JP3330335B2 - 塗布膜形成装置およびエージング処理装置 - Google Patents
塗布膜形成装置およびエージング処理装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程等において、基板上に塗布液を塗布して絶縁膜
等を形成する塗布膜形成装置、および粒子またはコロイ
ドを有機溶媒に分散させたゾル状の塗布膜をゲル化する
際ににゲル化処理を施すためのエージング処理装置に関
する。
製造工程等において、基板上に塗布液を塗布して絶縁膜
等を形成する塗布膜形成装置、および粒子またはコロイ
ドを有機溶媒に分散させたゾル状の塗布膜をゲル化する
際ににゲル化処理を施すためのエージング処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
例えば、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）システムにより層間絶縁膜を形成している。このＳ
ＯＤシステムでは、ゾル−ゲル方法、シルク方法、スピ
ードフィルム方法、およびフォックス方法等により、ウ
エハ上に塗布膜をスピンコートし、化学的処理または加
熱処理等を施して層間絶縁膜を形成している。
例えば、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）システムにより層間絶縁膜を形成している。このＳ
ＯＤシステムでは、ゾル−ゲル方法、シルク方法、スピ
ードフィルム方法、およびフォックス方法等により、ウ
エハ上に塗布膜をスピンコートし、化学的処理または加
熱処理等を施して層間絶縁膜を形成している。
【０００３】このようなＳＯＤシステムにおいて、ゾル
−ゲル方法により層間絶縁膜を形成する場合には、半導
体ウエハがキャリアステーションから処理部に搬送さ
れ、処理部に設けられた塗布処理ユニットにおいて、半
導体ウエハには例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）のコロイドを有機溶媒に分散させた塗布液が塗布さ
れる。その後、半導体ウエハはエージングユニットに搬
送されてゲル化処理され、次いで、ソルベントイクスチ
ェンジユニットに搬送されて溶媒の置換が行われる。そ
の後、ホットプレートユニットにより適宜加熱処理され
る。このようにして、層間絶縁膜が完成した半導体ウエ
ハはキャリアステーションに戻される。
−ゲル方法により層間絶縁膜を形成する場合には、半導
体ウエハがキャリアステーションから処理部に搬送さ
れ、処理部に設けられた塗布処理ユニットにおいて、半
導体ウエハには例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）のコロイドを有機溶媒に分散させた塗布液が塗布さ
れる。その後、半導体ウエハはエージングユニットに搬
送されてゲル化処理され、次いで、ソルベントイクスチ
ェンジユニットに搬送されて溶媒の置換が行われる。そ
の後、ホットプレートユニットにより適宜加熱処理され
る。このようにして、層間絶縁膜が完成した半導体ウエ
ハはキャリアステーションに戻される。
【０００４】このＳＯＤシステムのうち、エージングユ
ニットでは、バキューム吸着により密着された加熱プレ
ートと蓋体とにより処理室が形成されており、処理室に
はアンモニアが蒸気化して供給されるとともに、処理室
内は排気管を介して排気される。この際に、半導体ウエ
ハは例えば１００℃で加熱されている。これにより、半
導体ウエハは、このエージングユニットにおいて、ウエ
ハに塗布された塗布膜に含まれるＴＥＯＳのコロイドが
ゲル化して網目状に連鎖される。
ニットでは、バキューム吸着により密着された加熱プレ
ートと蓋体とにより処理室が形成されており、処理室に
はアンモニアが蒸気化して供給されるとともに、処理室
内は排気管を介して排気される。この際に、半導体ウエ
ハは例えば１００℃で加熱されている。これにより、半
導体ウエハは、このエージングユニットにおいて、ウエ
ハに塗布された塗布膜に含まれるＴＥＯＳのコロイドが
ゲル化して網目状に連鎖される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したエ
ージングユニットにおいては、アンモニアが漏洩しない
ように、加熱プレートと蓋体とを密着させるための真空
吸着圧力が、圧力モニターにより検知されているが、ア
ンモニア蒸気が充満されている処理室内の圧力は、何ら
検知されていなかった。
ージングユニットにおいては、アンモニアが漏洩しない
ように、加熱プレートと蓋体とを密着させるための真空
吸着圧力が、圧力モニターにより検知されているが、ア
ンモニア蒸気が充満されている処理室内の圧力は、何ら
検知されていなかった。
【０００６】その結果、例えば、処理室内の圧力がバキ
ューム吸着圧力よりも著しく大きくなった場合、または
処理室内の圧力が著しく低下して、バキューム吸着圧力
と大差なくなった場合には、処理室内のアンモニア蒸気
の漏洩の虞れがあり、このような漏洩に対する対策が要
望されている。
ューム吸着圧力よりも著しく大きくなった場合、または
処理室内の圧力が著しく低下して、バキューム吸着圧力
と大差なくなった場合には、処理室内のアンモニア蒸気
の漏洩の虞れがあり、このような漏洩に対する対策が要
望されている。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、処理室内の圧力が大きく変動した場合であって
も、処理室内のガスの漏洩を確実に防止することができ
るエージング処理ユニットを備えた塗布膜形成装置およ
びそのようなエージング処理装置を提供することを目的
とする。
であり、処理室内の圧力が大きく変動した場合であって
も、処理室内のガスの漏洩を確実に防止することができ
るエージング処理ユニットを備えた塗布膜形成装置およ
びそのようなエージング処理装置を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の観点によれば、基板に塗布液を塗布
して塗布膜を形成するための塗布膜形成装置であって、
粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板に
塗布する塗布処理ユニットと、基板上に形成された塗布
膜をゲル化処理するエージングユニットと、基板上の溶
媒を置換するためのソルベントイクスチェンジユニット
とを具備し、前記エージングユニットは、減圧可能に構
成され、基板を収容する処理室と、処理室内の基板を加
熱する加熱プレートと、処理室内に薬液蒸気を供給する
薬液蒸気供給手段と、処理室内を排気するための排気手
段と、処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニ
ターと、を有することを特徴とする塗布膜形成装置が提
供される。
め、本発明の第１の観点によれば、基板に塗布液を塗布
して塗布膜を形成するための塗布膜形成装置であって、
粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板に
塗布する塗布処理ユニットと、基板上に形成された塗布
膜をゲル化処理するエージングユニットと、基板上の溶
媒を置換するためのソルベントイクスチェンジユニット
とを具備し、前記エージングユニットは、減圧可能に構
成され、基板を収容する処理室と、処理室内の基板を加
熱する加熱プレートと、処理室内に薬液蒸気を供給する
薬液蒸気供給手段と、処理室内を排気するための排気手
段と、処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニ
ターと、を有することを特徴とする塗布膜形成装置が提
供される。
【０００９】また、本発明の第２の観点によれば、粒子
またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板に塗布
した後、基板上に形成された塗布膜をゲル化処理するた
めのエージング処理装置であって、減圧可能に構成さ
れ、基板を収容する処理室と、処理室内の基板を加熱す
る加熱プレートと、処理室内に薬液蒸気を供給する薬液
蒸気供給手段と、処理室内を排気するための排気手段
と、処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニタ
ーと、を有することを特徴とするエージング処理装置が
提供される。
またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板に塗布
した後、基板上に形成された塗布膜をゲル化処理するた
めのエージング処理装置であって、減圧可能に構成さ
れ、基板を収容する処理室と、処理室内の基板を加熱す
る加熱プレートと、処理室内に薬液蒸気を供給する薬液
蒸気供給手段と、処理室内を排気するための排気手段
と、処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニタ
ーと、を有することを特徴とするエージング処理装置が
提供される。
【００１０】このように構成される本発明によれば、エ
ージングを行う際の処理室内の圧力を検知するための処
理室圧力モニターを設けたので、処理室内の圧力に異常
があった場合に、それを即座に検知することができ、処
理室からの薬液蒸気の漏洩を未然に防止することができ
る。
ージングを行う際の処理室内の圧力を検知するための処
理室圧力モニターを設けたので、処理室内の圧力に異常
があった場合に、それを即座に検知することができ、処
