KR100296651B1 - 반도체진공설비및이를이용하는방법 - Google Patents

반도체진공설비및이를이용하는방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100296651B1
KR100296651B1 KR1019980027694A KR19980027694A KR100296651B1 KR 100296651 B1 KR100296651 B1 KR 100296651B1 KR 1019980027694 A KR1019980027694 A KR 1019980027694A KR 19980027694 A KR19980027694 A KR 19980027694A KR 100296651 B1 KR100296651 B1 KR 100296651B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
load lock
vent gas
lock chamber
vacuum
chamber
Prior art date
Application number
KR1019980027694A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000008048A (ko
Inventor
송호기
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980027694A priority Critical patent/KR100296651B1/ko
Priority to US09/309,282 priority patent/US6388263B1/en
Priority to JP11155446A priority patent/JP2000040669A/ja
Publication of KR20000008048A publication Critical patent/KR20000008048A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100296651B1 publication Critical patent/KR100296651B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18—Vacuum control means
    • H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 진공상태 형성시 발생하는 안개현상을 방지하게 하는 반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 진공설비는, 진공상태의 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 반도체 진공설비에 있어서, 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터를 설치하는 것을 특징으로 하고, 본 발명의 반도체 진공설비를 이용하는 방법은, 챔버 내부로 벤트가스를 공급하고, 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 챔버가 외부개방되어 가공물을 언로딩 및 로딩하며, 상기 챔버가 밀폐되어 상기 벤트가스의 공급이 중단된 후 상기 챔버 내부에 진공상태가 형성되는 단계들을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 파티클에 의한 웨이퍼 불량을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 챔버의 오염을 방지하게 하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법
본 발명은 반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 진공상태 형성시 발생하는 안개현상을 방지하게 하는 반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정은 초정밀도를 요구하는 공정으로서, 이를 위한 설비의 조건으로는 진공도 등을 들 수 있다.
즉, 이러한 진공도를 만족하기 위하여 반도체 공정에서는, 프라즈마를 이용한 반도체 식각용 진공설비, 웨이퍼에 불순물을 확산시키는 반도체 확산용 진공설비, 웨이퍼에 이온입자를 주입하는 이온주입용 진공설비 등의 반도체 제조용 진공설비가 널리 사용되고 있다.
특히, 이러한 반도체 진공설비는, 요구되는 진공도의 정도에 따라, 저진공, 고진공, 초고진공 등을 형성하기위한 다양한 종류의 진공펌프를 구비한다.
여기서, 진공펌프란 공정이 이루어지는 공정챔버의 내부공기를 흡입하고, 이를 외부로 강제 배출시키는 것으로서, 진공펌프 용량의 한계성에 따라 하나의 공정챔버에 저진공용 펌프와 고진공용 펌프를 설치하여 진공상태를 단계적으로 형성하는 것이 일반적이다.
또한, 종래의 반도체 진공설비는 밀폐된 챔버에 진공펌프와 연결되는 연결관을 설치하고, 상기 연결관에 제어부에 의해 제어되는 밸브를 설치하는 구성으로서, 상기 챔버가 밀폐된 다음 상기 연결관을 개방하여 상기챔버 내의 공기를 진공펌프가 흡입함으로써 상기 챔버에 진공상태를 형성하는 것이다.
또한, 상기 챔버에 저진공용 펌프(예; 드라이펌프(Dry Pump)) 및 고진공용 펌프(예; 크라이오펌프(CryoPump))를 각각 연결하여 이들 펌프를 상기 챔버에 연결하는 연결관에 각각 설치된 밸브를 단계적으로 개방하여 상기 챔버의 진공상태 형성을 단계적으로 신속하게 이루어지도록 하고, 진공상태를 다시 대기압상태로환원하기 위하여 진공상태의 상기 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 한다.
따라서, 상기 챔버를 외부개방하기 전에 상기 챔버 내부에 벤트가스를 공급하여 내부의 기압을 대기압상태로상승시켜서 외부개방이 용이하도록 한다.
그러나, 대기압상태의 상기 챔버에서 상기 저진공용 펌프와 연결되는 연결관의 밸브를 개방하는 순간, 상기챔버에 진공상태가 형성되면서 상기 챔버의 내부에 미세한 수적입자들이 생기는 안개현상이 발생하여 상기챔버의 내부를 오염시키는 것은 물론, 상기 챔버 내부의 웨이퍼에 악영향을 주는 등의 문제점이 있었다.
