JP2000040669A - 半導体真空設備及びこれを利用する方法 - Google Patents

半導体真空設備及びこれを利用する方法

Info

Publication number
JP2000040669A
JP2000040669A JP11155446A JP15544699A JP2000040669A JP 2000040669 A JP2000040669 A JP 2000040669A JP 11155446 A JP11155446 A JP 11155446A JP 15544699 A JP15544699 A JP 15544699A JP 2000040669 A JP2000040669 A JP 2000040669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
vent gas
load lock
vacuum equipment
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11155446A
Other languages
English (en)
Inventor
Koki So
鎬起 宋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2000040669A publication Critical patent/JP2000040669A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18—Vacuum control means
    • H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンバー内部の真空形成時、発生する霧現
象を防止することができるようになった半導体真空設備
及びこれを利用する方法を提供する。 【解決手段】 本発明による半導体真空設備は、真空状
態のチャンバーの内部にベントガスを供給してチャンバ
ーの外部の開放に必要な大気圧状態にするためのベント
ガス供給装置が備えられた半導体真空設備であって、ベ
ントガス供給装置にベントガスを予熱させるヒータが設
置されたことを特徴とする。チャンバー内部にベントガ
スを供給する段階と、ベントガスが継続に供給される状
態でチャンバーを外部開放して加工物に対する外部への
アンローディング及び内部へのローディングが行われる
段階と、チャンバーが密閉された状態でベントガスの供
給を遮断した後、チャンバーの内部に真空状態を形成す
る段階とを含めてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体真空設備及び
これを利用する方法に関するもので、より詳しくは、チ
ャンバーの内部の真空形成時発生する霧現象を防止する
ことができるようにした真空設備及びこれを利用する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体製造工程は、超精密度
を要求する一連の工程で行われるもので、これのための
設備の先決条件としては真空度を上げることが必要であ
る。即ち、半導体工程では作業進行に必要な適正真空度
を維持するために、プラズマを利用した半導体エッチン
グ用真空設備、ウェーハに不純物を拡散させる半導体拡
散用真空設備、ウェーハにイオン粒子を注入するイオン
注入用真空設備等の半導体製造用真空設備が広く使用さ
れている。
【０００３】前記の半導体真空設備内には、要求される
真空度の程度によって、低真空、高真空、超高真空等を
形成するための多様な種類の真空ポンプが適用され及び
設置されている。前記真空ポンプは、工程が行われる工
程チャンバーの内部の空気を吸入した後、外部に強制排
出させるもので、真空ポンプ容量の限界によって、一つ
の工程チャンバーに低真空用ポンプと高真空用ポンプを
それぞれ設置して真空状態が段階的に形成するようにす
ることが一般的である。
【０００４】このような従来の半導体真空設備には、密
閉されたチャンバーに真空ポンプと連結される連結管が
設置され、前記連結管には、制御部によって制御される
バルブが設置され、前記チャンバーが密閉された後、前
記連結管が開放されながら前記チャンバー内の空気を真
空ポンプに吸入することによって、前記チャンバー内で
の真空状態が形成される。
【０００５】即ち、前記チャンバーに低真空用ポンプ
（例えば、ドライポンプ(Dry Pump)）及び高真空用ポン
プ（例えば、クライオポンプ(Cryo Pump)）をそれぞれ
連結管で連結して、前記連結管にそれぞれ設置されたバ
ルブを段階的に開放させることで、前記チャンバー内の
真空形成を迅速に行われるようにし、真空状態を再び大
気圧状態に転換させるために真空状態のチャンバー内部
にベントガス(Vent Gas)を供給して前記チャンバーの外
部開放に必要な大気圧状態にする。
【０００６】従って、前記チャンバーの内部にベントガ
スを供給して、内部気圧を大気圧状態に上昇させる事前
措置を取ることによって前記チャンバーの外部開放を容
易にする。しかし、大気圧状態の前記チャンバーと前記
低真空用ポンプを連結する連結管のバルブが開放される