理室からの薬液蒸気の漏洩を未然に防止することができ
る。
【００１１】この場合に、処理室圧力モニターが予め設
定された上限値または下限値を検知した場合に、前記薬
液供給手段に薬液蒸気の供給を停止する指令を出力し、
かつ不活性ガス供給手段に不活性ガスを供給する指令を
出力するともに、前記排気手段に処理室内を排気する指
令を出力して、処理室内を不活性ガスにより置換させる
制御手段を設けることにより、処理室内の圧力異常時
に、処理室内の薬液蒸気等を不活性ガスにより確実に置
換することができ、処理室内の薬液蒸気等の漏洩を確実
に防止することができる。
定された上限値または下限値を検知した場合に、前記薬
液供給手段に薬液蒸気の供給を停止する指令を出力し、
かつ不活性ガス供給手段に不活性ガスを供給する指令を
出力するともに、前記排気手段に処理室内を排気する指
令を出力して、処理室内を不活性ガスにより置換させる
制御手段を設けることにより、処理室内の圧力異常時
に、処理室内の薬液蒸気等を不活性ガスにより確実に置
換することができ、処理室内の薬液蒸気等の漏洩を確実
に防止することができる。
【００１２】また、前記加熱プレートに密着し、前記加
熱プレートとともに処理室を形成する蓋体と、前記加熱
プレートと蓋体とを相互に吸着するための真空吸着手段
と、前記真空吸着手段の吸着圧力を検知するための吸着
圧力モニターとをさらに有する構成にすることにより、
吸着圧力モニターによって薬液蒸気の漏洩のおそれを確
実に把握することができる。
熱プレートとともに処理室を形成する蓋体と、前記加熱
プレートと蓋体とを相互に吸着するための真空吸着手段
と、前記真空吸着手段の吸着圧力を検知するための吸着
圧力モニターとをさらに有する構成にすることにより、
吸着圧力モニターによって薬液蒸気の漏洩のおそれを確
実に把握することができる。
【００１３】そしてこの場合に、処理室圧力モニターが
予め設定された上限値または下限値を検知した場合、ま
たは前記吸着圧力モニターが予め設定された上限値を検
知した場合に、前記薬液供給手段に薬液蒸気の供給を停
止する指令を出力し、かつ不活性ガス供給手段に不活性
ガスを供給する指令を出力するともに、前記排気手段に
処理室内を排気する指令を出力して、処理室内を不活性
ガスにより置換させる制御手段を設けることにより、処
理室内の圧力異常時に、または蓋体と加熱プレートとの
密着が不十分の場合に、処理室内の薬液蒸気等を不活性
ガスにより確実に置換することができ、処理室内の薬液
蒸気等の漏洩を確実に防止することができる。
予め設定された上限値または下限値を検知した場合、ま
たは前記吸着圧力モニターが予め設定された上限値を検
知した場合に、前記薬液供給手段に薬液蒸気の供給を停
止する指令を出力し、かつ不活性ガス供給手段に不活性
ガスを供給する指令を出力するともに、前記排気手段に
処理室内を排気する指令を出力して、処理室内を不活性
ガスにより置換させる制御手段を設けることにより、処
理室内の圧力異常時に、または蓋体と加熱プレートとの
密着が不十分の場合に、処理室内の薬液蒸気等を不活性
ガスにより確実に置換することができ、処理室内の薬液
蒸気等の漏洩を確実に防止することができる。
【００１４】さらに、前記処理室圧力モニターが予め設
定された上限値または下限値を検知した場合に、警報を
発する警報手段、または前記処理室圧力モニターが予め
設定された上限値もしくは下限値を検知した場合もしく
は前記吸着圧力モニターが予め設定された上限値を検知
した場合に、警報を発する警報手段をさらに有すること
により、オペレータが即座に異常に対応することができ
る。
定された上限値または下限値を検知した場合に、警報を
発する警報手段、または前記処理室圧力モニターが予め
設定された上限値もしくは下限値を検知した場合もしく
は前記吸着圧力モニターが予め設定された上限値を検知
した場合に、警報を発する警報手段をさらに有すること
により、オペレータが即座に異常に対応することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態に係る塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）について説明する。
明の実施の形態に係る塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）について説明する。
【００１６】図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る
ＳＯＤシステムの上段の平面図であり、図１（ｂ）は、
そのＳＯＤシステムの下段の平面図であり、図２は、図
１に示したＳＯＤシステムの側面図であり、図３は、図
１に示したＳＯＤシステム内に装着された２個のユニッ
ト積層体の側面図である。
ＳＯＤシステムの上段の平面図であり、図１（ｂ）は、
そのＳＯＤシステムの下段の平面図であり、図２は、図
１に示したＳＯＤシステムの側面図であり、図３は、図
１に示したＳＯＤシステム内に装着された２個のユニッ
ト積層体の側面図である。
【００１７】このＳＯＤシステムは、大略的に、処理部
１と、サイドキャビネット２（薬液部）と、キャリアス
テーション（ＣＳＢ）３とを有している。
１と、サイドキャビネット２（薬液部）と、キャリアス
テーション（ＣＳＢ）３とを有している。
【００１８】処理部１は、図１（ａ）および図２に示す
ように、その手前側の上段に設けられた、ソルベントイ
クスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と、高粘度用の塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）１２とを有し、さらに、図１
（ｂ）および図２に示すように、その手前側の下段に設
けられた、ゾル−ゲル法に適用される低粘度用の塗布処
理ユニット（ＳＣＴ）１３と、薬品等を内蔵したケミカ
ル室１４とを有している。
ように、その手前側の上段に設けられた、ソルベントイ
クスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と、高粘度用の塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）１２とを有し、さらに、図１
（ｂ）および図２に示すように、その手前側の下段に設
けられた、ゾル−ゲル法に適用される低粘度用の塗布処
理ユニット（ＳＣＴ）１３と、薬品等を内蔵したケミカ
ル室１４とを有している。
【００１９】処理部１の中央部には、図１の（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、複数の処理ユニットを多段に積
層してなる処理ユニット群１６，１７が設けられ、これ
らの間に、昇降してウエハＷを搬送するための搬送機構
１８が設けられている。左側の処理ユニット群１６は、
図３に示すように、その上側から順に、低温用のホット
プレート（ＬＨＰ）１９と、２個のＤＣＣ（Dielectric
Oxygen Density Controlled Cure and Cooling-off）
処理ユニット２０と、２個のエージングユニット（ＤＡ
Ｃ）２１とが積層されて構成されている。また、右側の
処理ユニット群１７は、その上側から順に、２個の高温
用のホットプレート（ＯＨＰ）２２と、低温用のホット
プレート（ＬＨＰ）２３と、２個のクーリングプレート
（ＣＰＬ）２４と、受け渡し部（ＴＲＳ）２５と、クー
リングプレート（ＣＰＬ）２６とが積層されて構成され
ている。なお、受け渡し部（ＴＲＳ）２５はクーリング
プレートの機能を兼ね備えることも可能である。
び（ｂ）に示すように、複数の処理ユニットを多段に積
層してなる処理ユニット群１６，１７が設けられ、これ
らの間に、昇降してウエハＷを搬送するための搬送機構
１８が設けられている。左側の処理ユニット群１６は、
図３に示すように、その上側から順に、低温用のホット
プレート（ＬＨＰ）１９と、２個のＤＣＣ（Dielectric
Oxygen Density Controlled Cure and Cooling-off）
処理ユニット２０と、２個のエージングユニット（ＤＡ
Ｃ）２１とが積層されて構成されている。また、右側の
処理ユニット群１７は、その上側から順に、２個の高温
用のホットプレート（ＯＨＰ）２２と、低温用のホット
プレート（ＬＨＰ）２３と、２個のクーリングプレート
（ＣＰＬ）２４と、受け渡し部（ＴＲＳ）２５と、クー
リングプレート（ＣＰＬ）２６とが積層されて構成され
ている。なお、受け渡し部（ＴＲＳ）２５はクーリング
プレートの機能を兼ね備えることも可能である。
【００２０】ゾル−ゲル法にて層間絶縁膜を形成する場
合には、処理部１１において、低粘度用の塗布処理ユニ
ット（ＳＣＴ）１３、エージングユニット（ＤＡＣ）２
１、ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１
が主要のユニットとなる。
合には、処理部１１において、低粘度用の塗布処理ユニ
ット（ＳＣＴ）１３、エージングユニット（ＤＡＣ）２
１、ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１
が主要のユニットとなる。
【００２１】低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１
３は、図４に示すように、上面が蓋４１によって開閉さ
れる固定カップ４２と、この固定カップ４２の底面から