여기서, 상기 안개현상이란, 상기 챔버 내부의 기압이 순간적으로 하강하는 동안 기온이 급격하게 하강하면서 공기중에 포함된 가스상태의 수증기가 포화상태에 이르러 액체상태의 수적입자들로 응결되는 현상으로서이러한 액체상태의 물분자(파티클)는 상기 웨이퍼의 표면에 흡착되어 심각한 웨이퍼 불량을 야기하게 되는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 파티클에 의한 웨이퍼 불량을방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 챔버의 오염을 방지하게 하는 반도체 진공설비를 제공함에 있다.
도1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 진공설비를 나타낸 정면도이다.
도2 내지 도7은 도1의 반도체 진공설비의 동작관계를 나타낸 평면도이다.
도8은 도1의 반도체 진공설비의 동작관계를 나타낸 블록도이다.
도9는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 진공설비를 나타낸 정면도이다.
도10은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 반도체 진공설비를 나타낸 정면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1: 로드락챔버 2, 18: 히터
3: 공정챔버 4: 도어
5: 개폐문 6: 카셋트
7: 카셋트엘리베이터 8: 카셋트걸이대
9: 저진공펌프 10: 고진공펌프
11, 12, 14: 밸브 13: 벤트가스공급관
15, 19: 히팅코일 16, 20: 제어부
17: 웨이퍼
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 진공설비는, 진공상태의 챔버 내부로 벤트가스(VentGas)를 공급하여 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 반도체 진공설비에 있어서, 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터를 설치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 챔버는 이온주입설비의 로드락챔버로서, 밸브에 의해 개폐되고, 진공펌프와 연결되는 진공라인이설치된다.
또한, 상기 벤트가스는 불활성가스인 질소(N2)를 사용할 수 있다.
또한, 상기 벤트가스공급장치는, 상기 벤트가스를 저장하는 벤트가스저장소와; 상기 벤트가스저장소에 저장된상기 벤트가스를 상기 챔버로 이송하는 벤트가스공급관과; 상기 벤트가스공급관을 개폐하는 밸브; 및 상기밸브에 개폐신호를 인가하여 상기 밸브를 제어하는 제어부;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 바람직하기로는, 상기 히터는 상기 벤트가스에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을 발생하는 히팅코일; 및 상기 히팅코일의 온도를 제어하는 제어부;를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 히팅코일은 상기 벤트가스가 통과하는 관을 감싸는 형상인 것이 가능하고, 상기 제어부는 상기히팅코일의 온도를 일정하게 유지시키도록 상기 히팅코일을 제어하는 것임이 가능하다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 진공설비는, 선택적인 진공상태의 형성이 가능한 챔버를 구비하여 이루어지는 반도체 진공설비에 있어서, 챔버의 진공상태 형성시 챔버의 내부에 수적이존재하는 것을 방지하도록 상기 챔버의 내벽에 히터를 설치하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 진공설비는, 선택적인 진공상태의 형성이 자유로운 진공상태의 로드락챔버 내부로 벤트가스를 공급하여 로드락챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 반도체 진공설비에 있어서, 로드락챔버의 진공상태 형성시 로드락챔버의 내부에 수적이 존재하는 것을 방지하도록 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터를 설치하고, 상기 로드락챔버의 내벽에 히터를 설치하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 진공설비를 이용하는 방법은, 진공상태의 챔버 내부로 예열된 고온의 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 반도체 진공설비를 이용하는 방법에 있어서, 상기 벤트가스를 예열시키는 단계와; 진공상태의 밀폐된 챔버 내부로 상기 벤트가스를 공급하는 단계와; 상기 벤트가스의 공급이 중단되는 단계와; 상기 챔버가 외부개방되는 단계와; 상기 챔버에서 가공물이 외부로 언로딩되는 단계와; 외부에서 공정이 진행될 가공대상물이 상기 챔버로 로딩되는 단계; 및 상기 챔버가 밀폐되고 상기 챔버 내부에 진공상태가 형성되는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 진공설비를 이용하는 방법은, 진공상태의 챔버 내부로 벤트가스를 공급하여 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를구비하여 이루어지는 반도체 진공설비를 이용하는 방법에 있어서, 공정을 마친 후 진공상태의 밀폐된 챔버내부로 벤트가스를 공급하는 단계와; 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 챔버가 외부개방되는 단계와; 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 챔버에서 공정을 마친 가공물이 외부로 언로딩되는 단계와; 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 외부에서 공정이 진행될 가공대상물이 상기 챔버로 로딩되는 단계; 및 상기 벤트가스가 밀폐되어 내부의 진공상태가 형성되는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 챔버로 공급되는 상기 벤트가스를 예열하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 진공설비는, 진공상태의 로드락챔버(1) 내부로 벤트가스를 공급하여 로드락챔버(1)의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하고, 상술된 안개현상을 방지하기 위하여 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터(2)를 설치한다.
