CN100593228C - 真空处理装置以及真空处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法，在加热由容器主体和盖体构成的角筒形处理容器时，缩小处理容器升温时容器主体和盖体间形成的缝隙。角筒形处理容器(40)由容器主体(41)、装卸自如地设在容器主体上的盖体(42)构成。在盖体顶部设有为了抑制处理容器升温时盖体及容器主体的接合部的翘曲，以盖体中央部的温度变成比处理容器侧壁角部的温度高，或者盖体中央部的温度变成比侧壁角部低的方式进行加热的第一调温单元(5A)，并在容器主体的侧壁部(41b)设有第二调温单元(5B)。通过一边控制接合部中盖体的翘曲一边加热处理容器，缩小盖体和容器主体之间的缝隙。

Description

真空处理装置以及真空处理方法
技术领域
本发明涉及一种在角筒形处理容器内，在例如FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)基板等四边形基板上进行规定真空处理的真空处理装置以及真空处理方法。
背景技术
例如在FPD基板的制造工序过程中，有在减压氛围下对FPD基板实施蚀刻处理或成膜处理等规定的真空处理的工序，例如这些处理是在具备角筒形处理容器的真空处理装置中进行的。当以进行所述蚀刻处理的装置为例，根据图19对该真空处理装置的一例进行简单的说明时，图19中标号1表示的是四边形处理腔室，该处理腔室1由容器主体11以及能够开合该容器主体的盖体12构成。
在所述处理腔室1的内部设置有用来载放FPD基板S的载放台10，同时，按照与该载放台10相对的方式设置有作为等离子体发生用的上部电极的处理气体供给部13。从处理气体供给部13向处理腔室1内供给处理气体，通过排气通道14对处理腔室1内进行抽真空，另一方面，从高频电源15向处理气体供给部13施加高频电力，于是，在基板S的上方空间形成处理气体的等离子体，以此对基板S进行蚀刻处理。
为了能够进行内部的维修，所述盖体12以相对于容器主体11能够装卸自如的方式而设置，在容器主体11与盖体12的接合面上，如图19所示，设置有可用来将处理腔室1内部抽成真空而形成气密空间的密封部件16，同时，设置有用来使容器主体11与盖体12相互导通的缠绕屏蔽17。
另外，在容器主体11和盖体12的侧壁部11A、12A，如图19、图20所示，以从周向围绕处理腔室1的内部空间的方式分别形成用来使调温流体流通的调温流路18a、18b。通过使被调温至规定温度的调温流体从调温流体供给部19在该调温流路18a、18b中流通，于是，处理腔室1的内部就被调整至规定的温度，例如60℃～120℃。
但是，由于FPD基板S是大型基板，所以，处理腔室1也变成在平面形状中的一边的尺寸分别是2.5m、2.2m的大型角筒形腔室，如果加热该处理腔室1，则如图21所示，在处理腔室1的4个角部，在容器主体11与盖12的接合面上形成缝隙100。对于其原因有如下看法。即，因所述调温流路18在容器主体11和盖体12的侧壁部11A、12A的内部形成，所以在加热时处理腔室1从周边一侧(侧壁部一侧)开始被加热。
因此，在容器主体11以及盖体12中，由于与其中央部相比容器主体11和盖体12的侧壁部先升温，所以，所述容器主体11以及盖体12的接合部的温度比所述中央部高。此处，因温度越高热膨胀导致的拉伸程度越大，所以，与容器主体11的底面以及盖体12的顶部相比，所述接合部因热膨胀导致的拉伸程度更大。因此，如图22所示，产生从所述接合部的角部(以下称“接合角部”)向盖体12(或者容器主体11)的力，所述接合角部分别在盖体12中朝上，在容器主体11中朝下进行移动，所以可推测出在所述接合角部发生盖体12以及容器主体11的翘曲。
此处，当处理腔室1加热时，在容器主体11和盖体12之间形成的缝隙100会在处理腔室1升温时随着腔室温度的升高而变大，随着处理腔室1的温度在整个腔室中变得均匀而逐渐聚拢。但是，即使在处理腔室1的周边部之后中央部的温度到达平衡状态的时刻，仍然存在所述缝隙100，其大小与设定温度成正比。
如果容器主体11和盖体12之间的缝隙100很小，则通过对处理腔室1内进行抽真空，容器主体11和盖体12相互紧贴，于是就能保持规定的真空度，但是，如果所述缝隙100例如是1mm左右以上，那么，即使对处理腔室1内进行抽真空，容器主体11和盖体12也不会相互紧贴，从而无法达到规定的真空度。
可是，当进行所述蚀刻处理时，在处理开始时或因维修等打开处理腔室1使之暂时置于大气中之后再度进行处理的情况下，考虑总处理能力，一般情况下是同时进行处理腔室1的抽真空与处理腔室1的加热。在这种情况下，抽真空先于处理腔室1的加热而完成，但如已述那样，由于在处理腔室1升温时，在容器主体11和盖体12之间形成缝隙100并逐渐变大，因此，设定温度高时，在加热处理腔室1期间，则无法保持抽完真空的处理腔室1的真空度，如果所述缝隙100例如超过1mm，那么，就有可能发生真空破坏(泄漏)。
此外，通过处理，将处理腔室1保持在真空状态不变，有时更改处理腔室1的温度，有时例如在设定温度为60℃的条件下进行蚀刻处理之后，使设定温度上升至90℃或120℃，但在这种情况下，在加热处理腔室1期间，容器主体11和盖体12之间的缝隙100逐渐变大，无法维持处理腔室1的真空度，也有可能发生真空破坏。
在这些情况下，由于处理工序是在处理腔室1的温度与真空度稳定在规定值之后开始进行，所以，从等待在升温时所形成的处理腔室1的缝隙100聚拢至例如1mm以下的大小开始还进行抽真空。因此，无法进行蚀刻处理的时间变长，所以，装置运转率下降，运转成本也最终增大。
另外，如果容器主体11和盖体12之间的缝隙100变为例如0.75mm以上的大小，那么，在容器主体11和盖体12之间缠绕屏蔽17的接触变差并导致电接触变得不充分。结果，处理腔室1内的等离子体的分布变得不均匀，在容器主体11和盖体12的缝隙100附近发生引起放电这样的状况，无法进行稳定的等离子体处理，产品的成品率恶化。
为了避免发生这种情况，在进行等离子体处理等情况下，优选从等待在升温时所形成的处理腔室1的缝隙100聚拢至例如0.75mm以下的大小开始就进行处理，但是在这种情况下，在所述缝隙100聚拢之前的期间无法进行蚀刻处理，装置运转率下降。
发明内容
本发明就是基于上述这种情况而完成的，本发明的目的在于提供一种在使容器主体和盖体相互接合而形成的角筒形的处理容器中，在加热该处理容器的情况下，当处理容器升温时，能够缩小在所述容器主体和盖体之间所形成的缝隙的技术。