挿入され、駆動部４３によって昇降および回転できる回
転軸４４と、この回転軸４４の上端に設けられたウエハ
保持部であるバキュームチャック４５と、蓋４１に組み
合わせて設けられて、ウエハＷの中心部に塗布液を供給
するための塗布液ノズル４６とを具備している。固定カ
ップ４２には、塗布液で用いられている溶媒、例えばエ
チレングリコールの蒸気を供給するための溶媒蒸気供給
管４８が接続されているとともに、ドレイン管４９、排
気管５０が接続されている。なお、このユニットにおい
て用いられる塗布液および溶媒は、ケミカル室１４から
供給される。このケミカル室１４は、アンモニアやＨＭ
ＤＳのような処理に悪影響を及ぼす薬液以外の薬液が収
容されている。
３は、図４に示すように、上面が蓋４１によって開閉さ
れる固定カップ４２と、この固定カップ４２の底面から
挿入され、駆動部４３によって昇降および回転できる回
転軸４４と、この回転軸４４の上端に設けられたウエハ
保持部であるバキュームチャック４５と、蓋４１に組み
合わせて設けられて、ウエハＷの中心部に塗布液を供給
するための塗布液ノズル４６とを具備している。固定カ
ップ４２には、塗布液で用いられている溶媒、例えばエ
チレングリコールの蒸気を供給するための溶媒蒸気供給
管４８が接続されているとともに、ドレイン管４９、排
気管５０が接続されている。なお、このユニットにおい
て用いられる塗布液および溶媒は、ケミカル室１４から
供給される。このケミカル室１４は、アンモニアやＨＭ
ＤＳのような処理に悪影響を及ぼす薬液以外の薬液が収
容されている。
【００２２】エージングユニット（ＤＡＣ）２１は、図
５に示すように、ヒータ５１ａを内蔵した例えばセラミ
ックスからなる加熱プレート５１と、この加熱プレート
５１の上方に処理室をなす空間Ｓを形成するように、こ
の加熱プレート５１の周縁部にシール部材５２を介して
密接するとともに、加熱プレート５１に対して接離する
蓋５３と、加熱プレート５１に置かれたウエハを囲むよ
うに、この加熱プレート５１の表面に供給口が形成され
たガス供給路５４と、蓋５３の中央部に吸い込み口が形
成された排気路５５と、加熱プレート５１とのその上方
位置との間でウエハＷを昇降する３本の昇降ピン５６と
を具備している。
５に示すように、ヒータ５１ａを内蔵した例えばセラミ
ックスからなる加熱プレート５１と、この加熱プレート
５１の上方に処理室をなす空間Ｓを形成するように、こ
の加熱プレート５１の周縁部にシール部材５２を介して
密接するとともに、加熱プレート５１に対して接離する
蓋５３と、加熱プレート５１に置かれたウエハを囲むよ
うに、この加熱プレート５１の表面に供給口が形成され
たガス供給路５４と、蓋５３の中央部に吸い込み口が形
成された排気路５５と、加熱プレート５１とのその上方
位置との間でウエハＷを昇降する３本の昇降ピン５６と
を具備している。
【００２３】このエージングユニット（ＤＡＣ）２１で
は、後述するように、アンモニアがサイドキャビネット
２内のバブラー２７およぼマスフローコントローラ（図
示せず）により蒸気化されて、上述したガス供給路５４
を介して処理室Ｓ内に供給され、排気路５５からの排気
は、サイドキャビネット２内のドレンタンク３１により
トラップされる。
は、後述するように、アンモニアがサイドキャビネット
２内のバブラー２７およぼマスフローコントローラ（図
示せず）により蒸気化されて、上述したガス供給路５４
を介して処理室Ｓ内に供給され、排気路５５からの排気
は、サイドキャビネット２内のドレンタンク３１により
トラップされる。
【００２４】ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１は、図６に示すように、ウエハＷを水平に保持
して回転させるバキュームチャック６１と、このチャッ
ク６１上のウエハＷを囲むように設けられ、排液孔６３
を有する回転カップ６２と、この回転カップ６２の外側
に設けられ、排液路６５および排気路６６が接続された
固定カップ６４と、ウエハＷに溶媒を供給するためのノ
ズル６７とを具備している。また、図中、符号６８は、
チャック６１の回転軸６１ａを回転および昇降させるた
めの駆動部であり、符号６９は、回転カップ６２を回転
させるための駆動部である。
Ｅ）１１は、図６に示すように、ウエハＷを水平に保持
して回転させるバキュームチャック６１と、このチャッ
ク６１上のウエハＷを囲むように設けられ、排液孔６３
を有する回転カップ６２と、この回転カップ６２の外側
に設けられ、排液路６５および排気路６６が接続された
固定カップ６４と、ウエハＷに溶媒を供給するためのノ
ズル６７とを具備している。また、図中、符号６８は、
チャック６１の回転軸６１ａを回転および昇降させるた
めの駆動部であり、符号６９は、回転カップ６２を回転
させるための駆動部である。
【００２５】上述した固定カップ６４の上面の開口部
は、昇降可能な蓋７０により開閉されるようになってい
る。また、ノズル６７は、エタノール、ＨＭＤＳ、およ
びヘプタンをそれぞれ吐出する３個の交換ノズル６７
ａ，６７ｂ，６７ｃを有しており、これら交換ノズル６
７ａ，６７ｂ，６７ｃは、この順にそれぞれノズル受け
部７１ａ，７１ｂ，７１ｃから把持して取り出され、ウ
エハＷの中心部の上方側に搬送されるようになってい
る。また、ノズル６７の交換ノズル６７ｂにＨＭＤＳが
供給される際には、サイドキャビネット２のＨＭＤＳタ
ンク３０ａからＨＭＤＳが直接供給されるようになって
おり、また、排気路６６からの液体が混合した排気は、
キャビネット２内のミストトラップ２８により気液分離
され、排液路６５からの排液は、ドレンタンク３１に排
出されるようになっている。
は、昇降可能な蓋７０により開閉されるようになってい
る。また、ノズル６７は、エタノール、ＨＭＤＳ、およ
びヘプタンをそれぞれ吐出する３個の交換ノズル６７
ａ，６７ｂ，６７ｃを有しており、これら交換ノズル６
７ａ，６７ｂ，６７ｃは、この順にそれぞれノズル受け
部７１ａ，７１ｂ，７１ｃから把持して取り出され、ウ
エハＷの中心部の上方側に搬送されるようになってい
る。また、ノズル６７の交換ノズル６７ｂにＨＭＤＳが
供給される際には、サイドキャビネット２のＨＭＤＳタ
ンク３０ａからＨＭＤＳが直接供給されるようになって
おり、また、排気路６６からの液体が混合した排気は、
キャビネット２内のミストトラップ２８により気液分離
され、排液路６５からの排液は、ドレンタンク３１に排
出されるようになっている。
【００２６】サイドキャビネット２は、処理部１に隣接
した位置に処理部１とは隔離されて設けられ、その上段
に、薬液を供給するためのバブラー２７と、気液混合流
を気液分離して排気ガスを排出するためのミストトラッ
プ（ＴＲＡＰ）２８とを有し、その下段に、電力供給源
２９と、ＨＭＤＳやアンモニア等の薬液を貯留するため
の薬液室３０と、排液を排出するためのドレイン３１と
を有している。
した位置に処理部１とは隔離されて設けられ、その上段
に、薬液を供給するためのバブラー２７と、気液混合流
を気液分離して排気ガスを排出するためのミストトラッ
プ（ＴＲＡＰ）２８とを有し、その下段に、電力供給源
２９と、ＨＭＤＳやアンモニア等の薬液を貯留するため
の薬液室３０と、排液を排出するためのドレイン３１と
を有している。
【００２７】サイドキャビネット２がこのように構成さ
れているため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１にア
ンモニアが供給される際には、アンモニアのタンク３０
ｂからバブラー２７にアンモニアが充填されており、ア
ンモニアがバブラー２７によりバブリングされ、蒸気化
されてエージングユニット（ＤＡＣ）２１に供給され
る。また、ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１にＨＭＤＳが供給される際には、ＨＭＤＳのタ
ンク３０ａからＨＭＤＳが直接供給される。
れているため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１にア
ンモニアが供給される際には、アンモニアのタンク３０
ｂからバブラー２７にアンモニアが充填されており、ア
ンモニアがバブラー２７によりバブリングされ、蒸気化
されてエージングユニット（ＤＡＣ）２１に供給され
る。また、ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１にＨＭＤＳが供給される際には、ＨＭＤＳのタ
ンク３０ａからＨＭＤＳが直接供給される。
【００２８】また、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
からの排気は、サイドキャビネット２内のドレンタンク
３１によりトラップされる。さらに、ソルベントイクス
チェンジユニット（ＤＳＥ）１１からの液体が混合した
排気は、キャビネット２内のミストトラップ２８により
気液分離され、排液はドレンタンク３１へ排出される。
からの排気は、サイドキャビネット２内のドレンタンク
３１によりトラップされる。さらに、ソルベントイクス
チェンジユニット（ＤＳＥ）１１からの液体が混合した
排気は、キャビネット２内のミストトラップ２８により
気液分離され、排液はドレンタンク３１へ排出される。
【００２９】このように、サイドキャビネット２から供
給されるアンモニアおよびＨＭＤＳをそれぞれ必要とす
るエージングユニット（ＤＡＣ）２１およびソルベント
イクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１が、サイドキャ
ビネット２に隣接して設けられているため、薬液供給系
の短縮化を図ることができる。
給されるアンモニアおよびＨＭＤＳをそれぞれ必要とす
るエージングユニット（ＤＡＣ）２１およびソルベント
イクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１が、サイドキャ
ビネット２に隣接して設けられているため、薬液供給系
の短縮化を図ることができる。
【００３０】また、塗布液をウエハＷに塗布した後に
は、即座に（例えば１０秒以内に）ゲル化処理を施すこ
とが好ましいため、図１〜図３に示すように、低粘度用
の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３とエージングユニッ
ト（ＤＡＣ）２１とが比較的近接して配置されており、
また、ゲル化処理の後には、溶媒の置換を即座に行うこ
とが好ましいため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
とソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と
が比較的近接して配置されている。
は、即座に（例えば１０秒以内に）ゲル化処理を施すこ
とが好ましいため、図１〜図３に示すように、低粘度用
の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３とエージングユニッ
ト（ＤＡＣ）２１とが比較的近接して配置されており、
また、ゲル化処理の後には、溶媒の置換を即座に行うこ
とが好ましいため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
とソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と
が比較的近接して配置されている。
【００３１】なお、上記ＤＣＣ処理ユニット２０は、塗
布膜が形成された半導体ウエハを低酸素濃度雰囲気にお
いて加熱処理および冷却処理して塗布膜を硬化（キュ
ア）するためのユニットであり、シルク法、スピードフ
ィルム法、またはフォックス法により層間絶縁膜を形成
する場合における塗布膜の硬化に用いられ、ゾル−ゲル
法で塗布膜を形成する場合には用いる必要はない。ま
た、高粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１２は、高
粘度の塗布液を塗布する場合に用いるものであり、ゾル
−ゲル法を採用する場合には通常用いない。
布膜が形成された半導体ウエハを低酸素濃度雰囲気にお
いて加熱処理および冷却処理して塗布膜を硬化（キュ
ア）するためのユニットであり、シルク法、スピードフ
ィルム法、またはフォックス法により層間絶縁膜を形成
する場合における塗布膜の硬化に用いられ、ゾル−ゲル
法で塗布膜を形成する場合には用いる必要はない。ま
た、高粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１２は、高
粘度の塗布液を塗布する場合に用いるものであり、ゾル
−ゲル法を採用する場合には通常用いない。
【００３２】次に、上記ＳＯＤシステムを用いてゾル−
ゲル法により層間絶縁膜を形成する場合のメカニズムに
ついて、図７を参照しながら説明する。図７（ａ）に示
すように、塗布液をウエハに塗布したときには、ＴＥＯ
Ｓの粒子あるいはコロイド１０１が溶媒１０２中に分散
された状態になっており、次いで、この塗布液をアルカ
リ性雰囲気に晒すことにより、図７（ｂ）に示すよう
に、ＴＥＯＳを縮重合するとともに加水分解して塗布膜
がゲル化され、ＴＥＯＳの網状構造１０３が形成され
る。次いで、図７（ｃ）に示すように、塗布液中の水分
を除去するため、塗布膜中の溶媒を他の溶媒１０４に置
き換え、その後、乾燥させて層間絶縁膜を得る。
ゲル法により層間絶縁膜を形成する場合のメカニズムに
ついて、図７を参照しながら説明する。図７（ａ）に示
すように、塗布液をウエハに塗布したときには、ＴＥＯ
Ｓの粒子あるいはコロイド１０１が溶媒１０２中に分散
された状態になっており、次いで、この塗布液をアルカ
リ性雰囲気に晒すことにより、図７（ｂ）に示すよう
に、ＴＥＯＳを縮重合するとともに加水分解して塗布膜
がゲル化され、ＴＥＯＳの網状構造１０３が形成され
る。次いで、図７（ｃ）に示すように、塗布液中の水分
を除去するため、塗布膜中の溶媒を他の溶媒１０４に置
き換え、その後、乾燥させて層間絶縁膜を得る。
【００３３】次に、上記ＳＯＤシステムにおいて、ゾル
−ゲル法により層間絶縁膜を形成する場合の処理動作に
ついて説明する。まず、キャリアステーション（ＣＳ
Ｂ）３から受け渡し部（ＴＲＳ）２５に搬送されたウエ
ハＷは、搬送機構１８によりクーリングプレート（ＣＰ
Ｌ）２４，２６に搬送されて温度管理（コントロール）
され、次いで、低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）
１３に搬送されて、図４に示すように、チャック４５に
受け渡され、蓋４１により回転カップ４２が密閉され
る。
−ゲル法により層間絶縁膜を形成する場合の処理動作に
ついて説明する。まず、キャリアステーション（ＣＳ
Ｂ）３から受け渡し部（ＴＲＳ）２５に搬送されたウエ
ハＷは、搬送機構１８によりクーリングプレート（ＣＰ
Ｌ）２４，２６に搬送されて温度管理（コントロール）
され、次いで、低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）
１３に搬送されて、図４に示すように、チャック４５に
受け渡され、蓋４１により回転カップ４２が密閉され
る。
【００３４】ここで用いられる塗布液は、ＴＥＯＳのコ
ロイドまたは粒子を有機溶媒に分散させて、水および微
量の塩酸を含ませたものである。排気管５０から排気し
ながら、溶媒蒸気供給管４８から有機溶媒の蒸気が回転
カップ４２内に供給され、回転カップ４２内が有機溶媒
の蒸気で充満された後に、排気が停止されて、ノズル４
６から塗布液がウエハＷの中心部に滴下される。次い
で、ウエハＷがチャック４５により回転されて、塗布液
がウエハＷ表面に伸展されて、塗布膜が形成される。こ
のように、回転カップ４２内を有機溶剤の蒸気で充満さ
せた状態で塗布処理を行うのは、塗布液中の溶媒の蒸発
を抑制するためである。
ロイドまたは粒子を有機溶媒に分散させて、水および微
量の塩酸を含ませたものである。排気管５０から排気し
ながら、溶媒蒸気供給管４８から有機溶媒の蒸気が回転
カップ４２内に供給され、回転カップ４２内が有機溶媒
の蒸気で充満された後に、排気が停止されて、ノズル４
６から塗布液がウエハＷの中心部に滴下される。次い
で、ウエハＷがチャック４５により回転されて、塗布液
がウエハＷ表面に伸展されて、塗布膜が形成される。こ
のように、回転カップ４２内を有機溶剤の蒸気で充満さ
せた状態で塗布処理を行うのは、塗布液中の溶媒の蒸発
を抑制するためである。
【００３５】このようにして塗布膜が形成されたウエハ
Ｗは、エージングユニット（ＤＡＣ）２１に搬送され
る。この場合に、塗布液をウエハＷに塗布した後には、
即座にゲル化処理を施すことが好ましいため、低粘度用
の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３とエージングユニッ
ト（ＤＡＣ）２１とが近接して配置されている。
Ｗは、エージングユニット（ＤＡＣ）２１に搬送され
る。この場合に、塗布液をウエハＷに塗布した後には、
即座にゲル化処理を施すことが好ましいため、低粘度用
の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３とエージングユニッ
ト（ＤＡＣ）２１とが近接して配置されている。
【００３６】エージングユニット（ＤＡＣ）２１におい
ては、図５に示すように、蓋５３が上昇されて、ウエハ
Ｗが昇降ピン５６に受け渡されて、加熱プレート５１に
近接される。蓋５３が閉鎖された後、排気路５５から排
気されながら、キャビネット２内のバブラー２７からガ
ス供給路５４を介してアンモニアが処理室Ｓ内に供給さ
れる。この時、ウエハＷは例えば１００℃で加熱されて
いる。これにより、ウエハＷの塗布膜に含まれるコロイ
ドがゲル化されて、網目状に連鎖される。
ては、図５に示すように、蓋５３が上昇されて、ウエハ
Ｗが昇降ピン５６に受け渡されて、加熱プレート５１に
近接される。蓋５３が閉鎖された後、排気路５５から排
気されながら、キャビネット２内のバブラー２７からガ
ス供給路５４を介してアンモニアが処理室Ｓ内に供給さ
れる。この時、ウエハＷは例えば１００℃で加熱されて
いる。これにより、ウエハＷの塗布膜に含まれるコロイ
ドがゲル化されて、網目状に連鎖される。
【００３７】次いで、ウエハＷは、ソルベントイクスチ
ェンジユニット（ＤＳＥ）１１に搬送される。なお、こ
の際、ゲル化処理の後には、溶媒の置換を即座に行うこ
とが好ましいため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
とソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と
が近接して配置されている。
ェンジユニット（ＤＳＥ）１１に搬送される。なお、こ
の際、ゲル化処理の後には、溶媒の置換を即座に行うこ
とが好ましいため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
とソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と
が近接して配置されている。
【００３８】ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１においては、図６に示すように、ウエハＷがバ
キュームチャック６１に受け渡され、ノズル６７の交換
ノズル６７ａから水分が可溶な薬品例えばエタノールが
ウエハＷの中心部に滴下され、ウエハＷと回転カップ６
２が回転されて、エタノールがウエハＷ全面に拡散され
る。これにより、塗布膜中の水分にエタノールが溶け込
み、結果として水分がエタノールで置換される。
Ｅ）１１においては、図６に示すように、ウエハＷがバ
キュームチャック６１に受け渡され、ノズル６７の交換
ノズル６７ａから水分が可溶な薬品例えばエタノールが
ウエハＷの中心部に滴下され、ウエハＷと回転カップ６
２が回転されて、エタノールがウエハＷ全面に拡散され
る。これにより、塗布膜中の水分にエタノールが溶け込
み、結果として水分がエタノールで置換される。
【００３９】続いて、蓋７０が開けられ、同様にしてＨ
ＭＤＳがウエハＷの中心部に滴下され、塗布膜中の水酸
塩が除去される。さらに、ヘプタンがウエハＷに滴下さ
れ、塗布膜中の溶媒がヘプタンによって置換される。ヘ
プタンを用いる理由は、表面張力が小さい溶媒を用いる
ことによりポーラスな構造体すなわちＴＥＯＳの網状構
造体に加わる力を小さくして崩れないようにするためで
ある。
ＭＤＳがウエハＷの中心部に滴下され、塗布膜中の水酸
塩が除去される。さらに、ヘプタンがウエハＷに滴下さ
れ、塗布膜中の溶媒がヘプタンによって置換される。ヘ
プタンを用いる理由は、表面張力が小さい溶媒を用いる
ことによりポーラスな構造体すなわちＴＥＯＳの網状構
造体に加わる力を小さくして崩れないようにするためで
ある。
【００４０】その後、ウエハＷは、低温用のホットプレ
ート（ＬＨＰ）１９，２３、高温用のホットプレート
（ＯＨＰ）２２により適宜加熱処理され、層間絶縁膜が
完成する。このようにして層間絶縁膜が形成されたウエ
ハＷは、受け渡し部（ＴＣＰ）２５を介してキャリアス
テーション（ＣＳＢ）３に戻される。
ート（ＬＨＰ）１９，２３、高温用のホットプレート
（ＯＨＰ）２２により適宜加熱処理され、層間絶縁膜が
完成する。このようにして層間絶縁膜が形成されたウエ
ハＷは、受け渡し部（ＴＣＰ）２５を介してキャリアス
テーション（ＣＳＢ）３に戻される。
【００４１】次に、図５、図８および図９を参照して、
エージングユニット（ＤＡＣ）において、アンモニアの
蒸気を供給する構成、処理室から排気する構成、および
処理室内の圧力の異常時に対する対処の構成について説
明する。図８は、エージングユニット（ＤＡＣ）にアン
モニアの蒸気および不活性ガスを供給する構成、および
エージングユニット（ＤＡＣ）から排気する構成を示す
ブロック図であり、図９は、エージングユニット（ＤＡ
Ｃ）のタイミングチャートである。
エージングユニット（ＤＡＣ）において、アンモニアの
蒸気を供給する構成、処理室から排気する構成、および
処理室内の圧力の異常時に対する対処の構成について説
明する。図８は、エージングユニット（ＤＡＣ）にアン
モニアの蒸気および不活性ガスを供給する構成、および
エージングユニット（ＤＡＣ）から排気する構成を示す
ブロック図であり、図９は、エージングユニット（ＤＡ
Ｃ）のタイミングチャートである。
【００４２】図５に示すように、加熱プレート５１と蓋
体５３とを吸着するため、後述する真空引き手段に接続
された吸着管８１が加熱プレート５１に設けられ、これ
により、吸着管８１から真空引きされると、蓋体５３の
端面が加熱プレート５１に吸着されるようになってい
る。また、この吸着管８１には、この吸着管８１内の圧
力を検知するための吸着圧力モニター８２が接続されて
いる。さらに、排気管５５にも、処理室Ｓ内（すなわ
ち、排気管５５内）の圧力を検知するための処理室圧力
モニター８３が接続されている。
体５３とを吸着するため、後述する真空引き手段に接続
された吸着管８１が加熱プレート５１に設けられ、これ
により、吸着管８１から真空引きされると、蓋体５３の
端面が加熱プレート５１に吸着されるようになってい
る。また、この吸着管８１には、この吸着管８１内の圧
力を検知するための吸着圧力モニター８２が接続されて
いる。さらに、排気管５５にも、処理室Ｓ内（すなわ
ち、排気管５５内）の圧力を検知するための処理室圧力
モニター８３が接続されている。
【００４３】吸着管８１の真空引き手段としては、図８
に示すように、ドレインに空気を真空引きしているバキ
ューム管８４のイジェクター８０に、吸着管８１が第１
の切換弁８５ａを介して接続されている。また、バキュ
ーム管８４には、第１の切換弁８５ｂが介装されてい
る。
に示すように、ドレインに空気を真空引きしているバキ
ューム管８４のイジェクター８０に、吸着管８１が第１
の切換弁８５ａを介して接続されている。また、バキュ
ーム管８４には、第１の切換弁８５ｂが介装されてい
る。
【００４４】これにより、第１の切換弁８５ａ，８５ｂ
が図示のようにＯＦＦ状態にあるときには、吸着管８１
は、大気に開放されているため、加熱プレート５１と蓋
体５３との吸着を停止している。一方、第１の切換弁８
５ａ，８５ｂがＯＮに切り換えられると、吸着管８１が
バキューム管８４に連通されるとともに、バキューム管
８４の真空引きが開始されて、吸着管８１は、バキュー
ム管８４により真空引きされ、加熱プレート５１と蓋体
５３が吸着される。
が図示のようにＯＦＦ状態にあるときには、吸着管８１
は、大気に開放されているため、加熱プレート５１と蓋
体５３との吸着を停止している。一方、第１の切換弁８
５ａ，８５ｂがＯＮに切り換えられると、吸着管８１が
バキューム管８４に連通されるとともに、バキューム管
８４の真空引きが開始されて、吸着管８１は、バキュー
ム管８４により真空引きされ、加熱プレート５１と蓋体
５３が吸着される。
【００４５】また、処理室Ｓから排気する構成として
は、ドレインにＮ２を真空引きしているバキューム管８
６のイジェクター８７に、排気管５５が接続されてい
る。排気管５５には、第２の切換弁８８ａおよび流量調
整弁８９（ニードルバルブ）が介装されており、また、
バキューム管８６には、第２の切換弁８８ｂが介装され
ている。さらに、排気管５５からバイパスされたバイパ
ス管９０には、第３の切換弁９１および流量調整弁９２
（ニードルバルブ）が介装されている。なお、流量調整
弁８９，９２（ニードルバルブ）は、排気流量を調節設
定できるようになっている。
は、ドレインにＮ２を真空引きしているバキューム管８
６のイジェクター８７に、排気管５５が接続されてい
る。排気管５５には、第２の切換弁８８ａおよび流量調
整弁８９（ニードルバルブ）が介装されており、また、
バキューム管８６には、第２の切換弁８８ｂが介装され
ている。さらに、排気管５５からバイパスされたバイパ
ス管９０には、第３の切換弁９１および流量調整弁９２
（ニードルバルブ）が介装されている。なお、流量調整
弁８９，９２（ニードルバルブ）は、排気流量を調節設
定できるようになっている。
【００４６】これにより、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ
が図示のようにＯＦＦ状態にあるときには、バキューム
管８６は、Ｎ２を真空引きしていないため、排気管５５
からは排気されない。一方、第２の切換弁８８ａ，８８
ｂがＯＮに切り換えられると、排気管５５がバキューム
管８６に連通されるとともに、バキューム管８６の真空
引きが開始されて、排気管５５は、バキューム管８６に
より排気され、処理室Ｓ内が排気される。さらに、第３
の切換弁９１がＯＮに切り換えられると、バイパス管９
０を通しても排気され、排気流量が増大される。
が図示のようにＯＦＦ状態にあるときには、バキューム
管８６は、Ｎ２を真空引きしていないため、排気管５５
からは排気されない。一方、第２の切換弁８８ａ，８８
ｂがＯＮに切り換えられると、排気管５５がバキューム
管８６に連通されるとともに、バキューム管８６の真空
引きが開始されて、排気管５５は、バキューム管８６に
より排気され、処理室Ｓ内が排気される。さらに、第３
の切換弁９１がＯＮに切り換えられると、バイパス管９
０を通しても排気され、排気流量が増大される。
【００４７】さらに、エージングユニット（ＤＡＣ）２
１に、アンモニアの蒸気を供給する構成として、サイド
キャビネット２内の一対のバブラー２７には、一対のア
ンモニアガスの供給管９３がそれぞれ接続されている。
これらの供給管９３は、一つの供給管９４により図示し
ないアンモニアガス供給源に接続されている。この供給
管９４には、第４の切換弁９５が介装されていると共
に、供給管９３，９３には、それぞれ、一対の第５切換
弁９６ａ，９６ｂが介装され、アンモニアガスをバブラ
ー２７，２７に補充する際には、適宜切り換えられるよ
うになっている。
１に、アンモニアの蒸気を供給する構成として、サイド
キャビネット２内の一対のバブラー２７には、一対のア
ンモニアガスの供給管９３がそれぞれ接続されている。
これらの供給管９３は、一つの供給管９４により図示し
ないアンモニアガス供給源に接続されている。この供給
管９４には、第４の切換弁９５が介装されていると共
に、供給管９３，９３には、それぞれ、一対の第５切換
弁９６ａ，９６ｂが介装され、アンモニアガスをバブラ
ー２７，２７に補充する際には、適宜切り換えられるよ
うになっている。
【００４８】さらに、特に詳説しないが、バブラー２７
には、Ｎ２およびアンモニア溶液が供給されるようにな
っている。なお、バブラー２７内の圧力が所定以上に上
昇した時に、アンモニアの蒸気をドレインに排出するよ
うに切り換えるための一対の第６切換弁９７ａ，９７ｂ
が設けられている。
には、Ｎ２およびアンモニア溶液が供給されるようにな
っている。なお、バブラー２７内の圧力が所定以上に上
昇した時に、アンモニアの蒸気をドレインに排出するよ
うに切り換えるための一対の第６切換弁９７ａ，９７ｂ
が設けられている。
【００４９】さらに、処理室Ｓ内への供給管５４には、
アンモニアの蒸気の流入・流出を切り換えるための第７
の切換弁９８が介装されている。さらに、供給管５４に
は、Ｎ２ガスの供給管９９が接続され、この供給管９９
には、Ｎ２ガスの流入・流出を切り換えるための第８の
切換弁１００が介装されている。
アンモニアの蒸気の流入・流出を切り換えるための第７
の切換弁９８が介装されている。さらに、供給管５４に
は、Ｎ２ガスの供給管９９が接続され、この供給管９９
には、Ｎ２ガスの流入・流出を切り換えるための第８の
切換弁１００が介装されている。
【００５０】次に、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
に通常時のゲル化処理を行う際に、アンモニアの蒸気等
を供給するタイミングを説明する。図９に示すように、
ウエハＷが処理室Ｓに搬入されると、昇降ピン５６がウ
エハＷを載置して降下され、次いで、蓋体５３が降下し
て加熱プレート５１に対して密閉される。
に通常時のゲル化処理を行う際に、アンモニアの蒸気等
を供給するタイミングを説明する。図９に示すように、
ウエハＷが処理室Ｓに搬入されると、昇降ピン５６がウ
エハＷを載置して降下され、次いで、蓋体５３が降下し
て加熱プレート５１に対して密閉される。
【００５１】次いで、第１の切換弁８５ａ，８５ｂがＯ
Ｎに切り換えられ、吸着管８１がバキューム管８４に連
通されると共に、バキューム管８４の真空引きが開始さ
れて、吸着管８１は、バキューム管８４により真空引き
され、加熱プレート５１と蓋体５３が吸着される。
Ｎに切り換えられ、吸着管８１がバキューム管８４に連
通されると共に、バキューム管８４の真空引きが開始さ
れて、吸着管８１は、バキューム管８４により真空引き
され、加熱プレート５１と蓋体５３が吸着される。
【００５２】次いで、第２の切換弁８８ａ，８８ｂがＯ
Ｎに切り換えられ、排気管５５がバキューム管８６に連
通されると共に、バキューム管８６の真空引きが開始さ
れて、排気管５５は、バキューム管８６により排気さ
れ、処理室Ｓ内が排気される。なお、この際、排気は、
流量調整弁８９（ニードルバルブ）により調節設定され
た流量で排出されている。
Ｎに切り換えられ、排気管５５がバキューム管８６に連
通されると共に、バキューム管８６の真空引きが開始さ
れて、排気管５５は、バキューム管８６により排気さ
れ、処理室Ｓ内が排気される。なお、この際、排気は、
流量調整弁８９（ニードルバルブ）により調節設定され
た流量で排出されている。
【００５３】次いで、ゲル化処理の略中間段階になる
と、第３の切換弁９１がＯＮに切り換えられ、バイパス
管９０を通しても排気され、これにより、排気流量が略
２倍に増大され、ゲル化処理の後段では、処理室Ｓ内の
排気が大量に排出される。
と、第３の切換弁９１がＯＮに切り換えられ、バイパス
管９０を通しても排気され、これにより、排気流量が略
２倍に増大され、ゲル化処理の後段では、処理室Ｓ内の
排気が大量に排出される。
【００５４】次いで、アンモニアガスのバブラー２７へ
の補充に関しては、処理開始時に、第４の切換弁９５が
ＯＮに切り換えられ、ゲル化処理の略中間段階にＯＦＦ
に切り換えられると同時に、第５の切換弁９６ａ、９６
ｂがＯＮに切り換えられる。
の補充に関しては、処理開始時に、第４の切換弁９５が
ＯＮに切り換えられ、ゲル化処理の略中間段階にＯＦＦ
に切り換えられると同時に、第５の切換弁９６ａ、９６
ｂがＯＮに切り換えられる。
【００５５】この他、処理室Ｓ内への供給管５４に介装
された第７の切換弁９８は、アンモニアの蒸気の流入時
に適宜切り換えられるようになっている。
された第７の切換弁９８は、アンモニアの蒸気の流入時
に適宜切り換えられるようになっている。
【００５６】次に、処理室Ｓ内の圧力が異常値を示した
場合の動作について説明する。なお、以下の動作は、図
示しないコントローラにより制御される。 （１）処理室圧力モニター８３が所定の上限圧力を検知
した場合には、処理室Ｓ内の圧力がバキューム吸着圧力
よりも著しく大きくなって、処理室Ｓ内のアンモニア蒸
気が漏洩するおそれがある。したがって、この場合に
は、図示しない警報手段により警報が発せられるととも
に、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１、
第４の切換弁９５、第５の切換弁９６ａ，９６ｂ、第７
の切換弁９８、および第８の切換弁１００がＯＮからＯ
ＦＦに切り換えられるか、またはＯＦＦ状態にあったも
のはその状態で維持される。次いで、第２の切換弁８８
ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１がＯＮに切り換えられ
て、処理室Ｓ内から大量に排気されると同時に、第８の
切換弁１００もＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内にＮ
２ガスが充填される。これにより、処理室Ｓ内の排気が
Ｎ２ガスにより置換され、処理室Ｓ内の排気の漏洩が確
実に防止される。
場合の動作について説明する。なお、以下の動作は、図
示しないコントローラにより制御される。 （１）処理室圧力モニター８３が所定の上限圧力を検知
した場合には、処理室Ｓ内の圧力がバキューム吸着圧力
よりも著しく大きくなって、処理室Ｓ内のアンモニア蒸
気が漏洩するおそれがある。したがって、この場合に
は、図示しない警報手段により警報が発せられるととも
に、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１、
第４の切換弁９５、第５の切換弁９６ａ，９６ｂ、第７
の切換弁９８、および第８の切換弁１００がＯＮからＯ
ＦＦに切り換えられるか、またはＯＦＦ状態にあったも
のはその状態で維持される。次いで、第２の切換弁８８
ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１がＯＮに切り換えられ
て、処理室Ｓ内から大量に排気されると同時に、第８の
切換弁１００もＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内にＮ
２ガスが充填される。これにより、処理室Ｓ内の排気が
Ｎ２ガスにより置換され、処理室Ｓ内の排気の漏洩が確
実に防止される。
【００５７】（２）処理室圧力モニター８３が所定の下
限圧力を検知した場合には、処理室Ｓ内の圧力が低下し
て、バキューム吸着圧力と大差なくなり、処理室Ｓ内の
アンモニア蒸気が漏洩するおそれがある。したがって、
この場合には、図示しない警報手段により警報が発せら
れるとともに、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切
換弁９１、第４の切換弁９５、第５の切換弁９６ａ，９
６ｂ、第７の切換弁９８、および第８の切換弁１００が
ＯＮからＯＦＦに切り換えられるか、またはＯＦＦ状態
にあったものはその状態で維持される。次いで、第８の
切換弁１００もＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内の圧
力が正常圧力になるまでＮ２ガスが充填される。次い
で、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１が
ＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内の大量の排気ガスが
排出されると同時に、第８の切換弁１００もＯＮ状態を
維持して、処理室Ｓ内にＮ２ガスが充填される。これに
より、処理室Ｓ内の排気がＮ２ガスにより置換され、処
理室Ｓ内の排気の漏洩が確実に防止される。
限圧力を検知した場合には、処理室Ｓ内の圧力が低下し
て、バキューム吸着圧力と大差なくなり、処理室Ｓ内の
アンモニア蒸気が漏洩するおそれがある。したがって、
この場合には、図示しない警報手段により警報が発せら
れるとともに、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切
換弁９１、第４の切換弁９５、第５の切換弁９６ａ，９
６ｂ、第７の切換弁９８、および第８の切換弁１００が
ＯＮからＯＦＦに切り換えられるか、またはＯＦＦ状態
にあったものはその状態で維持される。次いで、第８の
切換弁１００もＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内の圧
力が正常圧力になるまでＮ２ガスが充填される。次い
で、第２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１が
ＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内の大量の排気ガスが
排出されると同時に、第８の切換弁１００もＯＮ状態を
維持して、処理室Ｓ内にＮ２ガスが充填される。これに
より、処理室Ｓ内の排気がＮ２ガスにより置換され、処
理室Ｓ内の排気の漏洩が確実に防止される。
【００５８】（３）吸着圧力モニター８２が所定の上限
圧力を検知した場合にも、処理室Ｓ内のアンモニア蒸気
の漏洩のおそれがある。したがって、この場合には、図
示しない警報手段により警報が発せられるとともに、第
２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１、第４の
切換弁９５、第５の切換弁９６ａ，９６ｂ、第７の切換
弁９８、および第８の切換弁１００がＯＮからＯＦＦに
切り換えられるか、またはＯＦＦ状態にあったものはそ
の状態で維持される。次いで、第２の切換弁８８ａ，８
８ｂ、第３の切換弁９１がＯＮに切り換えられて、処理
室Ｓ内の大量の排気が排出されると同時に、第８の切換
弁１００もＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内にＮ２ガ
スが充填される。これにより、処理室Ｓ内のアンモニア
蒸気等がＮ２ガスにより置換され、処理室Ｓ内のアンモ
ニアガス等の漏洩が確実に防止される。
圧力を検知した場合にも、処理室Ｓ内のアンモニア蒸気
の漏洩のおそれがある。したがって、この場合には、図
示しない警報手段により警報が発せられるとともに、第
２の切換弁８８ａ，８８ｂ、第３の切換弁９１、第４の
切換弁９５、第５の切換弁９６ａ，９６ｂ、第７の切換
弁９８、および第８の切換弁１００がＯＮからＯＦＦに
切り換えられるか、またはＯＦＦ状態にあったものはそ
の状態で維持される。次いで、第２の切換弁８８ａ，８
８ｂ、第３の切換弁９１がＯＮに切り換えられて、処理
室Ｓ内の大量の排気が排出されると同時に、第８の切換
弁１００もＯＮに切り換えられて、処理室Ｓ内にＮ２ガ
スが充填される。これにより、処理室Ｓ内のアンモニア
蒸気等がＮ２ガスにより置換され、処理室Ｓ内のアンモ
ニアガス等の漏洩が確実に防止される。
【００５９】このように、処理室内圧力モニター８３お
よび吸着モニター８２を設けたので、処理室Ｓ内のこれ
らのモニター結果に基づいて、処理室Ｓ内圧力に異常が
あった場合、および蓋５３と加熱プレート５１との密着
圧力に異常があった場合に即座にそれを検知することが
でき、しかも警報手段により警報が発せられるので、薬
液蒸気の漏洩を未然に防止することができる。また、処
理室内圧力モニター８３および吸着モニター８２のいず
れかで異常を検知した場合に、上述したように図示しな
いコントローラにより処理室内がＮ２ガスにより置換さ
れるようにすることにより、アンモニア蒸気の漏洩を確
実に防止することができる。
よび吸着モニター８２を設けたので、処理室Ｓ内のこれ
らのモニター結果に基づいて、処理室Ｓ内圧力に異常が
あった場合、および蓋５３と加熱プレート５１との密着
圧力に異常があった場合に即座にそれを検知することが
でき、しかも警報手段により警報が発せられるので、薬
液蒸気の漏洩を未然に防止することができる。また、処
理室内圧力モニター８３および吸着モニター８２のいず
れかで異常を検知した場合に、上述したように図示しな
いコントローラにより処理室内がＮ２ガスにより置換さ
れるようにすることにより、アンモニア蒸気の漏洩を確
実に防止することができる。
【００６０】なお、本発明は、上述した実施の形態に限
定されず、種々変形可能である。例えば、処理する基板
は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板等の他のものであ
ってもよい。また、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。
さらに、上記実施形態では、エージング装置として、加
熱プレートに蓋が密着する構造のものを例示したが、必
ずしもこのような構造のものでなくてもよい。また、上
記実施の形態では、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
においてアンモニアを使用し、ソルベントイクスチェン
ジユニット（ＤＳＥ）１１においてＨＭＤＳおよびヘプ
タンを使用したが、これらに限定されるものではない。
定されず、種々変形可能である。例えば、処理する基板
は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板等の他のものであ
ってもよい。また、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。
さらに、上記実施形態では、エージング装置として、加
熱プレートに蓋が密着する構造のものを例示したが、必
ずしもこのような構造のものでなくてもよい。また、上
記実施の形態では、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
においてアンモニアを使用し、ソルベントイクスチェン
ジユニット（ＤＳＥ）１１においてＨＭＤＳおよびヘプ
タンを使用したが、これらに限定されるものではない。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エージングを行う際の処理室内の圧力を検知するための
処理室圧力モニターを設けたので、処理室内の圧力に異
常があった場合に、それを即座に検知することができ、
処理室からの薬液蒸気の漏洩を未然に防止することがで
きる。
エージングを行う際の処理室内の圧力を検知するための
処理室圧力モニターを設けたので、処理室内の圧力に異
常があった場合に、それを即座に検知することができ、
処理室からの薬液蒸気の漏洩を未然に防止することがで
きる。
【００６２】この場合に、処理室圧力モニターが予め設
定された上限値または下限値を検知した場合に、前記薬
液供給手段に薬液蒸気の供給を停止する指令を出力し、
かつ不活性ガス供給手段に不活性ガスを供給する指令を
出力するともに、前記排気手段に処理室内を排気する指
令を出力して、処理室内を不活性ガスにより置換させる
制御手段を設けることにより、処理室内の圧力異常時
に、処理室内の薬液蒸気等を不活性ガスにより確実に置
換することができ、処理室内の薬液蒸気等の漏洩を確実
に防止することができる。
定された上限値または下限値を検知した場合に、前記薬
液供給手段に薬液蒸気の供給を停止する指令を出力し、
かつ不活性ガス供給手段に不活性ガスを供給する指令を
出力するともに、前記排気手段に処理室内を排気する指
令を出力して、処理室内を不活性ガスにより置換させる
制御手段を設けることにより、処理室内の圧力異常時
に、処理室内の薬液蒸気等を不活性ガスにより確実に置
換することができ、処理室内の薬液蒸気等の漏洩を確実
に防止することができる。
【００６３】また、前記加熱プレートに密着し、前記加
熱プレートとともに処理室を形成する蓋体と、前記加熱
プレートと蓋体とを相互に吸着するための真空吸着手段
と、前記真空吸着手段の吸着圧力を検知するための吸着
圧力モニターとをさらに有する構成にすることにより、
吸着圧力モニターによって薬液蒸気の漏洩のおそれを確
実に把握することができる。
熱プレートとともに処理室を形成する蓋体と、前記加熱
プレートと蓋体とを相互に吸着するための真空吸着手段
と、前記真空吸着手段の吸着圧力を検知するための吸着
圧力モニターとをさらに有する構成にすることにより、
吸着圧力モニターによって薬液蒸気の漏洩のおそれを確
実に把握することができる。
【００６４】さらに、処理室圧力モニターが予め設定さ
れた上限値または下限値を検知した場合、または前記吸
着圧力モニターが予め設定された上限値を検知した場合
に、前記薬液供給手段に薬液蒸気の供給を停止する指令
を出力し、かつ不活性ガス供給手段に不活性ガスを供給
する指令を出力するともに、前記排気手段に処理室内を
排気する指令を出力して、処理室内を不活性ガスにより
置換させる制御手段を設けることにより、処理室内の圧
力異常時に、または蓋体と加熱プレートとの密着が不十
分の場合に、処理室内の薬液蒸気等を不活性ガスにより
確実に置換することができ、処理室内の薬液蒸気等の漏
洩を確実に防止することができる。
れた上限値または下限値を検知した場合、または前記吸
着圧力モニターが予め設定された上限値を検知した場合
に、前記薬液供給手段に薬液蒸気の供給を停止する指令
を出力し、かつ不活性ガス供給手段に不活性ガスを供給
する指令を出力するともに、前記排気手段に処理室内を
排気する指令を出力して、処理室内を不活性ガスにより
置換させる制御手段を設けることにより、処理室内の圧
力異常時に、または蓋体と加熱プレートとの密着が不十
分の場合に、処理室内の薬液蒸気等を不活性ガスにより
確実に置換することができ、処理室内の薬液蒸気等の漏
洩を確実に防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布膜形成装置（Ｓ
ＯＤシステム）の上段の平面図および下段の平面図。
ＯＤシステム）の上段の平面図および下段の平面図。
【図２】図１に示した塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）の側面図。
ム）の側面図。
【図３】図１に示した塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）内に装着された、複数の処理ユニットを多段に積層
してなる２つの処理ユニット群を示す側面図。
ム）内に装着された、複数の処理ユニットを多段に積層
してなる２つの処理ユニット群を示す側面図。
【図４】低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）を模式
的に示す断面図。
的に示す断面図。
【図５】エージングユニット（ＤＡＣ）を模式的に示す
断面図。
断面図。
【図６】ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）
を模式的に示す断面図。
を模式的に示す断面図。
【図７】ゾル−ゲル方法における塗布膜の変性の様子を
示す説明図。
示す説明図。
【図８】エージングユニット（ＤＡＣ）にアンモニアの
蒸気および不活性ガスを供給する構成、およびエージン
グユニット（ＤＡＣ）から排気する構成を示すブロック
図。
蒸気および不活性ガスを供給する構成、およびエージン
グユニット（ＤＡＣ）から排気する構成を示すブロック
図。
【図９】エージングユニット（ＤＡＣ）のタイミングチ
ャート。
ャート。
１；処理部 ２；サイドキャビネット ３；キャリアステーション（ＣＳＢ） １１；ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ） １３；低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ） ２１；エージングユニット（ＤＡＣ） ２７；バブラー ５１；加熱プレート ５３；蓋体 ５４；供給管 ５５；排気管 ８１；吸着管（バキューム吸着手段） ８２；吸着圧力モニター ８３；処理室圧力モニター ８４；バキューム管 ８５ａ，８５ｂ；第１の切換弁 ８８ａ，８８ｂ；第２の切換弁 ８９；流量調整弁 ９１；第３の切換弁 ９２；流量調整弁 ９５；第４の切換弁 ９６ａ，９６ｂ；第５の切換弁 ９８；第７の切換弁 １００；第８の切換弁
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−45891（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−181060（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−8025（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−177118（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−68866（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−55369（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−70121（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 B05C 9/12 H01L 21/316
Claims (14)
- 【請求項１】 基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成す
るための塗布膜形成装置であって、 粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板に
塗布する塗布処理ユニットと、 基板上に形成された塗布膜をゲル化処理するエージング
ユニットと、 基板上の溶媒を置換するためのソルベントイクスチェン
ジユニットとを具備し、 前記エージングユニットは、 減圧可能に構成され、基板を収容する処理室と、 処理室内の基板を加熱する加熱プレートと、 処理室内に薬液蒸気を供給する薬液蒸気供給手段と、 処理室内を排気するための排気手段と、 処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニター
と、を有することを特徴とする塗布膜形成装置。 - 【請求項２】 前記エージングユニットは、 前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
と、 前記処理室圧力モニターが予め設定された上限値または
下限値を検知した場合に、前記薬液供給手段に薬液蒸気
の供給を停止する指令を出力し、かつ不活性ガス供給手
段に不活性ガスを供給する指令を出力するともに、前記
排気手段に処理室内を排気する指令を出力して、処理室
内を不活性ガスにより置換させる制御手段とをさらに有
することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装
置。 - 【請求項３】 前記エージングユニットは、 前記処理室圧力モニターが予め設定された上限値または
下限値を検知した場合、警報を発する警報手段をさらに
有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の塗布膜形成装置。 - 【請求項４】 前記エージングユニットは、 前記加熱プレートに密着し、前記加熱プレートとともに
処理室を形成する蓋体と、 前記加熱プレートと蓋体とを相互に吸着するための真空
吸着手段と、 前記真空吸着手段の吸着圧力を検知するための吸着圧力
モニターとをさらに有することを特徴とする請求項１に
記載の塗布膜形成装置。 - 【請求項５】 前記エージングユニットは、 前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
と、 前記処理室圧力モニターが予め設定された上限値または
下限値を検知した場合、または前記吸着圧力モニターが
予め設定された上限値を検知した場合に、前記薬液供給
手段に薬液蒸気の供給を停止する指令を出力し、かつ不
活性ガス供給手段に不活性ガスを供給する指令を出力す
るともに、前記排気手段に処理室内を排気する指令を出
力して、処理室内を不活性ガスにより置換させる制御手
段とをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の
塗布膜形成装置。 - 【請求項６】 前記エージングユニットは、 前記処理室圧力モニターが予め設定された上限値または
下限値を検知した場合、または前記吸着圧力モニターが
予め設定された上限値を検知した場合に、警報を発する
警報手段をさらに有することを特徴とする請求項４また
は請求項５に記載の塗布膜形成装置。 - 【請求項７】 前記排気手段は、処理室からドレインタ
ンクまで延在された排気管に介装された切換弁および流
量調整弁を有すると共に、この排気管からバイパスされ
たバイパス管に介装された他の切換弁および流量調整弁
を有することを特徴とする請求項１ないし請求項６のい
ずれか１項に記載の塗布膜形成装置。 - 【請求項８】 粒子またはコロイドを溶媒に分散させた
塗布液を基板に塗布した後、基板上に形成された塗布膜
をゲル化処理するためのエージング処理装置であって、 減圧可能に構成され、基板を収容する処理室と、 処理室内の基板を加熱する加熱プレートと、 処理室内に薬液蒸気を供給する薬液蒸気供給手段と、 処理室内を排気するための排気手段と、 処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニター
と、を有することを特徴とするエージング処理装置。 - 【請求項９】 前記処理室に不活性ガスを供給する不活
性ガス供給手段と、 前記処理室圧力モニターが予め設定された上限値または
下限値を検知した場合に、前記薬液供給手段に薬液蒸気
の供給を停止する指令を出力し、かつ不活性ガス供給手
段に不活性ガスを供給する指令を出力するともに、前記
排気手段に処理室内を排気する指令を出力して、処理室
内を不活性ガスにより置換させる制御手段とをさらに具
備することを特徴とする請求項８に記載のエージング処
理装置。 - 【請求項１０】 前記処理室圧力モニターが予め設定さ
れた上限値または下限値を検知した場合、警報を発する
警報手段をさらに具備することを特徴とする請求項８ま
たは請求項９に記載のエージング処理装置。 - 【請求項１１】 前記加熱プレートに密着し、前記加熱
プレートとともに処理室を形成する蓋体と、 前記加熱プレートと蓋体とを相互に吸着するための真空
吸着手段と、 前記真空吸着手段の吸着圧力を検知するための吸着圧力
モニターとをさらに具備することを特徴とする請求項８
に記載のエージング処理装置。 - 【請求項１２】 前記処理室に不活性ガスを供給する不
活性ガス供給手段と、 前記処理室圧力モニターが予め設定された上限値または
下限値を検知した場合、または前記吸着圧力モニターが
予め設定された上限値を検知した場合に、前記薬液供給
手段に薬液蒸気の供給を停止する指令を出力し、かつ不
活性ガス供給手段に不活性ガスを供給する指令を出力す
るともに、前記排気手段に処理室内を排気する指令を出
力して、処理室内を不活性ガスにより置換させる制御手
段とをさらに具備することを特徴とする請求項１１に記
載のエージング処理装置。 - 【請求項１３】 前記処理室圧力モニターが予め設定さ
れた上限値または下限値を検知した場合、または前記吸
着圧力モニターが予め設定された上限値を検知した場合
に、警報を発する警報手段をさらに有することを特徴と
する請求項１１または請求項１２に記載のエージング処
理装置。 - 【請求項１４】 前記排気手段は、処理室からドレイン
タンクまで延在された排気管に介装された切換弁および
流量調整弁を有すると共に、この排気管からバイパスさ
れたバイパス管に介装された他の切換弁および流量調整
弁を有することを特徴とする請求項８ないし請求項１３
のいずれか１項に記載のエージング処理装置。
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