여기서, 상기 로드락챔버(1)에 설치되는 상기 히터(2)는 필요에 따라 내부에 진공상태가 형성되는 다양한 형태의 챔버 등에 설치되는 것이 가능하나, 가공이 이루어지는 공정챔버(3)에 연결되어 선택적인 진공상태 형성을 위한 웨이퍼의 대기장소로 활용되는 도1의 로드락챔버(1)를 그 일례로서 예시하였으며, 특히, 상기 공정챔버(3)의 한 형태로 고진공이 요구되는 이온주입설비의 공정챔버(3)를 도시하였다.
여기서, 상기 로드락챔버(1)는 이온주입설비의 공정챔버(3)와 연결되는 것으로서, 상기 공정챔버(3)의 전방에좌우 2개가 설치되고, 상기 로드락챔버(1)에는 전방으로 개방되는 도2의 도어(4)를 설치하며, 상기 로드락챔버(1)의 내벽에는 상기 공정챔버(3)로 연결되는 웨이퍼의 통로인 도1의 개폐문(5)이 설치된다.
또한, 상기 공정챔버(3)의 내부에 설치된 이송암(도시하지 않음)이 상기 개폐문(5)을 통해 웨이퍼를 이송할수 있도록 상기 로드락챔버(1)에는 상기 웨이퍼가 적재된 카셋트(6)를 상기 이송암의 위치로 승하강시키는카셋트엘리베이터(7)가 설치된다.
여기서, 상기 카셋트(6)의 로딩작업은, 작업자가 상기 로드락챔버(1)의 도어를 개방한 다음 상기 카셋트엘리베이터(7)에 설치된 카셋트걸이대(8)에 안착시키면 상기 카셋트걸이대(8)가 상기 카셋트(6)를 상기 로드락챔버(1)의 내부로 로딩하는 일련의 과정을 거쳐서 이루어지게 된다.
이러한, 상기 로드락챔버(1)는, 저진공펌프(9) 및 고진공펌프(10)가 각각 연결되고, 각각의 진공라인에는 상기 진공라인들을 개폐하는 밸브(11)(12)가 각각 설치되어 있다.
여기서, 상기 밸브(11)(12)는 설비의 제어부(도시하지 않음)에 의해 제어되는 것으로서, 일련의 프로그램에 따라 상기 밸브(11)(12)들을 단계적으로 제어하여 상기 로드락챔버(1)가 저진공펌프(9)에 의해 1차 저진공상태가 형성되면, 상기 고진공펌프(10)에 의해 2차 고진공상태가 형성되도록 하는 것이다.
한편, 상기 벤트가스는 웨이퍼에 주는 영향을 최소화하기 위하여 불활성가스인 질소(N2)를 사용한다.
또한, 벤트가스공급장치는, 상기 벤트가스를 저장하는 벤트가스저장소(도시하지 않음)와, 상기 벤트가스저장소에저장된 상기 벤트가스를 상기 챔버로 이송하는 벤트가스공급관(13)과, 상기 벤트가스공급관(13)을 개폐하는 밸브(14) 및 상기 밸브(14)에 개폐신호를 인가하여 상기 밸브(14)를 제어하는 제어부(도시하지 않음)를 구비한다.
또한, 상기 히터(2)는, 상기 벤트가스공급관(13)을 통과하는 상기 벤트가스에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을 발생하는 히팅코일(15) 및 상기 히팅코일(15)의 온도를 일정하게 유지시키도록 상기 히팅코일(15)의 온도를 제어하는 제어부(16)를 구비한다.