因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：角筒形处理容器，在其内部对基板进行真空处理，该角筒形处理容器具备在内部保持有基板并且一端开口的容器主体、和以封闭该容器主体的开口部的方式装卸自如地设置的盖体；调温单元，其被设置在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部，用于加热该处理容器；和真空排气单元，用于对所述处理容器的内部进行真空排气，其中，所述调温单元为了在所述处理容器升温时抑制所述盖体以及容器主体的接合部的翘曲，而被设置成使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低。
此处，当将所述处理容器加热至设定温度时，在处理容器升温时，在设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低的情况下，设置有所述调温单元的面部的外面的中央部的温度与所述侧壁角部中盖体和容器主体的接合部的外面的温度之差的平均值为不到所述设定温度的9％。
能够使用的所述调温单元包括：在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部的内部，以迂回所述处理容器的侧壁角部的方式而形成的调温流路；以及使被调整至设定温度的调温流体在该调温流路中流通的单元。此外，所述调温单元可以包括在所述处理容器的设置有调温单元的面部以外的侧壁部，以围绕该侧壁部的方式而形成的调温流路。此处，在所述盖体以及/或容器主体中所形成的所有调温流路可以是一个连续的流路，在所述盖体以及/或容器主体中形成的调温流路可以具有分支的多个通道。
另外，所述调温单元也可以包括在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部所设置的加热器。此处，所述盖体以及/或容器主体的与所述开口部相对的面部的一方是盖体的顶部，另一方是容器主体的底部。另外，也可以在所述处理容器的内部具有用来载放四边形基板的载放台；以及用来对所述基板进行等离子体处理的、在所述处理容器的内部产生等离子体的单元。
此外，本发明的真空处理方法，其特征在于：其是在包括一端开口的容器主体、以及为了封闭该容器主体的开口部而以装卸自如的方式设置的盖体的各个筒形处理容器的内部，对基板进行真空处理的真空处理方法，该方法包括：在所述容器主体的内部保持基板的工序；对在内部保持有基板的处理容器进行真空排气的工序；为了在所述处理容器升温时抑制所述盖体以及/或容器主体的接合部中的翘曲，利用在所述盖体以及/或容器主体的与所述开口部相对的面部所设置的调温单元，使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低，为此加热所述处理容器的工序；以及在被真空排气并被加热的处理容器的内部，对基板进行真空处理的工序。
根据本发明，由后述的实施例可知，在使容器主体与盖体相互粘合而形成的角筒形的处理容器中，在加热该处理容器的情况下，当处理容器升温时，能够缩小在所述容器主体与盖体之间形成的缝隙。
附图说明
图1是表示具备本发明的真空处理装置的真空处理系统的简要立体图。
图2是所述真空处理系统的水平截面图。
图3是表示在所述真空处理系统中所设置的本发明的一实施方式有关的蚀刻处理装置的截面图。
图4是表示与所述蚀刻处理装置的容器主体的盖体的接合面的平面图。
图5是在所述蚀刻处理装置中，表示在容器主体上拆装盖体情况的立体图。
图6是在所述蚀刻处理装置中，用来说明盖体的中央部与接合角部的立体图。
图7是表示在所述蚀刻处理装置的处理容器中形成缝隙情况的立体图。
图8是在所述蚀刻处理装置的处理容器中所设置的调温单元的一个实施方式的立体图和平面图。
图9是所述调温单元的其它实施方式的立体图。
图10是所述调温单元的另外的其它实施方式的立体图。
图11是所述调温单元的另外的其它实施方式的立体图和截面图。
图12是所述蚀刻处理装置的处理容器的其它实施方式的立体图。
图13是为了确认本发明的效果而进行的实施例1与比较例1的温度测定数据的特性图。
图14是为了确认本发明的效果而进行的实施例1与比较例1的缝隙大小的测定数据的特性图。
图15是为了确认本发明的效果而进行的实施例1与实施例2的温度测定数据的特性图。
图16是为了确认本发明的效果而进行的实施例1与实施例2的缝隙大小的测定数据的特性图。
图17是为了确认本发明的效果而进行的实施例3的温度测定数据的特性图。
图18是为了确认本发明的效果而进行的实施例2与实施例3的缝隙大小的测定数据的特性图。
图19是现有的蚀刻处理装置的截面图。
图20是表示在现有的蚀刻处理装置的处理腔室中所设置的调温单元的立体图。
图21是表示在原来的蚀刻处理装置的处理腔室中所形成的缝隙的立体图。
图22是在现有的蚀刻处理装置的处理腔室中形成缝隙情况的立体图。
标号说明
4    蚀刻处理装置
40   处理容器
41   容器主体
42   盖体
44   载放台
46   真空排气单元
47   屏蔽部件
48   缠绕屏蔽(shield spiral)
5、71、73    调温单元
51、72、74    第一调温流路
52   第二调温流路
53   调温流体供给部
6    处理气体供给部
81、82   加热单元
82、83   板
P1   盖体的中央部
P2～P5   盖体的接合角部
L3～L6   处理容器的侧壁角部
S        FPD基板
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式，以在用于对FPD基板进行蚀刻处理的真空处理系统中使用本发明的真空处理装置的情况为例进行说明。图1是所述真空处理系统的简要立体图，图2是表示其内部的水平截面图。图中2A、2B表示的是用于从外部载放容纳有多个FPD基板S的载体C1、C2的载体载放部，这些载体C1、C2例如以通过升降机构21自如升降的方式构成，在其中一个载体C1中容纳未处理基板S1，在另一个载体C2中容纳处理完毕的基板S2。
此外，在载体载放部2A、2B的里侧连接有负载锁定室22与搬送室23，同时，在载体载放部2A、2B之间，用来在所述两个载体C1、C2与负载锁定室22之间进行基板S的交接的基板搬送单元31被设置在支承台24上，该基板搬送单元31具备以上下2段而设的臂部32、33以及按照自如进退及自如旋转的方式支承它们的基台34。所述负载锁定室22以被保持为规定的减压氛围的方式构成，在其内部如图2所示，附设有用于支承基板S的缓冲架26。图中25是定位器。另外，在所述搬送室23的周围附设有三个蚀刻处理装置4。
所述搬送室23以被保持为规定的减压氛围的方式构成，在其内部如图2所示附设有搬送机构35。使用该搬送机构35在所述负载锁定室22及三个蚀刻处理装置4之间搬送基板S。所述搬送机构35包括：以自如升降以及自如旋转的方式所设的基台36、被设置在该基台36的一端并且以自如旋转的方式设置在该基台36上的第一臂部37、以自如旋转的方式设置在第一臂部37的顶端部的第二臂部38、以及以自如旋转的方式设置在第二臂部38上并且支承基板S的叉状的基板支承板39，通过使用被内置在基台36中的驱动机构而使第一臂部37、第二臂部38以及基板支承板39驱动，这样就能搬送基板S。
