JP4051358B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
32 冷却板
51、251 プロキシミティシート
52、252 プロキシミティピン
61、132、232、343 熱板
W ウエハ
CPL 冷却処理ステーション
SCT SOD塗布処理ステーション
DAC エージング処理ステーション
DSE ソルベントエクスチェンジ処理ステーション
LHP 低温加熱処理ステーション
OHP 低酸素高温加熱処理ステーション
DCC 低酸素キュア・冷却処理ステーション
TCP 受け渡し・冷却プレート
Claims (11)
- 基板を加熱処理又は冷却処理するプレートと、該プレートから基板を離間して保持するためのギャップ形成部材とを備えた複数種類の処理ステーションと、
これら処理ステーション間で基板の受け渡しを行う搬送装置とを備え、
前記複数種類の処理ステーションのうち、酸素濃度を低下させた雰囲気で基板を加熱処理する処理ステーションは、他の処理ステーションと比べて高さの高いギャップ形成部材を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記プレートの周囲に配置され、前記ギャップ形成部材を介して前記プレート上に配置された基板に対してほぼ平行に且つ基板の第1の面及び第2の面にパージ用の気体を供給する供給部を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記酸素濃度を低下させた雰囲気で基板を加熱処理する処理ステーションは、他の処理ステーションと比べて高さがほぼ2倍のギャップ形成部材を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記酸素濃度を低下させた雰囲気で基板を加熱処理する処理ステーションは、ほぼ0.1mm〜0.2mmの高さのギャップ形成部材を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記酸素濃度を低下させた雰囲気で基板を加熱処理する処理ステーション内を排気する排気部を更に有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記酸素濃度を低下させた雰囲気で基板を加熱処理する処理ステーション内の酸素濃度を検出するための手段と、
前記検出された酸素濃度に基づいて前記供給部によるパージ用の気体の供給を制御する手段と
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記供給部は、前記第1の面に比べて第2の面に対する風量が多くなるように、前記パージ用の気体を供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
第1の風量で前記パージ用の気体を供給し、次に前記第1の風量よりも小さい第2の風量で前記パージ用の気体を供給するように、前記供給部によるパージ用の気体の供給を制御する手段を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記プレート上で前記基板を昇降する昇降機構と、
前記酸素濃度を低下させた雰囲気で基板を加熱処理する処理ステーション内を排気する排気部とを更に具備し、
前記昇降機構により前記プレート上から基板を上昇している状態で、前記排気部による前記処理ステーション内の排気を開始し、前記昇降機構により前記プレート上に基板を下降した時点で前記排気部による前記処理ステーション内の排気を終了することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に絶縁膜材料を塗布する塗布処理ステーションと、
前記絶縁膜材料が塗布された基板をエージング処理するエージング処理ステーションと、
前記エージング処理された基板をソルベントエクスチェンジ処理するソルベントエクスチェンジ処理ステーションと、
前記ソルベントエクスチェンジ処理された基板を低温加熱処理する低温加熱処理ステーションと、
前記低温加熱処理された基板を低酸素下で高温加熱処理する低酸素高温加熱処理ステーションと、
前記低酸素高温加熱処理された基板を低酸素下でキュア・冷却処理する低酸素キュア・冷却処理ステーションと、
これらのステーション間で基板を搬送する搬送装置とを一体的に備え、
少なくとも前記エージング処理ステーション、前記低温加熱処理ステーション及び前記低酸素キュア・冷却処理ステーションが、それぞれ、基板を加熱処理するプレートと、該プレートから基板を離間して保持するためのギャップ形成部材とを備え、
前記低温加熱処理ステーションまたは前記低酸素キュア・冷却処理ステーションのギャップ形成部材の高さが、他の処理ステーションのギャップ形成部材の高さより高いことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置において、
基板に絶縁膜材料を塗布する前に基板を冷却処理する第1の冷却処理ステーションと、低酸素キュア・冷却処理された基板を冷却処理する第2の冷却処理ステーションとを更に一体的に備え、これら第1及び第2の冷却処理ステーションが、基板を加熱処理又は冷却処理するプレートと、該プレートから基板を離間して保持するためのギャップ形成部材とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
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JP2004193811A JP4051358B2 (ja) | 1999-05-24 | 2004-06-30 | 基板処理装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP14314999 | 1999-05-24 | ||
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JP2000096677A Division JP3585215B2 (ja) | 1999-05-24 | 2000-03-31 | 基板処理装置 |
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JP2004336067A JP2004336067A (ja) | 2004-11-25 |
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Family Applications (1)
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JP2004193811A Expired - Lifetime JP4051358B2 (ja) | 1999-05-24 | 2004-06-30 | 基板処理装置 |
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JP7030414B2 (ja) * | 2017-02-14 | 2022-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
JP6914048B2 (ja) | 2017-02-14 | 2021-08-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
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2004
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