또한, 상기 히팅코일(15)은 다양한 형태가 가능하고, 바람직하기로는 상기 벤트가스공급관(13)을 감싸는 형상인 것이 가능하다.
여기서, 상기 히팅코일(15)에 대한 기술은 해당기술분야에 종사하는 당업자에 있어서 이미 공지되어 널리 사용되는 기술로서 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 수정 및 변경이 용이한 것이다.
따라서, 상기 설비의 제어부에 의해 상기 벤트가스공급장치의 밸브(14)가 개방되면 상기 벤트가스가 상기 벤트가스공급관(13)을 거쳐 상기 히팅코일(15)에 의해 예열된 후 진공상태의 상기 로드락챔버(1) 내부로 유입되게 된다.
이때, 상기 로드락챔버(1)의 내부에 충만되어 내부 기압을 상승시키는 고온의 상기 벤트가스는 상기 로드락챔버(1)의 외부개방을 용이하게 하는 한편, 상기 로드락챔버(1)가 외부개방되더라도 상기 로드락챔버(1)의 공기온도를 상승시키는 역할을 함으로써 상기 로드락챔버(1)의 진공상태 형성시 상기 로드락챔버(1)의 내부온도가 하강하여 상기 수증기의 온도가 물로 응결되는 응결점에 도달하는 것을 방지하는 것이다.
따라서, 이러한 본 발명의 반도체 진공설비를 이용하는 방법을 도1을 참조하여 설명하면, 먼저, 상기 히터(2)에 전력을 인가하여 상기 벤트가스를 예열시키는 단계와, 상기 밸브(14)를 개방하여 진공상태의 밀폐된상기 로드락챔버(1)의 내부로 예열된 상기 벤트가스를 공급하는 단계와, 상기 벤트가스의 공급에 의해 상기로드락챔버(1)의 내부 기압이 상승하여 일정 수준에 도달되면 상기 밸브(14)를 폐쇄하여 상기 벤트가스의 공급이 중단되는 단계와, 상기 로드락챔버(1)의 도2의 도어(4)가 외부개방되는 단계와, 상기 로드락챔버(1)에서가공을 마친 웨이퍼를 적재한 카셋트(6)가 작업자에 의해 외부로 언로딩되는 단계와, 외부에서 공정이 진행될 웨이퍼를 적재한 카셋트(6)가 상기 로드락챔버(1)로 로딩되는 단계 및 상기 로드락챔버(1)의 도어(4)가밀폐되고 상기 로드락챔버(1) 내부에 저진공상태 및 고진공상태가 단계적으로 형성되는 단계를 포함하여 이루어진다.
한편, 반도체 진공설비를 이용하는 다른 제어방법으로는, 이러한 수증기 응결을 방지하는 효과를 증폭시키기위하여 상기 벤트가스공급관(13)의 밸브(14)를 상기 로드락챔버(1)의 외부개방 중에도 개방되어 상기 벤트가스가 계속 공급되도록 제어되는 것이 가능하다.
즉, 상기 로드락챔버(1)가 외부개방되더라도 상기 고온의 벤트가스가 계속 분사됨으로써 외부의 공기가 상기로드락챔버(1)의 내부로 유입되는 것을 억제하여 안개현상을 일으키는 수증기의 유입을 최대한 방지하도록 하는 것이다.
이러한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 진공설비의 동작관계를 설명하면, 먼저, 도2에서와 같이, 상기 저진공펌프(9)와 연결된 진공라인의 밸브(11)를 개방하여 상기 로드락챔버(1)의 내부를 저진공상태로만든 다음, 상기 고진공펌프(10)와 연결된 진공라인의 밸브(12)를 개방하여 상기 로드락챔버(1)의 내부를 고진공상태로 만든다.
이어서, 도3에서와 같이, 상기 로드락챔버(1)의 진공상태가 상기 공정챔버(3)의 진공상태의 기압과 동일해지면, 상기 공정챔버(3)의 내부에 설치된 이송암이 상기 개폐문(5)을 통해 웨이퍼(17)를 상기 공정챔버(3)로 로딩한 후 상기 웨이퍼(17)를 가공하는 것이다.
이어서, 상기 웨이퍼(17)의 가공을 마치면 상기 이송암에 의해 상기 웨이퍼(17)는 상기 로드락챔버(1)로 언로딩된다.
