JP2005150696A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、被処理体の昇温(加熱)工程、冷却(冷却温調)工程における温度を管理し、被処理体の面内温度分布の均一化を図ることによって、製品歩留まりを向上させることができる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。
【解決手段】 ウエハWが、少なくとも、所定温度に加熱された載置台22に載置された状態と、載置台22から離れ、所定温度の被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態と、載置台22に載置される共に被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態におかれる。
【選択図】 図2
【解決手段】 ウエハWが、少なくとも、所定温度に加熱された載置台22に載置された状態と、載置台22から離れ、所定温度の被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態と、載置台22に載置される共に被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態におかれる。
【選択図】 図2
Description
この発明は、被処理体を加熱する前、所定温度に被処理体を温度調整する、あるいは(及び)被処理体を加熱した後、所定温度に被処理体を温度調整する熱処理装置及び熱処理方法に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造工程において、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)等の被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理している。
このフォトリソグラフィー工程において、まず、未処理のウエハ上のゴミ及び汚れを除去するためにウエハ表面を洗浄し、その後加熱乾燥処理を行う。そして、冷却後直ちに、ウエハをレジスト塗布装置に搬送して、例えばスピンコート法によりウエハ表面にレジスト膜を塗布形成する。
その後、ウエハは加熱装置に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるために所定時間、所定温度(80℃前後)でプリベーク処理が施される。その後、例えば室温(23℃)まで冷却され、露光装置に搬送されて露光処理が行われる。
その後、ウエハは加熱装置に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるために所定時間、所定温度(80℃前後)でプリベーク処理が施される。その後、例えば室温(23℃)まで冷却され、露光装置に搬送されて露光処理が行われる。
露光処理後のウエハは、加熱装置に搬送され、所定時間、所定温度でベーク処理(現像前ベーク処理)が施される。このベーク処理が終了したウエハは、現像装置に搬送され、ここで現像処理が施された後、再び加熱装置に搬送され、所定時間、所定温度(50〜180℃)でポストベーク処理(現像後ベーク処理)が施されて、現像後のフォトレジストに残留する現像液等を加熱蒸発させる。その後、ウエハは、冷却装置に搬送され、室温(23℃)まで冷却すなわち温度調整された後、次の工程へ搬送される。
上記したように、例えば、露光処理後のウエハは、加熱装置に搬送され、所定時間、所定温度でベーク処理(現像前ベーク処理)が施されるが、熱処理を利用する化学増幅型レジストにあっては、面内温度が不均一なると、増幅反応の進み具合がウエハ表面において不均一となり、パターン形成された線幅等に悪影響を及ぼすという問題が生じる。同様に、加熱後の冷却を迅速に行なわないと、増幅反応が進みウエハ表面にパターン形成された線幅等に悪影響を及ぼすという問題が生じる。更に、上記ベーク処理を行った後、冷却処理までの時間が一定でないと、ウエハ毎に線幅が変動するという問題も生じる。
このように、レジスト塗布の前後、現像処理の前後において行われる熱処理工程は、重要な工程であり、ウエハにかかる熱履歴を厳密に管理する必要がある。
このように、レジスト塗布の前後、現像処理の前後において行われる熱処理工程は、重要な工程であり、ウエハにかかる熱履歴を厳密に管理する必要がある。
前記した問題を解決すべく、既に、本願出願人は特許文献1に示された熱処理装置を提案している。この熱処理装置の概略断面図を図8に示すと共に、この図に基づいて説明する。この熱処理装置100は、加熱処理された後のウエハWを受け取ると共に、所定の温度例えば室温(23℃程度)まで冷却(冷却温調)する冷却温度調整手段としての冷却温度調整体102を具備している点に特徴がある。
この熱処理装置100にあっては、ウエハWを載置して所定温度に加熱する加熱手段としての発熱体101(ヒータ)を埋設して有する載置台103が設けられている。そして、この載置台103の外周側には、載置台103の周辺部を包囲すべく円筒状のシャッタ104が昇降シリンダ105によって上下移動可能に配設されており、また、載置台103の上方にはカバー106が配設されている。
前記シャッタ106が昇降シリンダ105の駆動によって上昇した際、カバー106と共に処理室(チャンバ)を形成し、シャッタ106が下降することにより、シャッタ104上端部とカバー106下側部との隙間を通して、冷却温度調整体102が位置する待機部以外の箇所から載置台103上へのウエハWの搬入及び搬出が可能に構成されている。
また、載置台103の下方には、ウエハWを支持して載置台103上及び載置台103の上方位置に移動する支持部材としての3本の支持ピン107が昇降板108上に設けられている。これら支持ピン107は、昇降板108に連結するボールねじ機構からなる昇降機構109の駆動によって載置台103に設けられた貫通孔103aを介して載置台103の上方に出没移動し得るように構成されている。
一方、冷却温度調整体102は、支持ピン107によって載置台103の上方位置に移動されたウエハWの上下面を覆うサンドイッチ形に配置された上部冷却片110及び下部冷却片111を備えている。