瞬間、前記チャンバーの内部は真空状態に激変しながら
その内部で微細な水滴粒子を伴う霧現象が発生して、前
記チャンバーの内部を汚染させるようになるだけではな
く、内部に積載されたウェーハにも悪影響を与えるとい
う問題点があった。
【０００７】前記霧現象は、前記チャンバーの内部気圧
が瞬間的に下降する間、気温が急降下しながら空気中に
含まれたガス形態の水蒸気が飽和状態に至り、液状の水
滴粒子に凝結される現象が発生し、このような液状の水
分子（パーティクル）はウェーハの表面に吸着されて深
刻なウェーハ不良を誘発するようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、パー
ティクルによるチャンバーの内部の汚染を防止し、ウェ
ーハ不良を最小化することにより、ウェーハの収率を向
上させることができるようにした半導体真空設備及びこ
れを利用する方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による半導体真空設備は、真空状態のチャン
バー内部にベントガス(Vent Gas)を供給してチャンバー
の外部開放に必要な大気圧状態にするためのベントガス
供給装置が備えられた半導体真空設備において、前記ベ
ントガス供給装置にベントガスを予熱させるヒータが設
置されたことを特徴とする。
【００１０】また、前記ベントガス供給装置は、ベント
ガスを貯蔵するベントガス貯蔵所と、前記ベントガス貯
蔵所に貯蔵された前記ベントガスを前記チャンバーに移
送するベントガス供給管と、前記ベントガス供給管を開
閉するバルブ及び前記バルブに開閉信号を与えて前記バ
ルブを制御する制御部を含めてなることを特徴とする。
【００１１】また、前記ヒータは電力を与えることでベ
ントガスに熱を供給するヒーティングコイル及び前記ヒ
ーティングコイルの温度を一定に維持することができる
ように制御する制御部を含めてなることを特徴とする。
また、前記の目的を達成するための本発明による半導体
真空設備は、チャンバーの内部が真空状態に転換される
時、前記チャンバーの内部に水滴が発生することを防止
することができるように前記チャンバーの内壁にヒータ
が設置されたことを特徴とする。
【００１２】また、前記の目的を達成するための本発明
による半導体真空設備は、真空状態のロードロックチャ
ンバーの内部にベントガスを供給して、前記ロードロッ
クチャンバーの外部開放に必要な大気圧状態にするため
のベントガス供給装置が備えられた半導体真空設備おい
て、前記ロードロックチャンバーの内部が真空状態に転
換される時、その内部に水滴が発生することを防止する
ことができるように前記ベントガス供給装置及び前記ロ
ードロックチャンバーの内壁にそれぞれヒータが設置さ
れたことを特徴とする。
【００１３】一方、前記の目的を達成するための本発明
による半導体真空設備を利用する方法は、真空状態のチ
ャンバーの内部に予熱された高温のベントガスを供給し
てチャンバーの外部開放に必要な大気圧状態にすること
ができるように半導体真空設備を利用する方法におい
て、前記ベントガスを予熱させる段階と、真空状態の密
閉されたチャンバーの内部に前記ベントガスを供給する
段階と、前記ベントガスの供給が遮断される段階と、前
記チャンバーが外部開放される段階と、前記チャンバー
内から外部に加工物をアンローディングする段階と、工
程を進行する加工対象物を外部から前記チャンバーの内
部にローディングする段階と、前記チャンバーが密閉さ
れた後、前記チャンバーの内部に真空状態を形成する段
階とを含めてなることを特徴とする。
【００１４】また、前記の目的を達成するための本発明
による半導体真空設備を利用する方法は、真空状態のチ
ャンバーの内部にベントガスを供給してチャンバーの外
部開放に必要な大気圧状態にすることができるように半
導体真空設備を利用する方法において、工程を終えた
後、真空状態の密閉されたチャンバーの内部にベントガ
スを供給する段階と、前記ベントとガスが継続に供給さ
れる状態で前記チャンバーを外部に開放する段階と、前
記ベントガスが継続に供給される状態の前記チャンバー
内で工程を終えた加工物を外部にアンローディングする
段階と、前記ベントガスが継続に供給される状態で工程
を進行する加工対象物を外部から前記チャンバーの内部
にローディングする段階と、前記ベントガスが密閉され
て前記チャンバー内部に真空状態を形成する段階とを含
めてなることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を添付した図面を参照に詳しく説明する。図１は、本発
明の好ましい一実施形態による半導体真空設備の構造を
示したもので、前記の半導体真空設備は真空状態のロー
ドロックチャンバー１内部にベントガスを供給して前記
ロードロックチャンバー１の外部開放に必要な大気圧状
態にするためのベントガス供給装置が備えられ、前述し
た霧現象を防止するために前記ベントガス供給装置に前
記ベントガスを予熱させるヒータ２が設置される。
【００１６】前記ロードロックチャンバー１に設置され
る前記ヒータ２は必要によって内部に真空状態が形成さ
れる多様な形態のチャンバー等に適用して設置すること
ができるが、本発明では加工が行われる工程チャンバー