이때, 상기 웨이퍼(17)의 로딩 및 언로딩시 도1의 상기 카셋트엘리베이터(7)가 상기 이송암의 위치에 상기웨이퍼(17)들을 순차적으로 위치시키도록 승하강하게 된다.
이어서, 도4에서와 같이, 상기 개폐문(5)이 밀폐된 후 상기 로드락챔버(1)에 벤트가스가 공급되어 상기 로드락챔버(1)의 기압을 상승시킨다.
이어서, 도5에서와 같이, 상기 로드락챔버(1)의 기압이 외부의 대기압 수준으로 상승되면, 상기 벤트가스가계속 공급되는 동안 상기 로드락챔버(1)의 도어(4)가 개방되고, 이온주입공정을 마친 다수개의 웨이퍼들이 적재된 카셋트(6)가 작업자에 의해 외부로 언로딩된다.
이어서, 도6에서와 같이, 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 외부에서 이온주입공정이 진행될 다수개의 웨이퍼를 적재한 카셋트(6)가 작업자에 의해 상기 로드락챔버(1)로 로딩되면, 도7에서와 같이, 상기 로드락챔버(1)의 도어(4)가 밀폐된다.
이어서, 상기 로드락챔버(1)의 도어(4)가 밀폐된 다음, 상기 벤트가스의 공급이 중단되고, 다시 도2에서와같이, 상기 저진공펌프(9) 및 고진공펌프(10)와 연결된 진공라인의 밸브(11)(12)들을 차례로 개방하여 상기로드락챔버(1)의 내부를 단계적으로 저진공상태에서 고진공상태로 만든다.
이어서, 상술된 과정들이 반복적으로 수행됨으로써 연속적인 웨이퍼 가공이 이루어지는 것이다.
따라서, 상기 로드락챔버(1)의 도어(4)가 개방되는 동안에도 상기 벤트가스가 분사되어 수증기를 포함한 외부의 공기가 상기 로드락챔버(1)의 내부로 유입되는 것을 최대한 방지한다.
그러므로, 급격한 진공상태 형성시 발생하는 포화수증기의 양을 감소시켜서 안개현상을 방지할 수 있는 것이다.
상술한 바와 같이 상기 안개현상을 방지하도록 로드락챔버(1)의 외부개방시에도 벤트가스를 분무하는 본 발명의 반도체 진공설비의 제어방법은 로드락챔버의 외부개방시에는 벤트가스의 공급을 중단하던 종래의 반도체진공설비 제어방법과는 다른 것이다.
즉, 본 발명의 반도체 진공설비를 이용하는 방법은, 도8에서와 같이, 상기 로드락챔버의 내부를 저진공상태로 만드는 단계(S1)과, 상기 로드락챔버의 내부를 고진공상태로 만드는 단계(S2)와, 상기 로드락챔버의 진공상태가 상기 공정챔버의 진공상태의 기압과 동일해지면 상기 공정챔버의 내부에 설치된 이송암이 상기 개폐문을 통해 웨이퍼를 상기 공정챔버로 로딩하는 단계(S3)와, 웨이퍼를 가공하는 단계(S4)와, 상기 웨이퍼의가공을 마치면 상기 이송암에 의해 상기 웨이퍼는 상기 로드락챔버로 언로딩되는 단계(S5)와, 상기 개폐문이밀폐된 후, 다시 진공상태의 상기 로드락챔버에 벤트가스가 공급되는 단계(S6)와, 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 로드락챔버가 외부개방되는 단계(S7)와, 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 로드락챔버에서 이온주입공정을 마친 다수개의 웨이퍼들이 적재된 카셋트가 외부로 언로딩되는 단계(S8)와, 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 외부에서 이온주입공정이 진행될 다수개의 웨이퍼를 적재한 카셋트가 상기 로드락챔버로 로딩되는 단계(S9) 및 상기 로드락챔버가 밀폐(S10)되고, 상기 벤트가스의 공급이 중단되는 단계(S11)를 구비하여 이루어진다.
또한, 상기 벤트가스의 공급이 중단되는 단계(S11)를 마치면 다시 상기 로드락챔버에 저진공상태를 형성하는 단계(S1)로 돌아가서 이후의 단계들을 반복하게 되는 것이다.
