JP2517707B2 - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JP2517707B2 JP2517707B2 JP60042461A JP4246185A JP2517707B2 JP 2517707 B2 JP2517707 B2 JP 2517707B2 JP 60042461 A JP60042461 A JP 60042461A JP 4246185 A JP4246185 A JP 4246185A JP 2517707 B2 JP2517707 B2 JP 2517707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- baking
- photoresist layer
- temperature
- photoresist
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上にフォトレジスト層を形成した後
に、このフォトレジスト層を露光し現像してからベーキ
ングを行うことによって、フォトレジストパターンを形
成するようにしたフォトレジストパターンの形成方法に
関するものであって、半導体製造工程のフォトリソグラ
フィー工程におけるフォトレジスト層のポストベーク
（露光後の加熱乾燥）の改良に適用するのに最適なもの
である。
に、このフォトレジスト層を露光し現像してからベーキ
ングを行うことによって、フォトレジストパターンを形
成するようにしたフォトレジストパターンの形成方法に
関するものであって、半導体製造工程のフォトリソグラ
フィー工程におけるフォトレジスト層のポストベーク
（露光後の加熱乾燥）の改良に適用するのに最適なもの
である。
本発明は、フォトレジストパターンの形成方法におい
て、フォトレジスト層のベーキングを複数のホットプレ
ート上において段階的にベーク温度が高くなるように順
次加熱することにより行うために、上記フォトレジスト
層が形成された基板をこれら複数のホットプレート上に
順次移送し、この際、上記複数のホットプレート上にお
けるいずれのホットプレートにおいても、上記フォトレ
ジスト層を構成しているフォトレジスト材料中の感光剤
の分解温度以上で前記フォトレジスト材料の耐熱温度以
下のベーク温度で加熱することによって、フォトレジス
ト層のベーキングを簡単な工程により自動的にかつ大量
にしかも正確に行い得るにもかゝわらず、上記フォトレ
ジスト層を変形させることなく耐熱性を効果的に向上さ
せることができるようにしたものである。
て、フォトレジスト層のベーキングを複数のホットプレ
ート上において段階的にベーク温度が高くなるように順
次加熱することにより行うために、上記フォトレジスト
層が形成された基板をこれら複数のホットプレート上に
順次移送し、この際、上記複数のホットプレート上にお
けるいずれのホットプレートにおいても、上記フォトレ
ジスト層を構成しているフォトレジスト材料中の感光剤
の分解温度以上で前記フォトレジスト材料の耐熱温度以
下のベーク温度で加熱することによって、フォトレジス
ト層のベーキングを簡単な工程により自動的にかつ大量
にしかも正確に行い得るにもかゝわらず、上記フォトレ
ジスト層を変形させることなく耐熱性を効果的に向上さ
せることができるようにしたものである。
従来、半導体製造工程のフォトリソグラフィー工程に
おけるフォトレジスト層のポストベークは、N2循環式の
ベーク炉、すなわちコンベクション・オーブンにより行
われていた。しかし、このコンベクション・オーブン
は、スループットが低いとか温度制御性が悪いとかの欠
点があり、あまり好ましいものではなかった。
おけるフォトレジスト層のポストベークは、N2循環式の
ベーク炉、すなわちコンベクション・オーブンにより行
われていた。しかし、このコンベクション・オーブン
は、スループットが低いとか温度制御性が悪いとかの欠
点があり、あまり好ましいものではなかった。
上述のような欠点を是正したベーク炉として、近年、
ホットプレート・オーブンが用いられている。このホッ
トプレート・オーブンにおいては、所定の温度に加熱し
た金属板、すなわちホットプレートの上にウエハーを置
いてフォトレジスト層のポストベークを行うようにして
いる。この方法によれば、スループットや温度制御性が
良好であり、また、インライン自動化も容易であるか
ら、フォトレジスト層のベーキングを簡単な工程により
自動的にかつ大量にしかも正確に行うことができる。し
かし、本発明者らの実験結果によれば、この方法により
ポストベークを行った場合には、ウエハーが急激に加熱
されるために、コンベクション・オーブンと同一温度で
ベークを行った場合においても、フォトレジスト層のだ
れなどの形状変化が生じ易いことが判明した。したがっ
て、フォトレジスト層のポストベーク温度を十分に高く
することができないから、フォトレジスト層の耐熱性を
高くすることができず、このために、このフォトレジス
ト層をマスクとして、例えば、SiO2をドライエッチング
するような場合に、エッチング時に発生する熱によりフ
ォトレジスト層が変形してしまうという欠点があった。
ホットプレート・オーブンが用いられている。このホッ
トプレート・オーブンにおいては、所定の温度に加熱し
た金属板、すなわちホットプレートの上にウエハーを置
いてフォトレジスト層のポストベークを行うようにして
いる。この方法によれば、スループットや温度制御性が
良好であり、また、インライン自動化も容易であるか
ら、フォトレジスト層のベーキングを簡単な工程により
自動的にかつ大量にしかも正確に行うことができる。し
かし、本発明者らの実験結果によれば、この方法により
ポストベークを行った場合には、ウエハーが急激に加熱
されるために、コンベクション・オーブンと同一温度で
ベークを行った場合においても、フォトレジスト層のだ
れなどの形状変化が生じ易いことが判明した。したがっ
て、フォトレジスト層のポストベーク温度を十分に高く
することができないから、フォトレジスト層の耐熱性を
高くすることができず、このために、このフォトレジス
ト層をマスクとして、例えば、SiO2をドライエッチング
するような場合に、エッチング時に発生する熱によりフ
ォトレジスト層が変形してしまうという欠点があった。
本発明は、上述の問題にかんがみ、従来のフォトレジ
スト層のベーキング方法が有する上述のような欠点を是
正したフォトレジストパターンの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
スト層のベーキング方法が有する上述のような欠点を是
正したフォトレジストパターンの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明は、冒頭に述べたフォトレジストパターンの形
成方法において、フォトレジスト層のベーキングを複数
のホットプレート上において段階的にベーク温度が高く
なるように順次加熱することにより行うために、上記基
板をこれら複数のホットプレート上に順次移送し、この
際、上記複数のホットプレート上におけるいずれのホッ
トプレートにおいても、上記フォトレジスト層を構成し
ているフォトレジスト材料中の感光剤の分解温度以上で
上記フォトレジスト材料の耐熱温度以下のベーク温度で
加熱するようにしたものである。
成方法において、フォトレジスト層のベーキングを複数
のホットプレート上において段階的にベーク温度が高く
なるように順次加熱することにより行うために、上記基
板をこれら複数のホットプレート上に順次移送し、この
際、上記複数のホットプレート上におけるいずれのホッ
トプレートにおいても、上記フォトレジスト層を構成し
ているフォトレジスト材料中の感光剤の分解温度以上で
上記フォトレジスト材料の耐熱温度以下のベーク温度で
加熱するようにしたものである。
以下、本発明に係るフォトレジストパターンの形成方
法の一実施例を図面に基づいて説明する。
法の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、本実施例によるフォトレジストパターンの形成
方法を実施するために用いるホットプレート・オーブン
につき説明する。
方法を実施するために用いるホットプレート・オーブン
につき説明する。
図面に示すように、本実施例で用いるホットプレート
・オーブンは、ホットプレートからそれぞれ成り互いに
独立して温度を変え得るようになっている４つのステー
ジ１〜４およびウエハー５を搬送するための、いわゆる
ウォーキングビーム6,7を有している。そして、このホ
ットプレート・オーブンにおいては、まず、ウォーキン
グビーム6,7によりステージ１に搬送されたウエハー５
をこのステージ１で所定時間ベークした後に、このウエ
ハー５をウォーキングビーム6,7によりステージ２に搬
送し、次いで、ウエハー５をこのステージ２で所定時間
ベークするようになっている。そして、この操作をステ
ージ４まで繰り返すことにより、４段階に分けてフォト
レジスト層のベーキングを行う。
・オーブンは、ホットプレートからそれぞれ成り互いに
独立して温度を変え得るようになっている４つのステー
ジ１〜４およびウエハー５を搬送するための、いわゆる
ウォーキングビーム6,7を有している。そして、このホ
ットプレート・オーブンにおいては、まず、ウォーキン
グビーム6,7によりステージ１に搬送されたウエハー５
をこのステージ１で所定時間ベークした後に、このウエ
ハー５をウォーキングビーム6,7によりステージ２に搬
送し、次いで、ウエハー５をこのステージ２で所定時間
ベークするようになっている。そして、この操作をステ
ージ４まで繰り返すことにより、４段階に分けてフォト
レジスト層のベーキングを行う。
次に、上述のように構成されたホットプレート・オー
ブンを用いて行う本実施例によるフォトレジストパター
ンの形成方法を説明する。
ブンを用いて行う本実施例によるフォトレジストパター
ンの形成方法を説明する。
まず、予め表面にSiO2が形成されたシリコンウエハー
５の表面に市販のポジ形フォトレジスト材料の一種であ
るONPR830（東京応化工業株式会社製）を厚さ約１μｍ
塗布してフォトレジスト層を形成し、次いで、所定の前
処理を経てこのフォトレジスト層を露光し現像すること
により、幅５μｍのラインアンドスペースパターンを形
成して試料ウエハー５を作製した。
５の表面に市販のポジ形フォトレジスト材料の一種であ
るONPR830（東京応化工業株式会社製）を厚さ約１μｍ
塗布してフォトレジスト層を形成し、次いで、所定の前
処理を経てこのフォトレジスト層を露光し現像すること
により、幅５μｍのラインアンドスペースパターンを形
成して試料ウエハー５を作製した。
なお、この試料ウエハー５に用いられたフォトレジス
ト材料であるONPR830は耐熱温度が135℃（東京応化工業
株式会社技術部技術開発課発行のポジ型フォトレジスト
シリーズ特性一覧表による）であり、また、このONPR83
0中の感光剤であるナフトキノンジアジドは後述のよう
に分解温度が約100℃である。したがって、この試料ウ
エハー５をステージ１〜４においてベーキングする場合
のベーク温度は、約100℃〜135℃の間に選定される必要
がある。
ト材料であるONPR830は耐熱温度が135℃（東京応化工業
株式会社技術部技術開発課発行のポジ型フォトレジスト
シリーズ特性一覧表による）であり、また、このONPR83
0中の感光剤であるナフトキノンジアジドは後述のよう
に分解温度が約100℃である。したがって、この試料ウ
エハー５をステージ１〜４においてベーキングする場合
のベーク温度は、約100℃〜135℃の間に選定される必要
がある。
次に、この試料ウエハー５についてポストベークを行
うために、図面のステージ1,2の温度をいずれも110℃に
設定し、ステージ3,4の温度をいずれも120℃に設定した
状態で、上述のようにして作製された試料ウエハー５を
ウォーキングビーム6,7により図面に示すようにステー
ジ１上に搬送した。そして、この状態で90秒間ウエハー
５のベークを行った。すなわち、ステージ１において11
0℃で90秒間ウエハー５のベークを行った。次に、ウォ
ーキングビーム6,7によりウエハー５をステージ１から
ステージ２に搬送し、このステージ２において110℃で9
0秒間ベークを行った。次いで、上述の場合と同様にし
てウエハー５をステージ２からステージ３に搬送し、こ
のステージ３において120℃で90秒間ベークを行った。
次に、ウエハー５をステージ３からステージ４に搬送し
た後に、ステージ４において120℃で90秒間ベークを行
ってウエハー５のポストベークを終了した。
うために、図面のステージ1,2の温度をいずれも110℃に
設定し、ステージ3,4の温度をいずれも120℃に設定した
状態で、上述のようにして作製された試料ウエハー５を
ウォーキングビーム6,7により図面に示すようにステー
ジ１上に搬送した。そして、この状態で90秒間ウエハー
５のベークを行った。すなわち、ステージ１において11
0℃で90秒間ウエハー５のベークを行った。次に、ウォ
ーキングビーム6,7によりウエハー５をステージ１から
ステージ２に搬送し、このステージ２において110℃で9
0秒間ベークを行った。次いで、上述の場合と同様にし
てウエハー５をステージ２からステージ３に搬送し、こ
のステージ３において120℃で90秒間ベークを行った。
次に、ウエハー５をステージ３からステージ４に搬送し
た後に、ステージ４において120℃で90秒間ベークを行
ってウエハー５のポストベークを終了した。
上述のようにしてポストベークを行ったウエハーと従
来のホットプレート・オーブンによるベーキング方法に
より120℃でボストベークしたウエハーとについてベー
ク後のフォトレジスト層の形状を調べた所、従来のベー
キング方法では120℃のベークによってフォトレジスト
層の形状が大きく変化したのに対し、上述の実施例によ
るベーキング方法では最高のベーク温度が120℃である
にもかかわらず、ベークによるフォトレジスト層の形状
変化は小さかった。また、上述の実施例によるベーキン
グ方法によりポストベークを行ったウエハーと従来のベ
ーキング方法により110℃で６分間（総ベーク時間は上
述の実施例と同一）ポストベークを行ったウエハーとに
ついてフォトレジスト層をマスクとしてSiO2のドライエ
ッチングを行った所、従来のベーキング方法によりポス
トベークを行ったものはフォトレジスト層の表面荒れが
著しく、場合によってはフォトレジスト層が白色化して
しまうこともあったのに対し、上述の実施例によるベー
キング方法によりポストベークを行ったものはフォトレ
ジスト層の表面荒れがほとんど観察されなかった。
来のホットプレート・オーブンによるベーキング方法に
より120℃でボストベークしたウエハーとについてベー
ク後のフォトレジスト層の形状を調べた所、従来のベー
キング方法では120℃のベークによってフォトレジスト
層の形状が大きく変化したのに対し、上述の実施例によ
るベーキング方法では最高のベーク温度が120℃である
にもかかわらず、ベークによるフォトレジスト層の形状
変化は小さかった。また、上述の実施例によるベーキン
グ方法によりポストベークを行ったウエハーと従来のベ
ーキング方法により110℃で６分間（総ベーク時間は上
述の実施例と同一）ポストベークを行ったウエハーとに
ついてフォトレジスト層をマスクとしてSiO2のドライエ
ッチングを行った所、従来のベーキング方法によりポス
トベークを行ったものはフォトレジスト層の表面荒れが
著しく、場合によってはフォトレジスト層が白色化して
しまうこともあったのに対し、上述の実施例によるベー
キング方法によりポストベークを行ったものはフォトレ
ジスト層の表面荒れがほとんど観察されなかった。
これらの実験結果によって、上述の実施例によるベー
キングによりフォトレジスト層の耐熱性が向上したこと
がわかるが、このようにフォトレジスト層の耐熱性が向
上する理由は次のように説明することができる。すなわ
ち、上述のONPR830などのポジ形フォトレジスト材料は
ナフトキノンジアジド（感光剤）とフェノール樹脂その
他で構成されているために、ステージ1,2における110℃
でのベークにより次の（Ａ）式で示されるようにナフト