３に連結されて、選択的に真空状態を維持するためのウ
ェーハの待機場所として活用される図１のロードロック
チャンバー１をその一例として提示し、特に、前記工程
チャンバー３の一つの形態に高真空が要求されるイオン
注入設備の工程チャンバー３を図示した。
【００１７】この際、前記ロードロックチャンバー１
は、イオン注入設備の工程チャンバー３と連結されるも
ので、前記工程チャンバー３の全面に左右に２つが設置
され、前記ロードロックチャンバー１には、前方に開放
される図２に図示されたようなドア４が設置され、前記
ロードロックチャンバー１の内壁には、前記工程チャン
バー３に連結されるウェーハの通路である図１の開閉ド
ア５が設置される。
【００１８】また、前記工程チャンバー３の内部に設置
された移送アーム（図示しない）が、前記開閉ドア５を
通じてウェーハを移送することができるように前記ロー
ドロックチャンバー１には、前記ウェーハが積載された
カセット６を前記移送アームの位置に昇降させるカセッ
トエレベータ７が設置される。
【００１９】ここで、前記カセット６のローディング作
業は作業者が前記ロードロックチャンバー１のドアを開
放した後、前記カセットエレベータ７に設置されたカセ
ット掛台８に安着させると、前記カセット掛台８が前記
カセット６を前記ロードロックチャンバー１の内部にロ
ーディングする一連の過程を経て行われるようになる。
【００２０】前記ロードロックチャンバー１には、低真
空ポンプ９及び高真空ポンプ１０がそれぞれ連結され、
それぞれの真空ラインには前記真空ラインを開閉するバ
ルブ１１、１２がそれぞれ設置されている。また、前記
バルブ１１、１２は、設備の制御部（図示せず）によっ
て制御されるもので、一連のプログラムによって前記バ
ルブ１１、１２を段階的に制御して、前記ロードロック
チャンバー１が低真空ポンプ９によって１次低真空状態
が形成されると、前記高真空ポンプ１０によって２次高
真空状態が形成されるようになるものである。
【００２１】一方、前記ベントガスは、ウェーハに与え
る影響を最小化するために不活性ガスである窒素
（Ｎ2）を使用する。また、ベントガス供給装置は、前
記ベントガスを貯蔵するベントガス貯蔵所（図示せず）
と、前記ベントガス貯蔵所に貯蔵された前記ベントガス
を前記チャンバーに移送するベントガス供給管１３と、
前記ベントガス供給管１３を開閉するバルブ１４及び前
記バルブ１４に開閉信号を与えて前記バルブ１４を制御
する制御部（図示せず）が備えられている。
【００２２】また、前記ヒータ２は、前記ベントガス供
給管１３を通過するベントガスに熱を供給するように電
力の供給を受けて、熱を発生するヒーティングコイル１
５及び前記ヒーティングコイル１５の温度を一定に維持
させるように前記ヒーティングコイル１５の温度を制御
する制御部１６が備えられている。
【００２３】また、前記ヒーティングコイル１５は、多
様な形態の構成が可能で、好ましくは、前記ベントガス
供給管１３を包む形状で構成される。ここで、前記ヒー
ティングコイル１５に対する技術は、該当技術分野に属
する当業者には、すでに公知されて広く使用される技術
で、本発明の要旨を変更しない範囲で修正及び変更が容
易なものである。
【００２４】従って、前記設備の制御部によって前記ベ
ントガス供給装置のバルブ１４が開放されると、前記ベ
ントガスが前記ベントガス供給管１３を経て前記ヒーテ
ィングコイル１５によって予熱された後、真空状態の前
記ロードロックチャンバー１内部に流入される。
【００２５】この際、前記ロードロックチャンバー１の
内部に充満されて内部の気圧を上昇させる高温の前記ベ
ントガスは、前記ロードロックチャンバー１の外部の開
放を容易にする一方、前記ロードロックチャンバー１が
外部開放されても、前記ロードロックチャンバー１の空
気温度を上昇させる役割をすることによって、前記ロー
ドロックチャンバー１が真空状態を形成する時、前記ロ
ードロックチャンバー１の内部温度が下降しながら前記
水蒸気の温度を液状で凝結させる凝結点に到達しないよ
うにする。
【００２６】このような本発明の半導体真空設備を利用
する方法を図１を参照して説明すると、まず、前記ヒー
タ２に電力を与えて、前記ベントガスを予熱させる段階
と、前記バルブ１４を開放して真空状態の密閉された前
記ロードロックチャンバー１の内部に予熱された前記ベ
ントガスを供給する段階と、前記ベントガスの供給によ
って前記ロードロックチャンバー１の内部気圧が上昇し
て一定の水準に到達すると、前記バルブ１４を閉鎖して
前記ベントガスの供給を遮断する段階と、前記ロードロ
ックチャンバー１のドア４が外部開放される段階と、前
記ロードロックチャンバー１で加工を終えたウェーハを
積載したカセット６が作業者によって外部にアンローデ
ィングされる段階と、工程を進行するウェーハを積載し
たカセット６が外部から前記ロードロックチャンバー１
の内部にローディングされる段階と、前記ロードロック
チャンバー１のドア４が密閉された後、前記ロードロッ
クチャンバー１の内部に低真空状態と高真空状態を段階
的に形成する段階で行われる。
【００２７】一方、半導体真空設備を利用する他の制御
方法は、このような水蒸気の凝結を防止する効果を増幅