따라서, 상기 단계들을 반복하면서 다수개의 웨이퍼에 이온주입공정이 연속적으로 수행되는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 반도체 진공설비를 이용하는 방법은, 종래의 반도체 진공설비의 벤트가스의 공급시기를 제어함으로써 이루어질 수 있는 것은 물론이고, 수증기 응결을 방지하는 효과를 더욱 증폭시키기 위하여 상기챔버로 공급되는 상기 벤트가스를 히터로 예열하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 벤트가스의 예열온도는 수증기 응결, 즉 안개효과를 방지하는 최소 온도 이상의 온도로 가열되는 것이 바람직하다.
이러한 안개효과를 방지하는 최소의 온도는 벤트가스의 송풍량, 챔버의 크기, 밀폐방식, 외부 공기의 온도등에 의해 영향을 받는 것으로서 실제 실험에 의해 통계적으로 파악될 수 있는 것이다.
한편, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 진공설비는, 도9에 도시된 바와 같이, 안개현상을방지하도록 상기 로드락챔버(1)의 진공상태 형성시 상기 로드락챔버(1)의 내부에 수적이 존재하는 것을 방지하도록 상기 로드락챔버(1)의 내벽에 히터(18)를 설치하는 것이다.
여기서, 상기 히터(18)는, 상기 로드락챔버(1)의 내부에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을 발생하는 히팅코일(19) 및 상기 히팅코일(19)의 온도를 제어하는 제어부(20)를 구비하여 이루어진다.
이러한, 상기 히팅코일(19)의 설비방법은 매우 다양한 것으로서, 상기 로드락챔버(1)의 내벽에 설치되는 히팅판에 설치되는 것, 상기 로드락챔버(1) 내벽에 설치되는 히팅봉에 설치되는 것, 상기 로드락챔버(1) 내벽을감싸는 형태로 설치되는 것 등등 상기 히팅코일(19)에 관한 기술은 해당기술분야에 종사하는 당업자에 있어서 이미 공지되어 널리 사용되는 기술로서 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 수정 및 변경이 용이한 것이다.
또한, 상기 제어부(20)는 상기 히팅코일(19)의 온도를 일정하게 유지시키도록 상기 히팅코일(19)을 제어하는것이 바람직하고, 이외에도 상기 로드락챔버(1)가 외부개방되는 동안에만 상기 히팅코일(19)이 가열되도록 제어하는 것도 가능하다.
따라서, 상기 안개현상을 방지하는 효과는 물론이고, 아울러 상기 로드락챔버(1)의 온도조절이 가능하여 이온주입공정 등 다양한 공정 후의 웨이퍼 최적온도를 유지할 수 있게 하는 온도조절용 로드락챔버를 제공할수 있는 것이다.
한편, 본 발명의 벤트가스를 예열하는 히터(2)의 개념과, 상기 로드락챔버의 내부를 가열하는 히터(18)의 개념은 서로 독립적인 사상으로서, 상기 로드락챔버(1)에 동시 적용하는 것이 가능하다.
즉, 도10에서와 같이, 상기 로드락챔버(1)의 진공상태 형성시 상기 로드락챔버(1)의 내부에 수적이 존재하는것을 방지하도록 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터(2)를 설치하고, 상기 로드락챔버(1)의 내벽에 히터(18)를 설치하는 것이다.
여기서, 상기 각각의 히터(2)(18)는, 상기 로드락챔버(1)의 내부에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을발생하는 히팅코일(15)(19)을 구비하고, 상기 히팅코일(15)(19)의 온도를 일정하게 유지시키도록 제어부(16)(20)를 구비하여 이루어진다.