此外，在所述负载锁定室22与搬送室23之间、搬送室23与各蚀刻处理装置4之间以及连通负载锁定室22与外侧的大气氛围的开口部分别插入以气密式密封它们并且能够开合的方式所构成的闸阀27。
下面，参照附图对蚀刻处理装置4进行说明。该蚀刻处理装置4相当于本发明的真空处理装置，图3是蚀刻处理装置4的纵截面图。蚀刻处理装置4具备用于在其内部对FPD基板S实施蚀刻处理的角筒形的处理容器40。该处理容器40包括：平面形状为四边形状且顶部开口的容器主体41、以及为了开合该容器主体41的顶部开口部而设的盖体42，该盖体42利用装卸机构43以能够在容器主体41上自如装卸的方式构成。所述装卸机构43如图5所示具有导轨43a，例如在维修时等使盖体42沿着该导轨43a从容器主体41滑动至取下的位置并从容器主体41中将其取下，通过相反的操作，将盖体42安装在容器主体41上。再者，在图3、图5中，装卸机构43简略表示。
所述FPD基板S是例如一边为1500mm、另一边为1850mm左右大小的四边形(本实施例中为矩形)基板，所述处理容器40被设定成水平截面的一边为2.5m，另一边为2.2m左右的大小。所述容器主体41与盖体42例如使用铝(Al)等热传导性良好的材质构成。
这种处理容器40以被调温单元5加热的方式构成。该调温单元5具有被设置在例如所述盖体42以及/或者容器主体41中的与所述开口部相对的表面部，例如所述盖体42的顶部，以用来将处理容器40加热至设定温度的第一调温单元5A，同时，具有被设置在所述容器主体41的侧壁部41a上，用来将处理容器40加热至设定温度的第二调温单元5B。所述第一调温单元5A是基于以下目的而设置的，为了在所述处理容器40升温时抑制所述盖体42以及容器主体41的接合部中的翘曲，使所述盖体42的中央部的温度比处理容器40的侧壁角部的温度高或者所述盖体42的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低。
所谓所述盖体42的中央部如图6所示是指盖体42的顶部中的两条对角线L1、L2的交点P1，所谓该中央部P1的温度是指盖体42的外面的中央部的温度。此外，所谓所述接合角部是指所述盖体42以及容器主体41的接合部的4个角部P2、P3、P4、P5中的至少一个，所谓接合角部的温度是指该接合角部的外面的温度。另外，所谓侧壁角部是指与设有调温单元5的面正交的处理容器40的4角的棱线L3～L6，并且包括所述接合角部P2～P5，所谓侧壁角部的温度是指该侧壁角部的外面的温度。
此处，如果在所述盖体42的顶部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度高的条件下加热处理容器40，则由于温度越高热膨胀导致的拉伸程度越大，因此，与所述侧壁角部相比，盖体42的顶部的热膨胀导致的拉伸程度更大。因此，如图7所示，可以推测出，因发生从盖体42向接合角部的下方的力，所述盖体42向接合角部移动，所以，在所述接合角部中发生的盖体42的翘曲得以抑制，于是，在所述接合角部中形成缝隙得到抑制。
此外，即使在所述盖体42的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低的情况下，所述接合角部中盖体42的翘曲也可被抑制，所述接合角部的缝隙的形成也可被抑制。此处，本发明人发现，所谓所述盖体42的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低，是指例如处理容器40升温时所述盖体42的顶部外面的中央部的温度、与所述侧壁角部中盖体42与容器主体41的接合部的外面的温度之差的平均值是不到所述设定温度的9％的条件。该条件例如在设定温度为90℃的情况下，在处理容器40升温时，在每个规定时间都测定盖体42的顶部外面的中央部的温度D1与接合角部外面的温度D2，并求出它们的温差(D2-D1)的平均值时，该差异的平均值是未满8.1℃，设定温度为60℃时，所述差异(D2-D1)的平均值是未满5.4℃。
于是，在处理容器40升温时，只要所述中央部的外面的温度与所述接合角部的外面的温度之差的平均值是未满设定温度的9％，则所述中央部的温度与所述接合角部的温度的温差小，因此，在所述盖体42以及与容器主体41的接合角部，盖体42的翘曲程度变小，与现有技术相比能够缩小在所述盖体42以及容器主体41的接合角部所形成的缝隙。另外，该条件是根据实验通过反复试验错误而得出来的。
此外，对于使用调温单元5加热处理容器40的加热方法，之所以着眼于所述盖体42的顶部的中央部的温度与所述接合角部的温度的温差，这是因为，即使在盖体42的顶部外面的中央部P1与例如盖体42的顶部的角部P6(参照图6)的外面之间的温差小的状态下进行加热，该角部P6的外面与接合角部P4的外面之间的温差较大，例如接合角部P4的外面的温度比角部P6的外面的温度高时，与所述角部P6相比在所述接合角部P4中因热膨胀导致的拉伸力更大，结果在接合角部P4中作用向上方移动的力，盖体42容易翘曲，最终导致所述接合角部P4的缝隙变大。
接着对本发明的调温单元5进行具体的说明。在图3及图8中表示本发明的第一实施方式的调温单元5。在本例中，所述第一调温单元5A具有：设在盖体42的顶部内部的调温单元以及设在盖体42的侧壁部内部的调温单元。另外，第一以及第二调温单元5A、5B具有规定的调温流体流经的调温流路，第一调温单元5A具有用来加热盖体42的第一调温流路51，同时第二调温单元5B具有用来加热容器主体42的第二调温流路52。
而且，所述第一调温流路51由在盖体42的顶部内部所形成的调温流路51a与在盖体42的侧壁部42a的内部所形成的调温流路51b构成，两者作为一个连续的通道而相互连接。此处，所述调温流路51a是在所述处理容器40升温时，为了与处理容器40的侧壁角部相比积极地加热所述盖体42的中央部由此来抑制所述接合角部中盖体42的翘曲而设置的，其形状如图8所示，它按照在存在与盖体42的4个角部相比积极地加热盖体42的中央部这样的温度梯度的状态下加热的方式而形成。
具体来讲，所述调温流路51a为了迂回处理容器40的各个侧壁角部，而迂回盖体42的4个角部并在各个角部中进入内侧，并且在盖体42的一边的中央区域位于侧壁部附近区域，例如通过调温流路51a而形成十字形状的外框，十字形状的4个凹部部分以分别与盖体42的4个角部对应的形状构成。此外，所述调温流路51b在盖体42的侧壁部42a的内部以沿着水平方向围绕该侧壁部42a的方式形成。