この上部冷却片110又は下部冷却片111又は両者には冷媒としてのペルチェ素子が埋設され、図示しない電源からの通電によって上部冷却片110の下面側及び下部冷却片111の上面側が吸熱されて温度が低下し、ウエハWを所定の温度例えば室温(23℃程度)に冷却し得るように構成されている。
この上部冷却片110又は下部冷却片111又は両者には冷媒としてのペルチェ素子が埋設され、図示しない電源からの通電によって上部冷却片110の下面側及び下部冷却片111の上面側が吸熱されて温度が低下し、ウエハWを所定の温度例えば室温(23℃程度)に冷却し得るように構成されている。
また前記冷却温度調整体102には、ロッド112を介して水平移動用の空気シリンダ113に連結されており、この空気シリンダ113の駆動によって冷却温度調整体102が載置台103の上方位置のウエハWに向かって進退移動し得るように構成されている。
次に、この従来の熱処理装置を用いた熱処理方法について説明する。
まず、載置台103に埋設されたヒータ101を発熱させ又は予め発熱させておき、図示しない搬送手段にて載置台103にウエハWを載置する。
そして、図9(a)に示すように、載置台103上にウエハWを載置した状態で、所定時間、所定温度(50〜180℃)の下でウエハWに加熱処理を施す(加熱工程)。尚、このとき隙間114から処理室内に流入する空気が排気口106aから排気される。
まず、載置台103に埋設されたヒータ101を発熱させ又は予め発熱させておき、図示しない搬送手段にて載置台103にウエハWを載置する。
そして、図9(a)に示すように、載置台103上にウエハWを載置した状態で、所定時間、所定温度(50〜180℃)の下でウエハWに加熱処理を施す(加熱工程)。尚、このとき隙間114から処理室内に流入する空気が排気口106aから排気される。
そして所定の加熱工程が終了すると、図9(b)に示すように、支持ピン107を上昇してウエハWを載置台103の上方位置へ移動(離間)する(移動工程)。このとき、シャッタ104を下降させて載置台103の上部側方を開放させる。
その後、図9(c)に示すように、待機していた冷却温度調整体102を支持ピン107にて支持されているウエハWの方向に向かって移動して、上部冷却片110と下部冷却片111との間にウエハWを位置させて(受け取って)ウエハWの上下面を覆い、ペルチェ素子に通電し又は予め通電しておき、所定時間、所定温度(室温:23℃)になるまでウエハWを冷却処理する(冷却温調工程)。
その後、図9(c)に示すように、待機していた冷却温度調整体102を支持ピン107にて支持されているウエハWの方向に向かって移動して、上部冷却片110と下部冷却片111との間にウエハWを位置させて(受け取って)ウエハWの上下面を覆い、ペルチェ素子に通電し又は予め通電しておき、所定時間、所定温度(室温:23℃)になるまでウエハWを冷却処理する(冷却温調工程)。
そして、ウエハWの冷却温調すなわち熱処理が終了した後、支持ピン107にて支持されているウエハWの下方に、図示しない搬送手段を挿入して、ウエハWを次の処理工程へ搬送する。
ところで、前記加熱装置を用いて、ウエハの温度と加熱時間(処理時間)の関係、及び面内温度分布の変動範囲を求めた。その結果を図10に示す。尚、室温(ウエハ温度)は23℃とし、載置台の温度を125℃とし、ウエハ温度の変化を丸印で示す。また、ウエハ表面における最高温度と最低温度の差、いわゆる変動温度範囲を実線で示す。
この図10から明らかなように、室温23℃に置かれたウエハは、載置板上に置かれると徐々に温度が上昇し(A領域)、そして、125℃に達する(B領域)。その後、125℃の温度が維持され(C領域)、ウエハが載置台から上昇すると温度が低下し始め(D領域)、冷却温度調整体にウエハが載置されると急激に温度が低下し、常温まで温度が低下する(E領域)。
この図10から明らかなように、室温23℃に置かれたウエハは、載置板上に置かれると徐々に温度が上昇し(A領域)、そして、125℃に達する(B領域)。その後、125℃の温度が維持され(C領域)、ウエハが載置台から上昇すると温度が低下し始め(D領域)、冷却温度調整体にウエハが載置されると急激に温度が低下し、常温まで温度が低下する(E領域)。
一方、ウエハの面内温度分布の変動範囲を見ると、A領域にあっては5℃程度のバラツキがあり、温度の上昇と共に徐々に低下する。そして、C領域において面内温度は均一になるが、D,E工程において20℃を超えるバラツキがあることが認められた。
このように、常温から定常温度に移行する工程(A、B領域)、及び定常温度から常温に移行する工程(C、D領域)において、面内温度分布が不均一となることは、化学増幅反応を行う処理時間が面内において異なることを意味する。
したがって、冷却温度調整体を用いた熱処理装置にあっても、依然として、面内温度分布が不均一となることに起因する、ウエハ表面にパターン形成された線幅等への悪影響をうける虞があった。
このように、常温から定常温度に移行する工程(A、B領域)、及び定常温度から常温に移行する工程(C、D領域)において、面内温度分布が不均一となることは、化学増幅反応を行う処理時間が面内において異なることを意味する。
したがって、冷却温度調整体を用いた熱処理装置にあっても、依然として、面内温度分布が不均一となることに起因する、ウエハ表面にパターン形成された線幅等への悪影響をうける虞があった。
本願発明者は、この問題について鋭意研究した結果、A、B領域にあっては温度制御(温度管理)なされていない点、またD、E領域にあっては熱処理装置のシャッタを開放すると外気が流入し、ウエハの面内温度分布が不均一になること究明し、本発明を完成するに至った。
本発明は、被処理体の昇温(加熱)工程、冷却(冷却温調)工程における温度を管理し、被処理体の面内温度分布の均一化を図ることによって、製品歩留まりを向上させることができる熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する、固定された載置台と、前記載置台の上方に相対向して配置された上下方向に移動可能に構成された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から載置あるいは離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備え、前記被処理体が、少なくとも、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれることを特徴としている。