그러므로, 상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법에 의하면 상기 안개현상을방지하는 효과가 증폭됨은 물론이고, 상기 로드락챔버의 온도조절이 가능하여 이온주입공정 등 다양한 공정후의 웨이퍼 최적온도를 유지할 수 있게 하는 온도조절용 로드락챔버를 제공할 수 있는 것이다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법에 의하면, 수적에 의한 웨이퍼불량을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 챔버의 오염을 방지하게 하는 효과를 갖는 것이다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (16)

  1. 가공이 이루어지는 공정챔버에 연결되어, 웨이퍼의 대기장소로 활용되는 선택적인 진공상태형성을 위한 진공상태의 로드락 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 상기 로드락 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 이온주입장치의 반도체 진공설비에 있어서,
    상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터를 설치하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 반도체 진공설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 벤트가스는 불활성가스인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 불활성가스는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는,
    상기 벤트가스에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을 발생하는 히팅코일; 및
    상기 히팅코일의 온도를 제어하는 제어부;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 히팅코일은 상기 벤트가스가 통과하는 관을 감싸는 형상인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 히팅코일의 온도를 일정하게 유지시키도록 상기 히팅코일을 제어하는 것임을 특징으로하는 상기 반도체 진공설비.
  7. 가공이 이루어지는 공정챔버에 연결되어, 웨이퍼의 대기장소로 활용되는 선택적인 진공상태형성을 위한 진공상태의 로드락 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 상기 로드락 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 이온주입장치의 반도체 진공설비에 있어서,
    상기 로드락 챔버의 진공상태 형성시 상기 로드락 챔버의 내부에 수적이 존재하는 것을 방지하도록 상기 로드락 챔버의 내벽에 히터를 설치하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 반도체 진공설비.
  8. 제 8 항에 있어서,
    상기 히터는,
    상기 챔버의 내부에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을 발생하는 히팅코일; 및
    상기 히팅코일의 온도를 제어하는 제어부;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 히팅코일은 상기 챔버 내벽에 설치되는 히팅판에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 히팅코일은 상기 챔버 내벽에 설치되는 히팅봉에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 히팅코일은 상기 챔버 내벽을 감싸는 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 히팅코일의 온도를 일정하게 유지시키도록 상기 히팅코일을 제어하는 것임을 특징으로하는 상기 반도체 진공설비.
  13. 가공이 이루어지는 공정챔버에 연결되어, 웨이퍼의 대기장소로 활용되는 선택적인 진공상태형성을 위한 진공상태의 로드락 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 상기 로드락 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 이온주입장치의 반도체 진공설비에 있어서,
    로드락챔버의 진공상태 형성시 로드락챔버의 내부에 수적이 존재하는 것을 방지하도록 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터를 설치하고, 상기 로드락챔버의 내벽에 히터를 설치하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 반도체 진공설비.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 히터들은,
    상기 로드락챔버의 내부에 열을 공급하도록 전력을 공급받아 열을 발생하는 히팅코일; 및
    상기 히팅코일의 온도를 일정하게 유지시키도록 제어하는 제어부;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 진공설비.
  15. 가공이 이루어지는 공정챔버에 연결되어, 웨이퍼의 대기장소로 활용되는 선택적인 진공상태형성을 위한 진공상태의 로드락 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 상기 로드락 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 이온주입장치의 반도체 진공설비를 이용하는 방법에 있어서,
    상기 벤트가스를 예열시키는 단계;
    진공상태의 밀폐된 상기 로드락 챔버 내부로 상기 벤트가스를 공급하는 단계;
    상기 벤트가스의 공급을 중단시키는 단계;
    상기 로드락 챔버가 외부개방되는 단계;
    상기 로드락 챔버에서 가공물이 외부로 언로딩되는 단계;
    외부에서 공정이 진행될 가공대상물이 상기 로드락 챔버로 로딩되는 단계; 및
    상기 로드락 챔버가 밀폐되고 상기 로드락 챔버 내부에 진공상태가 형성되는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 반도체 진공설비를 이용하는 방법.
  16. 가공이 이루어지는 공정챔버에 연결되어, 웨이퍼의 대기장소로 활용되는 선택적인 진공상태형성을 위한 진공상태의 로드락 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 상기 로드락 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 이온주입장치의 반도체 진공설비를 이용하는 방법에 있어서,
    상기 벤트가스를 상기 로드락 챔버로 공급하기 전에 상기 벤트가스를 예열하는 단계
    공정을 마친 후 진공상태의 밀폐된 상기 로드락 챔버 내부로 벤트가스를 공급하는 단계;
    상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 로드락 챔버가 외부개방되는 단계;
    상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 로드락 챔버에서 공정을 마친 가공물이 외부로 언로딩되는 단계;
    상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 외부에서 공정이 진행될 가공대상물이 상기 로드락 챔버로 로딩되는 단계; 및
    상기 로드락 챔버가 밀폐되고 상기 벤트가스의 공급이 중단된 후 상기 로드락 챔버 내부에 진공상태가 형성되는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 반도체 진공설비를 이용하는 방법.