而且，所述第二调温流路52在本例中在容器主体41的侧壁部41a的内部，以沿着水平方向围绕该侧壁部41a的方式形成上下2条，这2条调温流路形成一个连续的通道。从调温流体供给部53向该第一以及第二调温流路51、52供给被调整为处理容器40的设定温度的调温流体，流经第一以及第二调温流路51的调温流体再次被返回调温流体供给部53，因该调温流体的流过，于是处理容器40就被调温为设定温度。
接着，返回图3以及图4对处理容器40的内部进行说明，在容器主体41的内部，在容器主体41的底面上借助绝缘部件43设置用来载放基板S的载放台44，该载放台44被接地。另外，在容器主体41的侧壁下部通过排气通道45连接有例如由真空泵构成的真空排气单元46，这样，处理容器40的内部空间被真空排气，从而被保持在规定的减压氛围。
另一方面，在处理容器40的所述载放台44的上方，按照与该载放台44的表面相对的方式，设有作为用来在处理容器40内产生等离子体的单元的上部电极的处理气体供给部6。该处理气体供给部6通过配置在其周围的绝缘部件61而被向盖体42的内部突出的支承部62所支承。该处理气体供给部6的下面形成有多个气体吐出孔6a，同时，该处理气体供给部6通过气体供给管63与向该处理气体供给部6供给用于蚀刻处理的处理气体的处理气体供给系统64连接，这样，所述处理气体通过处理气体供给部6的气体吐出孔6a向载放台44上的基板S吐出。
另外，在处理气体供给部6的顶部的中央通过送电棒65、匹配器66与作为高频发生单元的高频电源67连接。因此，在利用真空泵46将处理容器40的内部空间抽真空直至规定的减压状态之后，从高频电源67并通过匹配器66以及送电棒65向处理气体供给部6施加高频电力，于是，在基板S的上方空间形成处理气体的等离子体，这样，就可以对基板S进行蚀刻处理。
而且，在容器主体41与盖体42的接合面上，如图4所表示，例如在容器主体41一侧设有用来将处理容器40内抽真空为气密空间的由例如O形环构成的密封屏蔽部件47、以及形成用来电导通容器主体41与盖体42之间的由弹性体构成的导通部件的缠绕屏蔽(shield spiral)48。
下面，对采用上述方式构成的真空处理系统的处理操作进行说明。首先，驱动基板搬送单元31的2个臂部32、33使其进退，然后从容纳有未处理基板S1的一个载体C1中将2个基板S1一次性搬入负载锁定室22中。在负载锁定室22内使用缓冲架25保持基板S1，在臂部32、33退避之后，对负载锁定室22内进行排气并将内部减压至规定的真空度。抽真空结束后，利用定位器25进行基板S1的定位。
基板S1被定位之后，打开负载锁定室22与搬送室23之间的闸阀27，使用搬送机构35在基板支承板39上接收2个基板S1中的1个，然后关闭所述闸阀27。接着，打开搬送室23与规定的蚀刻处理装置4之间的闸阀27，使用搬送机构35将所述基板S1搬入该蚀刻处理装置4中，然后关闭所述闸阀27。
在蚀刻处理装置4中，使用调温单元5预先将处理容器40的内部加热至设定温度例如80℃。在基板S1被载放在载放台44上的状态下，从处理气体供给系统64并通过处理气体供给部6向基板S1吐出蚀刻处理用的处理气体，同时，在将处理容器40的内部空间调压至规定的压力之后，从高频电源67通过匹配器66以及送电棒65向处理气体供给部6供给高频电力，于是就在基板S1的上方空间形成等离子体，从而使对基板S1的蚀刻处理得以进行。
该蚀刻处理结束之后，用搬送机构35的基板支承板39接收处理完毕的基板，并向负载锁定室22搬送。在2个处理完毕的基板S2被搬送到负载锁定室22的时刻，处理完毕的基板S2被搬送单元31的臂部32、33向处理完毕基板用的载体C2中搬送。于是一个基板S的处理结束，其中，对被搭载在未处理基板用的载体C1中的全部未处理基板S1进行该处理。
在上述这种蚀刻处理装置4中，处理容器40的盖体42和容器主体41分别被第一调温单元5A及第二调温单元5B所加热，此时，盖体42以及容器主体41从设有调温流路的区域被加热。因此，在容器主体41中从侧壁部41a一侧开始升温，在盖体42中，通过在顶部的中央部以迂回各个角部的形状而设置的调温流路51a与设在侧壁部42a内的调温流路51b的组合，从顶部的中央部与侧壁部开始升温。此时，因第一以及第二调温单元5A、5B采用已述的方式构成，因此在处理容器40中按照以下方式被加热，由后述的实施例可知，所述处理容器40升温时所述盖体42的顶部外面的中央部的温度与所述盖体42以及容器主体41的接合角部的外面的温度的温差的平均值变为不足所述设定温度的9％。
因此，如由后述的实施例可知，在容器主体41与盖体42的接合角部所形成的缝隙在设定温度为60℃时即使较大也仅变为0.42mm左右，在设定温度为90℃时即使较大也仅变为0.62mm左右，与使用现有的调温单元的方式相比则能够缩小所述缝隙。此处，如已述那样，如果所述缝隙变为例如0.75mm以上，则在容器主体41与盖体42之间缠绕屏蔽48的接触变差并导致电接触恶化，而如果所述缝隙变为例如1.0mm以上，则有可能发生真空破坏，但是，通过使用本发明的调温单元5来加热处理容器40，这样，即便是在使用大型的角筒形的处理容器40进行设定温度高为90℃的处理的情况下，在处理容器40的加热(升温)时，在处理容器40的盖体42与容器主体41的接合角部所形成缝隙也会变小而不到0.75mm。
这样，在处理容器40中，在同时进行处理容器40的加热与抽真空时，在已抽完真空的处理容器40中，在加热处理容器40时不会发生真空破坏，装置运转率的下降得以抑制。另外，由于容器主体41与盖体42之间的电接触不会恶化，也不会发生等离子体密度的均匀性恶化或放电，所以，不仅能够进行稳定的等离子体处理，还能够提高产品的成品率。
接着，使用图9对调温单元71的其它例子进行说明。本例中的调温单元71与图8所示的上述调温单元5的不同点在于，设在盖体42中的第一调温单元仅仅具备设在盖体42的顶部内部的调温流路72，在盖体42的侧壁部42a未形成调温流路，对于第一调温流路72的形状和设在容器主体41中的第二调温流路52的形状，采用与图8所示的调温单元5同样的方式构成。
在这种构造中，因未在盖体42的侧壁部42a形成调温流路，所以在盖体42中，在顶部的中央部，通过以迂回各个角部的形状而设的调温流路72从顶部的中央部开始升温，在容器主体41中从侧壁部41a一侧开始升温。其结果，通过第一调温流路72与第二调温流路52的组合，对于处理容器40而言，由后述的实施例可知，在盖体42的顶部外面的中央部比所述侧壁部外面温度高的状态下被加热。
因此，由后述的实施例可知，在容器主体41与盖体42的接合角部形成的缝隙在设定温度为90℃的情况下即使较大也仅变为0.41mm左右，在设定温度为120℃的情况下即使较大也仅变为0.69mm左右，与使用现有的调温单元、图8所示实施例的方式相比，能够缩小所述缝隙。这样，即便是在使用大型的角筒形处理容器40进行设定温度高为90℃、120℃的处理的情况下，在处理容器40的加热(升温)时，也不会发生处理容器40的真空破坏，装置运转率的下降得以抑制。另外，由于容器主体41与盖体42的电气接触不会恶化，从而能够进行稳定的等离子体处理，因此，产品的成品率将得到提高。
下面，使用图10对调温单元73的另外的其它例子进行说明。本例中的调温单元73与图8所示的上述调温单元5的不同点在于，设在盖体42中的第一调温单元仅仅具备设在盖体42的顶部内部的调温流路74，在盖体42的侧壁部42a未形成调温流路，第一调温流路74与设在容器主体41中的第二调温流路52相互连接，这样就形成一个连续的通道，被供给第一调温流路74的调温流体从第一调温流路74向第二调温流路52流通，并从第二调温流路52返回调温流路供给部53。对于此时的第一调温流路74的形状和设在容器主体41中的第二调温流路52的形状，采用与图8所示的调温单元5同样的方式构成。
在上述这种构造中，在盖体42中，通过在顶部的中央部以迂回各个角部的形状而设的调温流路72，从顶部的中央部开始升温，在容器主体41中从侧壁部41a侧开始升温。另外，由于在本例中由第一调温流路74与第二调温流路52形成一个连续的流路，并且调温流体流通在其中，所以，当流通第一调温流路74时，调温流体的热被缓慢夺走，当流通第二调温流路52时，与流通第一调温流路74时相比，调温流体的温度变低。这样，容器主体41的升温速度比图9所示的例子变慢。结果，通过与来自盖体42中的顶部的中央部的加热的组合，处理容器40在盖体42的顶部外面的中央部比所述侧壁角部的外面温度更高的状态下被加热。
因此，由后述的实施例可知，在容器主体41与盖体42的接合角部形成的缝隙即使在设定温度为120℃的情况下较大也仅变为0.41mm左右，与使用图9所示的调温单元的方式相比则能够缩小所述缝隙。这样，即便是在使用大型的角筒形的处理容器40进行设定温度高为90℃、120℃的处理的情况下，在处理容器40的加热(升温)时，也不会发生处理容器40的真空破坏，装置运转率的下降得以抑制。另外，由于容器主体41与盖体42的电接触不会恶化，从而能够进行稳定的等离子体处理，因此，产品的成品率将得到提高。
接着使用图11对调温单元8的另外的其它例子进行说明。本例中的调温单元8与图8所示的上述调温单元5的不同点在于，在盖体42的顶部外面的中央部，作为调温单元设置有用来在所述处理容器升温时缩小所述盖体的中央部与所述盖体42以及容器主体41的接合角部的温差，并且抑制所述接合角部中盖体42的翘曲的加热器81，同时，在容器主体41的底面外面的中央部设置有用来抑制所述接合角部中容器主体41的翘曲的加热器82，这些加热器81、82例如使用电阻发热线而形成。另外，在盖体42中所设的第一调温流路51b与在容器主体41中所设的第二调温流路52在本例中，采用现有的方式，在各自的侧壁部42a、41a的内部以沿水平方向围绕这些侧壁部42a、41a回转的方式而形成。
在本例中，所述加热器81、82被设在处理容器40的中央部外面的上下，在处理容器40的顶部以及底面部的中央部被该加热器81、82所加热。另一方面，在处理容器40的周边部，通过设在容器主体41与盖体42的各个侧壁部41a、42a的调温流路51、52被调温流体加热。
因此，由于在处理容器40中可以使用加热器81、82积极地加热顶部与底面部的中央部，因此，易于在相对于被调温流体加热的侧壁角部附近区域有温度梯度的状态下加热。这样，在处理容器40升温时，即使盖体42的顶部的中央部或容器主体41的底面部的中央部比所述侧壁角部的温度高，或者盖体42或容器主体41的中央部比所述侧壁角部的温度低，仍然能够更加容易地在所述盖体42的顶部外面或容器主体41的底面外面的中央部的温度与所述接合角部的外面的温度之差的平均值变成不到所述设定温度的9％的条件下对所述处理容器进行加热。
其结果，所述接合角部中盖体42的翘曲得到抑制，在容器主体41与盖体42之间形成的缝隙变小。因此，即使是在使用大型的角筒形的处理容器40来进行设定温度较高的处理的情况下，在处理容器40加热(升温)时，也不会发生处理容器40的真空破坏，装置运转率的下降得以抑制。另外，因容器主体41与盖体42的电接触不会恶化，从而能够进行稳定的等离子体处理，因此，产品的成品率将得到提高。
另外，在本发明中，如图12所示，也可以在容器主体41与盖体42的各个侧壁部41a、42a的外侧安装用来防止处理容器40的侧面发生变形的例如由铝或不锈钢等材料构成的板。在本例中，在容器主体41与盖体42的侧壁部41a、42a的相对的部位分别设有一对板(83、83)、(84、84)。该板83、84可以与图8～图11所示的调温单元组合使用，也可以设在容器主体41与盖体42的任意一个之中。
于是，如果设置板83、84，那么，当处理容器40升温时，即使盖体42的中央部与接合角部之间产生温差，处理容器40因热膨胀将发生变形，通过板83、84热膨胀导致的拉伸力得以抑制。这样不仅能够防止处理容器40侧面的变形，而且由于容器主体41与盖体42之间的接合角部中容器主体41与盖体42的翘曲得到抑制，所以，能够防止在容器主体41与盖体42之间发生缝隙。
实际上，本发明人对于处理容器40升温时的所述缝隙的大小，在图1所示的真空处理系统的蚀刻处理装置中进行了测定，并确认在处理容器40的4个接合角部之内，被搬送室23和闸阀27而连接的一侧的接合角部(图6中P2、P3)的缝隙比远离闸阀27一侧的接合角部(图6中P4、P5)的缝隙小。在这种情况下，由于可推测出闸阀27与板83、84相同具有防止处理容器40的侧面发生变形的作用，因此，板83、84的有效性得到了解。
在上述说明中，在图8～图11的构造中，通过调整调温流路的位置和孔径、调温流体的流量和调温流体的种类，并调整加热单元81、82的形状和配置、大小，这样就能控制处理容器40的温度梯度分布。另外，在上述的例子中，包括在盖体42或容器主体41中所形成的调温流路沿着垂直方向形成2条以上，并且它们相互连接时与在盖体42中形成的调温流路和在容器主体41中形成的调温流路相互连接时的各个情况、以及形成一个连续的流路或者在分支成的多个流路中，沿着垂直方向形成2条以上的相同形状的流路时与不同形状的流路组合而形成时的各个情况。
再者，在上述的例子中，由于容器主体41在其内部的中央部设有载放台44，在其底面的中央部有驱动部分，因此，难以在底面内部的中央区域配置调温流路，所以，采用在侧壁部41a设置调温流路52的构造，但是，在容器主体41中没有制约的情况下，在容器主体41的底面内部，在所述处理容器40升温时，在所述盖体42或容器主体41的中央部的温度比所述盖体42或容器主体41的侧壁角部的温度高，或者容器主体41的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低的条件下，也可以设置通过加热所述容器主体41来抑制所述接合角部中容器主体41的翘曲的第一调温单元。
此时，既可以在容器主体41的底面部作为第一调温单元而设置与在图8～11所示的盖体42中所设的第一调温单元同样构造的调温单元，在一个盖体42中作为第二调温单元而设置与在图8～11所示的容器主体41中所设的第二调温单元同样构造的调温单元，也可以盖体42与容器主体41两者中设置与在图8～11所示的盖体42中所设的第一调温单元同样构造的调温单元。另外，所述加热器81、82既可以设在盖体42或容器主体41的任意一个之中，在结构上没有限制的情况下，也可以设在盖体42的顶部内侧或容器主体侧的底面部内侧。
此外，如上所述，着眼于处理容器40升温时盖体42的温度或容器主体41的温度中的任意一个的原因在于，通过进行盖体42或容器主体41的任意一个的温度控制，在盖体42与容器主体41的接合角部中发生盖体42或容器主体41的翘曲得以抑制，所以，即便在其它的容器主体41或盖体42中发生一定程度的翘曲，结果还是所述接合角部中的缝隙被缩小。
由上述情况可知，调温单元在所述盖体42的顶部或容器主体41的底面部的中央部的温度比盖体42以及容器主体41的侧壁角部的温度高，或者所述盖体42的顶部外面或容器主体41的底面部外面的中央部的温度与所述接合角部外面的温度的温差的平均值变成不到设定温度的9％这样的加热条件下来加热处理容器40，这样，与调温单元的形状和配置场所无关，在所述接合角部中形成的缝隙缩小。因此，即使是在盖体42的顶部或容器主体41的底面部的任意一个之中设置调温单元而在另一个侧壁部不设调温单元的情况下，由于处理容器40采用铝等传热性好的材质形成，因此，不仅能够充分加热处理容器40，而且能够抑制在所述盖体42或容器主体41的接合角部发生翘曲，所形成的缝隙也得以缩小。此时，调温单元的形状并不局限于上述的形状，可以是圆形形状或多边形形状，分别设在盖体42的顶部或容器主体41的底面部的中央部的加热单元81、82的形状也不局限于上述的形状，可以是圆形形状或多边形形状。
另外，本发明也能够适用于盖体仅由顶板构成，并且用由顶板构成的盖体堵住容器主体的上部开口部这种类型的真空容器。在这种情况下，与盖体以及/或者容器主体的所述开口部相对的一个面部是盖体的顶部，另一个是容器的底部。
此外，本发明也能够适用于容器主体的开口部位于处理容器的左右方向，用盖体从横向堵住该开口部这种类型的处理容器。在此情况下，调温单元被设置在与所述盖体的开口部相对的面部或者与容器主体的开口部相对的面部的至少一个之中，处理容器的侧壁角部相当于与处理容器的设有调温单元的面正交的4条棱线。
【实施例】
下面，对为了确认本发明的效果所进行的实施例进行说明。在以下的实验中，使用图1所示的真空处理系统的一个蚀刻处理装置4进行规定的实验。
1.关于设定温度为60℃时处理容器40的温度的时间变化与缝隙的大小
(实施例1)
在形成有图8所示的调温单元的处理容器40中，设定温度为60℃，每隔规定时间测定处理容器40的盖体42的顶部外面的中央部P1以及盖体42与容器主体41的接合角部P3的外面的温度，并对在盖体42与容器主体41的接合角部P4中所形成的缝隙的大小进行测定。此处所说的设定温度为60℃是指调温流体的温度为60℃。对于所述中央部P1以及接合角部P3的位置分别在图6中表示。此时所述中央部P1与接合角部P3的温度是通过铂电阻温度传感器来进行测定的。另外，所述缝隙的大小是通过测定该缝隙的高度而进行的。再者，由于接合角部P2～P5的温度几乎都相同，所以，此处表示接合角部P3的温度。
分别在图1中表示该温度的测定数据，在图13中表示基于该测定数据的温度的时间变化，在图14中表示缝隙的大小的时间变化。
【表1】
实施例1
Figure C20071014777900231
此处，表1中的差异是指所述中央部P1的温度与所述接合角部P3的温度的差异，是通过(中央部P1的温度)-(接合角部P3的温度)而求得的值。另外，所谓平均值是指所述差异的平均值，该值为负数时表示中央部P1的温度比接合角部P3的温度低，为正数时表示中央部P1的温度比接合角部P3的温度高。另外，所谓温度分布是指所述平均值除以作为设定温度的60℃所得的值，该值越接近零，盖体42的中央部P1与接合角部P3之间的温差越小，表示盖体42的表面内的温度均匀性良好。
在图13中，分别用○表示中央部P1的测定数据，用●表示接合角部P3的测定数据，在图13中，横坐标表示经过时间，纵坐标表示温度。另外，在图14中，对于实施例1用○表示测定数据，在图14中，横坐标表示经过时间，纵坐标表示缝隙的大小。
(比较例)
在形成有图20所示的调温单元的现有的处理容器中，将设定温度设为60℃，与实施例1同样，在每个规定时间分别测定处理容器的盖体的顶部外面的中央部P1的温度与所述接合角部P3的外面温度，同时，测定此时在接合角部P4中形成的缝隙的大小。其结果分别在表2、图13以及图14中表示，在图13中对于中央部P1用△表示，对于接合角部P3用▲表示，在图14中用△表示各自的数据。
表2
比较例1
(实验结果)
由该结果可以确认，在实施例1及比较例1中，对于盖体42的温度，与中央部P1相比接合角部P3更高，但由于与比较例1相比，在实施例1中，中央部P1的温度变高，而且在实施例1中所述温度分布为-6.53％，与此不同，在比较例1中为-9.04％，因此，实施例1的调温单元5与比较例1的调温单元相比，可在中央部P1和接合角部P3的温差较小的状态下加热处理容器40。
此外，对于在盖体42和容器主体41之间形成的缝隙，在实施例1、比较例1中，当处理容器40升温时均逐渐变大，但是，如果经过一定时间，缝隙就有聚拢的倾向，以及如果经过160分，实施例1的缝隙为0.42mm，比较例1的缝隙为0.53mm，可以确认实施例1的缝隙变小。
于是可以了解，在使用比较例1的调温单元加热处理容器40的情况下，当处理容器40升温时，由于所述中央部P1的温度与所述接合角部P3的温度之差的平均值(-5.42℃)变为所述设定温度的9％以上，结果，在盖体42和容器主体41的接合角部形成的缝隙与实施例1相比变大，所以，与使用比较例1的调温单元加热处理容器40的情况相比，通过在所述中央部P1的温度与所述接合角部P3的温度的温差较小的条件下加热处理容器40，这样，与现有技术相比，在盖体42和容器主体41的接合角部形成的缝隙能够被缩小。这样，即使所述中央部P1的温度比所述接合角部P3的温度低，只要所述中央部P1的温度与所述接合角部P3的温度之差的平均值不到所述设定温度的9％，那么在盖体42和容器主体41的接合角部形成的缝隙与现有技术的例子相比就会变窄，在这种处理容器40中，难以发生真空破坏或盖体42和容器主体41之间的电接触的恶化。
此时，在本实验例中，比较了在接合角部P4位置的缝隙的大小，在实施例1及比较例1中，由于接合角部P2、P3与接合角部P4相比缝隙均小，接合角部P5的缝隙是与接合角部P4大体相同的尺寸，所以，通过对接合角部P4的缝隙进行评估，则能够对处理容器40的真空破、盖体42和容器主体41的电接触进行充分的研究。
2.设定温度为90℃时处理容器40的温度的时间变化与缝隙的大小
(实施例1)
在形成有图8所示的调温单元5的处理容器40中，将设定温度设为90℃，其它的条件与已述的设定温度为60℃的实施例1的情况同样，在每个规定时间测定处理容器40的盖体42的顶部外面的中央部P1与所述接合角部P3的外面的温度，并对在盖体42和容器主体41的接合角部形成的缝隙的大小进行测定。此处，所述中央部P1及接合角部P3的位置和温度的测定方法如已经叙述的一样，所述缝隙的大小在图6的接合角部P5中是通过测定该缝隙的高度来进行的。此外，即使通过评估接合角部P5位置的缝隙的大小，如已述那样，由于接合角部P2、P3与接合角部P5相比其缝隙较小，接合角部P4的缝隙是与接合角部P5大体相同的尺寸，所以，仍然能够对处理容器40的真空破坏、盖体42和容器主体41的电接触进行充分研究。
(实施例2)
在形成有图9所示的调温单元71的处理容器40中，将设定温度设为90℃，其它的条件与实施例1同样，在每个规定时间都测定处理容器40的盖体42的中央部P1与接合角部P3的温度，并对在盖体42和容器主体41的接合角部P5形成的缝隙的大小进行测定。
分别在表3中表示实施例1，在表4中表示实施例2的该温度测定数据，在图15中表示基于该测定数据的温度的时间变化，在图16中表示缝隙的大小的时间变化。
表3
实施例1
Figure C20071014777900271
表4
实施例2
Figure C20071014777900281
此处，在图15中，对于实施例1，中央部P1用○、接合角部P3用●，对于实施例2，中央部P1用口，接合角部P3用■表示各自的测定数据，在图15中，横坐标表示经过时间，纵坐标表示温度。另外，在图16中，对于实施例1用○表示，对于实施例2用口表示，在图16中，横坐标表示经过时间，纵坐标表示缝隙的大小。
(实验结果)
由该结果可以确认，对于盖体42的温度，在实施例1中接合角部P3比中央部P1高，而在实施例2中中央部P1比接合角部P3高。另外，所述温度分布在实施例1中为-7.32％，在实施例2中为7.64％，对于在盖体42和容器主体41之间形成缝隙，在实施例1中为0.62mm左右，与设定温度为60℃的情况相比增大，而在实施例2中为0.41mm左右，实施例2中的变得更小。于是，在实施例2中即使设定温度为90℃高的情况下，与设定温度为60℃时的比较例相比，所述缝隙仍然更小，难以发生真空破坏或盖体42和容器主体41之间的电接触的恶化。
在实施例2中，虽然盖体42的中央部P1与接合角部P3的温差比实施例1稍大，但是，由于所述接合角部的缝隙比实施例1小，因此，如实施例2可以确认，在盖体42的中央部P1的温度比接合角部P3的温度高的状态下加热处理容器40，这样不依赖温度分布而能够更加缩小所述缝隙。
3.设定温度为120℃时的处理容器40的缝隙大小
(实施例2)
在形成有图9所示的调温单元71的处理容器40中，将设定温度设为120℃，其它的条件与设定温度为90℃时的实施例2同样，对在盖体42和容器主体41的接合角部P5形成的缝隙的大小进行测定。
(实施例3)
在形成有图10所示的调温单元73的处理容器40中，将设定温度设为120℃，其它的条件与已述的实施例2同样，在每个规定的时间测定处理容器40的盖体42的中央部P1和接合角部P3的温度，并对在盖体42和容器主体41的接合角部P5形成的缝隙的大小进行测定。
在表5中表示本实施例3的温度的测定数据，在图17中表示基于该测定数据的温度的时间变化，在图18中表示实施例2和实施例3的缝隙大小的时间变化。
表5
Figure C20071014777900301
此处，在图17中，分别用◇表示中央部P1的测定数据，用◆表示接合角部P3的测定数据，在图17中，横坐标表示经过时间，纵坐标表示温度。另外，在图18中，对于实施例2用口表示，对于实施例3用◇表示，在图18中，横坐标表示经过时间，纵坐标表示缝隙的大小。
(实验结果)
根据该结果可知，对于实施例3中盖体42的温度，在中央部P1比接合角部P3高的状态下开始升温，在开始两者共用处理容器40的加热之后开始急剧升高，之后逐渐稳定，温度分布是18.4％。
另外，对于缝隙的大小可以确认，在实施例2中随着时间的经过而逐渐聚拢，并稳定在0.7mm左右的大小，但是，与设定温度90℃相比缝隙明显大，并在开始处理容器40的加热之后急剧增大。而在实施例3中，开始处理容器40的加热之后缝隙缓慢地变大，但是，稳定在0.6mm左右的大小。根据该实验结果也可以了解，在盖体42的中央部P1的温度比接合角部P3的温度高的状态下加热处理容器40，这样不依赖温度分布就能使所述缝隙变得更小。
这样，通过使用实施例3的调温单元来加热处理容器40，这样，即使在设定温度为120℃这样颇高的处理中，也难以发生真空破坏或盖体42与容器主体41之间电接触的恶化。
4.考察
由以上的实验可以确认，在处理容器40的盖体42和容器主体41的接合角部所形成的缝隙在使用实施例3(图10)的调温单元73的情况下变得最小，然后，按照实施例2(图9)的调温单元71、实施例1(图8)的调温单元5的顺序变小。由此可知，只要是在当处理容器40升温时所述盖体42的顶部外面的中央部P1的温度比所述接合角部P3的外面的温度高的条件下，就能够缩小在所述盖体42和容器主体41之间形成的缝隙，而且即使所述盖体42的顶部外面的中央部P1的温度比所述接合角部P3的外面温度低，只要是在当处理容器40升温时所述盖体42的顶部外面的中央部P1的温度与所述接合角部P3的外面温度之差的平均值变为不到所述设定温度的9％的条件下，与现有技术相比就能缩小所述缝隙。
在以上的说明中，本发明的真空处理装置不仅适用于蚀刻处理，也能适用于进行灰化或CVD等其它真空处理的处理。真空处理未必局限于等离子体处理，既可以是其它的气体处理，也可以是气体处理以外的真空处理。

Claims (10)

1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：
角筒形处理容器，在其内部对基板进行真空处理，该角筒形处理容器具备在内部保持有基板并且一端开口的容器主体、和以封闭该容器主体的开口部的方式装卸自如地设置的盖体；
调温单元，其被设置在所述盖体以及/或容器主体中与所述开口部相对的面部，用于加热该角筒形处理容器；和
真空排气单元，用于对所述角筒形处理容器的内部进行真空排气，其中，
所述调温单元为了在所述角筒形处理容器升温时抑制所述盖体以及容器主体的接合部的翘曲，而被设置成使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述角筒形处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度低，
当将所述角筒形处理容器加热至设定温度时，在所述角筒形处理容器升温时，在设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度低的情况下，设置有所述调温单元的面部的外面的中央部的温度与所述侧壁角部中盖体和容器主体的接合部的外面的温度之差的平均值为不到所述设定温度的9％。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：
所述调温单元包括：
在所述盖体以及/或容器主体中与所述开口部相对的面部的内部，以迂回所述角筒形处理容器的侧壁角部的方式而形成的调温流路；以及
使被调整至设定温度的调温流体在该调温流路中流通的单元。
3.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：
所述调温单元包括在所述角筒形处理容器的设置有调温单元的面部以外的侧壁部，以围绕该侧壁部的方式而形成的调温流路。
4.如权利要求2或3所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述盖体以及/或容器主体中所形成的所有调温流路是一个连续的流路。
5.如权利要求4所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述盖体以及/或容器主体中形成的调温流路具有分支的多个通道。
6.如权利要求1、2、3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述调温单元包括在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部所设置的加热器。
7.如权利要求1、2、3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述盖体以及/或容器主体的与所述开口部相对的面部的一方是盖体的顶部，另一方是容器主体的底部。
8.如权利要求1、2、3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述角筒形处理容器的内部具有用来载放四边形基板的载放台；以及
用来对所述基板进行等离子体处理的、在所述角筒形处理容器的内部产生等离子体的单元。
9.一种真空处理方法，其特征在于：
其是在包括一端开口的容器主体以及为了封闭该容器主体的开口部而以装卸自如的方式设置的盖体的角筒形处理容器的内部，对基板进行真空处理的真空处理方法，该方法包括：
在所述容器主体的内部保持基板的工序；
对在内部保持有基板的所述角筒形处理容器进行真空排气的工序；
为了在所述角筒形处理容器升温时抑制所述盖体以及/或容器主体的接合部中的翘曲，利用在所述盖体以及/或容器主体的与所述开口部相对的面部所设置的调温单元，使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述角筒形处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度低，由此来加热所述角筒形处理容器的工序；以及
在被真空排气并被加热的所述角筒形处理容器的内部，对基板进行真空处理的工序，
当将所述角筒形处理容器加热至设定温度时，在所述角筒形处理容器升温时，在设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度低的情况下，设置有所述调温单元的面部的外面的中央部的温度与所述侧壁角部中盖体和容器主体的接合部的外面的温度之差的平均值为不到所述设定温度的9％。
10.如权利要求9所述的真空处理方法，其特征在于：
使用调温单元来加热所述角筒形处理容器，其中，该调温单元包括在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部的内部、以迂回所述角筒形处理容器的侧壁角部的方式而形成的调温流路，以及使被调整至设定温度的调温流体在该调温流路中流通的单元。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339655B (zh) * 2011-08-30 2015-07-08 中国科学院微电子研究所 温控可充气真空辐射设备
KR20140015874A (ko) * 2012-07-26 2014-02-07 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP6107742B2 (ja) * 2014-05-09 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
KR102323320B1 (ko) * 2015-05-13 2021-11-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220130644A1 (en) * 2019-03-15 2022-04-28 Noa Leading Co., Ltd. Plasma processing apparatus, plasma processing method, and conductive member

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63264131A (ja) 1987-04-21 1988-11-01 Showa Alum Corp 真空チヤンバ
JPH0917770A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
JPH09157832A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Sony Corp 防着板およびそれを用いた真空装置
JP4171093B2 (ja) 1997-12-04 2008-10-22 株式会社エー・エム・テクノロジー 真空容器とその製造方法
JP2003100742A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
JP4544934B2 (ja) * 2003-10-30 2010-09-15 京セラ株式会社 プラズマ処理装置
JP4587784B2 (ja) * 2004-11-12 2010-11-24 株式会社アルバック 真空チャンバ

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