させるために、前記ベントガス供給管１３のバルブ１４
を前記ロードロックチャンバー１の外部開放の中にも開
放して前記ベントガスが継続に供給されるように制御す
る。即ち、前記ロードロックチャンバー１が外部開放さ
れても前記高温のベントガスを前記ロードロックチャン
バー１の内部に継続噴射させて外部の空気が前記ロード
ロックチャンバー１の内部に流入されることを抑制する
ことにより、霧現象の原因となる水蒸気の流入を最大限
防止することができるようになる。
【００２８】このような本発明の好ましい一実施形態に
よる半導体真空設備の作動を図２乃至図７を参照して順
次に説明すると、まず、図２のように、前記低真空ポン
プ９と連結された真空ラインのバルブ１１を開放して前
記ロードロックチャンバー１の内部を低真空状態にした
後、前記高真空ポンプ１０と連結された真空ラインのバ
ルブ１２を開放して前記ロードロックチャンバー１の内
部を高真空状態にする。
【００２９】続いて、図３のように、前記ロードロック
チャンバー１の真空状態が前記工程チャンバー３の真空
状態の気圧と同一になると、前記工程チャンバー３の内
部に設置された移送アームが前記開閉ドア５を通じて移
動してウェーハ１７を前記工程チャンバー３の内部にロ
ーディングした後、前記ウェーハ１７を加工するように
なる。
【００３０】前記ウェーハ１７の加工が完了されると、
前記移送アームによって、前記ウェーハ１７が前記のロ
ードロックチャンバー１の内部にアンローディングされ
る。前記ウェーハ１７のローディング及びアンローディ
ング時、前記カセットエレベータ７は前記移送アームの
位置にウェーハ１７を順次的に位置させるように昇降さ
れる。続いて、図４のように、前記開閉ドア５が密閉さ
れた後、前記ロードロックチャンバー１にベントガスが
供給されて前記ロードロックチャンバー１の気圧を上昇
させる。
【００３１】また、図５のように、前記ロードロックチ
ャンバー１の気圧が外部の大気圧水準まで上昇される
と、前記ベントガスが継続に供給される間、前記ロード
ロックチャンバー１のドア４が開放され、イオン注入工
程を終えた多数個のウェーハが積載されたカセット６
が、作業者の操作によって外部にアンローディングされ
る。続いて、図６のように、前記ベントガスが継続に供
給される間、イオン注入工程が進行される多数個のウェ
ーハを積載したカセット６が、作業者の操作によって外
部から前記ロードロックチャンバー１にローディングさ
れると、図７のように、前記ロードロックチャンバー１
のドア４が密閉される。
【００３２】前記ロードロックチャンバー１のドア４が
密閉された後、前記ベントガスの供給は中断され、再び
図２のように、前記低真空ポンプ９及び高真空ポンプ１
０と連結された真空ラインのバルブ１１、１２を次々に
開放して前記ロードロックチャンバー１の内部を段階的
に低真空状態から高真空状態にする。本発明は以上で説
明したような一連の過程を反復的に遂行することによっ
て連続的なウェーハ加工が行われるものである。
【００３３】従って、前記ロードロックチャンバー１の
ドア４が開放される間にも前記ベントガスが、噴射され
て水蒸気を含んだ外部の空気が前記ロードロックチャン
バー１の内部に流入されることを最小化するようにな
り、急激な真空状態形成時に発生する飽和水蒸気の量を
減少させて霧現象を防止することができる。前述したよ
うに、前記霧現象を防止するようにロードロックチャン
バー１の外部開放時にも、ベントガスを噴霧する本発明
の半導体真空設備の制御方法は、ロードロックチャンバ
ーの外部開放時にはベントガスの供給を中断した従来の
半導体真空設備制御方法とは異なるものである。
【００３４】即ち、本発明の半導体真空設備を利用する
方法は、図８のように、前記ロードロックチャンバーの
内部を低真空状態にする段階Ｓ１及び前記ロードロック
チャンバーの内部を高真空状態にする段階Ｓ２と、前記
ロードロックチャンバーの真空状態が前記工程チャンバ
ーの真空状態気圧と同一になると前記工程チャンバーの
内部に設置された移送アームが前記開閉ドアを通じてウ
ェーハを前記工程チャンバーにローディングする段階Ｓ
３と、ローディング後ウェーハを加工する段階Ｓ４と、
前記ウェーハの加工完了後、前記移送アームによって前
記ウェーハが前記ロードロックチャンバーにアンローデ
ィングされる段階Ｓ５と、前記開閉ドアが密閉された
後、真空状態の前記ロードロックチャンバーにベントガ
スが再び供給される段階Ｓ６と、前記ベントガスが継続
に供給される間前記ロードロックチャンバーが外部開放
される段階Ｓ７と、前記ベントガスが継続供給される間
前記ロードロックチャンバーでイオン注入工程を終えた
多数個のウェーハを積載したカセットが外部にアンロー
ディングされる段階Ｓ８と、前記ベントガスが継続に供
給される間外部でイオン注入工程が進行される多数個の
ウェーハを積載したカセットが前記ロードロックチャン
バーにローディングされる段階Ｓ９及び前記ロードロッ
クチャンバーが密閉され、前記ベントガスの供給を遮断
する段階Ｓ１０，Ｓ１１からなる。
【００３５】前記ベントガスの供給が中断される段階Ｓ
１１を終えると、再び前記ロードロックチャンバーに低
真空状態を形成する段階Ｓ１に戻って、以後の段階を反
復遂行するようになる。従って、前記段階を反復しなが
ら多数個のウェーハに対するイオン注入工程を連続遂行
することができる。また、本発明の半導体真空設備を利
用する方法は、従来の半導体真空設備のベントガスの供
給時期を制御することからなることは勿論、水蒸気凝結
防止効果をさらに増幅させることができるように前記チ
ャンバーに供給される前記ベントガスをヒータに予熱す
るものである。
【００３６】ここで、前記ベントガスの予熱温度は水蒸
気凝結、即ち、霧現象を防止することができる最小温度
以上を維持することが有利である。このような霧現象を
防止する最小温度は、ベントガスの送風量、チャンバー
の大きさ、密閉方式、外部空気の温度等によって影響を
受けるもので、実際の実験によって統計的に把握される
ものである。
【００３７】一方、本発明の他の実施形態による半導体
真空設備は図９に図示されたように、前記ロードロック
チャンバー１の真空形成時、前記ロードロックチャンバ
ー１の内部に水滴が発生することを防止することができ
るように前記ロードロックチャンバー１の内壁にヒータ
１８が設置されたものである。ここで、前記ヒータ１８
は、前記ロードロックチャンバー1の内部に熱を供給す
るように電力の供給を受けて熱を発生するヒーティング
コイル１９及び前記ヒーティングコイル１９の温度を制
御する制御部２０を備えてなる。
【００３８】前述のように、このような前記ヒーティン
グコイル１９の設置方法は、とても多様な変形が可能な
もので、前記ロードロックチャンバー１の内壁に付着さ
れるヒーティング板に設置するもの、前記ロードロック
チャンバー１の内壁に付着されるヒーティング棒に設置
するもの、前記ロードロックチャンバー１の内壁を包む
形態に設置するものなどのように、前記ヒーティングコ
イル１９に関する技術は、該当技術分野に属する当業者
においてすでに公知されて広く使用される技術で、本発
明の要旨を変更しない範囲で容易に修正及び変更できる
ものである。
【００３９】また、前記制御部２０は、前記ヒーティン
グコイル１９の温度を一定に維持することができるよう
に前記ヒーティングコイル１９を制御し、その外にも前
記ロードロックチャンバー１が外部開放される間に、前
記ヒーティングコイル１９が加熱されるように制御する
ことも可能である。従って、前記霧現象を防止する効果
は勿論、前記ロードロックチャンバー１の温度調節が可
能でイオン注入工程等のような多様な工程を遂行した
後、ウェーハの最適温度を維持することができるように
する温度調節用ロードロックチャンバーを提供するもの
である。
【００４０】一方、本発明のベントガスを予熱するヒー
タ２の概念と、前記ロードロックチャンバーの内部を加
熱するヒータ１８の概念は互い独立的な思想で、前記ロ
ードロックチャンバー１に、同時に適用するまたは他の
実施形態を構成することも可能である。即ち、図１０の
ように、前記ロードロックチャンバー１の真空形成時前
記ロードロックチャンバー１の内部に水滴が発生するこ
とを防止することができるように、前記ベントガス供給
装置に前記ベントガスを予熱させるヒータ２を設置し、
前記ロードロックチャンバー１の内壁にも別途のヒータ
１８を設置する。
【００４１】ここで、前記それぞれのヒータ２、１８
は、電力を与えることにより前記ロードロックチャンバ
ー１の内部に熱を供給するヒーティングコイル１５、１
９が備えられ、前記ヒーティングコイル１５、１９の温
度を一定に維持することができるように制御部１６、２
０が備えられる構成を有する。従って、前述したよう
に、本発明の半導体真空設備及びこれを利用する方法に
よると、前記霧現象を防止する効果が増幅されることは
勿論で、前記ロードロックチャンバーの温度調節が可能
でイオン注入工程等のような多様な工程を遂行した後、
ウェーハの最適温度を維持することができるようにする
温度調節用ロードロックチャンバーを提供することがで
きるものである。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明による半導体真空設
備及びこれを利用する方法によると、水滴によるチャン
バーの汚染を防止してウェーハ不良を最小化することに
より、ウェーハの収率を向上させることができる効果を
有する。以上、本発明は記載された具体例に対してのみ
詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な
変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白な
ことであり、このような変形及び修正が添付された特許
請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態による半導体真空設備の
構造を示した正面概略図である。
【図２】 図１の実施例による半導体真空設備の作動状
態を順次的に示した平面概略図である。
【図３】 図１の実施形態による半導体真空設備の作動
状態を順次的に示した平面概略図である。
【図４】 図１の実施形態による半導体真空設備の作動
状態を順次的に示した平面概略図である。
【図５】 図１の実施形態による半導体真空設備の作動
状態を順次的に示した平面概略図である。
【図６】 図１の実施形態による半導体真空設備の作動
状態を順次的に示した平面概略図である。
【図７】 図１の実施形態による半導体真空設備の作動
状態を順次的に示した平面概略図である。
【図８】 図１の半導体真空設備の作動状態を順次的に
示したブロック図である。
【図９】 本発明の他の実施形態による半導体真空設備
の構造を示した正面概略図である。
【図１０】 本発明のまた他の実施形態による半導体真
空設備の構造を示した正面概略図である。
【符号の説明】
１ ロードロックチャンバー ２，１８ ヒータ ３ 工程チャンバー ４ ドア ５ 開閉ドア ６ カセット ７ カセットエレベータ ８ カセット掛台 ９ 低真空ポンプ １０ 高真空ポンプ １１，１２，１４ バルブ １３ ベントガス供給管 １５，１９ ヒーティングコイル １６，２０ 制御部 １７ ウェーハ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空状態のチャンバーの内部にベントガ
    スを供給してチャンバーの外部の開放に必要な大気圧状
    態にするためのベントガス供給装置が備えられた半導体
    真空設備において、前記ベントガス供給装置にベントガ
    スを予熱させるヒータが設置されることを特徴とする半
    導体真空設備。
  2. 【請求項２】 前記チャンバーはイオン注入設備に適用
    されるロードロックチャンバーであることを特徴とする
    請求項１に記載の前記半導体真空設備。
  3. 【請求項３】 前記ベントガスは不活性ガスであること
    を特徴とする請求項１に記載の前記半導体真空設備。
  4. 【請求項４】 前記不活性ガスは窒素（Ｎ2）であるこ
    とを特徴とする請求項３に記載の前記半導体真空設備。
  5. 【請求項５】 前記ヒータは、電力を与えることでベン
    トガスに熱を供給するヒーティングコイルと、 前記ヒーティングコイルの温度を一定に維持することが
    できるように制御する制御部とを含めてなることを特徴
    とする請求項１に記載の前記半導体真空設備。
  6. 【請求項６】 前記ヒーティングコイルは前記ベントガ
    スが通過する管を包む形態に形成されたことを特徴とす
    る請求項５に記載の前記半導体真空設備。
  7. 【請求項７】 真空状態の形成が可能なチャンバーを備
    えてなる半導体真空設備において、 前記チャンバーの内部が真空状態に転換される時、その
    内部に水滴が発生することを防止することができるよう
    に前記チャンバーの内壁にヒータが設置されたことを特
    徴とする半導体真空設備。
  8. 【請求項８】 前記チャンバーはイオン注入設備に適用
    されるロードロックチャンバーであることを特徴とする
    請求項７に記載の前記半導体真空設備。
  9. 【請求項９】 前記ヒータは、 電力を与えることで前記チャンバーの内部に熱を供給す
    るヒーティングコイルと、 前記ヒーティングコイルの温度を一定に維持することが
    できるように制御する制御部とを含めてなることを特徴
    とする請求項７に記載の前記半導体真空設備。
  10. 【請求項１０】 前記ヒーティングコイルは前記チャン
    バーの内壁に付着されるヒーティング板に設置されたこ
    とを特徴とする請求項９に記載の前記半導体真空設備。
  11. 【請求項１１】 前記ヒーティングコイルは、前記チャ
    ンバーの内壁に付着されるヒーティング棒に設置された
    ことを特徴とする請求項９に記載の前記半導体真空設
    備。
  12. 【請求項１２】 前記ヒーティングコイルは、前記チャ
    ンバーの内壁を包む形態に設置されることを特徴とする
    請求項９に記載の前記半導体真空設備。
  13. 【請求項１３】 真空状態のロードロックチャンバーの
    内部にベントガスを供給して前記ロードロックチャンバ
    ーの外部開放に必要な大気圧の状態にするためのベント
    ガス供給装置が備えられた半導体真空設備において、前
    記ロードロックチャンバーの内部が真空状態に転換され
    る時、その内部に水滴が発生することを防止することが
    できるように前記ベントガス供給装置及び前記ロードロ
    ックチャンバーの内壁にそれぞれヒータが設置されたこ
    とを特徴とする半導体真空設備。
  14. 【請求項１４】 前記各ヒータは、 電力を与えることで前記ロードロックチャンバーの内部
    に熱を供給するヒーティングコイルと、 前記ヒーティングコイルの温度を一定に維持することが
    できるように制御する制御部と、を含めてなることを特
    徴とする請求項１３に記載の前記半導体真空設備。
  15. 【請求項１５】 真空状態のチャンバーの内部に予熱さ
    れた高温のベントガスを供給してチャンバーの外部開放
    に必要な大気圧状態にすることができるように半導体真
    空設備を利用する方法において、 前記ベントガスを予熱させる段階と、 真空状態の密閉されたチャンバーの内部に前記ベントガ
    スを供給する段階と、 前記ベントガスの供給を遮断させる段階と、 前記チャンバーが外部開放される段階と、 前記チャンバー内から外部に加工物をアンローディング