KR1019980027694A 1998-07-09 1998-07-09 반도체진공설비및이를이용하는방법 KR100296651B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980027694A KR100296651B1 (ko) 1998-07-09 1998-07-09 반도체진공설비및이를이용하는방법
US09/309,282 US6388263B1 (en) 1998-07-09 1999-05-11 Vacuum system with mist prevention apparatus for manufacturing semiconductor devices and method using the same
JP11155446A JP2000040669A (ja) 1998-07-09 1999-06-02 半導体真空設備及びこれを利用する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980027694A KR100296651B1 (ko) 1998-07-09 1998-07-09 반도체진공설비및이를이용하는방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000008048A KR20000008048A (ko) 2000-02-07
KR100296651B1 true KR100296651B1 (ko) 2001-10-26

Family

ID=19543625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980027694A KR100296651B1 (ko) 1998-07-09 1998-07-09 반도체진공설비및이를이용하는방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6388263B1 (ko)
JP (1) JP2000040669A (ko)
KR (1) KR100296651B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191494A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
US7547897B2 (en) * 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
KR100861782B1 (ko) * 2007-02-28 2008-10-08 세메스 주식회사 로드락 챔버 및 그 챔버에서의 벤트 방법
KR20100048615A (ko) 2008-10-31 2010-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치의 제조장치
US20100119351A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Wafertech, Llc Method and system for venting load lock chamber to a desired pressure
JP4948587B2 (ja) * 2009-11-13 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 フォトレジスト塗布現像装置、基板搬送方法、インターフェイス装置
KR101817185B1 (ko) * 2010-05-28 2018-01-10 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 피가공재 상의 응축을 방지하기 위한 능동형 이슬점 감지 및 로드록 배기
JP5837351B2 (ja) * 2010-08-05 2015-12-24 株式会社荏原製作所 排気系システム
US11264203B1 (en) * 2020-08-17 2022-03-01 Applied Materials Israel Ltd. Reducing a temperature difference between a sample and a chuck of an electron beam tool

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960026481A (ko) * 1994-12-14 1996-07-22 양승택 고압산화 및 저압 화학기상증착용 다중공정 반도체 제조장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100189981B1 (ko) * 1995-11-21 1999-06-01 윤종용 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치
KR0165000B1 (ko) * 1995-12-29 1999-02-01 김광호 이온주입기의 배기시스템
US5793050A (en) * 1996-02-16 1998-08-11 Eaton Corporation Ion implantation system for implanting workpieces
US6042623A (en) * 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US6120606A (en) * 1998-06-26 2000-09-19 Acer Semiconductor Manufacturing Inc. Gas vent system for a vacuum chamber

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960026481A (ko) * 1994-12-14 1996-07-22 양승택 고압산화 및 저압 화학기상증착용 다중공정 반도체 제조장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6388263B1 (en) 2002-05-14
JP2000040669A (ja) 2000-02-08
KR20000008048A (ko) 2000-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9490151B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP0776988B1 (en) Temperature regulation apparatus
US6409932B2 (en) Method and apparatus for increased workpiece throughput
KR100296651B1 (ko) 반도체진공설비및이를이용하는방법
US11842903B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
JP2000138210A (ja) 塗布膜形成装置およびエージング処理装置
US9418866B2 (en) Gas treatment method
US20220168785A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN111668136B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
JP2019149578A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH05299379A (ja) 温度調整装置およびその方法
KR100542629B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치 및 방법
KR19990039091U (ko) 반도체 웨이퍼 식각장비의 웨이퍼 냉각용 가스압력 제어장치
KR102315663B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2000164483A (ja) 密着強化処理方法及び密着強化処理装置
US20220319877A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102246678B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20240203761A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating system including the same
JPH10284389A (ja) 電子線露光方法および装置
KR20240097555A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템
KR200167738Y1 (ko) 반도체 이온주입설비의 진공조절장치
KR20200106442A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20210038162A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH02107775A (ja) 処理装置及びその排気方法
KR20000038209A (ko) 로드락 챔버를 구비하는 화학기상증착 장비

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee