JP3910791B2 - 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の熱処理方法及び熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程においては,半導体ウエハ(以下,「ウエハ」)の表面にレジスト液を塗布して塗布膜を形成した後に,前記塗布膜内の溶剤を蒸発させる加熱処理(プリベーキング)や,パターンの露光を行った後に,前記塗布膜の化学反応を促進させるための加熱処理(ポストエクスポージャーベーキング),各加熱処理後の冷却処理等の種々の熱処理が行われている。
【0003】
例えば,上述のポストエクスポージャーベーキング処理では,露光によって塗布膜内に発生した触媒としての酸を活性化させるため,当該酸の活性化する反応温度,例えば80℃を越えるように,ウェハを120℃〜160℃程度の温度に一気に昇温し,その温度で所定時間ウェハを加熱するようにしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,発明者等による実験によって,ウェハを昇温させた場合,図9に示すようにその初期段階においてウェハ面内の温度がばらつき,ウェハ面内において均一に昇温されないことが分かった。
【0005】
したがって,上述したようにウェハを一気に昇温させた場合には,ウェハ面内の温度がばらついている間に反応温度を超えてしまうので,ウェハ面内の各部分において,反応温度に達するタイミングがずれて,反応が開始される時期が異なってしまう。その結果,反応が起こっている時間がウェハ面内において異なってしまい,最終的には,ウェハ上に形成されるパターンの線幅がばらつき,歩留まりの低下に繋がる。
【0006】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ウェハ等の基板が昇温され,反応温度を越える際に,基板面内の温度が均一になるように基板を昇温する基板の熱処理方法と当該熱処理方法を実施する熱処理装置を提供することをその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明によれば,基板上に所定の塗布液を供給し,塗布膜を形成する工程と,当該基板を所定の高温度で加熱する工程とを有する基板の熱処理方法であって,前記基板の加熱工程の前に,所定の低温度から前記塗布膜の反応する所定の反応温度よりも低い所定の中間温度まで前記基板を昇温する第1の工程と,前記所定の中間温度に当該基板を所定時間維持する第2の工程と,その後,前記所定の反応温度よりも高い前記所定の高温度まで当該基板を昇温する第3の工程とを有し,前記基板の加熱工程後に,当該基板を降温する工程を有し,前記基板を降温する工程は,前記基板を前記所定の中間温度まで降温する第4の工程と,当該基板を前記所定の中間温度から所定の温度に降温する第5の工程とを有することを特徴とする基板の熱処理方法が提供される。なお,前記反応温度とは,基板を昇温することによって,塗布膜内で化学的な反応が開始される温度をいう。
【0008】
このように,基板を昇温する際に,一旦前記反応温度よりも低い中間温度に基板を昇温し,当該中間温度を所定時間維持し,その後に前記反応温度を越える高温度に基板を昇温することによって,基板が反応温度に達するときに,基板面内の温度を均一にすることができる。それによって,基板面内の各部分の温度が同時期に反応温度に達するため,その反応の開始されるタイミングが基板面内において均一になり,基板面内の塗布膜の化学反応が均一に行われる。
【0009】
また,前記加熱工程後の当該基板を降温することによって,基板上の塗布膜の反応を停止させ,塗布膜の反応期間を好適に制御することができる。
【0010】
また,基板を降温する場合においても,基板を昇温した場合と同様に,その初期段階において基板面内での温度のばらつきが生じる。そのため,本発明のように基板を段階的に降温させることによって,基板面内の温度のばらつきを抑制しながら基板を降温させることができる。したがって,基板の熱履歴を基板面内においてより均一にすることができるため,基板面内において均一な熱処理が行われる。
【0012】
さらに,本発明のように,基板を降温する際に,2段階に分けて降温することによって,前記中間温度で一旦基板面内の温度を均すことができる。そのため,降温時の基板面内のばらつきが抑制され,基板の熱履歴を基板面内において均一にすることができる。また,基板の昇温時における前記中間温度と同じ温度に一旦降温するため,例えば,昇温時に使用された熱板等の昇温手段をそのままの状態で利用することができるので,降温手段の温度を変更する必要がない。
【0013】
なお,前記第1の工程,前記第2の工程及び前記第3の工程は,同じ処理装置内で行われ,前記第1の工程と前記第2の工程は,基板を載置して加熱する第1の熱板上で行われ,前記第3の工程は,基板を載置して加熱する第2の熱板上で行われてもよい。
【0014】
このように,基板を前記所定の高温度に昇温する工程を同じ処理装置内で行うことにより,前記第1〜3の各工程を迅速に行うことができる。また,第1,第2の工程と第3の工程を異なった熱板で分業して行うことによって,熱板の温度を熱処理の途中で変更する必要が無くなり,その分熱処理を迅速化することができる。
【0015】
また,前記第1の工程,前記第2の工程,前記第3の工程及び前記基板を降温する工程は,同じ処理装置内で行われ,前記第1の工程と前記第2の工程は,基板を載置して加熱する第1の熱板上で行われ,前記第3の工程は,基板を載置して加熱する第2の熱板上で行われ,前記基板を降温する工程は,基板を載置して降温する降温板上で行われてもよい。
【0016】
このように,加熱後の基板の降温工程も同じ処理装置内で行うことにより,他の処理装置に搬送して行う場合に比べて,搬送時間が短縮できる。また,降温専用の降温板を備え,そこで降温工程を行うことによって,降温工程を好適に実施することができる。
【0017】
本発明において,前記第1の工程,前記第2の工程,第3の工程,前記第4の工程及び前記第5の工程は,同じ処理装置内で行われ,前記第1の工程と前記第2の工程は,基板を載置して加熱する第1の熱板上で行われ,前記第3の工程は,基板を載置して加熱する第2の熱板上で行われ,前記第4の工程は,前記第1の熱板上で行われ,前記第5の工程は,基板を載置して降温する降温板上で行われるようにしてもよい。このように,前記第1〜第5の各工程を同じ処理装置内で行うことにより,搬送時間等が短縮され,前記第1の工程〜前記第5の工程の作業効率を向上させることができる。また,前記加熱工程の終了した基板を前記中間温度まで一旦降温させる第4の工程を,前記第1及び第2の工程と同じ第1の熱板上で行うことによって,第4の工程を行うための降温手段,例えば降温板を別途設ける必要が無いため,装置の複雑化,大型化を防止することができる。
【0018】
別の観点による本発明によれば,所定の塗布膜が形成された基板の熱処理を行う熱処理装置であって,前記基板を載置し前記所定の塗布膜の反応温度よりも低い第1の所定温度で加熱する第1の熱板と,前記基板を載置し前記反応温度よりも高い第2の所定温度で加熱する第2の熱板と,前記基板を載置し降温する降温板とを有し,前記第2の熱板上で前記第2の所定温度で加熱した基板を降温するときに,前記基板を前記第1の熱板上で前記第1の所定温度まで降温し,その後前記降温板上でさらに降温していることを特徴とする基板の熱処理装置が提供される。
【0019】
このように,第1の熱板と第2の熱板と降温板を備えることによって,上述した請求項1〜7の基板の熱処理方法を実施することができる。したがって,基板の塗布膜の温度が反応温度に達する前に,基板面内の温度を均一化させ,その後に基板の塗布膜を反応温度にすることができるため,基板面内の塗布膜の化学反応が同時に開始され,基板の均一な熱処理を行うことができる。
【0020】
かかる発明において,前記第1の熱板と前記第2の熱板間及び第2の熱板と前記降温板間の基板の搬送を行う搬送手段を有するようにしてもよい。請求項9によれば,第1の熱板で一次的な昇温が行われた基板を第2の熱板上に搬送し,その第2の熱板で二次的な昇温と加熱が行われた基板を降温板上に搬送することができる。したがって,基板を昇温させ,加熱し,降温させるという一連の熱処理を好適に行うことができる。
【0021】
一方,少なくとも前記第1の熱板と前記第2の熱板間及び前記第1の熱板と前記降温板間の基板の搬送を行う搬送手段を有するようにしてもよい。この発明によれば,第1の熱板で一次的な昇温が行われた基板を第2の熱板に搬送し,第2の熱板で二次的な昇温と本格的な加熱が行われた基板を再び第1の熱板上に搬送し,そこで第1の所定温度に降温された基板をさらに降温板に搬送することができるので,上述した熱処理方法を好適に実施することができる。
【0022】
上述した各熱処理装置において,前記第1の熱板と前記第2の熱板とを,同じ一の処理室内に設け,前記降温板は,他の処理室に設けて,前記一の処理室と前記他の処理室との間に熱雰囲気を遮断する仕切板を設けるようにしてもよい。このように,第1の熱板と第2の熱板を有する一の処理室と降温板を有する他の処理室とを仕切板によって仕切ることによって,熱雰囲気を遮断することができるため,処理温度の異なる各処理室間の熱の干渉が抑制され,各処理室において好適に熱処理を行うことができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明にかかる熱処理装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0024】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0025】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0026】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。