    する段階と、 工程を進行する加工対象物を外部から前記チャンバーの
    内部にローディングする段階と、 前記チャンバーが密閉された後、前記チャンバーの内部
    に真空状態を形成する段階と、を含めてなることを特徴
    とする半導体真空設備を利用する方法。
  16. 【請求項１６】 真空状態のチャンバーの内部にベント
    ガスを供給してチャンバーの外部開放に必要な大気圧状
    態にすることができるように半導体真空設備を利用する
    方法において、 工程を終えた後、真空状態の密閉されたチャンバーの内
    部にベントガスを供給する段階と、 前記ベントガスが継続に供給される状態で前記チャンバ
    ーを外部に開放する段階と、 前記ベントガスが継続に供給される状態の前記チャンバ
    ーの内で工程を終えた加工物を外部にアンローディング
    する段階と、 前記ベントガスが継続に供給される状態で工程を進行す
    る加工対象物を外部からチャンバーの内部にローディン
    グする段階と、 前記チャンバーが密閉されベントガスの供給が遮断され
    た後、前記チャンバーの内部に真空状態を形成する段階
    とを含めてなることを特徴とする半導体真空設備を利用
    する方法。
  17. 【請求項１７】 前記ベントガスは前記チャンバーに供
    給される段階以前に予熱される段階をさらに含めてなる
    ことを特徴とする請求項１６に記載の前記半導体真空設
    備を利用する方法。
JP11155446A 1998-07-09 1999-06-02 半導体真空設備及びこれを利用する方法 Pending JP2000040669A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980027694A KR100296651B1 (ko) 1998-07-09 1998-07-09 반도체진공설비및이를이용하는방법
KR199827694 1998-07-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000040669A true JP2000040669A (ja) 2000-02-08

Family

ID=19543625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11155446A Pending JP2000040669A (ja) 1998-07-09 1999-06-02 半導体真空設備及びこれを利用する方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6388263B1 (ja)
JP (1) JP2000040669A (ja)
KR (1) KR100296651B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108731A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Tokyo Electron Ltd フォトレジスト塗布現像装置、基板搬送方法、インターフェイス装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191494A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
US7547897B2 (en) * 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
KR100861782B1 (ko) * 2007-02-28 2008-10-08 세메스 주식회사 로드락 챔버 및 그 챔버에서의 벤트 방법
KR20100048615A (ko) 2008-10-31 2010-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치의 제조장치
US20100119351A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Wafertech, Llc Method and system for venting load lock chamber to a desired pressure
JP5899209B2 (ja) * 2010-05-28 2016-04-06 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド ワークピース上の結露を防ぐためのアクティブ露点検出およびロードロック通気
JP5837351B2 (ja) * 2010-08-05 2015-12-24 株式会社荏原製作所 排気系システム
US11264203B1 (en) * 2020-08-17 2022-03-01 Applied Materials Israel Ltd. Reducing a temperature difference between a sample and a chuck of an electron beam tool