また、本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する、上下方向に移動可能に形成された載置台と、前記載置台の上方に配置された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備え、前記被処理体が、少なくとも、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれることを特徴としている。
更に、また、本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する、上下方向に移動可能に形成された載置台と、前記載置台の上方に相対向して配置された上下方向に移動可能に構成された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備え、前記被処理体が、少なくとも、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれることを特徴としている。
このように、上記したいずれの発明においても、被処理体は、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれる。
したがって、従来の場合のような、載置台から離れ、しかも冷却温度調整体に搭載されてない状態(温度制御がなされていない状態)を排除でき、被処理体の熱履歴を厳密に管理することができる。その結果、冷却工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
また、加熱工程(昇温工程)においても、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態で、被処理体を予備加熱でき、その状態を維持しつつ、載置台に被処理体を載置できる。その結果、加熱工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
したがって、例えば露光後のベーク処理等にこの熱処理装置を用いることにより、被処理体の表面に良好なパターン(線幅等)を形成することができる。
したがって、従来の場合のような、載置台から離れ、しかも冷却温度調整体に搭載されてない状態(温度制御がなされていない状態)を排除でき、被処理体の熱履歴を厳密に管理することができる。その結果、冷却工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
また、加熱工程(昇温工程)においても、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態で、被処理体を予備加熱でき、その状態を維持しつつ、載置台に被処理体を載置できる。その結果、加熱工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
したがって、例えば露光後のベーク処理等にこの熱処理装置を用いることにより、被処理体の表面に良好なパターン(線幅等)を形成することができる。
ここで、前記被処理体温度制御手段は、前記被処理体の温度を降下させる冷却板であることが望ましい。また、前記被処理体温度制御手段は、前記被処理体の温度を昇温させる熱板であることが望ましい。更に、前記前記被処理体温度制御手段が、気体の流通が可能な多孔質体で構成されていても良い。また、前記前記被処理体温度制御手段が、チャンバを構成する蓋体であっても良い。
また、本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、前記載置台の上方に配置された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間あるいは載置すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備えた熱処理装置の熱処理方法において、載置台の発熱体によって被処理体を加熱する加熱工程と、前記加熱工程後、載置台に載置された被処理体と被処理体温度制御手段とを近接あるいは接触させる工程と、前記工程後、前記被処理体と載置台とを離間させる工程とを含むことを特徴としている。
このように、前記加熱工程後、載置台に載置された被処理体と被処理体温度制御手段を近接あるいは接触させる工程を設け、前記工程後、前記被処理体と載置台とを離間させるようになしているため、従来の場合のような、載置台から離れ、しかも冷却温度調整体に搭載されたてない状態(温度制御がなされていない状態)を排除でき、被処理体の熱履歴を厳密に管理することができる。
その結果、被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。したがって、例えば、露光後のベーク処理等にこの熱処理装置を用いることにより、被処理体の表面に良好なパターン(線幅等)を形成することができる。
その結果、被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。したがって、例えば、露光後のベーク処理等にこの熱処理装置を用いることにより、被処理体の表面に良好なパターン(線幅等)を形成することができる。
また、本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、前記載置台の上方に配置された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間あるいは載置すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備えた熱処理装置の熱処理方法において、前記載置台と被処理体温度制御手段の略中間位置において、被処理体を支持部材上に載置する工程と、前記支持部材によって、被処理体を被処理体温度制御手段に近接あるいは接触させて、被処理体を加熱する予備加熱工程と、前記予備加熱工程の後、被処理体を載置台に載置し、載置台の発熱体によって被処理体を加熱する加熱工程とを含むことを特徴としている。
このように、被処理体を被処理体温度制御手段に近接あるいは接触させて、被処理体を加熱する予備加熱工程を設け、前記予備加熱工程の後、被処理体を載置台に載置し、載置台の発熱体によって被処理体を加熱するようになしているため、被処理体の昇温工程(加熱工程)において被処理体の熱履歴を厳密に管理することができる。その結果、被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
ここで、前記加熱工程後、載置台に載置された被処理体と被処理体温度制御手段とを近接あるいは接触させる工程と、前記工程後、前記被処理体と載置台とを離間させる工程とを含むことが望ましい。
被処理体の昇温工程(加熱工程)、冷却工程(冷却温調工程)における温度管理し、被処理体の面内温度分布の均一化を図ることによって、製品歩留まりを向上させることができる。
以下にこの発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る熱処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込んだ場合について説明する。
上記半導体ウエハの塗布・現像処理システム1は、図1に示すように、その一端側に被処理体として例えば多数枚の半導体ウエハW(以下にウエハという)を収容する複数のカセット2を例えば4個載置可能に構成したカセットブロック3を有し、このカセットブロック3の中央部にはウエハWの搬入・搬出及びウエハWの位置決めを行う補助アーム4が設けられている。
また、塗布・現像処理システム1のカセットブロック3側の側方にはプロセスブロック6が配置されている。
更に、その中央部にて、その垂直方向に移動可能に設けられると共に、補助アーム4からウエハWを受け渡される搬送手段としてのメインアーム5が設けられている。このメインアーム5は、図1に示すように、ウエハWの周辺部を保持するように略馬蹄状に形成されている。
上記半導体ウエハの塗布・現像処理システム1は、図1に示すように、その一端側に被処理体として例えば多数枚の半導体ウエハW(以下にウエハという)を収容する複数のカセット2を例えば4個載置可能に構成したカセットブロック3を有し、このカセットブロック3の中央部にはウエハWの搬入・搬出及びウエハWの位置決めを行う補助アーム4が設けられている。
また、塗布・現像処理システム1のカセットブロック3側の側方にはプロセスブロック6が配置されている。
更に、その中央部にて、その垂直方向に移動可能に設けられると共に、補助アーム4からウエハWを受け渡される搬送手段としてのメインアーム5が設けられている。このメインアーム5は、図1に示すように、ウエハWの周辺部を保持するように略馬蹄状に形成されている。
なお、メインアーム5の周囲には、略円周状に各種処理機構が配置されている。具体的には、これら処理機構として、例えばフォトレジストを塗布処理するレジスト塗布機構7と、露光されたウエハWのフォトレジストを現像処理する現像機構8とが前方に積み重ねられている。また、メインアーム5の側方および後方には、処理装置群9が配置されている。
処理装置群9では、ウエハWを冷却処理するクーリング装置(図示せず)、フォトレジスト液とウエハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置(図示せず)、ウエハWを待機させるエクステンション装置(図示せず)、フォトレジスト膜中に残存している溶剤揮発のための加熱処理、露光後の加熱処理、現像後の加熱処理等を目的として熱処理装置10等が下から順に、例えば8段に積み重ねられている。
なお、プロセスブロック6の側方には、インターフェースブロック11を介して、フォトレジスト膜に所定の微細パターンを露光する露光装置12等が設けられている。
次に、熱処理装置の一実施形態について、図2に基づいて詳細に説明する。尚、図2は、この発明に係る熱処理装置10の概略断面図である。
前記熱処理装置10は、被処理体であるウエハWを載置して所定温度に加熱する発熱体21(ヒータ)を埋設して有する、固定された載置台22と、前記載置台22の上方に相対向して配置された上下方向に移動可能に構成され、載置台22に近接した第一の位置と載置台22から遠ざかった第二の位置を取る被処理体温度制御手段23と、ウエハWを載置台22から載置あるいは離間すべく載置台22に対して相対移動する支持ピン24とを備えている。
前記熱処理装置10は、被処理体であるウエハWを載置して所定温度に加熱する発熱体21(ヒータ)を埋設して有する、固定された載置台22と、前記載置台22の上方に相対向して配置された上下方向に移動可能に構成され、載置台22に近接した第一の位置と載置台22から遠ざかった第二の位置を取る被処理体温度制御手段23と、ウエハWを載置台22から載置あるいは離間すべく載置台22に対して相対移動する支持ピン24とを備えている。
上記載置台22は保持部材25にて保持され、その外周側には、載置台22の周辺部を包囲すべく円筒状のシャッタ26が昇降シリンダ27によって上下移動可能に配設されている。また、載置台22の上方には、前記シャッタ26が閉じた際、チャンバを構成する蓋体であるカバー28が設けられ、その中央に、図示しない排気装置に接続する排気口28aが配設されている。
前記カバー28の下面には、前記した被処理体温度制御手段23が取り付けられている。この被処理体温度制御手段23は、カバー28に設けられた昇降シリンダ29によって、カバー28と共に上下方向に移動可能に構成され、載置台22に近接した第一の位置と載置台22から遠ざかった第二の位置をとるように構成されている。
また、前記被処理体温度制御手段23には管状の流路が形成され、所定温度に維持された恒温水が循環することによって、前記被処理体温度制御手段23が所定温度を維持できるように構成されている。なお、恒温水の代わりに、ガス等を循環させて被処理体温度制御手段23を所定の温度に維持しても良い。
また、前記シャッタ26の下端部には内向きフランジ26aが設けられており、昇降シリンダ27の駆動によってシャッタ26が上昇した際、内向きフランジ26aが載置台保持部材25の下面に装着されたシールパッキング30に密接した状態でシャッタ26が載置台25を包囲してカバー28と共に処理室(チャンバ)31を形成する。
一方、シャッタ26が下降することにより、ウエハWを、メインアーム5によって取り出し可能にしている。
一方、シャッタ26が下降することにより、ウエハWを、メインアーム5によって取り出し可能にしている。
なお、処理室31を形成する際、シャッタ26の上端とカバー28との間には約1mm程度の隙間32が設けられ、この隙間32から処理室内に流入する空気が排気口28aから排気されるようになっている。このように、ウエハWの上方の周囲から処理室31内に流入される空気を上方の排気口28aから排出することにより、流入した空気が直接ウエハWに触れることを防止できるため、ウエハWの加熱処理の加熱温度を均一にすることができ、ウエハWの加熱処理を均一にすることができる。
また、載置台22の下方には、ウエハWを支持して載置台22上及び載置台22の上方位置に移動、すなわちウエハWを、ヒータ21が埋設された載置台22上に離間すべく載置台22に対して相対移動する支持部材としての3本の支持ピン24が昇降板33上に同心円状に起立して設けられている。
これら支持ピン24は、例えばセラミックス,フッ素樹脂あるいは合成ゴム等の断熱性部材にて形成されており、昇降板33に連結するボールねじ機構からなる昇降機構34の駆動によって載置台22に設けられた貫通孔22aを介して載置台22の上方に出没移動し得るように構成されている。
これら支持ピン24は、例えばセラミックス,フッ素樹脂あるいは合成ゴム等の断熱性部材にて形成されており、昇降板33に連結するボールねじ機構からなる昇降機構34の駆動によって載置台22に設けられた貫通孔22aを介して載置台22の上方に出没移動し得るように構成されている。
更に、熱処理装置10の第二の実施形態について、図3乃至図5に基づいて説明する。なお、図3は概略断面図、図4は被処理体温度制御手段の平面図、図5は要部断面図である。また、図2に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一符号を付することにより、その詳細な説明は省略する。
この熱処理装置10にあっては、カバー28の上部中央部に設けられた気体導入装置(図示せず)に接続する気体導入口28bと、導入された気体を分散させる分散プレート35と、この分散プレート35の下方に設けられた被処理体温度制御手段23とを備えている点に特徴がある。
この熱処理装置10にあっては、カバー28の上部中央部に設けられた気体導入装置(図示せず)に接続する気体導入口28bと、導入された気体を分散させる分散プレート35と、この分散プレート35の下方に設けられた被処理体温度制御手段23とを備えている点に特徴がある。
また、この第二の実施形態にあっては、第一の実施形態におけるシャッタ26は設けられていない。そのため、カバー28がシリンダ29によって上下動可能に構成され、カバー28が下降し、カバー28の下端に設けられているO(オー)リングが保持部材25に密着することにより、処理室が形成されるように構成されている。なお、図中の符号28は、気体排出口である。
前記被処理体温度制御手段23は、その中央部に上下に貫通した孔23fと、同様に上下に貫通しかつ放射方向に延在する複数のスリット23cと、放射方向に延在する複数のヒートパイプ23bとを有している。
また、被処理体温度制御手段23の周縁部上部外側には、カバーに覆われた加熱手段としてのヒータ23eが配設されている。また、同様にカバー28に覆われた温度センサ23dが配設され、この温度センサ23dの検出に基づいて、図示しないコントローラにより、前記ヒータ23eの温度制御がなされるように構成されている。
このように、この熱処理装置にあっても、被処理体温度制御手段23を所定の温度に維持することができる。
尚、この被処理体温度制御手段23には、前記したスリット23cが形成されているため、導入された気体を均一に分散させる機能を併せ持つものである。また、この実施形態にあっては、ヒータ23eを用いる代わりに恒温水を用いても良い。
また、被処理体温度制御手段23の周縁部上部外側には、カバーに覆われた加熱手段としてのヒータ23eが配設されている。また、同様にカバー28に覆われた温度センサ23dが配設され、この温度センサ23dの検出に基づいて、図示しないコントローラにより、前記ヒータ23eの温度制御がなされるように構成されている。
このように、この熱処理装置にあっても、被処理体温度制御手段23を所定の温度に維持することができる。
尚、この被処理体温度制御手段23には、前記したスリット23cが形成されているため、導入された気体を均一に分散させる機能を併せ持つものである。また、この実施形態にあっては、ヒータ23eを用いる代わりに恒温水を用いても良い。
なお、図2、図3に、冷却温度調整体102を設けた場合を示したが、この冷却温度調整体102は必ずしも必要ではなく、しかも、図8に示した冷却温度調整体102と同一の構成であるため、ここでの構成の説明は省略する。
また、上記いずれの実施形態においても、前記カバー28の下面(内面)に前記した被処理体温度制御手段23を設け、カバー28と共に上下方向に移動するように構成した場合を示したが、被処理体温度制御手段23のみ上下方向に移動するように構成しても良い。
また、上記いずれの実施形態においても、載置台22を固定し、被処理体温度制御手段23を上下方向に移動するように構成した場合を示したが、被処理体温度制御手段23を固定し、載置台22を上下方向に移動可能に構成しても良い。また、被処理体温度制御手段23と載置台22とを共に、上下方向に移動可能に構成しても良い。
即ち、被処理体温度制御手段23と載置台22との関係は、前記ウエハWが、少なくとも、載置台22に載置された状態と、載置台22から離れ、被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態と、載置台22に載置される共に被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態におくことができる構成であれば良い。
また、上記いずれの実施形態においても、前記カバー28の下面(内面)に前記した被処理体温度制御手段23を設け、カバー28と共に上下方向に移動するように構成した場合を示したが、被処理体温度制御手段23のみ上下方向に移動するように構成しても良い。
また、上記いずれの実施形態においても、載置台22を固定し、被処理体温度制御手段23を上下方向に移動するように構成した場合を示したが、被処理体温度制御手段23を固定し、載置台22を上下方向に移動可能に構成しても良い。また、被処理体温度制御手段23と載置台22とを共に、上下方向に移動可能に構成しても良い。
即ち、被処理体温度制御手段23と載置台22との関係は、前記ウエハWが、少なくとも、載置台22に載置された状態と、載置台22から離れ、被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態と、載置台22に載置される共に被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態におくことができる構成であれば良い。
次に、この熱処理装置を用いた熱処理方法について、図6及び図7を参照して説明する。
なお、図2,3に示したいずれの熱処理装置であっても、同一の熱処理方法によるため、ここでは図2に示された熱処理装置に基づいて説明する。
まず、図6(a)に示すように、載置台22から突出し被処理体温度制御手段23と載置台22との間に位置する支持ピン24上に、メインアーム5によって、ウエハWを載せる。このとき、載置台22に埋設されたヒータ21を予め発熱させておき、載置台22の温度は所定温度(50〜180℃)、例えば125℃に維持されている。一方、被処理体温度制御手段23には恒温水が供給され、載置台22の温度よりも低い所定温度、例えば、50℃に維持されている。
なお、図2,3に示したいずれの熱処理装置であっても、同一の熱処理方法によるため、ここでは図2に示された熱処理装置に基づいて説明する。
まず、図6(a)に示すように、載置台22から突出し被処理体温度制御手段23と載置台22との間に位置する支持ピン24上に、メインアーム5によって、ウエハWを載せる。このとき、載置台22に埋設されたヒータ21を予め発熱させておき、載置台22の温度は所定温度(50〜180℃)、例えば125℃に維持されている。一方、被処理体温度制御手段23には恒温水が供給され、載置台22の温度よりも低い所定温度、例えば、50℃に維持されている。
そして、支持ピン24上に、メインアーム5によってウエハWを載せた後、図6(b)に示すように、支持ピン24を上昇させ、ウエハWを被処理体温度制御手段23に近接した状態あるいは接触した状態になす。
このようにして、ウエハは被処理体温度制御手段23から熱を受け、室温の例えば23℃から50℃まで予備加熱される。この際、昇温範囲が23℃から50℃と、一度に125℃まで昇温させる場合に比べて狭いため、面内分布の変動温度範囲を小さく抑えることができる。
しかも、被処理体温度制御手段23は一定の温度に維持されているため、ウエハの面内温度の不均一性を除去でき、ウエハの面内温度を均一な一定の温度、50℃になすことができる。
このようにして、ウエハは被処理体温度制御手段23から熱を受け、室温の例えば23℃から50℃まで予備加熱される。この際、昇温範囲が23℃から50℃と、一度に125℃まで昇温させる場合に比べて狭いため、面内分布の変動温度範囲を小さく抑えることができる。
しかも、被処理体温度制御手段23は一定の温度に維持されているため、ウエハの面内温度の不均一性を除去でき、ウエハの面内温度を均一な一定の温度、50℃になすことができる。
その後、図6(c)に示すように、支持ピン24を下方向に移動させ、ウエハWを載置台22上に載せ、加熱処理する。このとき、載置台22は、既に125℃に維持されているため、載置台22上に載せられたウエハは、50℃〜125℃に昇温され、加熱処理される。この際、昇温範囲が50℃から125℃と、23℃から一度に昇温させる場合に比べて狭いため、面内分布の変動温度範囲を小さく抑えることができる。しかも、面内温度の不均一性が除去されたウエハが載置台22上に載せられるため、125℃に昇温するまでの間、ウエハの面内温度の不均一性を抑制できる。
なお、図6(c)において、支持ピン24を下方向に移動させ、ウエハWを載置台22上に載せると説明したが、より厳密に温度管理をなすには、図6(b)に示した状態(ウエハWと被処理体温度制御手段23とが近接あるいは接触した状態)を維持しつつ、支持ピン24と共に被処理体温度制御手段23を共に下方向に移動させ、ウエハWを載置台22上に載せると良い。
なお、図6(c)において、支持ピン24を下方向に移動させ、ウエハWを載置台22上に載せると説明したが、より厳密に温度管理をなすには、図6(b)に示した状態(ウエハWと被処理体温度制御手段23とが近接あるいは接触した状態)を維持しつつ、支持ピン24と共に被処理体温度制御手段23を共に下方向に移動させ、ウエハWを載置台22上に載せると良い。
次に、所定時間の加熱処理が終了すると、図7(a)に示すように、昇降シリンダ29によってカバー28と共に被処理体温度制御手段23が下降し、被処理体温度制御手段23を載置台22のウエハWに近接したあるいは接触した状態におく。
被処理体温度制御手段23を載置台22のウエハWに近接したあるいは接触した状態においた後、直ちに図7(b)に示すように、ウエハWと被処理体温度制御手段23とを近接したあるいは接触した状態を維持しつつ、ウエハWを上方位置へ移動(載置台22から離間)させる。
このとき、ウエハWは、被処理体温度制御手段23とを近接したあるいは接触した状態を維持されるため、ウエハWの面内温度分布を一定に維持されながら、迅速に冷却がなされる。
被処理体温度制御手段23を載置台22のウエハWに近接したあるいは接触した状態においた後、直ちに図7(b)に示すように、ウエハWと被処理体温度制御手段23とを近接したあるいは接触した状態を維持しつつ、ウエハWを上方位置へ移動(載置台22から離間)させる。
このとき、ウエハWは、被処理体温度制御手段23とを近接したあるいは接触した状態を維持されるため、ウエハWの面内温度分布を一定に維持されながら、迅速に冷却がなされる。
そして、図7(c)に示すように、シャッタ26を下降させて載置台22の上部側方を開放すると共に、支持ピン24を載置台22とカバー28の略中間位置まで下降させる。
そして、待機していた冷却温度調整体102を支持ピン24にて支持されているウエハWの方向に向かって移動させ、上部冷却片110と下部冷却片111との間にウエハWを位置させて(受け取って)ウエハWの上下面を覆い、ペルチェ素子に通電し又は予め通電しておき、室温の23℃になるまでウエハWを冷却処理する。
このように、加熱終了後、直ちにウエハWを被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態におくため、面内温度分布の均一性を維持できる。また、ウエハWは125℃から50℃まで面内温度文の均一性を維持しながら冷却され、その後冷却温度調整体102によって50℃から23℃まで冷却されるため、冷却工程(冷却温調工程)の全工程において面内温度文の均一性が維持される。なお、前記冷却処理は、上部冷却片110がない下部冷却片111のみの構成からなる冷却温度調整体102であってもよい。
そして、待機していた冷却温度調整体102を支持ピン24にて支持されているウエハWの方向に向かって移動させ、上部冷却片110と下部冷却片111との間にウエハWを位置させて(受け取って)ウエハWの上下面を覆い、ペルチェ素子に通電し又は予め通電しておき、室温の23℃になるまでウエハWを冷却処理する。
このように、加熱終了後、直ちにウエハWを被処理体温度制御手段23に近接したあるいは接触した状態におくため、面内温度分布の均一性を維持できる。また、ウエハWは125℃から50℃まで面内温度文の均一性を維持しながら冷却され、その後冷却温度調整体102によって50℃から23℃まで冷却されるため、冷却工程(冷却温調工程)の全工程において面内温度文の均一性が維持される。なお、前記冷却処理は、上部冷却片110がない下部冷却片111のみの構成からなる冷却温度調整体102であってもよい。
そして、ウエハWの冷却温調すなわち熱処理が終了した後、支持ピン32にて支持されているウエハWの下方にメインアーム(図示せず)を挿入して、ウエハWをメインアームが受け取って次の処理工程へ搬送する。
以上説明したように、ウエハは載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれ、従来の場合のような、載置台から離れ、しかも冷却温度調整体に搭載されたてない状態(温度制御がなされていない状態)を排除している。
このように本発明にあっては、被処理体の熱履歴を厳密に管理することができ、冷却工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
また、加熱工程においても、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態で、被処理体を予備加熱でき、その状態を維持しつつ、載置台に被処理体が載置されるため、加熱工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
したがって、例えば露光後のベーク処理等にこの熱処理装置を用いることにより、被処理体の表面に良好なパターン(線幅等)を形成することができる。
このように本発明にあっては、被処理体の熱履歴を厳密に管理することができ、冷却工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
また、加熱工程においても、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態で、被処理体を予備加熱でき、その状態を維持しつつ、載置台に被処理体が載置されるため、加熱工程における被処理体の面内温度分布の均一化を図ることができる。
したがって、例えば露光後のベーク処理等にこの熱処理装置を用いることにより、被処理体の表面に良好なパターン(線幅等)を形成することができる。
尚、上記実施形態の説明において、説明の都合上、温度条件を入れて説明したが、この温度条件は一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。また、上記実施形態では、ウエハの昇温工程(加熱工程)と降温工程(冷却工程)の両方においても、被処理体の熱履歴を管理する場合について説明したが、ウエハの昇温工程と降温工程のいずれかの工程において上記熱管理を行っても良い。
また、上記実施形態にあっては、所定温度に維持された恒温水が循環することによって、前記被処理体温度制御手段を所定温度に維持した場合を示した。しかし、ウエハの昇温工程(加熱工程)に用いるのであれば、ウエハの温度を昇温させるためのヒータを内蔵した熱板であっても良い。一方、ウエハの降温工程(冷却工程)に用いるのであれば、ペルチェ素子を内蔵した冷却板であっても良い。
また、上記実施形態にあっては、所定温度に維持された恒温水が循環することによって、前記被処理体温度制御手段を所定温度に維持した場合を示した。しかし、ウエハの昇温工程(加熱工程)に用いるのであれば、ウエハの温度を昇温させるためのヒータを内蔵した熱板であっても良い。一方、ウエハの降温工程(冷却工程)に用いるのであれば、ペルチェ素子を内蔵した冷却板であっても良い。
また、被処理体温度制御手段が、気体の流通を阻害しないように気体が流通可能な多孔質体で構成されていても良い。また、前記、被処理体温度制御手段が、チャンバを構成する蓋体であっても良い。この場合、チャンバ内部の空間の有効利用、あるいは熱処理装置の小型化の観点から好ましい。
更に、図3に示した実施形態において、温度センサ23dを用いてヒータ23eの温度制御を行う場合について説明したが、予めサンプルのウエハWにおけるレジストパターンの線幅を測定し、その測定結果に基づいて温度制御の温度補正を行うのが好ましい。
このように、サンプルのウエハWにおけるレジストパターンの線幅を測定し、その測定結果に基づいて温度制御の温度補正を行うため、熱処理装置ごとに異なる熱特性の影響を抑制し、各熱処理装置において最適な条件下で熱処理を行うことができる。
このように、サンプルのウエハWにおけるレジストパターンの線幅を測定し、その測定結果に基づいて温度制御の温度補正を行うため、熱処理装置ごとに異なる熱特性の影響を抑制し、各熱処理装置において最適な条件下で熱処理を行うことができる。
また、図3に示した実施形態において、ヒータ23eを分割し複数のヒータとなし、夫々に温度センサを設け、サンプルのウエハWについて熱処理を行い、そのときの熱履歴を求めると共に、ウエハ面内の複数箇所について光学観察装置によってレジストパターンの線幅を測定する。そして、その測定結果に基づいてウエハWの各部に対応したヒータ毎に、温度制御の温度補正を行うのが好ましい。
例えば、ウエハ面内全てにおいて目標線幅が150nmである場合に、実際の線幅に大小のずれがあったとする。ここで、ウエハの加熱温度が高いほど線幅が小さくなる関係にあるため、線幅が大きい箇所に対応するヒータの温度が高くなるように温度制御の補正をし、線幅が小さい箇所に対応するヒータの温度が低くなるように温度制御の補正をするのが望ましい。
なお、サンプルのウエハWについて熱処理を行い、そのときの線幅を求め、最適な線幅になるように気体(パージガス)の流量を制御しても良い。
例えば、ウエハ面内全てにおいて目標線幅が150nmである場合に、実際の線幅に大小のずれがあったとする。ここで、ウエハの加熱温度が高いほど線幅が小さくなる関係にあるため、線幅が大きい箇所に対応するヒータの温度が高くなるように温度制御の補正をし、線幅が小さい箇所に対応するヒータの温度が低くなるように温度制御の補正をするのが望ましい。
なお、サンプルのウエハWについて熱処理を行い、そのときの線幅を求め、最適な線幅になるように気体(パージガス)の流量を制御しても良い。
上記実施形態では、半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、その他の処理工程・処理システムの半導体ウエハの加熱及び冷却温調処理するものにも適用できることは勿論である。また、半導体ウエハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ),マスク基板等の板状の被処理体の熱処理にも適用できる。
5 メインアーム(搬送手段)
10 熱処理装置
21 ヒータ(発熱体)
22 載置台
23 被処理体温度制御手段
23e ヒータ
24 支持ピン(支持部材)
28 カバー
29 昇降シリンダ
W 半導体ウエハ(被処理体)
10 熱処理装置
21 ヒータ(発熱体)
22 載置台
23 被処理体温度制御手段
23e ヒータ
24 支持ピン(支持部材)
28 カバー
29 昇降シリンダ
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する、固定された載置台と、前記載置台の上方に相対向して配置された上下方向に移動可能に構成された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から載置あるいは離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備え、
前記被処理体が、少なくとも、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれることを特徴とする熱処理装置。 - 板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する、上下方向に移動可能に形成された載置台と、前記載置台の上方に配置された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備え、
前記被処理体が、少なくとも、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれることを特徴とする熱処理装置。 - 板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する、上下方向に移動可能に形成された載置台と、前記載置台の上方に相対向して配置された上下方向に移動可能に構成された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備え、
前記被処理体が、少なくとも、載置台に載置された状態と、載置台から離れ、被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態と、載置台に載置される共に被処理体温度制御手段に近接したあるいは接触した状態におかれることを特徴とする熱処理装置。 - 前記被処理体温度制御手段は、前記被処理体の温度を降下させる冷却板であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された熱処理装置。
- 前記被処理体温度制御手段は、前記被処理体の温度を昇温させる熱板であることを特徴する請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された熱処理装置。
- 前記被処理体温度制御手段が、気体の流通が可能な多孔質体で構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載された熱処理装置。
- 前記被処理体温度制御手段が、チャンバを構成する蓋体であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載された熱処理装置。
- 板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、前記載置台の上方に配置された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間あるいは載置すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備えた熱処理装置の熱処理方法において、
載置台の発熱体によって被処理体を加熱する加熱工程と、前記加熱工程後、載置台に載置された被処理体と被処理体温度制御手段とを近接あるいは接触させる工程と、前記工程後、前記被処理体と載置台とを離間させる工程とを含むことを特徴とする熱処理方法。 - 板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、前記載置台の上方に配置された被処理体温度制御手段と、被処理体を載置台から離間あるいは載置すべく載置台に対して相対移動する支持部材とを備えた熱処理装置の熱処理方法において、
前記載置台と被処理体温度制御手段の略中間位置において、被処理体を支持部材上に載置する工程と、前記支持部材によって、被処理体を被処理体温度制御手段に近接あるいは接触させて、被処理体を加熱する予備加熱工程と、
前記予備加熱工程の後、被処理体を載置台に載置し、載置台の発熱体によって被処理体を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記加熱工程後、載置台に載置された被処理体と被処理体温度制御手段とを近接あるいは接触させる工程と、前記工程後、被処理体と載置台とを離間させる工程とを含むことを特徴とする請求項9に記載された熱処理方法。
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