【0027】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,処理装置群の数は,1以上であれば4つで無くてもよい。
【0028】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置17と,露光後のウェハWを現像処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0029】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステンション装置32,レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば7段に重ねられている。
【0030】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,本実施の形態にかかる熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング・クーリング装置(以下「PEB・COL装置」とする)44,45,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0031】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0032】
次に,上述したPEB・COL装置44の構成について詳しく説明する。図4は,PEB・COL装置44の概略を示す縦断面の説明図であり,図5は,同PEB・COL装置44の横断面の説明図である。
【0033】
PEB・COL装置44のケーシング44a内には,図4,図5に示すように厚みのある板状の基台60が設けられている。この基台60上には,筐体であるケーシング44a内を2つの処理室,すなわちウェハWの加熱処理を行う一の処理室としての加熱室61とウェハWの降温処理を行う他の処理室としての冷却室62とに仕切る仕切板63が設けられており,各処理室の熱雰囲気が遮断されるように構成されている。
【0034】
加熱室61の基台60上には,ウェハWを載置し加熱する円盤状の二つの熱板,第1の熱板65と第2の熱板66とがPEB・COL装置44の長手方向(図4中に示すX方向)に並べられて設けられている。
【0035】
仕切板63から遠い側(図4中に示すX方向負方向側)の第1の熱板65には,熱源となるヒータ67が内蔵されており,ヒータ67は,温度制御装置68によってその発熱量が制御されるようになっている。したがって,温度制御装置68に設定された,例えば設定温度T1に基づいてヒータ67の発熱量が制御され,第1の熱板65の温度を前記設定温度T1に維持できるように構成されている。
【0036】
第1の熱板65の下方には,ウェハWを搬入出する際に,ウェハWを支持し昇降させるための昇降ピン69が複数設けられている。この昇降ピン69は,昇降駆動機構70により上下に移動自在であり,第1の熱板65の下方から第1の熱板65を貫通し,第1の熱板65上に突出できるように構成されている。
【0037】
第1の熱板65の上方には,上下に移動可能で第1の熱板65と一体となって一次昇温室S1を形成する,下面が開口した蓋体71が設けられており,ウェハWが昇温される際の雰囲気を所定の雰囲気に維持できるようになっている。
【0038】
蓋体71の上部には,一次昇温室S1内に不活性ガスを供給する供給口72が設けられており,第1の熱板65の外周部には,一次昇温室S1内の雰囲気をPEB・COL装置44外に排気する排気口73が設けられている。これによって,供給口72から一次昇温室S1内に不活性ガスを供給し,一次昇温室S1内の雰囲気を排気口73から排気することによって,一次昇温室S1内に下降気流を形成し,一次昇温室S1内をパージできるように構成されている。なお,不活性ガスには,窒素ガス,ヘリウムガス,大気である空気等が含まれる。
【0039】
仕切板63側(図4中に示すX方向正方向側)の第2の熱板66の構成は,第1の熱板65と全く同様で,第2の熱板66には,温度制御装置75によって制御されるヒータ76が内蔵されており,第2の熱板66の温度を,例えば前記設定温度T1よりも高い所定の設定温度T2に維持できるようになっている。
【0040】
また,第2の熱板66の下方には,昇降ピン77とその駆動を行う昇降駆動機構78が設けられており,ウェハWが第2の熱板66上に載置自在になっている。さらに第2の熱板66の上方には,上下動して第2の熱板66と一体となって二次昇温室S2を形成する蓋体79が設けられている。その蓋体79には,不活性ガスを供給する供給口80が設けられ,第2の熱板66の外周部には,二次昇温室S2内の雰囲気を排気する排気口81が設けられている。
【0041】
一方,冷却室62の基台60上には,ウェハWを載置し降温する円盤状の降温板85が設けられている。降温板85には,ペルチェ素子86が埋め込まれており,このペルチェ素子86によってウェハWの降温及び温調が実現されている。また,このペルチェ素子86は,温度制御装置87によって制御されており,降温板85の温度を例えば,前記所定温度T2よりも低い所定温度T3に設定できるようになっている。
【0042】
また,降温板85の下方には,第1の熱板65と同様に昇降駆動機構88によって上下に駆動する昇降ピン89が設けられており,ウェハWを降温板85上に載置できるようになっている。
【0043】
降温板85の上方には,上下動して降温板85と一体となって昇温室S3を形成する蓋体90が設けられている。また,蓋体90には,昇温室S3内に不活性ガスを供給する供給口91が設けられており,降温板85の外周部には,昇温室S3内の雰囲気を排気する排気口92が設けられている。これによって,昇温室S3内に不活性ガスの下降気流を発生させ,昇温室S3内をパージできるようになっている。
【0044】
図5に示すように,第1の熱板65のX方向負方向側であって,ケーシング44aの側壁近くの待機位置Tには,ウェハWの裏面を支持してウェハWを搬送する搬送手段95が待機している。この搬送手段95は,図6に示すように,ウェハWの裏面を下方から支持する2つの支持部96,97とその支持部96,97を吊り下げるようにして支持するアーム部98を有している。2つの支持部96,97は,アーム部98から下方に延伸する垂直部96a,97aと,その垂直部96a,97aから互いが向き合うようにして水平方向に延伸する水平部96b,97bとで構成されている。そして,水平部96b,97bには,ウェハWを支持する支持ピン99が設けられており,ウェハWを搬送する際には,水平部96b,97bの支持ピン99上にウェハWを水平に支持できるようになっている。
【0045】
搬送手段95は,図5に示すようなケーシング44aの側壁に沿ってX方向に伸びるレール100上を移動自在に構成されており,搬送手段95のアーム部98が,第1の熱板65のX方向負方向の待機位置Tから降温板85上までの間を移動できるようになっている。また,アーム部98は,シリンダ等によって上下に移動自在に構成されており,ウェハWの裏面の下方に前記支持部96,97の水平部96b,97bが移動し,その水平部96b,97bが上昇することによって,支持ピン99がウェハWの裏面を支持し,搬送手段95がウェハWを搬送できるようになっている。したがって,かかる構成の搬送手段95により,第1の熱板65,第2の熱板66及び降温板85間のウェハWの搬送が可能になる。
【0046】
ケーシング44aの第1の熱板65に対向する位置には,図5に示すようにウェハWをPEB・COL装置44内に搬入するための搬送口105が設けられている。搬送口105には,シャッタ106が設けられており,ウェハWの搬入時以外は,シャッタ106が閉鎖され,PEB・COL装置44内の熱雰囲気が外部に流出しないようになっている。
【0047】
また,ケーシング44aの降温板85に対向する位置には,ウェハWを搬出するための搬送口107が設けられており,この搬送口107にも搬送口107を開閉自在とするシャッタ108が設けられている。
【0048】
上述した加熱室61と冷却室62を仕切る仕切板63は,図示しない昇降手段である,例えばエアシリンダやモータにより昇降自在に構成されており,仕切板63が昇降することによって仕切板63自体を開閉自在となっている。これによって加熱室61と冷却室62との間で前記搬送手段95が移動する場合に限り仕切板63が開放され,それ以外の時は,熱雰囲気を遮断するために閉鎖されるようになっている。
【0049】
次に,以上のように構成されているPEB・COL装置44の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0050】
先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置31に搬入する。このアドヒージョン装置31において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置30搬送され,所定の温度に冷却される。その後,ウェハWはレジスト塗布装置17又19に搬送され,レジスト液が供給され,ウェハW上にレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウェハWは,再び主搬送装置13によってプリベーキング装置33又は34,エクステンション・クーリング装置41に順次搬送され,所定の処理が施される。
【0051】
次いで,ウェハWはエクステンション・クーリング装置41からウェハ搬送体50によって取り出され,周辺露光装置51を経て露光装置(図示せず)に搬送される。露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬送され,さらに主搬送装置13によって,ポストエクスポージャーベーキング処理及びクーリング処理である昇温,加熱及び降温処理が行われるPEB・COL装置44又は45に搬送される。
【0052】
そして,ポストエクスポージャーベーキング処理及びクーリング処理の終了したウェハWは,主搬送装置13により現像処理装置18又は20,ポストベーキング装置35,36,46又は47,クーリング装置30と順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション装置32を介して,ウェハ搬送体7によってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【0053】
次に上述したPEB・COL装置44の作用について詳しく説明する。先ず,ウェハWの熱処理が開始される前に,第1の熱板65を第1の所定温度(請求項1中の所定の中間温度に相当する)としての設定温度T1,例えば80℃に維持し,第2の熱板66を第2の所定温度(請求項1中の所定の高温度に相当する)としての設定温度T2,例えば140℃に維持し,降温板85を設定温度T3,例えば23℃になるように調節しておく。
【0054】
そして,ウェハWの熱処理が開始されると,蓋体71が図示しない駆動機構により上昇され,主搬送装置13によってウェハWが搬送口105からPEB・COL装置44内に搬入される。そして,第1の熱板65上方まで移動されたウェハWは,予め第1の熱板65上方の所定の位置で待機していた昇降ピン69上に支持される。なお,このときのウェハWの温度は,所定の低温度としての,前工程である露光工程時の温度,例えば23℃である。
【0055】
次いで,蓋体71が下降され,第1の熱板65と一体となって一次昇温室S1が形成される。このとき,蓋体71の供給口72から不活性ガスの供給が開始される。この不活性ガスが一次昇降室S1を通って排気口73から排気されることにより下降気流が発生し,以後,この第1の熱板65上でのウェハWの昇温が終了するまで一次昇温室S1内の雰囲気がパージされる。
【0056】
その後,ウェハWは昇降駆動機構70によって昇降ピン69と共に下降され,第1の熱板65上に載置される。そして,ウェハWが載置されると同時にウェハWの昇温が開始され,ウェハWの温度は,図7に示すように23℃から60℃に昇温される。そして,ウェハWが60℃に達した状態で所定時間維持される。
【0057】
所定時間経過すると,ウェハWは昇降ピン69によって再び上昇されて,第1の熱板65によるウェハWの昇温が終了する。次いで,蓋体71が上昇され,一次昇温室S1が開放される。
【0058】
次に,搬送手段95が待機位置Tから移動し,搬送手段95の水平部96b,97bをウェハWの下方に位置させる。そして,水平部96b,97bを上昇させ,支持ピン99上にウェハWを支持させる。その後,搬送手段95は,第2の熱板66上方まで移動する。第2の熱板66上方まで移動されたウェハWは,昇降ピン77に受け渡され,第1の熱板65の場合と同様にして,蓋体79によって2次昇温室S2が形成され,供給口80からの不活性ガスの供給が開始された後,第2の熱板66上に載置される。
【0059】
第2の熱板66上にウェハWが載置されると,図7に示すようにウェハWの温度は60℃から140℃に昇温される。このとき,ウェハW上のレジスト膜の反応温度T0である80℃を越えたところでレジスト膜の反応が開始される。なお,反応温度T0は,レジスト膜の種類によって定まる。
【0060】
その後,ウェハWが140℃で所定時間加熱され,所定時間経過後に昇降ピン77によって再び上昇されてウェハWの加熱処理,すなわちポストエクスポージャーべーキング処理が終了する。
【0061】
次いで,蓋体79が上昇し,2次昇温室S2が開放される。そして,仕切板63が開放された後,搬送手段95によって,上述した第1の熱板65上から第2の熱板66上へのウェハWの搬送と同様にして,ウェハWが第2の熱板66上から降温板85上に搬送される。
【0062】
降温板85上に搬送されたウェハWは昇降ピン89に受け渡され,その後蓋体90が下降して降温室S3が形成される。そしてウェハWが下降されて,降温板85上に載置される。このとき,ウェハWの降温が開始され,ウェハWの温度は,図7に示すように140℃から23℃に降温される。このとき,レジスト膜の温度が低下するためレジスト膜の反応が停止される。
【0063】
ウェハWが23℃の降温されると,ウェハWは昇降ピン89によって上昇され,ウェハWの降温が終了する。次いで,蓋体90が上昇し,降温室S3が開放される。そして,主搬送装置13が搬送口107からPEB・COL装置44内に進入し,ウェハWを昇降ピン89から受け取って,ウェハWをPEB・COL装置44外に搬出し,一連のポストエクスポージャーベーキング処理及びクーリング処理が終了する。
【0064】
以上の実施の形態によれば,第1の熱板65においてウェハWを一旦レジスト膜の反応温度T0より低い設定温度T1に昇温させ,その状態で所定時間維持するようにしたため,ウェハWのレジスト膜が反応温度T0に達する前に,ウェハW面内の温度を均一化することができる。そして,その後,第2の熱板66において反応温度T0を越える設定温度T2にウェハWを昇温させたため,ウェハW面内の温度が均一な状態でレジスト膜の反応を開始することができる。したがって,ウェハW面内のレジスト膜の反応が均一に行われ,最終的に形成されるパターンの線幅をウェハW面内において均一化することができる。
【0065】
また,加熱室62での加熱処理の終了したウェハWを,同じPEB・COL装置44内にある降温板85で降温するようにしたため,搬送時間を短縮することができ,ポストエクスポージャーベーキング処理の終了したウェハWを迅速に降温し,レジスト膜の反応を停止させることができる。
【0066】
更に,加熱室61と冷却室62との間に仕切り板63を設けたため,加熱室61と冷却室62との熱雰囲気を遮断することができるため,各処理室での熱処理を他の処理室からの熱の影響を受けずに好適に行うことができる。
【0067】
以上の実施の形態では,140℃に熱せされたウェハWを,冷却室62において23℃に一気に降温していたが,段階的に降温するようにしてもよい。このような場合,例えばウェハWを降温する際に,温度制御装置87によって降温板85の温度を制御して変更することが提案される。例えば,降温板85の温度を初め60℃に設定しておき,ウェハWが載置され,所定時間経過してから降温板85の温度を23℃に変更する。こうすることによって,ウェハWを降温する際に,ウェハW面内の温度が一旦60℃で均一化され,降温時に起こるウェハW面内の温度のばらつきが抑制されるため,この熱処理におけるウェハWの熱履歴がウェハW面内においてより均一化される。
【0068】
また,第1の熱板65を用いてウェハWを段階的に降温させてもよい。このような場合,例えば上述したように第2の熱板66で140℃で加熱され,ポストエクスポージャーベーキングの終了したウェハWを,搬送手段95によって再び第1の熱板65に搬送する。そして,ウェハWが第1の熱板65上に載置され,設定温度T1である60℃に降温される。60℃に降温されたウェハWは,搬送手段95によって再び降温板85に搬送され,そこで23℃に降温される。こうすることによって,降温板85の温度を変更することなく,ウェハWを段階的に降温することができる。
【0069】
また,以上の実施の形態では,第1の熱板65,第2の熱板66及び降温板85間を移動自在な搬送手段95を用いていたが,必要に応じて,例えば第1の熱板65と第2の熱板66間においてウェハWを搬送する搬送手段と,第2の熱板66と降温板85間においてウェハWを搬送する搬送手段とを別々に設けるようにしてもよい。
【0070】
なお,本実施の形態では,ウェハWの昇温・加熱処理と降温処理とを同じ処理装置内で行っていたが,ウェハWの昇温・加熱処理と降温処理とを異なる処理装置で行うようにしてもよい。このような場合,例えば図8に示すように,上述した実施の形態にかかるPEB・COL装置44において降温板85の無い,第1の熱板65と第2の熱板66のみを有するPEB装置115と,既存のクーリング装置43とを用いて行うことが提案される。クーリング装置43には,上述した降温板85と同じ構成を有する降温板43aが設けられており,上述したPEB・COL装置44と同様にしてウェハWを降温できるようになっている。
【0071】
そして,上述した実施の形態と同様にして,例えばPEB装置115の第1の熱板65においてウェハWを23℃から60℃に昇温し,所定時間その温度を維持した後,第2の熱板66おいて60℃から140℃に昇温し,加熱する。その後,そのウェハWを主搬送装置13によってクーリング装置43に搬送し,クーリング装置43の降温板43aにおいて140℃から23℃に昇温する。このような場合においても,ウェハWを昇温する際に,一旦反応温度T0よりも低い60℃にウェハWを維持するため,ウェハWのレジスト膜の反応が開始される前に,ウェハW面内の温度を均すことができ,その後の昇温によってウェハWの反応を同時期に開始させることができる。
【0072】
以上の実施の形態にかかる基板処理装置は,PEB装置44又は45についてであったが,他の加熱処理装置,例えばプリベーク装置33又は34,ポストベーク装置35,36,46又は47においても応用できる。
【0073】
また,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハWの処理装置についてであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の処理装置においても応用できる。
【0074】
【発明の効果】
本発明によれば,基板を昇温する際に,基板上の塗布膜が基板面内のおいて同時期に反応温度に達するため,塗布膜の反応時間を基板面内において均一化することができる。したがって,最終的に形成されるパターンの線幅が均一化され,歩留まりの向上が図られる。
【0075】
特に,本発明によれば,基板を昇温した後に,基板を段階的に降温するので,基板面内の温度のばらつきをより抑制しながら降温することができる。したがって,基板面内の熱履歴等を均一にすることができ,歩留まりの向上が図られる。
【0076】
本発明によれば,基板を昇温する際に用いられる第1の熱板を用いて段階的な降温が行われるため,基板を降温している最中に,降温板等の温度を変更する必要が無く,基板を迅速に降温することができるため,スループットの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかるPEB・COL装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】本実施の形態にかかるPEB・COL装置の縦断面の説明図である。
【図5】図4のPEB・COL装置の横断面の説明図である。
【図6】PEB・COL装置の搬送手段の説明図である。
【図7】本実施の形態における熱処理のウェハ温度の時間変化を示すグラフである。
【図8】ウェハの降温を他の装置で行う場合の装置構成を模式的に示した説明図である。
【図9】ウェハを昇温させた場合に生じるウェハ面内のばらつきを現すグラフである。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
44 PEB・COL装置
61 加熱室
62 冷却室
65 第1の熱板
66 第2の熱板
85 降温板
T 待機位置
W ウェハ
Claims (6)
- 基板上に所定の塗布液を供給し,塗布膜を形成する工程と,当該基板を所定の高温度で加熱する工程とを有する基板の熱処理方法であって,
前記基板の加熱工程の前に,所定の低温度から前記塗布膜の反応する所定の反応温度よりも低い所定の中間温度まで前記基板を昇温する第1の工程と,前記所定の中間温度に当該基板を所定時間維持する第2の工程と,その後,前記所定の反応温度よりも高い前記所定の高温度まで当該基板を昇温する第3の工程とを有し,
前記基板の加熱工程後に,当該基板を降温する工程を有し,
前記基板を降温する工程は,前記基板を前記所定の中間温度まで降温する第4の工程と,当該基板を前記所定の中間温度から所定の温度に降温する第5の工程とを有することを特徴とする,基板の熱処理方法。 - 前記第1の工程,前記第2の工程,第3の工程,前記第4の工程及び前記第5の工程は,同じ処理装置内で行われ,
前記第1の工程と前記第2の工程は,基板を載置して加熱する第1の熱板上で行われ,前記第3の工程は,基板を載置して加熱する第2の熱板上で行われ,前記第4の工程は,前記第1の熱板上で行われ,前記第5の工程は,基板を載置して降温する降温板上で行われることを特徴とする,請求項1に記載の基板の熱処理方法。 - 所定の塗布膜が形成された基板の熱処理を行う熱処理装置であって,
前記基板を載置し前記所定の塗布膜の反応温度よりも低い第1の所定温度で加熱する第1の熱板と,
前記基板を載置し前記反応温度よりも高い第2の所定温度で加熱する第2の熱板と,
前記基板を載置し降温する降温板とを有し,
前記第2の熱板上で第2の所定温度で加熱した基板を降温するときに,前記基板を前記第1の熱板上で前記第1の所定温度まで降温し,その後前記降温板上でさらに降温していることを特徴とする,基板の熱処理装置。 - 前記第1の熱板と前記第2の熱板間及び第2の熱板と前記降温板間の基板の搬送を行う搬送手段を有することを特徴とする,請求項3に記載の基板の熱処理装置。
- 少なくとも前記第1の熱板と前記第2の熱板間及び前記第1の熱板と前記降温板間の基板の搬送を行う搬送手段を有することを特徴とする,請求項3に記載の基板の熱処理装置。
- 前記第1の熱板と前記第2の熱板とは,同じ一の処理室内に設けられ,前記降温板は,他の処理室に設けられており,前記一の処理室と前記他の処理室との間に熱雰囲気を遮断する仕切板が設けられていることを特徴とする,請求項3,4又は5のいずれかに記載の基板の熱処理装置。
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