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0137569B1 (ko) * 1994-12-14 1998-06-01 양승택 고압산화 및 저압 화학기상증착용 다중공정 반도체 제조장치
KR100189981B1 (ko) * 1995-11-21 1999-06-01 윤종용 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치
KR0165000B1 (ko) * 1995-12-29 1999-02-01 김광호 이온주입기의 배기시스템
US5793050A (en) * 1996-02-16 1998-08-11 Eaton Corporation Ion implantation system for implanting workpieces
US6042623A (en) * 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US6120606A (en) * 1998-06-26 2000-09-19 Acer Semiconductor Manufacturing Inc. Gas vent system for a vacuum chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108731A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Tokyo Electron Ltd フォトレジスト塗布現像装置、基板搬送方法、インターフェイス装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6388263B1 (en) 2002-05-14
KR100296651B1 (ko) 2001-10-26
KR20000008048A (ko) 2000-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230298893A1 (en) Tungsten defluorination by high pressure treatment
US7256370B2 (en) Vacuum thermal annealer
US20050189074A1 (en) Gas processing apparatus and method and computer storage medium storing program for controlling same
US6409932B2 (en) Method and apparatus for increased workpiece throughput
JP2008202930A (ja) 減圧乾燥装置
KR20030003703A (ko) 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 웨이퍼 로드록 내부의 오염감소 방법 및 장치
JP3330335B2 (ja) 塗布膜形成装置およびエージング処理装置
JP2000040669A (ja) 半導体真空設備及びこれを利用する方法
US7723649B2 (en) Vacuum thermal annealer
JP2012089591A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2003332322A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3184666B2 (ja) プラズマ装置の運転方法
TW202119525A (zh) 有毒排氣控制的後處理
JP3471077B2 (ja) 真空容器の圧力制御方法
JP2004200666A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP3582784B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7303788B2 (ja) 基板処理装置及び方法
US20220267909A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2000164483A (ja) 密着強化処理方法及び密着強化処理装置
JPH02107775A (ja) 処理装置及びその排気方法
JP3388654B2 (ja) 真空処理方法と装置
JP2006186189A (ja) ガス処理製造装置、ガス処理製造方法
KR200294169Y1 (ko) 반도체제조용가열장치
JP2006194577A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR200191155Y1 (ko) 반도체 기판의 열처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080916

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090623