機位置P1，可以具有餘裕度而進行傳送/接受，於基板G之加熱時使上升至加熱處理位置P2可以有效加熱基板G。
又，於腔室62連接有，對真空隔絕室62內供給例如N2 氣體或He氣體等惰性氣體的氣體供給路94，及對真空隔絕室62內強制排氣的排氣路95。亦即，藉由氣體供給路94之氣體供給及排氣路95之強制排氣可調節真空隔絕室62內之壓力。
以下詳細說明真空隔絕裝置22之構成。如圖3所示，真空隔絕裝置22具備密閉構造之腔室101，於圖示 之例，腔室101載置於下段之真空隔絕裝置21之腔室61之上面。腔室101內部成為收納基板的真空隔絕室102。
於腔室101之處理部3側，亦即於Y軸方向在後側設有對真空隔絕室102進行基板G之搬入的搬入口103。於搬入口103設有柵閥27，藉由柵閥27可密閉為氣密。於腔室101之搬出入部2側、亦即於Y軸方向在前側設有由真空隔絕室102進行基板G之搬出的搬出口104。於搬出口104設有柵閥28，藉由柵閥28可密閉為氣密。
於真空隔絕室102內具備支撐基板G的多數支撐構件110，各支撐構件110構成大略棒狀，設為由腔室101底部朝上方突出，使基板G之下面載置於各支撐構件110之上端部，而將基板G支撐於大略水平。
於真空隔絕室102內具備：對基板G冷卻的作為第1冷卻用板之上面冷卻用板111，及作為第2冷卻用板之下面冷卻用板112。
如圖5所示，上面冷卻用板111配置於支撐構件110支撐之基板G之上面(例如元件被形成的表面)側。上面冷卻用板111具備，由多孔質材構成、具有通氣性的板本體115，及供給通過板本體115中之冷卻用氣體的冷卻用氣體供給路116。
板本體115形成為具有厚度之大略長方形板狀，沿腔室101之天井被保持大略水平。又，對於支撐構件110支撐之基板G之上面以大略平行姿勢呈對向。板本體115之下面之面積為大略相同於基板G之上面面積，或大於 基板G之上面之面積，可覆蓋基板G之上面全體施予冷卻。又板本體115被上下2分割，於上部板115a與下部板115b之間，形成大略均勻寬度之朝大略水平方向擴大之間隙115c。於和間隙115c呈對向之下部板115b之上面，設有朝下之凹形狀之多數溝115d。溝115d，例如沿設於X軸方向，於Y軸方向隔開特定間隔，橫跨下部板115b之上面全體而設置。又，於間隙115c連接有供給在腔室101外部被冷卻之冷卻用氣體的供給管117。供給管117設為例如貫穿後述之支撐上面冷卻用板111用的桿126及上部板115a，於上部板115a之下面朝間隙115c設有開口。冷卻用氣體較好是使用例如N2 氣體或He氣體等惰性氣體。本實施形態中，冷卻用氣體供給路116由供給管117之內部流路、間隙115c及溝115d構成。
和支撐構件110支撐之基板G之上面呈對向的板本體115之下面(亦即下部板115b之下面)，係被具有通氣性之保護膜121覆蓋。通氣性保護膜121，以大略均勻之厚度形成於板本體115之下面全體。又，板本體115之上面(亦即上部板115a之上面)，係被非通氣性之薄板狀保護構件122覆蓋。板本體115之外側面，被由橫跨上部板115a至下部板115b的非通氣性之薄板狀保護構件122覆蓋。間隙115c之周緣部亦被非通氣性保護構件122覆蓋、密閉。板本體115介由非通氣性保護構件122固定於腔室101。如上述說明，藉由通氣性保護膜121或非通氣性保護構件122覆蓋板本體115之多孔質材外面，可以 保護多孔質材，不會損傷多孔質材。又，非通氣性保護構件122，可設為較板本體115之下面及通氣性保護膜121更朝下方延伸。如此則，冷卻基板G時可藉由非通氣性保護構件122包圍基板G之周緣部之更外側，如後述說明，可抑制供給之冷卻用氣體由板本體115之下面逃離至非通氣性保護構件122外側，可集中於基板G之上面，可提升冷卻用氣體之冷卻效率。
構成板本體115之多孔質材之構造為，於基材中形成有互相連通之多數細孔，於細孔彼此之間可流通流體。因此，對冷卻用氣體供給路116供給冷卻用氣體時，冷卻用氣體可浸透於板本體115中。板本體115之上面及外側面被非通氣性保護構件122覆蓋，因此由供給管117導入間隙115c之冷卻用氣體，朝板本體115之下面通過通氣性保護膜121朝下方噴出。如上述說明，藉由從板本體115之下面噴著冷卻用氣體，或藉由通過之冷卻用氣體冷卻後之板本體115之冷熱使基板G被冷卻。又，藉由在下部板115b形成多數溝115d，間隙115c內之冷卻用氣體可以容易由溝115d流入下部板115b中之細孔。
作為構成板本體115之多孔質材，可使用熱傳導率、熱放射率良好的材質，例如多孔質鋁(Al)合金等之多孔質金屬。又，亦可使用多孔質鎳合金、多孔質碳等。藉由熱傳導率良好的多孔質材之使用，可有效冷卻板本體115，藉由冷卻用氣體可以容易冷卻。又，板本體115之溫度分布均勻性可以良好，可由板本體115之下面均勻供 給冷熱，可防止基板G之冷卻不均勻。
通氣性保護膜121之材質較好是使用較高之熱放射率、熱膨脹率和板本體115之多孔質材接近者，例如可使用AL2 O3 等之陶瓷。依此則，可確實保護板本體115之多孔質材。又，通氣性保護膜121可藉由例如溶射形成。依此則，可形成具有多數氣孔、具必通氣性之膜。又，使用多孔質鋁(Al)合金作為板本體75之多孔質材時，通氣性保護膜121可藉由表面施予氧化處理而形成。
非通氣性保護構件122之材質可使用例如陶瓷等。依此則，可確實保護板本體125之多孔質材。又，非通氣性保護構件122之材質可使用斷熱性高者，依此則，可防止板本體115中之冷熱由板本體115之上面或外側面逃離。板本體115之下面之通氣性保護膜121可被集中冷卻。因此，可實現基板之冷卻效率之提升。
又，上面冷卻用板111可昇降，可對支撐構件110支撐之基板G接近或遠離。例如圖3所示，於腔室101上方設有升降機構之汽缸125，連接於汽缸125的桿126，以上下貫穿腔室101之天井之方式被設置。上面冷卻用板111安裝於桿126之下端部。藉由汽缸125之驅動使桿126於Z軸方向升降，上面冷卻用板111移動於，例如由支撐構件110支撐之基板G遠離之上方之待機位置P3，與接近基板G之下方之冷卻處理位置P4。如上述說明，構成為使上面冷卻用板111升降，則基板G於支撐構件110之傳送/接受時藉由上面冷卻用板111之上升至待機位置 P3，可以具有餘裕度而進行傳送/接受，於基板G之冷卻時使下降至冷卻處理位置P4可以有效冷卻基板G。又，上面冷卻用板111使用多孔質材，重量輕，可以較少驅動力容易驅動。
下面冷卻用板112形成為具有厚度之大略長方形板狀，沿腔室61之底面呈大略水平，設置於支撐構件110支撐之基板G之下面(例如未形成元件之背面)，對腔室101被固定。支撐構件110分別配置於下面冷卻用板112上形成之多數孔128內。下面冷卻用板112，對於支撐構件110支撐之基板G之下面以大略平行姿勢呈對向。下面冷卻用板112之上面之面積為大略相同於基板G之下面面積，或大於基板G之下面之面積，可覆蓋基板G之下面全體施予冷卻。
於下面冷卻用板112內部內藏有通過冷卻水的冷卻水送水路130。冷卻水送水路130連接於設於腔室101外部的冷卻水供給源(未圖示)。冷卻水由冷卻水供給源供給，循環至下面冷卻用板112內之冷卻水送水路130，冷卻下面冷卻用板112之後，回收於下面冷卻用板112之外。
又，於腔室102連接有，對真空隔絕室102內供給例如N2氣體或He氣體等惰性氣體的氣體供給路131，及對真空隔絕室102內強制排氣的排氣路132。亦即，藉由氣體供給路131之氣體供給，及排氣路132之強制排氣可調節真空隔絕室102內之壓力。
以下說明上述構成之處理系統1之基板G之處理。首先，收納有多數基板G的收納部C，以開口16朝搬送裝置12側之狀態被載置於載置台11上。搬送裝置12之搬送臂15進入開口16內，取出1片基板G。使保持基板G的搬送臂15朝和下段配置之真空隔絕裝置21之柵閥25之前方呈對向之位置移動。
另外，於真空隔絕裝置21，藉由柵閥25、26分別關閉搬入口63、搬出口64。真空隔絕室62被關閉。於真空隔絕裝置22，藉由柵閥27、28分別關閉搬入口103、搬出口104。真空隔絕室102被關閉。因此搬出入部2之環境與處理部3之搬送室33內之環境，介由真空隔絕裝置21、22互為遮斷之狀態。搬出入部2例如為大氣壓，相對於此，搬送室33內為真空排氣。
於真空隔絕裝置21，首先將真空隔絕裝置21內設為特定壓力，亦即設為和搬出入部2大略相同之大略大氣壓狀態，藉由柵閥26關閉搬出口64，設定柵閥25為開放狀態，打開搬入口63。於打開搬入口63期間，藉由柵閥26關閉搬出口64，可以維持搬送室33內之真空狀態。又，使下面加熱用板72下降至待機位置P1，於此狀態使保持基板G之搬送臂15介由搬入口63進入真空隔絕室62內，由搬送臂15對保持構件70上進行基板G之傳送/接受。
如上述使基板G經由搬入口63搬入，搬送臂15由真空隔絕室62退出，關閉柵閥25，將真空隔絕室62設 為密閉狀態，藉由排氣路95對真空隔絕室62內施予強制排氣，而將真空隔絕室62內減壓至特定壓力，亦即見壓至和搬送室33內大略相同壓力的真空狀態。
又，基板G藉由上面加熱用板71與下面加熱用板72由兩面施予加熱。首先，下面加熱用板72由待機位置P1上升，如此則，於下面加熱用板72上升途中，基板G藉由支撐構件93而由保持構件70往上升，成為被支撐構件93之稱之狀態。基板G被載置於支撐構件93上端部支撐於大略水平，和下面加熱用板72呈一體上升而接近上面加熱用板71。如此則，下面加熱用板72被配置於加熱處理位置P2，使基板G之上面全體成為接近上面加熱用板71之下面，下面全體成為接近下面加熱用板72之上面的狀態。於基板G之下面與下面加熱用板72之上面之間，及基板G之上面與上面加熱用板71之下面之間，分別形成大略均勻寬度的間隙。又，由上面加熱用板71之下面周緣部突出配置的保護構件82之下緣部，如圖4所示，係接近下面加熱用板72之上面周緣部，配置成為包圍基板G。
下面加熱用板72之上面藉由發熱體86之傳熱被均勻昇溫，基板G之下面藉由下面加熱用板72之上面之輻射熱被均勻加熱。另外，於上面加熱用板71，由供給管77對間隙75c供給加熱用氣體，倒入間隙75c的加熱用氣體，被流入下部板75b中的細孔，之後，於下部板75b內擴散而流向下面，通過保護膜81之細孔，由保護膜81噴 出至下方，朝基板G之上面被噴出。藉由加熱用氣體接觸基板G，使基板G被有效加熱。由板本體75供給至基板G之上面的加熱用氣體，沿著基板G之上面流入基板G之周緣部側，由保護構件82之下緣部與下面加熱用板72之上面周緣部間之間隙流出至外側，藉由排氣路95被排氣。
又，由供給管77導入間隙75c之加熱用氣體，擴散至面積大於基板G之面積的間隙75c全體，由間隙75c均勻地滲透至下部板75b之上面全體。由間隙75c滲透至下部板75b時，可由下部板75b形成之多數溝75d分別均勻地、容易流入。加熱用氣體可以均勻地通過下部板75b全體，加熱用氣體可以均勻流量由保護膜81之下面之細孔噴出，因此可均勻加熱基板G之上面全體。又，間隙75c內之加熱用氣體亦滲透、擴散至上部板75a，使板本體75之全體昇溫，因此基板G亦由被加熱之板本體75之輻射熱施予加熱。如上述說明，藉由加熱用氣體均勻地通過下部板75b之全體，可使下部板75b之全體藉由加熱用氣體均勻地施予加熱。因此，藉由板本體75之下面均勻地放射之輻射熱可以均勻地進行基板G之加熱。又，基板G之州違背配置保護構件82之下緣部之故，加熱用氣體及輻射熱可朝基板G之上面集中供給。因此，更能有效加熱基板G。又，藉由非通氣性保護構件82之下緣部，可防止基板G於上面加熱用板71與下面加熱用板72之間之偏移。
如上述說明，藉由從兩面加熱基板G可以均勻地加熱基板G，可以短時間有效加熱基板G。又，僅使基板G之單面接近加熱用板僅由單面加熱時，加熱側之面與相反側之面之間會產生溫度差，熱應力之影響有可能使基板G彎曲，但如上述說明，藉由從兩面加熱基板G可以防止基板G之溫度差之產生，可防止基板G之彎曲。
基板G之加熱結束、真空隔絕室62成為大略真空狀態後，藉由柵閥25關閉搬入口63之狀態下將柵閥26設為開放狀態，打開搬出口64，於打開搬出口64期間，藉由柵閥25關閉搬入口63，可以維持真空隔絕室62及搬送室33內之真空狀態。又，使下面加熱用板72下降、回至待機位置P1。在下面加熱用板72下降途中，使基板G之下面觸接保持構件70，基板G由支撐構件93被傳送保持構件70，基板G成為遠離上面加熱用板71與下面加熱用板72之狀態。於此狀態使第2搬送裝置31之搬送臂51介由搬出口64近日真空隔絕室62內，藉由搬送臂51由保持構件70受取基板G，使保持基板G之搬送臂51退出真空隔絕室62。如此則，基板G由真空隔絕室62經由搬出口64被搬出，被搬入處理部3之搬送室33。
搬入搬送室33之基板G，係藉由搬送臂51由搬送室33被搬入基板處理裝置30A~30E之任一，進行特定之電漿CVD處理之薄膜形成。於基板處理裝置30A~30E，於減壓環境下加熱基板G之同時，對處理室內供給反應氣體，藉由微波能使反應氣體電漿化。如此則，可於基板G 表面形成特定薄膜。於此，搬入之基板G於真空隔絕室62被施予預熱處理，因此可縮短基板處理裝置30A~30E之基板G之加熱時間，可有效處理。
於基板處理裝置30A~30E之基板G之處理結束後，藉由搬送臂51由基板處理裝置30A~30E取出基板G，搬出至搬送室33。此時，基板G為高溫狀態。
另外，真空隔絕裝置22藉由關閉狀態之柵閥27、28使搬入口103、搬出口104分別設為氣密封閉，將真空隔絕室102設為密閉狀態。又，藉由排氣路132之強制排氣使真空隔絕室102內減壓為特定壓力、亦即減壓至與搬送室33呈大略相同之真空狀態。於此狀態藉由柵閥28關閉搬出口104狀態下設定柵閥27為開放狀態，打開搬入口103。於打開搬入口103期間，藉由柵閥28關閉搬出口104，可以維持真空隔絕室102及搬送室33內之真空狀態。又，使上面冷卻用板111處於待機位置P3，之後，使保持基板G之搬送臂51介由搬入口103進入真空隔絕室102內，使基板G由搬送臂51受讓至支撐構件110上。
使基板G經由搬入口103搬入，搬送臂51由真空隔絕室102退出後，關閉柵閥27，將真空隔絕室102設為密閉狀態。由氣體供給路131對真空隔絕室102內供給惰性氣體，將真空隔絕裝置21內加壓至特定壓力，亦即加壓至和搬出入部2內大略相同壓力的大略大氣壓。
又，基板G藉由上面冷卻用板111與下面冷卻用板 112由兩面施予冷卻。冷卻時，使上面冷卻用板111下降至冷卻處理位置P4。亦即使基板G之上面全體成為接近上面冷卻用板111之下面，使下面全體成為接近下面冷卻用板112之上面的狀態。於基板G與上面冷卻用板111之間，及下面冷卻用板112與基板G之間，分別形成大略均勻寬度的間隙。又，由上面冷卻用板111之下面周緣部突出配置的非通氣性保護構件1222之下緣部，如圖5所示，係接近下面冷卻用板112之上面周緣部，配置成為包圍基板G。
下面冷卻用板112之上面藉由通握冷卻水送水路130之冷卻水之冷熱被均勻冷卻，基板G之下面藉由下面冷卻用板112之上面之冷熱被均勻冷卻。另外，於上面冷卻用板111，由供給管117對間隙115c供給冷卻用氣體，導入間隙115c的冷卻用氣體，被流入下部板115b中的細孔，之後，於下部板115b內擴散而流向下面，通過通氣性保護膜121，由通氣性保護膜121噴出至下方，朝基板G之上面被噴出。藉由冷卻用氣體接觸基板G，使基板G被有效冷卻。由板本體115供給至基板G之上面的冷卻用氣體，沿著基板G之上面流入基板G之周緣部側，由非通氣性保護構件122之下緣部與下面冷卻用板112之上面周緣部間之間隙流出至外側，藉由排氣路132被排氣。
又，由供給管117導入間隙115c之冷卻用氣體，擴散至面積大於基板G之面積的間隙115c全體，由間隙115c均勻地滲透至下部板115b之上面全體。由間隙115c 滲透至下部板115b時，可由下部板115b上形成之多數溝115d分別均勻地、容易流入。冷卻用氣體可以均勻地通過下部板115b全體，冷卻用氣體可以均勻流量由通氣性保護膜121之下面之細孔噴出，因此可均勻冷卻基板G之上面全體。又，間隙115c內之冷卻用氣體亦滲透、擴散至上部板115a，使板本體115之全體冷卻，因此基板G亦由被冷卻之板本體115之冷熱施予冷卻。如上述說明，藉由冷卻用氣體均勻地通過下部板115b之全體，可使下部板115b之全體藉由冷卻用氣體均勻地施予冷卻。因此，藉由板本體115之冷熱亦可以均勻地進行基板G之冷卻。又，基板G之周圍被配置非通氣性保護構件122之下緣部之故，冷卻用氣體及冷熱可朝基板G之上面集中供給。因此，更能有效冷卻基板G。又，藉由非通氣性保護構件122之下緣部，可防止基板G於上面冷卻用板111與下面冷卻用板112之間之偏移。
如上述說明，藉由上面冷卻用板111與下面冷卻用板112從兩面冷卻基板G可以均勻地冷卻基板G，可以短時間有效冷卻基板G。又，僅使基板G之單面接近冷卻用板僅由單面冷卻時，冷卻側之面與相反側之面之間會產生溫度差，熱應力之影響有可能使基板G彎曲，但如上述說明，藉由從兩面均勻地冷卻基板G可以防止基板G之溫度差之產生，可防止基板G之彎曲。
基板G之冷卻結束、真空隔絕室102成為大略大氣壓狀態後，藉由柵閥27關閉搬入口103之狀態下將柵閥 28設為開放狀態，打開搬出口104，於打開搬出口104之期間，藉由柵閥27關閉搬入口103，可以維持搬送室33內之真空狀態。使上面冷卻用板111回至待機位置P3。使搬送裝置12之搬送臂15介由搬出口104近入真空隔絕室102內，藉由搬送臂15由支撐構件110受取基板G，使保持基板G之搬送臂15退出真空隔絕室102。如此則，基板G藉由搬送臂15由真空隔絕室102經由搬出口104被搬出，回至載置台11上之收納部C。如上述說明，處理系統1之一連串處理工程結束。
依據上述處理系統1，藉由上面加熱用板71之板本體75構成為多孔質材，可使加熱用氣體通過板本體75中之細孔。可由板本體75表面均勻地噴出加熱用氣體，加熱用氣體可以均勻地噴著於基板G之表面全體。因此可藉由加熱用氣體有效且均勻地加熱基板G，可適當調節基板G之溫度。藉由均勻地預熱基板G可防止基板G之彎曲變形。又，可防止基板處理裝置30A~30E之處理不均勻，上面加熱用板71使用重量輕之多孔質材，可達成裝置之輕量化。
又，藉由上面冷卻用板111之板本體115構成為多孔質材，可使冷卻用氣體通過板本體115中之細孔。可由板本體115表面均勻地噴出冷卻用氣體，冷卻用氣體可以均勻地噴著於基板G之表面全體。因此可藉由冷卻用氣體有效且均勻地冷卻基板G，可適當調節基板G之溫度。藉由均勻地冷卻基板G可防止基板G之彎曲變形。又，上 面冷卻用板111使用重量輕之多孔質材，可達成裝置之輕量化。
以上說明本發明較佳實施形態，但本發明不限於彼等實施形態，在申請專利範圍之技術思想範圍內可做各種變更實施。
上述實施形態中，加熱用之真空隔絕裝置21設置1台，但亦可設置2台以上之真空隔絕裝置21。又，冷卻用之真空隔絕裝置22設置1台，但亦可設置2台以上之真空隔絕裝置22。又，不限定於加熱用之真空隔絕裝置21與冷卻用之真空隔絕裝置22之上下堆疊構成，例無橫向並類設置亦可，分離設置亦可。
於上述實施形態之真空隔絕裝置21，於上面加熱用板71，係由供給管77對設於板本體75內部之間隙75c供給加熱用氣體，但加熱用氣體供給路76之形態不限定於此。例如圖6所示，於板本體75之上面與非通氣性保護構件82之間設置間隙140，由供給管77對間隙140供給加熱用氣體，於板本體75之全體使加熱用氣體流向下方亦可。
上述實施形態之構成中，於上面加熱用板71被供給預熱之加熱用氣體，藉由加熱用氣體加熱板本體75與基板G，但如圖7所示，於板本體75內具備例如鞘加熱器等發熱體，藉由發熱體加熱通過板本體75及板本體75中之氣體亦可。於圖7之例，發熱體150形成為細線形狀，沿設於板本體75之多數溝75d內。於發熱體150連接設 於腔室61外部之交流電源151，藉由交流電源151供給之電力產生電阻熱。又，由供給管77供給例如N2 氣體或He氣體等之惰性氣體。亦即，由供給管77、間隙75c構成氣體供給路152。
於該構成，板本體75藉由發熱體150傳導之熱被加熱。氣體供給路152供給之氣體流入板本體75之下部板75b時，藉由發熱體150予以加熱。又，通過板本體75之間，藉由板本體75之熱被加熱。如此則，藉由發熱體150及板本體75被加熱之氣體，由板本體75表面噴出，被供給至基板G之表面或背面。因此，即使不預熱氣體時，藉由發熱體150及板本體75亦可充分加熱，可將充分加熱後之氣體噴著於基板G。又，氣體通過板本體75時，發熱體150之熱被氣體運送至板本體75中，藉由氣體流動可促進板本體75之加熱。藉由氣體均勻地流入板本體75中，可使板本體75之溫度分布均勻性成為良好。因此，板本體75之下面可有效且均勻地被加熱，板本體75之下面之輻射熱可均勻地放射，可有效且均勻地加熱基板G。
又，上述實施形態中，下面加熱用板72設為可升降，藉由下面加熱用板72上之支撐構件93受取來自保持構件70之基板G，但不受取基板G，僅單純接近保持構件70(此情況下，作為加熱時支撐基板的支撐構件功能)支撐之基板G亦可。又，設定上面加熱用板71為可升降，藉由上面加熱用板71本身之升降移動，使上面加 熱用板71接近/遠離基板G亦可。上面加熱用板71使用多孔質材，重量輕，可以較少驅動力容易升降。上述實施形態中，上面加熱用板71與下面加熱用板72分別對基板G隔開間隙以接近之狀態進行加熱，但上面加熱用板71或下面加熱用板72接觸基板G之狀態進行加熱亦可。
又，上述實施形態中，上面加熱用板71具備多孔質材構成之板本體75，及噴出加熱用氣體之構成，但亦可取代上面加熱用板71改為，下面加熱用板72具備多孔質材構成之板本體75，及噴出加熱用氣體之構成。如此則，加熱用氣體可均勻地噴著於基板G背面，可有效且均勻地加熱基板G之背面。另外，上面加熱用板71與下面加熱用板72雙方均具備多孔質材構成之板本體75，及噴出加熱用氣體之構成以可。
又，於上面加熱用板71或下面加熱用板72具備靜電吸附用電極，以靜電吸附基板G亦可。圖8為具備噴出加熱用氣體之構成的下面加熱用板之中，具備靜電吸附用電極之一例。於圖8，下面加熱用板160具備：多孔質材構成之具有通氣性的板本體161，及對板本體161供給加熱用氣體的加熱用氣體供給路162。板本體161，和板本體75同樣，於上部板161a與下部板161b之間，形成大略均勻寬度之朝大略水平方向擴大之間隙161c。於上部板161a之下面，設有朝上之凹形狀之多數溝161d。加熱用氣體供給路162，由連接於間隙161c的供給管163之內部流路、間隙161c、及溝161d構成。板本體161之上 面形成通氣性保護膜171。板本體161之下面及外側面，被非通氣性保護構件172覆蓋。於通氣性保護膜171內部內藏薄層狀之導體構成的靜電吸附用電極173。靜電吸附用電極173具有通氣性，全體被通氣性保護膜171覆蓋、保護。通氣性保護膜171之材質使用具有絕緣性之材質，例如AL2 O3 等之陶瓷。靜電吸附用電極173連接於設於腔室61外部的直流電源175。靜電吸附用電極173可藉由溶射形成。例如於板本體161表面，依據通氣性保護膜171、靜電吸附用電極173、通氣性保護膜171順序進行溶射，形成層狀即可。又，保持構件70分別配置於以上下貫穿下面加熱用板160而形成之多數孔176內，下面加熱用板160可使各孔176沿保持構件70移動且可升降。
於該構成，基板G藉由下面加熱用板160之上面產生於通氣性保護膜171表面的靜電力，被吸附於通氣性保護膜171表面。因此，基板G可以密接下面加熱用板160之狀態確實被保持。又，受取基板G時，首先下降下面加熱用板160至待機位置，於保持構件70受讓基板G之後，上升下面加熱用板160，藉由下面加熱用板160將基板G由保持構件70往上推舉，施予靜電吸附即可。另外，加熱用氣體依序通過板本體161、通氣性保護膜171、靜電吸附用電極173、通氣性保護膜171，被供給至靜電吸附之基板G之下面全體。依此則，可有效、均勻地加熱基板G。又，於下面加熱用板160，和圖7之上面加熱用板71同樣，可於板本體161內設置發熱體，藉由 發熱體加熱通過板本體161及板本體161中之氣體。
上述實施形態所示真空隔絕裝置22構成為，於上面冷卻用板111，由供給管117對板本體115內部設置之間隙115c供給冷卻用氣體，但冷卻用氣體供給路116之形態不限定於此。例如圖9所示，於板本體115之上面與非通氣性保護構件122之間，設置間隙170，由供給管117對間隙170供給冷卻用氣體，使冷卻用氣體於板本體115之全體流向下方亦可。
上述實施形態中構成為，於上面冷卻用板111供給預先冷卻之冷卻用氣體，藉由冷卻用氣體冷卻板本體115與基板G，但亦可構成如圖10所示，於板本體115內設置例如冷卻水送水用的冷卻水送水路，藉由冷卻水送水路冷卻通過板本體115及板本體115中的氣體。於圖10之例，冷卻水送水路180形成細管形狀，沿板本體115之多數溝115d內設置。又，冷卻水送水路180，連接於腔室101外部設置之冷卻水供給源(未圖示)。由供給管117供給例如N2 氣體或He氣體等之惰性氣體。亦即供給管117、間隙115c構成氣體供給路181。
於該構成，板本體115藉由通過冷卻水送水路180內之冷卻水之冷熱被冷卻。氣體供給路181供給之氣體流入板本體115之下部板115b時，藉由冷卻水送水路180被冷卻。如此則，藉由冷卻水送水路180及板本體115被冷卻之氣體，由板本體115表面噴出，被供給至基板G之表面或背面。因此，即使不預冷氣體時，藉由冷卻水送水 路180及板本體115亦可充分冷卻，可將充分冷卻後之氣體噴著於基板G。又，氣體通過板本體115時，冷卻水送水路180之冷熱被氣體運送至板本體115中，藉由氣體流動可促進板本體115之冷卻。藉由氣體均勻地流入板本體115中，可使板本體115之溫度分布均勻性成為良好。因此，板本體115之下面可有效且均勻地被冷卻，可由板本體115之下面均勻地供給冷熱，可有效且均勻地冷卻基板G。
又，上述實施形態中，上面冷卻用板111設為對腔室101可升降，對基板G可接近及遠離，下面冷卻用板112設為對腔室101固定。但下面冷卻用板112設為對基板G可接近及遠離亦可。又，例如和真空隔絕裝置21之下面加熱用板72同樣，於下面冷卻用板112之上面設支撐基板G的支撐構件，與基板G之冷卻時由支撐構件110受取基板G之構成亦可。此情況下，可使上面冷卻用板111與下面冷卻用板112，對收納於兩者間之基板G分別相對可接近及遠離。上述實施形態中，上面冷卻用板111與下面冷卻用板112分別對基板G隔開間隙以接近之狀態進行冷卻，但上面冷卻用板111或下面冷卻用板112接觸基板G之狀態進行冷卻亦可。
又，上述實施形態中，上面冷卻用板111具備多孔質材構成之板本體115，及噴出冷卻用氣體之構成，但亦可取代上面冷卻用板111改為，下面冷卻用板112具備多孔質材構成之板本體115，及噴出冷卻用氣體之構成。如此 則，冷卻用氣體可均勻地噴著於基板G背面，可有效且均勻地冷卻基板G之背面。另外，上面冷卻用板111與下面冷卻用板112雙方均具備多孔質材構成之板本體115，及噴出冷卻用氣體之構成以可。
又，於上面冷卻用板111或下面冷卻用板112之表面具備靜電吸附用電極，以靜電吸附基板G亦可。圖11為具備噴出冷卻用氣體之構成的下面冷卻用板之中，具備靜電吸附用電極之一例。於圖11，下面冷卻用板190具備：多孔質材構成之具有通氣性的板本體191，及對板本體191供給冷卻用氣體的冷卻用氣體供給路192。板本體191，和板本體115同樣，於上部板191a與下部板191b之間，形成大略均勻寬度之朝大略水平方向擴大之間隙191c。於上部板191a之下面，設有朝上之凹形狀之多數溝191d。冷卻用氣體供給路192，由連接於間隙191c的供給管193之內部空間、間隙191c、及溝191d構成。板本體191之上面形成通氣性保護膜201。板本體191之下面及外側面，被非通氣性保護構件202覆蓋。於通氣性保護膜201內部內藏薄層狀之導體構成的靜電吸附用電極203。靜電吸附用電極203具有通氣性，全體被通氣性保護膜201覆蓋、保護。通氣性保護膜201之材質使用具有絕緣性之材質，例如AL2 O3 等之陶瓷。靜電吸附用電極203連接於設於腔室61外部的直流電源205。靜電吸附用電極203可藉由溶射形成。例如於板本體191表面，依據通氣性保護膜201、靜電吸附用電極203、通氣性保護膜 201順序進行溶射，形成層狀即可。於該構成，基板G藉由下面冷卻用板190之上面產生於通氣性保護膜201表面的靜電力，被吸附於通氣性保護膜2011表面。因此，基板G可以密接下面冷卻用板190之狀態確實被保持。又，冷卻用氣體依序通過板本體191、通氣性保護膜201、靜電吸附用電極203、通氣性保護膜201，被供給至基板G之下面全體。依此則，可有效、均勻地冷卻基板G。又，於下面冷卻用板190，和圖10之上面冷卻用板111同樣，可於板本體191內設置例如冷卻水送水的冷卻水送水路，藉由冷卻水送水路冷卻通過板本體191及板本體191中之氣體。
處理系統不限定於具備多數基板處理裝置的多腔室型者，又，上述實施形態中，以在處理部3進行電漿CVD處理的處理系統1說明，但是處理部進行之處理可為其他處理。本發明適用於其他減壓環境下進行之處理，例如熱CVD處理，蝕刻處理去灰處理等於處理部進行的處理系統。又，上述實施形態中說明處理LCD用基板G之例，但是基板可為例如半導體晶圓等。
(產業上可利用性)
本發明適用例如近尋基板之CVD處理等的處理系統具備之真空隔絕裝置，適用該處理系統之處理方法。
(發明效果)
依本發明，藉由加熱用板之板本體構成為多孔質材，可使加熱用氣體通過板本體中之細孔。可由板本體表面均勻噴出加熱用氣體，可於基板表面或背面全體均勻噴著加熱用氣體。因此，基板表面或背面可藉由加熱用氣體施予有效、均勻之加熱。又，藉由發熱體加熱板本體之同時，加熱通過板本體中之氣體，將加熱後之氣體噴著於基板，依此則，可有效加熱基板。
又，依本發明，藉由冷卻用板之板本體構成為多孔質材，可使冷卻用氣體通過板本體中之細孔。可由板本體表面均勻噴出冷卻用氣體，可於基板表面或背面全體均勻噴著冷卻用氣體。因此，基板表面或背面可藉由冷卻用氣體施予有效、均勻之冷卻。又，藉由冷卻水送水路冷卻板本體之同時，冷卻通過板本體中之氣體，將冷卻後之氣體噴著於基板，依此則，可有效冷卻基板。
G‧‧‧基板
1‧‧‧處理系統
2‧‧‧搬出入部
3‧‧‧處理部
5‧‧‧真空隔絕裝置
21‧‧‧第1真空隔絕裝置
22‧‧‧第2真空隔絕裝置
30A~30E‧‧‧基板處理裝置
31‧‧‧搬送裝置
61‧‧‧真空隔絕室
63‧‧‧搬入口
64‧‧‧搬出口
71‧‧‧上面加熱用板
72‧‧‧下面加熱用板
75‧‧‧板本體
76‧‧‧加熱用氣體供給路
81‧‧‧通氣性保護膜
82‧‧‧非通氣性保護構件
102‧‧‧真空隔絕室
103‧‧‧搬入口
104‧‧‧搬出口
111‧‧‧上面冷卻用板
112‧‧‧下面冷卻用板
115‧‧‧板本體
116‧‧‧冷卻用氣體供給路
12‧‧‧通氣性保護膜
122‧‧‧非通氣性保護構件
圖1為處理系統之構成說明用之概略平面圖。
圖2為處理系統之構成說明用之概略側面圖。
圖3為真空隔絕裝置之概略縱斷面圖。
圖4為上面加熱板及下面加熱板之縱斷面圖。
圖5為上面冷卻板及下面冷卻板之縱斷面圖。
圖6為另一實施形態之上面加熱板之縱斷面圖。
圖7為另一實施形態之上面加熱板之縱斷面圖。
圖8為另一實施形態之下面加熱板之縱斷面圖。
圖9為另一實施形態之上面冷卻板之縱斷面圖。
圖10為另一實施形態之上面冷卻板之縱斷面圖。
圖11為另一實施形態之下面冷卻板之縱斷面圖。
G‧‧‧基板
61‧‧‧真空隔絕室
70‧‧‧保持構件
71‧‧‧上面加熱用板
72‧‧‧下面加熱用板
75‧‧‧板本體
75a‧‧‧上部板
75b‧‧‧下部板
75c‧‧‧間隙
75d‧‧‧溝
76‧‧‧加熱用氣體供給路
77‧‧‧供給管
81‧‧‧通氣性保護膜
82‧‧‧非通氣性保護構件
85‧‧‧孔
86‧‧‧發熱體
92‧‧‧桿
93‧‧‧支撐構件

Claims (22)

  1. 一種真空隔絕裝置，係具備：搬入口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬出口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備：加熱用板，用於加熱被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述加熱用板具備：板本體，由多孔質材構成；加熱用氣體供給路，對上述板本體供給加熱後之加熱用氣體；及非通氣性保護構件，用於覆蓋上述板本體外側面；上述加熱用板係配置於上述基板之表面側；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置；上述加熱用氣體，係通過上述板本體中，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。
  2. 一種真空隔絕裝置，係具備：搬入口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬出口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備：加熱用板，用於加熱被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述加熱用板具備：板本體，由多孔質材構成；發熱體，設於上述板本體內；氣體供給路，對上述板本體供給氣體；及非通氣性保護構件，用於覆蓋上述板本體外側 面；上述加熱用板係配置於上述基板之表面側；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置；上述氣體，係在通過經由上述發熱體被加熱的上述板本體中之時被加熱，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之真空隔絕裝置，其中，上述多孔質材為多孔質碳。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之真空隔絕裝置，其中，於上述板本體表面，設置具有通氣性之保護膜。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之真空隔絕裝置，其中，上述加熱用板，可對基板相對地近接及遠離。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之真空隔絕裝置，其中，於基板背面側，係具備對搬入真空隔絕裝置內的基板進行加熱的第2加熱用板。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之真空隔絕裝置，其中，上述板本體係被分割為上下，於上部板與下部板之間形成間隙，於上述下部板的上面設置複數個溝。
  8. 一種真空隔絕裝置，係具備：搬出口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬入口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備：冷卻用板，用於冷卻被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述冷卻用板具備：板本體，由多孔質材構成；冷卻用氣體供給路，對上述板本體供給冷卻後之冷卻用氣體；及非通氣性保護構件，用於覆蓋上述板本體外側面；上述冷卻用板係配置於上述基板之表面側；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置；上述冷卻用氣體，係通過上述板本體中，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。
  9. 一種真空隔絕裝置，係具備：搬出口，設於對外部進行基板之搬出入的搬出入部側；及搬入口，設於對基板進行處理之處理部側；其特徵為：具備：冷卻用板，用於冷卻被搬入真空隔絕裝置內之基板；上述冷卻用板具備：板本體，由多孔質材構成；冷卻水送水路，設於上述板本體內；氣體供給路，對上述板本體供給氣體；及非通氣性保護構件，用於覆蓋上述板本體外側面；上述冷卻用板係配置於上述基板之表面側；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下 面更下方的方式被設置；上述氣體，係在通過經由上述冷卻水送水路被冷卻的板本體中之時，由上述板本體表面噴出，被供給至基板。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之真空隔絕裝置，其中，上述多孔質材為多孔質碳。
  11. 如申請專利範圍第8或9項之真空隔絕裝置，其中，於上述板本體表面，設置具有通氣性之保護膜。
  12. 如申請專利範圍第8或9項之真空隔絕裝置，其中，上述冷卻用板，可對基板相對地近接及遠離。
  13. 如申請專利範圍第8或9項之真空隔絕裝置，其中，於基板背面側，係具備對搬入真空隔絕裝置內的基板進行冷卻的第2冷卻用板。
  14. 如申請專利範圍第8或9項之真空隔絕裝置，其中，上述板本體係被分割為上下，於上部板與下部板之間形成間隙，於上述下部板的上面設置複數個溝。
  15. 一種真空隔絕裝置，其特徵為具備申請專利範圍第1至7項中任一項之真空隔絕裝置，與申請專利範圍第8至14項中任一項之真空隔絕裝置者。
  16. 一種真空隔絕裝置，其特徵為具備將申請專利範 圍第1至7項中任一項之真空隔絕裝置，與申請專利範圍第8至14項中任一項之真空隔絕裝置以上下堆疊而成者。
  17. 一種處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬入口，經由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的加熱用板接近基板表面或背面，使加熱後之加熱用氣體通過上述板本體，由上述板本體供給至基板，對基板進行加熱，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部；上述加熱用板，係配置於上述基板之表面側，具備用於覆蓋上述板本體外側面的非通氣性保護構件；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置。
  18. 一種處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬入 口，經由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的加熱用板接近基板表面或背面，使設於上述板本體內部之發熱體發熱之同時，使氣體通過上述板本體，藉由上述發熱體加熱後之板本體加熱上述氣體，使上述加熱後之氣體由上述板本體供給至基板，對基板進行加熱，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬入處理部；上述加熱用板，係配置於上述基板之表面側，具備用於覆蓋上述板本體外側面的非通氣性保護構件；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之處理方法，其中，上述處理部較上述搬出入部被減壓，在將基板搬入上述真空隔絕裝置之後，關閉上述搬入口，設定上述真空隔絕裝置為密閉狀態，減壓上述真空隔絕裝置內至特定壓力之後，打開上述搬出口，由上述真空隔絕裝置將基板搬出至處理部。
  20. 一種處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬入 口，經由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的冷卻用板接近基板表面或背面，使冷卻後之冷卻用氣體通過上述板本體，由上述板本體供給至基板，對基板進行冷卻，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述搬出口將基板搬出上述搬出入部；上述冷卻用板，係配置於上述基板之表面側，具備用於覆蓋上述板本體外側面的非通氣性保護構件；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置。
  21. 一種處理方法，係由搬出入部介由真空隔絕裝置將基板搬入處理部，於上述處理部處理基板者；其特徵為：在關閉設於上述真空隔絕裝置之搬出入部側的搬出口之狀態下，打開設於上述真空隔絕裝置之處理部側的搬入口，經由上述搬入口將基板搬入真空隔絕裝置內，關閉上述搬入口，使具備多孔質材構成之板本體的冷卻用板接近基板表面或背面，使冷卻水通過設於上述板本體內部之冷卻水送水路之同時，使氣體通過上述板本體，藉由上述冷卻水送水路冷卻後之板本體冷卻上述氣體，使上述冷卻後之氣體由上述板本體供給至基板，對基板進行冷卻，在關閉上述搬入口狀態下打開上述搬出口，經由上述 搬出口將基板搬出上述搬出入部；上述冷卻用板，係配置於上述基板之表面側，具備用於覆蓋上述板本體外側面的非通氣性保護構件；上述非通氣性保護構件，係以延伸至較上述板本體下面更下方的方式被設置。
  22. 如申請專利範圍第20或21項之處理方法，其中，上述處理部較上述搬出入部被減壓，在將基板搬入上述真空隔絕裝置之後，關閉上述搬入口，設定上述真空隔絕裝置為密閉狀態，加壓上述真空隔絕裝置內至特定壓力之後，打開上述搬出口，由上述真空隔絕裝置將基板搬出至搬出入部。
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