キノンジアジド（分解温度は約100℃）がケテンに熱分
解し、さらに、このケテンが次の（Ｂ）式で示されるよ
うにフェノール樹脂に付加する。さらに、ステージ3,4
における120℃でのベークにより上述の付加反応が進ん
で分子量が増大し、この結果、フォトレジスト層が高い
耐熱性を示すようになると考えられる。なお、次の
（Ｃ）式で示されるように、ナフトキノンジアジドがフ
ェノール樹脂に直接付加することも考えられる。
キングによりフォトレジスト層の耐熱性が向上したこと
がわかるが、このようにフォトレジスト層の耐熱性が向
上する理由は次のように説明することができる。すなわ
ち、上述のONPR830などのポジ形フォトレジスト材料は
ナフトキノンジアジド（感光剤）とフェノール樹脂その
他で構成されているために、ステージ1,2における110℃
でのベークにより次の（Ａ）式で示されるようにナフト
キノンジアジド（分解温度は約100℃）がケテンに熱分
解し、さらに、このケテンが次の（Ｂ）式で示されるよ
うにフェノール樹脂に付加する。さらに、ステージ3,4
における120℃でのベークにより上述の付加反応が進ん
で分子量が増大し、この結果、フォトレジスト層が高い
耐熱性を示すようになると考えられる。なお、次の
（Ｃ）式で示されるように、ナフトキノンジアジドがフ
ェノール樹脂に直接付加することも考えられる。
また、上述の実施例によるベーキング方法においては
ステージ3,4で120℃のベークを行っても、既述のように
フォトレジスト層の変形が小さいが、これは、ステージ
1,2における110℃でのベークによって上述の（Ａ）式お
よび（Ｂ）式または（Ｃ）式で示される付加反応が進む
から、分子量が大きくなってある程度耐熱性が向上した
後にステージ3,4における120℃でのベークを行っている
ためであると考えられる。
ステージ3,4で120℃のベークを行っても、既述のように
フォトレジスト層の変形が小さいが、これは、ステージ
1,2における110℃でのベークによって上述の（Ａ）式お
よび（Ｂ）式または（Ｃ）式で示される付加反応が進む
から、分子量が大きくなってある程度耐熱性が向上した
後にステージ3,4における120℃でのベークを行っている
ためであると考えられる。
このように、上述の実施例によれば、まず、ステージ
1,2で110℃でのベークを行い、次いで、ステージ3,4で1
20℃でのベークを行っているから、フォトレジスト層の
形状変化をあまり生じさせることなくフォトレジスト層
の耐熱性を向上させることができ、したがって、このフ
ォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行う
ときに、フォトレジスト層の表面荒れが生ずるのを防止
することが可能である。
1,2で110℃でのベークを行い、次いで、ステージ3,4で1
20℃でのベークを行っているから、フォトレジスト層の
形状変化をあまり生じさせることなくフォトレジスト層
の耐熱性を向上させることができ、したがって、このフ
ォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行う
ときに、フォトレジスト層の表面荒れが生ずるのを防止
することが可能である。
以上、本発明を一実施例につき説明したが、本発明は
上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術
的思想に基づく種々の変形が可能である。例えば、上述
の実施例においては、ステージ1,2における110℃でのベ
ークとステージ3,4における120℃でのベークとの２段階
に分けてベークを行っているが、必要に応じてこれらの
温度とは異なる温度でベークすることも可能であること
は勿論、３段階以上に分けてベークを行うことも可能で
ある。例えば、ステージ１〜４の各温度が順次高くなる
ように温度設定をすることにより、４段階に分けてフォ
トレジスト層のベークを行うことができる。なお、ベー
クの最低温度と最高温度との差は５℃以上であるのが好
ましい。
上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術
的思想に基づく種々の変形が可能である。例えば、上述
の実施例においては、ステージ1,2における110℃でのベ
ークとステージ3,4における120℃でのベークとの２段階
に分けてベークを行っているが、必要に応じてこれらの
温度とは異なる温度でベークすることも可能であること
は勿論、３段階以上に分けてベークを行うことも可能で
ある。例えば、ステージ１〜４の各温度が順次高くなる
ように温度設定をすることにより、４段階に分けてフォ
トレジスト層のベークを行うことができる。なお、ベー
クの最低温度と最高温度との差は５℃以上であるのが好
ましい。
また、上述の実施例においては、フォトレジスト材料
としてONPR830を用いた場合につき説明したが、他の種
類のポジ形フォトレジスト材料、例えばOFPR800（東京
応化工業株式会社製）、HPR1182（フジハント製）も本
発明に適用し得るのは勿論である。この場合、上述のOF
PR800は耐熱温度が135℃（東京応化工業株式会社技術部
技術開発課発行のポジ型フォトレジストシリーズ特性一
覧表による）であるので、例えば、まず120℃でベーク
を行い、次いで、130℃でベークを行うことができる。
また、HPR1182は耐熱温度がこれよりも20℃程度低いの
で、例えば、まず100℃でベークを行い、次いで、110℃
でベークを行うことができる。
としてONPR830を用いた場合につき説明したが、他の種
類のポジ形フォトレジスト材料、例えばOFPR800（東京
応化工業株式会社製）、HPR1182（フジハント製）も本
発明に適用し得るのは勿論である。この場合、上述のOF
PR800は耐熱温度が135℃（東京応化工業株式会社技術部
技術開発課発行のポジ型フォトレジストシリーズ特性一
覧表による）であるので、例えば、まず120℃でベーク
を行い、次いで、130℃でベークを行うことができる。
また、HPR1182は耐熱温度がこれよりも20℃程度低いの
で、例えば、まず100℃でベークを行い、次いで、110℃
でベークを行うことができる。
本発明に係るフォトレジストパターンの形成方法によ
れば、段階的にベーク温度が高くなるようにしてフォト
レジスト層のベーキングを行い、この際、上記ベーク温
度がフォトレジスト層を構成しているフォトレジスト材
料中の感光剤の分解温度以上でこのフォトレジスト材料
の耐熱温度以下となるようにしたから、フォトレジスト
層を変形させることなく耐熱性を効果的に向上させるこ
とができる。
れば、段階的にベーク温度が高くなるようにしてフォト
レジスト層のベーキングを行い、この際、上記ベーク温
度がフォトレジスト層を構成しているフォトレジスト材
料中の感光剤の分解温度以上でこのフォトレジスト材料
の耐熱温度以下となるようにしたから、フォトレジスト
層を変形させることなく耐熱性を効果的に向上させるこ
とができる。
また、段階的にベーク温度が高くなるようにしてフォ
トレジスト層のベーキングを行うために、フォトレジス
ト層が形成されている基板を複数のホットプレート上に
順次移送するようにしたから、段階的にベーク温度が高
くなるフォトレジスト層のベーキングを簡単な工程によ
り自動的にかつ大量にしかも正確に行うことができる。
トレジスト層のベーキングを行うために、フォトレジス
ト層が形成されている基板を複数のホットプレート上に
順次移送するようにしたから、段階的にベーク温度が高
くなるフォトレジスト層のベーキングを簡単な工程によ
り自動的にかつ大量にしかも正確に行うことができる。
図面は、本発明の一実施例によるフォトレジストパター
ンの形成方法を実施するために用いるホットプレート・
オーブンの要部を示す平面図である。 なお、図面に用いた符号において、 １〜４……ステージ ５……ウエハー 6,7……ウォーキングビーム である。
ンの形成方法を実施するために用いるホットプレート・
オーブンの要部を示す平面図である。 なお、図面に用いた符号において、 １〜４……ステージ ５……ウエハー 6,7……ウォーキングビーム である。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にフォトレジスト層を形成した後
に、フォトレジスト層を露光し現像してからベーキング
を行うことによって、フォトレジストパターンを形成す
るようにしたフォトレジストパターンの形成方法におい
て、 前記フォトレジスト層の前記ベーキングを複数のホット
プレート上において段階的にベーク温度が高くなるよう
に順次加熱することにより行うために、前記基板をこれ
ら複数のホットプレート上に順次移送し、 この際、前記複数のホットプレート上におけるいずれの
ホットプレートにおいても、前記フォトレジスト層を構
成しているフォトレジスト材料中の感光剤の分解温度以
上で前記フォトレジスト材料の耐熱温度以下のベーク温
度で加熱するようにしたフォトレジストパターンの形成
方法。 - 【請求項２】段階的にベーク温度を高くして行う前記ベ
ーキングの最高温度をその最低温度よりも５℃以上高く
するようにした特許請求の範囲第１項に記載のフォトレ
ジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042461A JP2517707B2 (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042461A JP2517707B2 (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201426A JPS61201426A (ja) | 1986-09-06 |
| JP2517707B2 true JP2517707B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=12636709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60042461A Expired - Lifetime JP2517707B2 (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2517707B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5151871A (en) * | 1989-06-16 | 1992-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same |
| JP2000056474A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
| JP3910791B2 (ja) | 2000-09-19 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置 |
| JP4762743B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5361405A (en) * | 1976-11-15 | 1978-06-01 | Hitachi Ltd | Method of preventing adhesion of photoresist material |
| US4087569A (en) * | 1976-12-20 | 1978-05-02 | International Business Machines Corporation | Prebaking treatment for resist mask composition and mask making process using same |
| JPS54158173A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-13 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
| JPS5742126A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-09 | Nec Kyushu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US4409319A (en) * | 1981-07-15 | 1983-10-11 | International Business Machines Corporation | Electron beam exposed positive resist mask process |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP60042461A patent/JP2517707B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61201426A (ja) | 1986-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2701765B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2517707B2 (ja) | フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS63184330A (ja) | フオトレジストのベ−ク装置 | |
| JP2001307993A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP2000156377A (ja) | レジストパターン及びその形成方法並びに配線パターンの形成方法 | |
| JPH1083087A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS61271834A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH01105533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP4121770B2 (ja) | フォトマスク製造用べーキング装置 | |
| JP4328516B2 (ja) | レジストパターンの形成方法及び加熱処理装置 | |
| JPH01137634A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58100424A (ja) | リソグラフイ用↑¬合せマ−クの形成方法 | |
| JPS62113141A (ja) | フオトリソグラフイ法 | |
| JPS6231122A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2713061B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2000182940A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH07263314A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0689856A (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| JPH03101218A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0240914A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS63221618A (ja) | レジスト加熱装置 | |
| JPS6120331A (ja) | レジストベ−ク装置 | |
| JPH07193355A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
| JPS6265425A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |